JP2004233104A - テスト機能付き集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】テスト回路2が、メモリ1の最終読出アドレスをデコードし全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号を生成する出力タイミング回路22と、メモリ1の読出しデータと外部入力の期待値データとを比較し不一致信号を出力するデータ比較回路23と、不一致信号に基づき不一致結果を保持し保持信号として出力する不一致保持回路24と、サイクルクロック信号に基づき保持信号を複数ビットシフトし各ビット並列に出力しシステムリセット信号によりリセットされるシフトレジスタ回路25と、このシフトレジスタ回路25の出力,不一致信号,保持信号および出力タイミング信号に基づき単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンのパタン検出信号を生成してテスト判定信号を出力するパタン検出判定回路26とを備える。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、テスト機能付き集積回路に関し、特に、電源断時にデータ保持可能なメモリを内蔵する、テスト機能付き集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のテスト機能付き集積回路は、各種機器の制御などのため、広く用いられ、電源断時にデータ保持可能なROM,不揮発性メモリなどのメモリを内蔵し、制御用のプログラムまたはデータを格納し、CPUなどにより読み出して実行または処理する。また、このテスト機能付き集積回路は、製造時または出荷時のテストを容易化するため、実動作モード以外にテストモードを有し、テストモード時に内部回路のテスト機能を履行するテスト回路を備える。
【0003】
例えば、図5は、この従来のテスト機能付き集積回路の例を示すブロック図である。なお、この従来のテスト機能付き集積回路は、特許文献1を参照して記載され、本明細書において従来技術として説明する便宜上、1部の用語が等価変更され、符号が変更されている。
【0004】
この従来のテスト機能付き集積回路は、不揮発性メモリ1と、そのテスト回路2とを備え、更に、テスト回路2は、アドレス生成回路21,出力タイミング回路22,データ比較回路23,不一致保持回路24,判定回路27を備える。
【0005】
アドレス生成回路21は、テストモード時を示すテスト信号に対応して不揮発性メモリ1の読出サイクルに対応したサイクルクロック信号をテストモード時に計数し、不揮発性メモリ1のアドレス信号を順次生成する。このとき、順次生成されるアドレス信号は、アドレス順でなくともよい。なお、このアドレス生成回路21は、テスト機能付き集積回路がCPU内蔵の場合、周知のように、CPU内でテストモード時に同等動作するプログラムカウンタにより代替され得る。
【0006】
出力タイミング回路22は、不揮発性メモリ1の最終読出アドレスをデコードし、全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号を生成する。
【0007】
データ比較回路23は、外部入力された期待値データと、不揮発性メモリ1の読出しメモリデータとを比較し、読出しメモリデータ単位で発生した不一致/一致の結果を示す不一致信号を出力する。
【0008】
不一致保持回路24は、例えば、RSフリップフロップ回路から構成され、データ比較回路23からの不一致信号,システムリセット信号に対応してセット,リセットされ、読出しメモリデータ単位で発生した不一致の結果をシステムリセット信号の入力まで保持し、保持信号として出力する。
【0009】
判定回路27は、例えば、ゲート回路から構成され、不一致保持回路24から保持信号を入力し、出力タイミング回路22からの出力タイミング信号によりゲート制御またはマスク制御し、不揮発性メモリ1の全メモリデータのテスト結果を示すテスト判定信号として外部へパルス出力する。
【0010】
次に、この従来のテスト機能付き集積回路のテストモード動作について、簡単に説明する。
【0011】
まず、テストモード時に、テスト信号が“1”となり、システムリセット信号によりシステム全体がリセットされた後、テスト回路2のアドレス生成回路21から、サイクルクロック信号に同期して、アドレス信号が順次生成され不揮発性メモリ1へ出力され、不揮発性メモリ1から、メモリデータが順次読み出され、テスト回路2のデータ比較回路23へ出力される。データ比較回路23において、読出しメモリデータは、外部入力の期待値データとそれぞれ比較され、読出しメモリデータ単位で発生した不一致/一致の結果を示す不一致信号が、不一致保持回路24へ順次出力される。
