JP2004232706A

JP2004232706A - 液体封入式防振装置

Info

Publication number: JP2004232706A
Application number: JP2003021186A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Sakata; 利文坂田; Yoshie Kamiyoshi; 美江神吉; Kazumasa Kuze; 和正久世
Original assignee: Toyo Tire and Rubber Co Ltd; Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp; Toyo Tire Corp
Priority date: 2003-01-29
Filing date: 2003-01-29
Publication date: 2004-08-19
Also published as: AU2003236073A1; WO2004067994A1

Abstract

【課題】シェイク振動とアイドル振動等の異なる周波数域の振動に対し、各振動をそれぞれ対応するオリフィスで効果的に吸収することができる液体封入式防振装置を提供する。
【解決手段】主液室３０に第１オリフィス２２を介して連結されるとともにダイヤフラム１６にて室壁の一部が形成された第１副液室３２と、主液室３０に第２オリフィス２８を介して連結された第２副液室３４を設け、第２副液室３４の室壁の一部を防振基体１４の弾性変形に伴い第２副液室３４の体積を可変する方向に相対変位可能なピストン状部材３６とシリンダ状部材２３で構成し、両者２３，３６間に磁界強さに応じて粘度が変化するＭＲ流体３８を密封保持し、また磁界強さを制御可能な電磁石４４を設ける。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として自動車エンジン等の振動体を防振的に支承するのに用いられる液体封入式防振装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液体封入式防振装置は、車体フレーム等の支持側に取付固定される筒状の第１取付金具と、エンジン等の振動発生体側に取り付けられる第２取付金具とを、ゴム材よりなる防振基体を介して結合し、上記第１取付金具の下部側に防振基体と対向してダイヤフラムを配し、防振基体とダイヤフラムとの間の内室を液体封入室とし、この液体封入室を仕切部により防振基体側の主液室とダイヤフラム側の副液室とに仕切り、両室をオリフィスにより連通せしめてなり、オリフィスによる両液室間の液流動効果や防振基体の制振効果により、振動減衰機能を果たすように構成されている。
【０００３】
そして、かかる液体封入式防振装置において、シェイク振動とアイドル振動等の異なる周波数域の振動に対応させるように複数のオリフィスを設けたものが提案されている。
【０００４】
例えば、特開２００１−２０９９２号公報に開示された液体封入式防振装置では、主液室と副液室とを仕切る仕切部に、主液室と副液室を連結する第１オリフィスを設けるとともに、第２副液室と該第２副液室に通じる第２オリフィスとを設けて、第１オリフィスで例えばシェイク振動を吸収し、第２オリフィスで例えばアイドル振動を吸収するように構成されている。
【０００５】
しかしながら、最近の自動車ではアイドル振動の周波数域が低周波数化の傾向にあり、シェイク振動の周波数域との差が小さくなってきているため、上記のような単に複数のオリフィスを設けたものでは、各オリフィスでそれぞれの振動を効果的に吸収するには限界がある。
【０００６】
