JP2004222286A5 - - Google Patents

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  1. 複数の単位画素を具備した能動画素センサ配列と、
    前記能動画素センサ配列で少なくとも1つの行ラインを選択するための行駆動器と、
    少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックと、
    少なくとも1つの列ラインと前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変化器ブロックのうちの一つとの間の連結を設定するためのスイッチング素子とを具備し、
    前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの少なくとも1つは、前記複数の単位画素の少なくとも2つの列に対して連結が設定されることを特徴とする撮像素子。
  2. 前記能動画素センサ配列のすべてのレッド及びブルー画素は、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つによって処理され、前記能動画素センサ配列のすべてのグリーン画素は、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つによって処理されることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  3. 前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックにより実行される処理は、サンプリング、増幅及び変換処理を含むことを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
  4. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのスイッチを含み、前記少なくとも2セットのスイッチは、第1セットのスイッチは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのスイッチは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  5. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのマルチプレクサを含み、第1セットのマルチプレクサは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのマルチプレクサは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  6. 前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックの各々は、
    画像サンプルを保持するための相関二重サンプリングブロックと、
    前記画像サンプルを増幅するための増幅器と、
    入力されたアナログサンプルをデジタル信号に変換するためのアナログ−デジタル変換器と、
    前記アナログ−デジタル変換器から提供された前記デジタル信号をラッチするためのラッチブロックと、
    選択信号に従って直列に信号を出力するためのデータ選択器とを含むことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  7. 前記ラッチブロックから提供された信号を出力するためのマルチプレクサをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の撮像素子。
  8. 前記少なくとも1つの列ライン及び前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか1つの間の前記連結は、タイミング発生器及びアドレス発生器のうちのいずれかの一つから提供された信号に応答して設定されることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  9. 前記信号は、奇数/偶数信号及び選択信号のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項8に記載の撮像素子。
  10. 前記複数の単位画素の各々は、光感知器及び処理回路を含み、前記処理回路は、リセットレベル信号を発生するためのリセット回路及び前記光感知器及びリセットレベル信号から提供された信号を増幅するための増幅回路を含むことを特徴とする請求項9に記載の撮像素子。
  11. 前記処理回路は、複数のトランジスタを含むことを特徴とする請求項10に記載の撮像素子。
  12. 複数の単位画素を具備した能動画素センサ配列と、
    前記能動画素センサ配列で少なくとも1つの行ラインを選択するための行駆動器と、
    少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックと、
    少なくとも1つの列ラインと前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうち一つとの間の連結を設定するスイッチング手段とを具備し、
    前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの少なくとも1つは、前記複数の単位画素の少なくとも2つの列に対して連結が設定されることを特徴とする撮像素子。
  13. 前記能動画素センサ配列のすべてのレッド及びブルー画素は、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つによって処理され、前記能動画素センサ配列のすべてのグリーン画素は、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つによって処理されることを特徴とする請求項12に記載の撮像素子。
  14. 前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックにより実行される処理は、サンプリング、増幅及び変換処理を含むことを特徴とする請求項13に記載の撮像素子。
  15. 前記スイッチング手段は、少なくとも2セットのスイッチを含み、第1セットのスイッチは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのスイッチは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項12に記載の撮像素子。
  16. 前記スイッチング手段は、少なくとも2セットのマルチプレクサを含み、第1セットのマルチプレクサは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのマルチプレクサは、前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項12に記載の撮像素子。
  17. 前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックの各々は、