【0012】
図6は、この従来のテスト機能付き集積回路のテスト回路2における内部動作例を示すタイミング図である。
【0013】
図6に示すように、読出しメモリデータおよび期待値データの比較結果が最初に不一致になると、不一致信号が“1”となり、不一致保持回路24がセットされ、保持信号が“1”となり、その後、比較結果が一致し、不一致信号が“0”となっても、システムリセットまで保持される。
【0014】
次に、アドレス生成回路21から順次生成されたアドレス信号が最終読出アドレスに達すると、出力タイミング回路22によりデコードされ、全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号が生成され“1”となる。このとき、判定回路27から、保持信号が“1”の場合、全メモリデータのテスト結果FAIL/PASSを示すテスト判定信号が“1”となり、外部へパルス出力され、保持信号が“0”の場合、外部へパルス出力されない。
【0015】
上述のように、この従来のテスト機能付き集積回路は、実動作モード以外にテストモードを有し、テスト判定信号のパルス出力の有無をLSIテスタなどによりテストでき、制御用のプログラムまたはデータが格納された内蔵の不揮発性メモリを個別に容易にテストできる。
【0016】
また、内蔵の不揮発性メモリの読出しメモリデータと、その期待値データとの比較結果とが共に外部出力されない。このため、仮に、テスト機能付きであることがユーザ以外に周知となっても、内蔵の不揮発性メモリに格納された制御用のプログラムまたはデータなどのメモリデータ内容が、最大限の解読難易度で、機密保持される。
【0017】
【特許文献1】
特開平6−295266号公報(段落0007〜0015,図1)
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来のテスト機能付き集積回路は、上述した、電源断時にデータ保持可能なROM,不揮発性メモリなどの内蔵メモリのメモリデータ内容に対する機密保持性の利点と引き換えに、テストモード時の内蔵メモリのテスト時間が長くなるという課題がある。これは、テストモード時に外部出力されICテスタにより判定されるテスト判定信号が、内蔵メモリのメモリデータの順次読出し比較テスト中は出力されず、内蔵メモリの全メモリデータの順次読出し比較後に、初めて、パルス出力されるためである。
【0019】
一般に、集積回路のテスト時間が長くなると、LSIテスタなどのテスト設備およびテスト要員によるテストコストが増大し、集積回路のコストが増大する。
【0020】
従って、本発明の目的は、電源断時にデータ保持可能なROM,不揮発性メモリなどの内蔵メモリのメモリデータ内容に対する機密保持性を維持し且つテスト時間を短縮することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
そのため、本発明は、電源断時にデータ保持可能なメモリと、このメモリのメモリデータをテストモード時に順次読み出して前記外部入力の期待値データと比較し不一致の結果を保持し前記メモリデータの最終読出し後に前記メモリのテスト判定信号として外部へパルス出力するテスト回路とを備えるテスト機能付き集積回路において、
前記テスト回路が、3つ以上の読出しメモリデータに対する不一致または一致の結果パタンから単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンを最初に検出しそのパタン検出信号を外部へパルス出力している。
【0022】
また、前記不一致結果パタンが、単独または限定数以下の不一致結果を複数の一致結果の間に有している。
【0023】
また、前記不一致結果パタンが、一致から不一致への結果変化と、不一致から一致への結果変化とを含んでいる。
【0024】
また、前記パタン検出信号が、前記テスト判定信号に含まれて外部出力される。
【0025】
また、前記テスト回路が、前記メモリの読出サイクルに対応したサイクルクロック信号をテストモード時に計数し前記メモリのアドレス信号を順次生成するアドレス生成回路と、
前記メモリの最終読出アドレスをデコードし全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号を生成する出力タイミング回路と、
前記メモリの読出しデータと外部入力の期待値データとを比較し不一致または一致の結果に対応して不一致信号または一致信号を出力するデータ比較回路と、
前記不一致信号に基づき前記不一致結果を保持し保持信号として出力する不一致保持回路と、
前記サイクルクロック信号に基づき前記保持信号を複数ビットシフトし各ビット並列に出力し前記システムリセット信号によりリセットされるシフトレジスタ回路と、