一方、特開２００２−２０６５９１号公報には、単一のオリフィスを持つ液体封入式防振装置において、主液室と副液室との間を区画する仕切部を両液室の体積を可変する方向に変位可能に構成し、この仕切部に設けた電磁石による磁界強さの調整により粘度が増減変化可能なＭＲ流体を仕切部の外周面とシリンダ状の取付部材の内周面との間に密封状態に介在させたものが開示されている。この場合、電磁石への通電をオン／オフして磁界強さを調整することにより、ＭＲ流体の粘度を増減変化させ、これにより仕切部を定位置に固定したり、仕切部を変位させてその動バネ定数を小さくすることが可能であり、低周波数域の振動が作用する条件下ではオリフィスによる両液室間の液流動効果により振動を吸収し、高周波数域の振動が作用する条件下では仕切部の動バネ定数を調整して両液室の体積弾性率を変更可能とすることで広い高周波数域の振動に対して防振効果を発揮することができる。
【０００７】
しかしながら、このように仕切部の動バネ定数を可変にするというだけでは、上記のようなシェイク振動とアイドル振動をそれぞれ吸収する上で必ずしも十分な振動減衰効果が得られない場合がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２０９９２号公報
【０００９】
【特許文献２】特開２００２−２０６５９１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、シェイク振動とアイドル振動等の異なる周波数域の振動に対し、各振動をそれぞれ対応するオリフィスで効果的に吸収することができる液体封入式防振装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の液体封入式防振装置は、第１取付部材と、第２取付部材と、これら取付部材の間に介設されて両取付部材を結合するゴム材よりなる防振基体と、該防振基体にて室壁の一部が形成された主液室と、該主液室に第１オリフィスを介して連結されるとともにダイヤフラムにて室壁の一部が形成された第１副液室と、該主液室又は該第１副液室に第２オリフィスを介して連結された第２副液室とを備え、前記第２副液室の室壁の一部が、振動付加時の前記防振基体の弾性変形に伴い該第２副液室の体積を可変する方向に相対変位可能なピストン状部材とシリンダ状部材で構成され、前記ピストン状部材とシリンダ状部材の間に、磁界強さに応じて粘度が変化するＭＲ流体を流動可能な状態に密封保持するＭＲ流路が形成され、該ＭＲ流路を横断する磁路を形成してＭＲ流体の粘度を変化させるための磁界強さを制御可能な電磁石が設けられたものである。
【００１２】
本発明の液体封入式防振装置では、電磁石に通電すると、ＭＲ流体の粘度が上昇してピストン状部材を定位置に固定することができ、それにより第２副液室の体積が一定となるので、第２オリフィスを作用させずに第１オリフィスを作用させることができる。一方、電磁石への通電をオフにすると、ＭＲ流体の粘度が小さくなってピストン状部材が第２副液室の体積を可変する方向に変位可能となるため、第２オリフィスを作用させることが可能となる。このように電磁石への通電をオン／オフすることにより第１オリフィスと第２オリフィスとの切り換えを行うことができるので、各オリフィスをそれぞれ異なる周波数域の振動を吸収するように調整しておくことにより、異なる周波数域の振動をそれぞれ対応するオリフィスによって効果的に吸収することができる。
【００１３】
本発明の防振装置においては、前記第２副液室が仕切部を介して前記第１副液室に隣接して設けられ、該仕切部が前記ピストン状部材とシリンダ状部材で構成され、前記第２副液室が前記第２オリフィスを介して前記主液室と連結されてもよい。
【００１４】
この場合、電磁石への通電オフ時には、主液室内の液圧変動により主液室と第２副液室との間で第２オリフィスを通じて液体が流動し、ピストン状部材は第２副液室内の液圧変動によりその体積を可変する方向に変位する。
【００１５】
また、この場合、前記第１副液室が第２ダイヤフラムにより２室に仕切られて、そのうちの一方が前記第１オリフィスを介して前記主液室に連結され、他方が前記ダイヤフラムにて室壁の一部が形成されるとともに第３オリフィスを介して前記第２副液室に連結されてもよい。
【００１６】