    画像サンプルを保持するための相関二重サンプリングブロックと、
    前記画像サンプルを増幅するための増幅器と、
    入力されたアナログサンプルをデジタル信号に変換するためのアナログ−デジタル変換器と、
    前記アナログ−デジタル変換器から提供された前記デジタル信号をラッチするためのラッチブロックと、
    選択信号に従って直列に信号を出力するためのデータ選択器とを含むことを特徴とする請求項12に記載の撮像素子。
  18. 前記ラッチブロックから提供された信号を出力するためのマルチプレクサをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の撮像素子。
  19. 前記少なくとも1つの列ラインと前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つとの間の前記連結は、タイミング発生器及びアドレス発生器のうちのいずれか一つから提供された信号に応答して設定されることを特徴とする請求項12に記載の撮像素子。
  20. 前記信号は、奇数/偶数信号及び選択信号のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項19に記載の撮像素子。
  21. 前記複数の単位画素の各々は、光ダイオード及び処理回路を含み、前記処理回路は、リセットレベル信号を発生するためのリセット回路及び前記光ダイオード及びリセットレベル信号から提供された信号を増幅するための増幅回路を含むことを特徴とする請求項12に記載の撮像素子。
  22. 前記処理回路は、複数のトランジスタを含むことを特徴とする請求項21に記載の撮像素子。
  23. 複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列の行ラインを選択するための行駆動器と、
    スイッチング素子とを含み、
    前記スイッチング素子は、
    選択される行ラインが奇数行であれば、前記能動画素センサ配列の奇数列ラインから提供された列出力を第1相関二重サンプリングブロックに連結し、前記能動画素センサ配列の偶数列ラインから提供された列出力を第2相関二重サンプリングブロックに連結し、
    選択される行ラインが偶数行であれば、前記能動画素センサ配列の奇数列ラインから提供された列出力を前記第2相関二重サンプリングブロックに連結し、前記能動画素センサ配列の偶数列ラインから提供された列出力を前記第1相関二重サンプリングブロックに連結することを特徴とする撮像素子。
  24. 前記能動画素センサ配列のすべてのレッド及びブルー画素は、いずれか一つの相関二重サンプリングブロックによって処理され、前記能動画素センサ配列のすべてのグリーン画素は、他の一つの相関二重サンプリングブロックによって処理されることを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  25. 前記第1相関二重サンプリングブロック及び前記第2相関二重サンプリングブロック以後の処理は、増幅及び変換処理を含むことを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  26. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのスイッチを含み、第1セットのスイッチは、前記相関二重サンプリングブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのスイッチは、前記相関二重サンプリングブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  27. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのマルチプレクサを含み、第1セットのマルチプレクサは、前記相関二重サンプリングブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのマルチプレクサは、前記相関二重サンプリングブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  28. 前記第1及び第2相関二重サンプリングブロックの各々は、
    画像サンプルを保持するための相関二重サンプリングブロックと、
    前記画像サンプルを増幅するための増幅器と、
    入力されたアナログサンプルをデジタル信号に変換するためのアナログ−デジタル変換器と、
    前記アナログ−デジタル変換器から提供された前記デジタル信号をラッチするためのラッチブロックと、
    選択信号に従って直列に信号を出力するデータ選択器とを含むことを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  29. 前記ラッチブロックから提供された信号を出力するためのマルチプレクサをさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の撮像素子。
  30. 前記列出力及び前記第1、第2相関二重サンプリングブロックの間の前記連結は、タイミング発生器及びアドレス発生器のうちのいずれか一つから提供された信号に応答して設定されることを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  31. 前記信号は、奇数/偶数信号及び選択信号のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項30に記載の撮像素子。
  32. 前記複数の単位画素の各々は、光感知器及び処理回路を含み、前記処理回路は、リセットレベル信号を発生するためのリセット回路及び前記光感知器及びリセットレベル信号から提供された信号を増幅するための増幅回路を含むことを特徴とする請求項23に記載の撮像素子。
  33. 前記処理回路は、複数のトランジスタを含むことを特徴とする請求項32に記載の撮像素子。
  34. 複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列と、
    前記複数の単位画素の第1サブセットを第1相関二重サンプリングブロックに連結し、前記複数の単位画素の第2サブセットを第2相関二重サンプリングブロックに連結するためのスイッチング素子とを含み、
    前記複数の単位画素の第1サブセットはブルー及びレッド画素であり、前記複数の単位画素の第2サブセットはグリーン画素であることを特徴とする撮像素子。
  35. 前記第1相関二重サンプリングブロック及び第2相関二重サンプリングブロックの以後に実行される処理は、増幅及び変換処理であることを特徴とする請求項34に記載の撮像素子。
  36. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのスイッチを含み、第1セットのスイッチは、前記相関二重サンプリングブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのスイッチは、前記相関二重サンプリングブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項34に記載の撮像素子。