このシフトレジスタ回路の出力,前記不一致信号,前記保持信号および前記出力タイミング信号に基づき前記パタン検出信号を生成して前記テスト判定信号を出力するパタン検出判定回路とを備えている。
【0026】
また、前記パタン検出判定回路が、前記シフトレジスタ回路のnビット目出力,n+1ビット目反転出力および前記一致信号の論理積信号を前記パタン検出信号として出力する論理積ゲートと、
前記保持信号および前記出力タイミング信号の論理積信号を全メモリデータのテスト結果信号として出力する論理積ゲートと、
前記パタン検出信号および前記テスト結果信号の論理和信号を前記テスト判定信号として出力する論理和ゲートとを備えている。
【0027】
また、前記不一致保持回路が、前記シフトレジスタ回路の1ビット目出力および前記不一致信号の論理和信号を前記保持信号として出力する論理和ゲートである。
【0028】
また、前記不一致保持回路が、前記不一致信号およびシステムリセット信号に対応してセットおよびリセットされ前記保持信号を出力するRSフリップフロップ回路である。
【0029】
また、前記アドレス生成回路が、CPU内のプログラムカウンタである。
【0030】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について、図面を参照して説明する。図1は、本発明のテスト機能付き集積回路の実施形態を示すブロック図である。本実施形態のテスト機能付き集積回路は、不揮発性メモリ1と、そのテスト回路2とを備え、更に、テスト回路2は、アドレス生成回路21,出力タイミング回路22,データ比較回路23,不一致保持回路24,シフトレジスタ回路25およびパタン検出判定回路26を備える。
【0031】
アドレス生成回路21は、従来と同じく、テストモード時を示すテスト信号に対応して不揮発性メモリ1の読出サイクルに対応したサイクルクロック信号をテストモード時に計数し、不揮発性メモリ1のアドレス信号を順次生成する。このとき、順次生成されるアドレス信号は、アドレス順でなくともよい。なお、このアドレス生成回路21は、テスト機能付き集積回路がCPU内蔵の場合、周知のように、CPU内でテストモード時に同等動作するプログラムカウンタにより代替され得る。
【0032】
出力タイミング回路22は、従来と同じく、不揮発性メモリ1の最終読出アドレスをデコードし、全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号を生成する。
【0033】
データ比較回路23は、従来と同じく、外部入力された期待値データと、不揮発性メモリ1の読出しメモリデータとを比較し、読出しメモリデータ単位で発生した不一致/一致の結果を示す不一致信号を出力する。
【0034】
不一致保持回路24は、従来と同じく、例えば、RSフリップフロップ回路から構成され、データ比較回路23からの不一致信号,システムリセット信号に対応してセット,リセットされ、読出しメモリデータ単位で発生した不一致の結果をシステムリセット信号の入力まで保持し、保持信号として出力する。
【0035】
シフトレジスタ回路25は、n+1ビットのシフトレジスタであり、不一致保持回路24から保持信号を入力し、サイクルクロック信号に基づき複数ビットシフトし、各ビット並列に出力し、システムリセット信号によりリセットされる。また、本実施例では、nビット目出力およびn+1ビット目出力が、パタン検出判定回路26へ並列に出力されている。例えば、n=1とした場合、シフトレジスタ回路25は2ビットのシフトレジスタとなり、1ビット目出力,2ビット目出力がパタン検出判定回路26へ並列に出力され、n=2とした場合、シフトレジスタ回路25は3ビットのシフトレジスタとなり、2ビット目出力,3ビット目出力がパタン検出判定回路26へ並列に出力される。
【0036】
パタン検出判定回路26は、シフトレジスタ回路25のnビット目出力,n+1ビット目出力および不一致信号に基づき、3つ以上の読出しメモリデータに対する不一致または一致の結果パタンから単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンを最初に検出しそのパタン検出信号を生成し、また、保持信号および出力タイミング信号に基づき、全メモリデータのテスト結果信号を生成し、パタン検出信号およびテスト結果信号の論理和信号をテスト判定信号として外部出力する。
【0037】
図2は、このパタン検出判定回路26の構成例を示す回路図である。図2を参照すると、このパタン検出判定回路26は、論理積ゲート1261,論理積ゲート262,論理和ゲート263を備える。
【0038】