本発明の防振装置においては、また、前記第２副液室が仕切部を介して前記主液室に隣接して設けられ、該仕切部が前記ピストン状部材とシリンダ状部材で構成され、前記第２副液室が前記第２オリフィスを介して前記第１副液室と連結されてもよい。
【００１７】
この場合、電磁石への通電オフ時には、主液室内の液圧変動によりピストン状部材が第２副液室の体積を可変する方向に変位し、これにより第１副液室と第２副液室との間で第２オリフィスを通じて液体が流動する。
【００１８】
また、この場合、前記第１副液室が第２ダイヤフラムにより２室に仕切られて、そのうちの一方が前記第１オリフィスを介して前記主液室に連結され、他方が前記ダイヤフラムにて室壁の一部が形成されるとともに前記第２オリフィスを介して前記第２副液室に連結されてもよい。
【００１９】
本発明の防振装置においては、前記第１取付部材が筒状をなし、前記第２取付部材が該第１取付部材の軸心上に配置されて、該第１取付部材の軸方向に振動が付加される防振装置であって、前記ダイヤフラムが前記防振基体に対向させて前記第１取付部材に取り付けられて、該第１取付部材の内側における防振基体とダイヤフラムとの間に防振基体側から順に前記主液室、前記第２副液室及び前記第１副液室が形成されることができる。
【００２０】
また、本発明の防振装置においては、前記ＭＲ流路が、前記のピストン状部材とシリンダ状部材の相対変位方向に沿い互いに平行に位置する流路部分とそれら流路部分を相互に連通するように前記相対変位方向に直交又はほぼ直交する方向に沿って位置して磁路の横断部を構成する流路部分とを有する断面クランク状に形成されていることが好ましい。
【００２１】
このようにＭＲ流体の流路を断面クランク状にし、そのクランク状流路のうちピストン状部材の変位方向に対して概略直交する流路部分に磁路を横断させる構成を採用したことにより、通電に伴い磁路横断箇所に対応する流路部分のＭＲ流体の粘度増大によってＭＲ流体の流れを堰き止めてピストン状部材の剛性を急速に増大させることができる。詳述すると、例えば、ＭＲ流体流路を一直線状に形成し、その直線状流路の一部分に磁路を横断させることにより、通電に伴い粘度増大するＭＲ流体の内部摩擦力に依存して剛性の増大を図るように構成したものに比べて、通電電流に対する剛性（ばね定数）の変化率を大きくすることが可能である。従って、上記したオリフィスの切り換えを少ない消費電力のもとで発揮させてランニングコストの低減が図れるとともに、切り換えの迅速化が図られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態に係る液体封入式防振装置について、図１〜５に基づいて説明する。
【００２３】
本実施形態の防振装置は、自動車のエンジンを防振的に支承するエンジンマウントであり、筒状をなし車体側に取付固定される下側の第１取付金具１０と、その軸心上に配されてエンジン側に取り付けられる上側の第２取付金具１２とを、ゴム材よりなる防振基体１４を介して結合してなり、第１取付金具１０の軸方向に振動が付加される防振装置である。
【００２４】
防振基体１４は、外形が略截頭円錐形をなし、その上部軸心上に第２取付金具１２の下部が加硫成形手段により埋設されており、防振基体１４の下端外周部は第１取付金具１０の上部内周面に加硫成形手段により接着固定されている。
【００２５】
第１取付金具１０の下部側には、防振基体１４と対向するようにゴム膜よりなるダイヤフラム１６が装着されている。ダイヤフラム１６は、外周部にリング状の補強金具１８を備えて、この補強金具１８により第１取付金具１０の下端に取付固定されている。
【００２６】
第１取付金具１０の内側には、ダイヤフラム１６と防振基体１４との間に密閉された液体封入室２０が形成されており、この液体封入室２０に液体が封入されている。液体封入室２０における第１取付金具１０の内周には、外周に第１オリフィス２２を形成する円環状のオリフィス形成部材２３を有する第１仕切部材２４が液密に嵌着されており、液体封入室２０は、この第１仕切部材２４により上下に仕切られている。また、第１仕切部材２４の上面には、第１仕切部材２４の上側の液室を更に上下に仕切る円盤状の第２仕切部材２６が設けられており、第２仕切部材２６は下面側にオリフィス形成部材２９を備えて、該オリフィス形成部材２９により第２オリフィス２８が形成されている。