  37. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのアナログマルチプレクサを含み、第1セットのアナログマルチプレクサは、前記相関二重サンプリングブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのアナログマルチプレクサは、前記相関二重サンプリングブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項34に記載の撮像素子。
  38. 前記第1及び第2相関二重サンプリングブロックは、各々、
    画像サンプルを保持するための相関二重サンプリングブロックと、
    前記画像サンプルを増幅するための増幅器と、
    入力されたアナログサンプルをデジタル信号に変換するためのアナログ−デジタル変換器と、
    前記アナログ−デジタル変換器から提供された前記デジタル信号をラッチするためのラッチブロックと、
    選択信号に従って直列に信号を出力するデータ選択器とを含むことを特徴とする請求項34に記載の撮像素子。
  39. 前記ラッチブロックから提供された信号を出力するためのマルチプレクサをさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の撮像素子。
  40. 前記複数の単位画素及び前記相関二重サンプリングブロックの間の前記連結は、タイミング発生器及びアドレス発生器のうちのいずれか一つから提供された信号に応答して設定されることを特徴とする請求項34に記載の撮像素子。
  41. 前記信号は、奇数/偶数信号及び選択信号のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項40に記載の撮像素子。
  42. 前記複数の単位画素の各々は、光感知器及び処理回路を含み、前記処理回路は、リセットレベル信号を発生するためのリセット回路及び前記光感知器及びリセットレベル信号から提供された信号を増幅するための増幅回路を含むことを特徴とする請求項34に記載の撮像素子。
  43. 前記処理回路は、複数のトランジスタを含むことを特徴とする請求項42に記載の撮像素子。
  44. 行列に配列された複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列と、
    少なくとも一つのアナログ−デジタル変換器を前記複数の単位画素の少なくとも2つの列に連結するスイッチング素子とを含むことを特徴とする撮像素子。
  45. 前記能動画素センサ配列のすべてのレッド画素及びブルー画素は、一つのアナログ−デジタル変換器により処理され、前記能動画素センサ配列のすべてのグリーン画素は、他の一つのアナログ−デジタル変換器により処理されることを特徴とする請求項44に記載の撮像素子。
  46. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのスイッチを含み、第1セットのスイッチは、前記アナログ−デジタル変換器ブロックのうちの一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのスイッチは、前記アナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項45に記載の撮像素子。
  47. 前記スイッチング素子は、少なくとも2セットのマルチプレクサを含み、第1セットのマルチプレクサは、前記アナログ−デジタル変換器ブロックのうちのいずれか一つを前記能動画素センサ配列に連結し、第2セットのマルチプレクサは、前記アナログ−デジタル変換器ブロックのうちの他の一つを前記能動画素センサ配列に連結することを特徴とする請求項45に記載の撮像素子。
  48. 前記少なくとも1つのアナログ−デジタル変換器ブロック及び前記複数の単位画素の少なくとも2つの列の間の前記連結は、タイミング発生器及びアドレス発生器のうちのいずれか一つから提供された信号に応答して設定されることを特徴とする請求項44に記載の撮像素子。
  49. 前記信号は、奇数/偶数信号及び選択信号のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項48に記載の撮像素子。
  50. 前記複数の単位画素の各々は、光感知器及び処理回路を含み、前記処理回路は、リセットレベル信号を発生するためのリセット回路及び前記光感知器及びリセットレベル信号から提供された信号を増幅するための増幅回路を含むことを特徴とする請求項44に記載の撮像素子。
  51. 前記処理回路は、複数のトランジスタを具備することを特徴とする請求項50に記載の撮像素子。
  52. 複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列から少なくとも一つの行ラインを選択し、
    少なくとも一つの列と少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの少なくとも一つとの間に連結を設定することを含み、
    前記少なくとも2つのアナログ−デジタル変換器ブロックのうちの少なくとも1つは、前記複数の単位画素のうちの少なくとも2つの列に対して連結が設定されることを特徴とする固定パターン雑音低減方法。
  53. 複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列から少なくとも1つの行を選択し、
    少なくとも1つの列と少なくとも1つのアナログ−デジタル変換器ブロックとの間に連結を設定することを含み、
    前記少なくとも1つのアナログ−デジタル変換器は、前記複数の単位画素の少なくとも2つの列に対して連結が設定されることを特徴とする固定パターン雑音低減方法。
  54. 複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列を具備する撮像素子を提供し、
    前記複数の単位画素の第1サブセットを第1相関二重サンプリングブロックに連結し、前記複数の単位画素の第2サブセットを第2相関二重サンプリングブロックに連結することを含み、
    前記複数の単位画素の第1サブセットはブルー画素及びレッド画素であり、前記複数の単位画素の第2サブセットはグリーン画素であることを特徴とする固定パターン雑音低減方法。
  55. 行列に配列された複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列を具備する撮像素子を提供し、
    少なくとも一つのアナログ−デジタル変換器を前記複数の単位画素の少なくとも2つの列に連結することを含むことを特徴とする固定パターン雑音低減方法。
  56. 複数の単位画素を具備する能動画素センサ配列から一つの行ラインを選択し、
    前記行ラインが奇数行であれば、前記能動画素センサ配列の奇数列ラインから提供された列出力を第1相関二重サンプリングブロックに連結し、前記能動画素センサ配列の偶数列ラインから提供された列出力を第2相関二重サンプリングブロックに連結し、