論理積ゲート261は、シフトレジスタ回路25のnビット目出力,n+1ビット目反転出力および一致信号の論理積信号をパタン検出信号として出力し、論理積ゲート262は、保持信号および出力タイミング信号の論理積信号を全メモリデータのテスト結果信号として出力する。また、論理和ゲート263は、パタン検出信号およびテスト結果信号の論理和信号をテスト判定信号として出力する。
【0039】
次に、本実施形態のテスト機能付き集積回路のテストモード動作について、説明する。
【0040】
まず、従来と同じく、テストモード時に、テスト信号が“1”となり、システムリセット信号によりシステム全体がリセットされた後、テスト回路2のアドレス生成回路21から、サイクルクロック信号に同期して、アドレス信号が順次生成され不揮発性メモリ1へ出力され、不揮発性メモリ1から、メモリデータが順次読み出され、テスト回路2のデータ比較回路23へ出力される。データ比較回路23において、読出しメモリデータは、外部入力の期待値データとそれぞれ比較され、読出しメモリデータ単位で発生した不一致/一致の結果を示す不一致信号が、不一致保持回路24へ順次出力される。
【0041】
図3は、本実施形態のテスト機能付き集積回路のテスト回路2における内部動作例を示すタイミング図であり、分図(A),(B)は、n=1,2の場合をそれぞれ示す。
【0042】
n=1の場合、分図(A)に示すように、読出しメモリデータおよび期待値データの比較結果が最初に不一致になると、不一致信号が“1”となり、不一致保持回路24がセットされ、保持信号が“1”となり、その後、比較結果が一致し、不一致信号が“0”となっても、システムリセットまで保持される。また、シフトレジスタ回路25の1ビット目出力,2ビット目出力は、最初の不一致の比較結果まで、“0”,“0”であり、次の読出サイクルでは“1”,“0”となり、以後の読出サイクルでは“1”,“1”となる。
【0043】
従って、最初の不一致結果の1読出サイクル後に一致結果となり、不一致信号が“0”となった場合のみ、論理積ゲート261により、パタン検出信号が“1”となりパルス出力され、論理和ゲート263により、テスト判定信号として外部へパルス出力される。最初の不一致結果の1読出サイクル後に不一致結果となり、不一致信号が“0”となった場合は、パタン検出信号は、外部へパルス出力されない。
【0044】
次に、従来と同じく、アドレス生成回路21から順次生成されたアドレス信号が最終読出アドレスに達すると、出力タイミング回路22によりデコードされ、全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号が生成され“1”となる。このとき、判定回路27から、保持信号が“1”の場合、全メモリデータのテスト結果FAIL/PASSを示すテスト判定信号が“1”となり、外部へパルス出力され、保持信号が“0”の場合、外部へパルス出力されない。
【0045】
また、n=2の場合、分図(B)に示すように、読出しメモリデータおよび期待値データの比較結果が最初に不一致になると、不一致信号が“1”となり、不一致保持回路24がセットされ、保持信号が“1”となり、その後、比較結果が一致し、不一致信号が“0”となっても、システムリセットまで保持される。また、シフトレジスタ回路25の2ビット目出力,3ビット目出力は、最初の不一致結果の1読出サイクル後まで“0”,“0”であり、更に次の読出サイクルでは“1”,“0”となり、以後の読出サイクルでは“1”,“1”となる。
【0046】
従って、最初の不一致結果の2読出サイクル後に一致結果となり、不一致信号が“0”となった場合のみ、論理積ゲート261により、パタン検出信号が“1”となりパルス出力され、論理和ゲート263により、テスト判定信号として外部へパルス出力される。最初の不一致結果の2読出サイクル後に不一致結果となり、不一致信号が“0”となった場合は、パタン検出信号は、外部へパルス出力されない。言い換えると、n=2の場合、最初の不一致結果を含み2個以下に限定の不一致結果を含む限定不一致の不一致結果パタンが検出され、パタン検出信号が“1”となり、外部へパルス出力される。
【0047】
次に、従来と同じく、アドレス生成回路21から順次生成されたアドレス信号が最終読出アドレスに達すると、出力タイミング回路22によりデコードされ、全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号が生成され“1”となる。このとき、判定回路27から、保持信号が“1”の場合、全メモリデータのテスト結果FAIL/PASSを示すテスト判定信号が“1”となり、外部へパルス出力され、保持信号が“0”の場合、外部へパルス出力されない。
【0048】