【００２７】
そして、上記により、第１取付金具１０の内側における防振基体１４とダイヤフラム１６との間には、防振基体１４にて室壁の一部が形成された主液室３０と、主液室３０に第１オリフィス２２を介して連結させるとともにダイヤフラム１６にて室壁の一部が形成された第１副液室３２と、第１仕切部材２４と第２仕切部材２６との間に設けられて主液室３０に第２オリフィス２８を介して連結された第２副液室３４とが形成されている。これらは、防振基体１４側から主液室３０、第２副液室３４及び第１副液室３２の順にて、仕切部材２４，２６を介して互いに隣接して設けられている。
【００２８】
本実施形態では、１０Ｈｚ程度の低周波数域のシェイク振動については第１オリフィス２２で吸収するように、また、２０Ｈｚ程度のより高い周波数域のアイドル振動については第２オリフィス２８で吸収するように、各オリフィスの断面積と長さが設定されている。従って、断面積Ａと長さＬの比（Ａ／Ｌ）は第１オリフィス２２よりも第２オリフィス２８の方が大きく設定されており、そのため、液体の流路抵抗は第２オリフィス２８の方が小さくなっている。
【００２９】
上記第１仕切部材２４は、上記した外周部の円環状のオリフィス形成部材２３をシリンダ状部材とし、その内側の円盤状の隔壁部３６を振動付加時の防振基体１４の弾性変形に伴い第２副液室３４の体積を可変する方向、即ち上下方向（軸方向）に変位可能なピストン状部材として構成されている。オリフィス形成部材２３と隔壁部３６との間には、磁界強さによって粘度が変化するＭＲ流体３８を流動可能な状態に密閉保持するＭＲ流路４０が、オリフィス形成部材２３の内周面と隔壁部３６の外周部との間に取着された薄肉のカバーゴム４２により、全周にわたって形成されている。
【００３０】
図２に示すように、ピストン状部材である隔壁部３６は、ＭＲ流路４０を横断する磁路ｍｐを形成してＭＲ流体３８の粘度を変化させるための磁界強さを制御可能な円環状コイルからなる電磁石４４と、電磁石４４を保持するボビン４６と、ボビン４６を締結ボルト４８を用いて上下に挟み込むように保持するケース５０とからなる。ケース５０の外周面は全周にわたって切り欠かれ、これにより、隔壁部３６は外周面に周方向に延びる凹部３６Ａを持つ短円柱状に形成されている。
【００３１】
シリンダ状部材であるオリフィス形成部材２３は非磁性あるいは弱磁性材質からなり、その内周面には内側の隔壁部３６に向けて突出する強磁性材質からなる円環状のヨーク部５２が設けられている。
【００３２】
ＭＲ流路４０は、隔壁部３６とオリフィス形成部材２３との上下相対変位方向に沿って互いに平行に位置する上下一対の垂直流路部分４０Ａ，４０Ａ及び中間垂直流路部分４０Ｂと、それら上下一対の垂直流路部分４０Ａ，４０Ａ及び中間垂直流路部分４０Ｂをそれぞれ相互に連通するように上下相対変位方向に直交又はほぼ直交する方向に沿って位置する上下一対の水平流路部分４０Ｃ，４０Ｃとを有し、全体として断面クランク状に形成されている。詳細には、隔壁部３６の凹部３６Ａに対しその外側からオリフィス形成部材２３のヨーク部５２の内周端を差し入れることで断面クランク状の流路４０が形成されており、ヨーク部５２の上下両側にそれぞれ前記垂直流路部分４０Ａ，４０Ａが設けられるとともに、ヨーク部５２の内周端に沿って中間垂直流路部分４０Ｂが設けられ、これらを連通する水平流路部分４０Ｃ，４０Ｃがヨーク部５２の上下両面に沿ってそれぞれ設けられている。
【００３３】
