JP2004235613A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 加圧気体又は超臨界流体を加圧浸透させて、樹脂薄膜が塗布された基板からなる被処理体の前記樹脂薄膜を柔軟にする工程と、
   前記被処理体の前記樹脂薄膜側に、所定のナノオーダーのパターンが形成されたモールドを押し付けて前記所定のパターンを前記樹脂薄膜に転写する工程と、
   該転写後に前記加圧気体又は前記超臨界流体を減圧することにより前記樹脂薄膜を固化する工程とを有し、
   前記転写する工程では、前記被処理体の温度が前記樹脂薄膜のガラス転移温度以下であり、
   更に、上記全ての工程を通じて、
   前記モールドの温度を前記樹脂薄膜のガラス転移温度以下の一定温度に維持されることを特徴とするナノインプリント方法。
2. 前記転写工程後に、前記樹脂薄膜を超臨界気体で洗浄する工程を更に有することを特徴とする請求項１記載のナノインプリント方法。
3. 前記洗浄工程において、前記超臨界気体の圧力が７ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項２記載のナノインプリント方法。
4. 前記加圧気体は加圧ＣＯ２であることを特徴とする請求項１記載のナノインプリント方法。
5. 前記超臨界流体は超臨界ＣＯ２であることを特徴とする請求項１記載のナノインプリント方法。
6. 前記樹脂薄膜は、ポリメタクリル酸メチルであることを特徴とする請求項１記載のナノインプリント方法。
7. 前記樹脂薄膜の厚さが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のナノインプリント方法。
8. 前記樹脂薄膜を柔軟にする工程において、前記加圧気体又は前記超臨界気体を７ＭＰａ以上かつ温度３１℃以上で前記樹脂薄膜に加圧浸透させることを特徴とする請求項１記載のナノインプリント方法。
9. 加圧気体又は超臨界流体を加圧浸透させて、樹脂薄膜が塗布された基板からなる被処理体の前記樹脂薄膜を柔軟にする工程と、
   前記被処理体の前記樹脂薄膜側に、ナノオーダーの所定のパターンが形成されたモールドを、５ＭＰａ以下の実効的な加圧力で押し付けて前記所定のパターンを前記樹脂薄膜に転写する工程とを有することを特徴とするナノインプリント方法。
10. 前記モールドは、透明な材料から構成され、
    前記被処理体と前記モールドとを位置合わせするアライメント工程とを更に有することを特徴とする請求項９記載のナノインプリント方法。
11. 加圧気体又は超臨界流体に、低分子の撥水剤を溶解する工程と、
    前記撥水剤が溶解した加圧気体又は超臨界流体を加圧浸透させて、樹脂薄膜が塗布された基板からなる被処理体の前記樹脂薄膜を柔軟にする工程と、
    前記被処理体の前記樹脂薄膜側に、所定のナノオーダーのパターンが形成されたモールドを押し付けて前記所定のパターン前記樹脂薄膜に転写する工程と、
    該転写後に前記加圧気体又は前記超臨界流体を減圧することにより前記樹脂薄膜を固化する工程とを有するナノインプリント方法。
12. 前記撥水剤の分子量が１００から１００００の範囲であり、かつ、シリコンオイル又はフッ素を含有することを特徴とする請求項１１記載のナノインプリント方法。
13. 樹脂薄膜が塗布された基板からなる被処理体の前記樹脂薄膜を柔軟にするための加圧気体又は超臨界流体を導入する柔軟化部と、
    前記被処理体を前記樹脂薄膜のガラス転移温度以下に維持しつつ、前記樹脂薄膜側に、所定のナノオーダーのパターンが形成されたモールドを押し付けて前記所定のナノオーダーパターンを前記樹脂薄膜に転写する加圧機構とを有することを特徴とするナノインプリント装置。
14. 前記樹脂薄膜を洗浄する洗浄部を更に有することを特徴とする請求項１３記載のナノインプリント装置。
15. 前記モールドは透明な材料から構成されることを特徴とする請求項１３記載のナノインプリント装置。
16. 前記加圧気体は加圧ＣＯ２であることを特徴とする請求項１３記載のナノインプリント装置。
17. 前記超臨界流体は超臨界ＣＯ２であることを特徴とする請求項１３乃至１５のうちいずれか一項記載のナノインプリント装置。
18. 加圧気体又は超臨界流体を加圧浸透させて、樹脂薄膜が塗布された基板からなる被処理体の前記樹脂薄膜を柔軟にする工程と、
    前記被処理体の前記樹脂薄膜側に、所定のナノオーダーのパターンが形成されたモールドを押し付けて前記所定のパターンを前記樹脂薄膜に転写する工程と、
    該転写後に前記加圧気体又は前記超臨界流体を減圧することにより前記樹脂薄膜を固化する工程とを有し、
    前記転写する工程では、前記被処理体の温度が前記樹脂薄膜のガラス転移温度以下であり、
    更に、上記全ての工程を通じて、前記モールドの温度を前記樹脂薄膜のガラス転移温度以下の一定温度に維持されることを特徴とするナノインプリント方法を用いた磁気記録媒体の製造方法。
19. 前記時期媒体が、直径５ｃｍ以上の範囲において、溝幅が５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、溝深さが３０ｎｍ〜１００ｎｍ、かつ、トラックピッチが１００ｎｍ〜２００ｎｍのスパイラル矩形溝を有する磁気記録媒体であることを特徴とする請求項１８記載の磁気記録媒体の製造方法。