    前記行ラインが偶数行であれば、前記能動画素センサ配列の奇数列ラインから提供された列出力を前記第2相関二重サンプリングブロックに連結し、前記能動画素センサ配列の偶数列ラインから提供された列出力を前記第1相関二重サンプリングブロックに連結し、
    前記選択された行ラインを駆動し、前記第1相関二重サンプリングブロック及び第2相関二重サンプリングブロック全部で列出力信号をサンプリングし、
    アナログ信号出力をデジタル信号に変換することを含むことを特徴とする固定パターン雑音低減方法。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002098112A2 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Transchip, Inc. Patent application cmos imager for cellular applications and methods of using such
US7738013B2 (en) * 2001-05-29 2010-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems and methods for power conservation in a CMOS imager
US7068446B2 (en) * 2003-05-05 2006-06-27 Illumitech Inc. Compact non-imaging light collector
US7859581B2 (en) * 2003-07-15 2010-12-28 Eastman Kodak Company Image sensor with charge binning and dual channel readout
WO2005022459A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Transchip, Inc. Systems and methods for power conservation in a cmos imager
US20050062866A1 (en) * 2003-09-23 2005-03-24 Ang Lin Ping Multiplexed pixel column architecture for imagers
US7619669B2 (en) * 2003-12-29 2009-11-17 Micron Technologies, Inc. Power savings with multiple readout circuits
JP4107269B2 (ja) * 2004-02-23 2008-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2005312025A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Magnachip Semiconductor Ltd 高速アナログ信号処理可能なcmosイメージセンサ
JP2005318544A (ja) * 2004-04-26 2005-11-10 Magnachip Semiconductor Ltd 高速アナログ信号処理可能なcmosイメージセンサ
JP4157083B2 (ja) * 2004-09-09 2008-09-24 マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド オンチップ半列並列パイプラインアナログ‐デジタル変換器を具えるイメージセンサ
US20060170788A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 Transchip, Inc. Image sensor with balanced switching noise
US20060187329A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Micron Technology, Inc. Clamped capacitor readout noise rejection circuit for imagers
US7554066B2 (en) * 2005-04-13 2009-06-30 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus employing dynamic element matching for reduction of column-wise fixed pattern noise in a solid state imaging sensor
JP4599258B2 (ja) * 2005-09-16 2010-12-15 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
JP4984517B2 (ja) * 2005-12-15 2012-07-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 撮像ユニット及び撮像装置
US7659925B2 (en) * 2005-10-04 2010-02-09 Alexander Krymski High speed CMOS image sensor circuits with memory readout
WO2007135158A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Thomson Licensing Image sensor circuit
KR100803229B1 (ko) * 2006-08-09 2008-02-14 (주) 픽셀플러스 리드 아웃 회로를 공유하는 이미지 센서 및 리드 아웃회로를 공유하는 방법
TWI345910B (en) * 2006-10-02 2011-07-21 Novatek Microelectronics Corp Cmos image sensor for high-speed operation
DE102007058973A1 (de) * 2007-12-07 2009-06-18 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Bildsensor
KR101448918B1 (ko) 2007-12-18 2014-10-15 삼성전자주식회사 픽셀 데이터의 고속 출력이 가능한 cmos 이미지 센서
US8144226B2 (en) 2008-01-04 2012-03-27 AltaSens, Inc Two-by-two pixel structure in an imaging system-on-chip
TWI504256B (zh) * 2008-04-07 2015-10-11 Sony Corp 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備