上記電磁石４４は、ＭＲ流路４０の上下一対の水平流路部分４０Ｃ，４０Ｃを横断するような磁路ｍｐを形成するように、ピストン状部材である隔壁部３６の凹部３６Ａの内側に配置されている。電磁石４４にはリード線５４が接続され、リード線５４は制御部５６に接続されている。この実施形態では、ダイヤフラム１６の中央部が隔壁部３６に一体に結合されており、この結合部の内側におけるダイヤフラム１６のない部分からリード線５４が引き出されている。
【００３４】
そして、制御部５６からの信号に基づき、電磁石４４への通電電流をコントロールすることにより、ＭＲ流路４０の上下一対の水平流路部分４０Ｃ，４０Ｃを横断する磁路ｍｐに流れる磁界強さを制御してＭＲ流体３８の粘度を増減変化可能に構成している。
【００３５】
なお、ＭＲ流体３８は、高濃度の懸濁液中に１〜１０μｍ程度の粒子径をもつ強磁性金属微粒子を分散させてなるビンガム流体で、−４０〜１５０℃の作動温度域を有し磁界強さの大きさによって粘度が変化するものであり、磁気粘性流体あるいは磁気流動学的流体と呼ばれている。
【００３６】
図３は、上記した防振装置の構成を模式的に示した図であり、この実施形態では、ピストン状部材である隔壁部３６とシリンダ状部材であるオリフィス形成部材２３とＭＲ流路４０とからなるＭＲ機構部５８が第１副液室３２と第２副液室３４との仕切部に設けられ、第２副液室３４が第２オリフィス２８を介して主液室３０と連結されている。
【００３７】
以上よりなる本実施形態の防振装置では、電磁石４４への通電をオンにすると、ＭＲ流体３８の粘度が上昇してピストン状部材である隔壁部３６が変位しにくくなり定位置に固定される。一方、電磁石４４への通電をオフにすると、ＭＲ流体３８の粘度が小さくなってピストン状部材である隔壁部３６が変位しやすくなり、その変位に伴って第２副液室３４の体積を可変することができるようになる。
【００３８】
従って、走行時に通電をオンにすると、上記隔壁部３６が定位置に固定され、それにより第２副液室３４の体積が一定になることで、アイドル振動用の第２オリフィス２８を作用させずに、シェイク振動用の第１オリフィスを作用させることができ、車体からの振動入力に対して１０Ｈｚ前後での減衰係数を上げてシェイク振動を効果的に吸収することができる。また、アイドル時に通電をオフにすると、上記隔壁部３６が第２副液室の体積を可変する方向に変位可能となるため、アイドル振動用の第２オリフィス２８を作用させることができ、２０Ｈｚ前後の動バネ定数を低減してアイドル振動を効果的に吸収することができる。
【００３９】
図４は、上記した第１の実施形態の防振装置について、電磁石４４への通電オン時における周波数に対する動バネ定数及び減衰係数の変化を示すグラフであり、図５は、電磁石４４への通電オフ時における同様のグラフである。図４に示すように、通電オン時には１０Ｈｚ付近で高い減衰係数を示しており、シェイク振動の減衰効果に優れている。また、図５に示すように、通電オフ時には２０Ｈｚ付近のアイドル振動領域を含む広い範囲で動バネ定数が低下しており、アイドル振動を防振効果に優れている。
【００４０】
図６は、第２の実施形態に係る液体封入式防振装置の模式図である。この実施形態では、主液室３０と第３オリフィス６０を介して連結された第３副液室６２を設けた点が上記した第１の実施形態とは相違する。第３副液室６２は、第２のダイヤフラム６４にて室壁の一部が形成されており、主液室３０内の液圧変動により主液室３０との間で第３オリフィス６０を通じて液体が流動するように形成されている。この場合、例えば、第３オリフィス６０をアイドル振動よりも高周波数域（例えば４０〜３００Ｈｚ）のこもり音を吸収するように設定しておけば、アイドル時に電磁石への通電をオフすることで第２オリフィス２８によりアイドル振動を吸収することができ、また、走行時に電磁石への通電をオンすることで、低周波数域のシェイク振動を第１オリフィス２２により吸収するとともに、高周波数域のこもり音については第３オリフィス６０により吸収することができる。
【００４１】