本実施形態のテスト機能付き集積回路は、実動作モード以外にテストモードを有し、分図(A)または(B)に示したように、限定数n=1または2の単独または限定数以下の不一致結果を複数の一致結果の間に有する単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンを最初に検出し、または、一致から不一致への結果変化と、不一致から一致への結果変化とを含む不一致結果パタンを最初に検出し、そのパタン検出信号を全メモリデータのテスト結果と共にテスト判定信号として外部へパルス出力できる。また、このパルス出力の有無がLSIテスタなどによりテストできる。
【0049】
上述の単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンは、メモリセルアレイ部の不良メモリセルに対応して発生し、メモリ全体に占めるメモリセルアレイ部の割合が大きいため、実際の不揮発性メモリのテストにおいて頻繁に出現する。このため、本実施形態のテスト機能付き集積回路は、全メモリデータのテスト結果信号がテスト判定信号として外部へパルス出力される前に、上述の単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンの検出時点で不良判定でき、総不良判定時間が短縮され、総テスト時間が短縮される。
【0050】
また、本実施形態のテスト機能付き集積回路は、従来と同じく、内蔵の不揮発性メモリの読出しメモリデータと、その期待値データとの比較結果とが共に外部出力されず、従来に追加して、上述の単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンのパタン検出信号がテスト判定信号として外部出力されるのみであり、且つ、このパタン検出信号は、内蔵の不揮発性メモリに格納された制御用のプログラムまたはデータなどのメモリデータ内容の解読に利用できない。
【0051】
その理由は、一般に、内蔵の不揮発性メモリに格納された制御用のプログラムまたはデータなどのメモリデータ内容を解読するとき、読出しメモリデータごとに外部から期待値データを可変入力して比較し一致結果となる期待値データを求めるルーチンが実行され、このルーチン実行において、上述の単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンの出現頻度は、ほとんどゼロであり、そのパタン検出信号は、外部へパルス出力されないためである。
【0052】
従って、本実施形態のテスト機能付き集積回路において、仮に、テスト機能付きであることがユーザ以外に周知となっても、従来と同じく、制御用のプログラムまたはデータなどの、内蔵の不揮発性メモリに格納されたメモリデータ内容が、最大限の解読難易度で、機密保持される。
【0053】
なお、本実施形態のテスト機能付き集積回路では、不一致保持回路24が、例えば、従来と同じく、RSフリップフロップ回路により構成されると説明した。しかし、この説明に限定されず、他の変形例が可能である。例えば、図4は、この変形例における不一致保持回路を示す回路図である。図4に示すように、この変形例における不一致保持回路24は、シフトレジスタ回路25の1ビット目出力および不一致信号の論理和信号を保持信号として出力する論理和ゲートから構成される。シフトレジスタ回路25は、システムリセット信号によりリセットされるため、RSフリップフロップ回路と同様に、保持信号が不一致信号およびシステムリセット信号によりセットおよびリセットされることは明らかであろう。これにより、不一致保持回路24が簡単化され、回路素子数が削減される。
【0054】
また、本実施形態のテスト機能付き集積回路では、パタン検出信号がテスト判定信号に含まれて外部出力されると説明したが、この説明に限定されず、パタン検出信号がテスト判定信号と別途に出力される変形例も構成可能である。
【0055】
また、本実施形態のテスト機能付き集積回路では、n=1の場合、最初の不一致結果のみの単独不一致の不一致結果パタンが検出され、n=2の場合、最初の不一致結果を含み2個以下に限定の不一致結果を含む限定不一致の不一致結果パタンが検出されて、パタン検出信号が“1”となり、外部へパルス出力されることを説明した。しかし、この説明に限定されず、nを可変選択し設定する変形例も構成可能である。
【0056】