US8174603B2 (en) * 2008-05-01 2012-05-08 Alexander Krymski Image sensors and methods with antiblooming channels and two side driving of control signals
US8077227B2 (en) * 2008-05-02 2011-12-13 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing analog row noise correction and hot pixel filtering
US8081247B2 (en) * 2008-06-18 2011-12-20 Omnivision Technologies, Inc. Partial row readout for image sensor
US8059173B2 (en) * 2008-09-26 2011-11-15 On Semiconductor Trading Ltd. Correlated double sampling pixel and method
JP2010098516A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Sony Corp 撮像素子およびその制御方法並びにカメラ
JP5365223B2 (ja) * 2009-01-29 2013-12-11 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置、撮像装置の信号処理方法およびイメージセンサチップ
JP2012049912A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光電変換装置および撮像システム
JP2012049911A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光電変換装置および撮像システム
KR101195389B1 (ko) * 2010-11-01 2012-10-30 에스케이하이닉스 주식회사 서브 샘플링 기능을 구비한 이미지 센서
US8723093B2 (en) 2011-01-10 2014-05-13 Alexander Krymski Image sensors and methods with shared control lines
JP5721518B2 (ja) * 2011-04-21 2015-05-20 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
KR101822661B1 (ko) * 2011-10-27 2018-01-26 삼성전자주식회사 비전 인식 장치 및 방법
US9294703B2 (en) 2012-12-03 2016-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor including data transmission circuit having split bus segments
KR101444014B1 (ko) * 2013-03-07 2014-09-23 주식회사 동부하이텍 이미지 센서의 구동 회로 및 구동 방법
US9369648B2 (en) 2013-06-18 2016-06-14 Alexander Krymski Image sensors, methods, and pixels with tri-level biased transfer gates
JP2015128253A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
KR20160067251A (ko) * 2014-12-03 2016-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동방법
KR102210513B1 (ko) 2014-12-11 2021-02-02 삼성전자주식회사 커플링-프리 읽기를 수행할 수 있는 이미지 센서와 이를 포함하는 장치
CN106686326B (zh) * 2016-12-27 2019-08-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种全画幅图像传感器系统
CN106791514B (zh) * 2016-12-29 2020-01-10 上海集成电路研发中心有限公司 全画幅图像传感器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2741703B2 (ja) * 1986-09-19 1998-04-22 キヤノン株式会社 光電変換装置
JPH0313192A (ja) * 1989-06-12 1991-01-22 Canon Inc 固体撮像装置
JPH09238286A (ja) * 1996-02-29 1997-09-09 Toshiba Corp デジタル光学センサ
US6885396B1 (en) * 1998-03-09 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Readout circuit with gain and analog-to-digital a conversion for image sensor
JP2000012819A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Nikon Corp 固体撮像素子
JP3854729B2 (ja) * 1998-09-02 2006-12-06 キヤノン株式会社 撮像装置およびそれを用いた撮像システム
JP3011209B1 (ja) * 1998-11-16 2000-02-21 日本電気株式会社 イメージセンサ
US6661457B1 (en) * 1999-03-22 2003-12-09 Biomorphic Vlsi, Inc. Pixel read-out architecture
JP3501682B2 (ja) * 1999-05-31 2004-03-02 キヤノン株式会社 カラー撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP2002165132A (ja) * 2000-11-22 2002-06-07 Innotech Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
US7565033B2 (en) * 2001-08-17 2009-07-21 Aptina Imaging Corporation Apparatus and method for increasing readout speed of a solid state imager
US6838651B1 (en) * 2002-03-28 2005-01-04 Ess Technology, Inc. High sensitivity snap shot CMOS image sensor

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