図７は、第３の実施形態に係る液封入式防振装置の模式図である。この実施形態では、上記した第１の実施形態において、第１副液室３２が第２のダイヤフラム７０により２室に仕切られて、そのうちの一方の液室３２Ａが第１オリフィス２２を介して主液室３０に連結され、他方の液室３２Ｂがダイヤフラム１６にて室壁の一部が形成されるとともに第３オリフィス７２を介して第２副液室３４に連結されている。この場合、第３オリフィス７２での液体の流路抵抗を第２オリフィス２８での流路抵抗よりも大きく設定しておけば、電磁石への通電オフ時、ＭＲ機構部５８により第２副液室３４の体積を可変させることで、第３オリフィス７２を作用させることなく第２オリフィス２８を作用させることが可能となる。
【００４２】
図８は、第４の実施形態に係る液封入式防振装置の模式図である。この実施形態では、第１副液室３２と第２副液室３４とが互いに干渉されることなく変位するように形成されている点が上記した第１の実施形態とは異なる。すなわち、第１の実施形態では、第１副液室３２と第２副液室３４との仕切部にＭＲ機構部５８を設けているので、ＭＲ機構部５８の作用により第２副液室３４が下方に変位したときにそれに伴って第１副液室３２及びダイヤフラム１６も下方に変位するが、本実施形態ではＭＲ機構部５８を上記仕切部ではない第２副液室３４の室壁の一部に設けている。
【００４３】
図９は、第５の実施形態に係る液封入式防振装置の模式図である。この実施形態では、第２オリフィス２８によって第２副液室３４と主液室３０を連結させるのではなく、第２副液室３４と第１副液室３２を連結させ、また、ＭＲ機構部５８を第１副液室３２と第２副液室３４との仕切部ではなく、第２副液室３４と主液室３０との仕切部に設けた点が、上記した第１の実施形態とは異なる。この場合、電磁石への通電オン時には第１の実施形態と同様に作用するが、電磁石への通電オフ時には、主液室３０内の液圧変動によりＭＲ機構部５８のピストン状部材が第２副液室３４の体積を可変する方向に変位し、これにより第１副液室３２と第２副液室３４との間で第２オリフィス２８を通じて液体が流動して、その液流動効果により振動を吸収することができる。
【００４４】
図１０は、第６の実施形態に係る液封入式防振装置の模式図である。この実施形態では、上記した第５の実施形態において、第１副液室３２が第２のダイヤフラム８０により２室に仕切られて、そのうちの一方の液室３２Ａが第１オリフィス２２を介して主液室３０に連結され、他方の液室３２Ｂがダイヤフラム１６にて室壁の一部が形成されるとともに第２オリフィス２８を介して第２副液室３４に連結されている。
【００４５】
なお、以上の実施形態では、筒状の第１取付金具とその軸心上に配置された第２取付金具とを備えて、該第１取付金具の軸方向に振動が付加される、いわゆるお椀形の防振装置について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば、軸部材と、これを軸平行に取り囲む外筒部材と、両部材の間を結合する防振基体とを備えて、軸部材の軸直角方向に振動が付加される、いわゆる円筒形タイプについても適用することができる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明の液体封入式防振装置であると、電磁石への通電をオン／オフすることにより第１オリフィスと第２オリフィスとの切り換えを行うことができるので、各オリフィスをそれぞれ異なる周波数域の振動を吸収するように調整しておくことにより、異なる周波数域の振動をそれぞれ対応するオリフィスによって効果的に吸収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液体封入式防振装置の縦断面図。
【図２】同防振装置の要部拡大断面図。
【図３】同防振装置の模式図。
【図４】同防振装置の通電オン時における周波数と動バネ定数及び減衰係数との関係を示すグラフ。
【図５】同防振装置の通電オフ時における周波数と動バネ定数及び減衰係数との関係を示すグラフ。
【図６】第２の実施形態に係る液体封入式防振装置の模式図。