また、本実施形態のテスト機能付き集積回路のテスト回路2がアドレス生成回路21を備えるとして説明したが、CPUが内蔵される場合、CPU内のプログラムカウンタをアドレス生成回路21として動作させる変形例も構成可能である。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のテスト機能付き集積回路は、電源断時にデータ保持可能なROM,不揮発性メモリなどのメモリのテスト機能付きであることが仮にユーザ以外に周知となっても、従来と同じく、制御用のプログラムまたはデータなどの、内蔵の不揮発性メモリに格納されたメモリデータ内容が、最大限の解読難易度で、機密保持され、且つ、単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンの検出時点で不良判定でき、総不良判定時間が短縮され、総テスト時間が短縮され、更には、集積回路のコストが低減されるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のテスト機能付き集積回路の実施形態を示すブロック図である。
【図2】図1のテスト機能付き集積回路におけるパタン検出判定回路26の構成例を示す回路図である。
【図3】図1のテスト機能付き集積回路のテスト回路2における内部動作例を示すタイミング図である。
【図4】図1のテスト機能付き集積回路の変形例における不一致保持回路を示す回路図である。
【図5】従来のテスト機能付き集積回路の例を示すブロック図である。
【図6】従来のテスト機能付き集積回路のテスト回路2における内部動作例を示すタイミング図である。
【符号の説明】
1 メモリ
2 テスト回路
21 アドレス生成回路
22 出力タイミング回路
23 データ比較回路
24 不一致保持回路
25 シフトレジスタ回路
26 パタン検出判定回路
27 判定回路
261,262 論理積ゲート
263 論理和ゲート
Claims (9)
- 電源断時にデータ保持可能なメモリと、このメモリのメモリデータをテストモード時に順次読み出して前記外部入力の期待値データと比較し不一致の結果を保持し前記メモリデータの最終読出し後に前記メモリのテスト判定信号として外部へパルス出力するテスト回路とを備えるテスト機能付き集積回路において、
前記テスト回路が、3つ以上の読出しメモリデータに対する不一致または一致の結果パタンから単独不一致または限定不一致の不一致結果パタンを最初に検出しそのパタン検出信号を外部へパルス出力することを特徴とするテスト機能付き集積回路。 - 前記不一致結果パタンが、単独または限定数以下の不一致結果を複数の一致結果の間に有する、請求項1記載の、テスト機能付き集積回路。
- 前記不一致結果パタンが、一致から不一致への結果変化と、不一致から一致への結果変化とを含む、請求項1または2記載の、テスト機能付き集積回路。
- 前記パタン検出信号が、前記テスト判定信号に含まれて外部出力される、請求項1,2または3記載の、テスト機能付き集積回路。
- 前記テスト回路が、前記メモリの読出サイクルに対応したサイクルクロック信号をテストモード時に計数し前記メモリのアドレス信号を順次生成するアドレス生成回路と、
前記メモリの最終読出アドレスをデコードし全メモリデータのテスト結果の出力タイミング信号を生成する出力タイミング回路と、
前記メモリの読出しデータと外部入力の期待値データとを比較し不一致または一致の結果に対応して不一致信号または一致信号を出力するデータ比較回路と、
前記不一致信号に基づき前記不一致結果を保持し保持信号として出力する不一致保持回路と、
前記サイクルクロック信号に基づき前記保持信号を複数ビットシフトし各ビット並列に出力し前記システムリセット信号によりリセットされるシフトレジスタ回路と、
このシフトレジスタ回路の出力,前記不一致信号,前記保持信号および前記出力タイミング信号に基づき前記パタン検出信号を生成して前記テスト判定信号を出力するパタン検出判定回路とを備える、請求項1,2,3または4記載の、テスト機能付き集積回路。 - 前記パタン検出判定回路が、前記シフトレジスタ回路のnビット目出力,n+1ビット目反転出力および前記一致信号の論理積信号を前記パタン検出信号として出力する論理積ゲートと、
前記保持信号および前記出力タイミング信号の論理積信号を全メモリデータのテスト結果信号として出力する論理積ゲートと、
前記パタン検出信号および前記テスト結果信号の論理和信号を前記テスト判定信号として出力する論理和ゲートとを備える、請求項5記載の、テスト機能付き集積回路。 - 前記不一致保持回路が、前記シフトレジスタ回路の1ビット目出力および前記不一致信号の論理和信号を前記保持信号として出力する論理和ゲートである、請求項5または6記載の、テスト機能付き集積回路。
- 前記不一致保持回路が、前記不一致信号およびシステムリセット信号に対応してセットおよびリセットされ前記保持信号を出力するRSフリップフロップ回路である、請求項5または6記載の、テスト機能付き集積回路。
- 前記アドレス生成回路が、CPU内のプログラムカウンタである、請求項5,6,7または8記載の、テスト機能付き集積回路。
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