【図７】第３の実施形態に係る液体封入式防振装置の模式図。
【図８】第４の実施形態に係る液体封入式防振装置の模式図。
【図９】第５の実施形態に係る液体封入式防振装置の模式図。
【図１０】第６の実施形態に係る液体封入式防振装置の模式図。
【符号の説明】
１０……第１取付金具（第１取付部材）
１２……第２取付金具（第２取付部材）
１４……防振基体
１６……ダイヤフラム
２２……第１オリフィス
２３……オリフィス形成部材（シリンダ状部材）
２４……第１仕切部材（第１副液室と第２副液室を仕切る仕切部）
２８……第２オリフィス
３０……主液室
３２……第１副液室
３４……第２副液室
３６……隔壁部（ピストン状部材）
３８……ＭＲ流体
４０……ＭＲ流路
４０Ａ，４０Ｂ……垂直流路部分
４０Ｃ……水平流路部分
４４……電磁石
５８……ＭＲ機構部
７０，８０……第２ダイヤフラム
７２……第３オリフィス

Claims

第１取付部材と、第２取付部材と、これら取付部材の間に介設されて両取付部材を結合するゴム材よりなる防振基体と、該防振基体にて室壁の一部が形成された主液室と、該主液室に第１オリフィスを介して連結されるとともにダイヤフラムにて室壁の一部が形成された第１副液室と、該主液室又は該第１副液室に第２オリフィスを介して連結された第２副液室とを備え、
前記第２副液室の室壁の一部が、振動付加時の前記防振基体の弾性変形に伴い該第２副液室の体積を可変する方向に相対変位可能なピストン状部材とシリンダ状部材で構成され、
前記ピストン状部材とシリンダ状部材の間に、磁界強さに応じて粘度が変化するＭＲ流体を流動可能な状態に密封保持するＭＲ流路が形成され、
該ＭＲ流路を横断する磁路を形成してＭＲ流体の粘度を変化させるための磁界強さを制御可能な電磁石が設けられた
ことを特徴とする液体封入式防振装置。
前記第２副液室が仕切部を介して前記第１副液室に隣接して設けられ、該仕切部が前記ピストン状部材とシリンダ状部材で構成され、前記第２副液室が前記第２オリフィスを介して前記主液室と連結されたことを特徴とする請求項１記載の液体封入式防振装置。
前記第１副液室が第２ダイヤフラムにより２室に仕切られて、そのうちの一方が前記第１オリフィスを介して前記主液室に連結され、他方が前記ダイヤフラムにて室壁の一部が形成されるとともに第３オリフィスを介して前記第２副液室に連結されたことを特徴とする請求項２記載の液体封入式防振装置。
前記第２副液室が仕切部を介して前記主液室に隣接して設けられ、該仕切部が前記ピストン状部材とシリンダ状部材で構成され、前記第２副液室が前記第２オリフィスを介して前記第１副液室と連結されたことを特徴とする請求項１記載の液体封入式防振装置。
前記第１副液室が第２ダイヤフラムにより２室に仕切られて、そのうちの一方が前記第１オリフィスを介して前記主液室に連結され、他方が前記ダイヤフラムにて室壁の一部が形成されるとともに前記第２オリフィスを介して前記第２副液室に連結されたことを特徴とする請求項４記載の液体封入式防振装置。
前記第１取付部材が筒状をなし、前記第２取付部材が該第１取付部材の軸心上に配置されて、該第１取付部材の軸方向に振動が付加される防振装置であって、
前記ダイヤフラムが前記防振基体に対向させて前記第１取付部材に取り付けられて、該第１取付部材の内側における防振基体とダイヤフラムとの間に防振基体側から順に前記主液室、前記第２副液室及び前記第１副液室が形成された
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれに記載の液体封入式防振装置。
前記ＭＲ流路が、前記のピストン状部材とシリンダ状部材の相対変位方向に沿い互いに平行に位置する流路部分とそれら流路部分を相互に連通するように前記相対変位方向に直交又はほぼ直交する方向に沿って位置して磁路の横断部を構成する流路部分とを有する断面クランク状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液体封入式防振装置。