JP2004207291A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】ワイヤボンディング技術を適用し、かつ、半導体装置の薄型化を実現することにある。
【解決手段】集積回路12が形成された半導体チップ70の第1の電極51と、半導体チップ70が搭載された基板80の第2の電極82と、をワイヤボンディングすることを含み、第1の電極51は、半導体チップ70の基板80から立ち上がる側面に形成され、ワイヤボンディング工程で、(a)ワイヤ90の先端部92を半導体チップ70の側方から第1の電極51にボンディングし、(b)ワイヤ90を第1の電極51から第2の電極82に引き出し、(c)ワイヤ90の一部を第2の電極82にボンディングする。
【選択図】 図14
【解決手段】集積回路12が形成された半導体チップ70の第1の電極51と、半導体チップ70が搭載された基板80の第2の電極82と、をワイヤボンディングすることを含み、第1の電極51は、半導体チップ70の基板80から立ち上がる側面に形成され、ワイヤボンディング工程で、(a)ワイヤ90の先端部92を半導体チップ70の側方から第1の電極51にボンディングし、(b)ワイヤ90を第1の電極51から第2の電極82に引き出し、(c)ワイヤ90の一部を第2の電極82にボンディングする。
【選択図】 図14
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】
従来のワイヤボンディング技術を適用した半導体装置では、半導体チップの集積回路が形成された面(上面)の電極から、半導体チップの厚み方向にワイヤを引き出していたので、全体の薄型化に限界があった。特に、スタック型の半導体装置では、薄型かつ高集積化が要求されるため、その改善が望まれている。
【0003】
本発明の目的は、ワイヤボンディング技術を適用し、かつ、半導体装置の薄型化を実現することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された半導体チップの第1の電極と、前記半導体チップが搭載された基板の第2の電極と、をワイヤボンディングすることを含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤボンディング工程で、
(a)ワイヤの先端部を前記半導体チップの側方から前記第1の電極にボンディングし、
(b)前記ワイヤを前記第1の電極から前記第2の電極に引き出し、
(c)前記ワイヤの一部を前記第2の電極にボンディングする。本発明によれば、ワイヤを半導体チップの側面の第1の電極から引き出すので、ワイヤの頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
(2)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部から引き出される部分を前記基板の面から立ち上げた状態で、前記先端部の側面を前記第1の電極にボンディングしてもよい。これによれば、ワイヤを基板の面から立ち上げた状態にしているので、先端部から引き出される部分が基板に接触するのを回避することができる。
(3)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程は、前記先端部のボンディングされる側とは反対の側面を、前記半導体チップの方向に加圧することを含んでもよい。これによって、ワイヤと第1の電極との接合力を高めることができる。
(4)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部から引き出される部分を前記基板の面とほぼ平行にした状態で、前記先端部の前記引き出される部分とは反対側を前記第1の電極にボンディングしてもよい。これによって、ワイヤを半導体チップの側面にほぼ垂直にした状態でボンディングすることができるので、安定してボンディング工程を行うことができる。
(5)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記ワイヤを前記基板の面とほぼ平行の方向に引き出してもよい。これによれば、ワイヤを基板の面とほぼ平行の方向に引き出すので、極めて薄い半導体装置を製造することができる。
(6)この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの前記側面には、窪みが形成され、
前記第1の電極は、前記窪みの内面に少なくとも一部が形成され、
前記(a)工程で、前記先端部を、少なくとも一部が前記窪みの内部に入り込むようにボンディングしてもよい。これによれば、ワイヤの先端部を少なくとも一部が窪みの内部に入り込むようにボンディングするので、ワイヤと第1の電極との接合力を高めることができる。
(7)この半導体装置の製造方法において、
これよって、ワイヤの本数を少なくして、ワイヤボンディング工程の簡略化を図ることができる。前記ワイヤボンディング工程前に、複数の前記半導体チップを積層することをさらに含み、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部を、いずれかの前記半導体チップの前記第1の電極と、それに積層された他の前記半導体チップの前記第1の電極と、の両方に接触させるようにボンディングしてもよい。
(8)この半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程で、前記ワイヤの一部を、超音波振動を加えることで前記第2の電極にボンディングしてもよい。これによって、ワイヤを第2の電極に確実にボンディングすることができる。
(9)本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成され、第1の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記第1の電極にワイヤを介して電気的に接続された第2の電極を有する基板と、
を含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤの第1の端部が前記半導体チップの前記側面で前記第1の電極に接合され、前記ワイヤの第2の端部が前記基板の前記第2の電極に接合されてなる。本発明によれば、ワイヤが半導体チップの側面の第1の電極から引き出されているので、ワイヤの頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
(10)本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成され、第1の電極を有する複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップが積層されて搭載され、いずれかの半導体チップの前記第1の電極にワイヤを介して電気的に接続された第2の電極を有する基板と、
を含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤの第1の端部が前記いずれかの半導体チップの前記側面で前記第1の電極に接合され、前記ワイヤの第2の端部が前記基板の前記第2の電極に接合されてなる。本発明によれば、ワイヤが半導体チップの側面の第1の電極から引き出されているので、ワイヤの頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
(11)この半導体装置において、
前記ワイヤの前記第1の端部は、塊状に形成されてもよい。
(12)この半導体装置において、
前記ワイヤは、前記第1の電極から、前記基板の面から離れる方向に延びる部分を有してもよい。
(13)この半導体装置において、
前記ワイヤは、前記第1の電極から前記基板の面とほぼ平行の方向に延びる部分を有してもよい。
(14)この半導体装置において、
前記半導体チップの前記側面には、窪みが形成され、
前記第1の電極は、前記窪みの内面に少なくとも一部が形成され、
前記ワイヤの前記第1の端部は、少なくとも一部が前記窪みの内部に入り込むように接合されてもよい。これによれば、ワイヤの第1の端部は少なくとも一部が窪みの内部に入り込むように接合されているので、ワイヤと第1の電極との接合力を高めることができる。
(15)本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されている。
(16)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0006】
(第1の実施の形態)
図1〜図15は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。まず、本実施の形態で使用する半導体チップの製造方法を説明する。
【0007】
(半導体チップの製造方法)
図1〜図11は、本実施の形態で使用される半導体チップ(半導体装置)の製造方法の一例を説明する図である。本実施の形態で使用される半導体チップは、その側面に電極を有する。
【0008】
半導体基板(例えばシリコン基板)10を使用する。半導体基板10は、半導体ウエハであってもよい。図1では、半導体ウエハの一部が示されている。半導体基板10の平面形状は限定されないが、例えば半導体ウエハの場合には円形であることが一般的である。
【0009】
半導体基板10には、複数の集積回路(例えばトランジスタやメモリを有する回路)12が形成されている。半導体基板10には、複数の電極(例えばパッド)14が形成されている。各電極14は、集積回路12に電気的に接続されている。各電極14は、集積回路12に重ならない領域(図1では集積回路の外側の領域)に形成されてもよい。各電極14は、アルミニウム系又は銅系の金属で形成されてもよい。電極14の表面の形状は特に限定されないが矩形であることが多い。半導体基板10が半導体ウエハである場合、複数の半導体チップとなる各領域に、2つ以上(1グループ)の電極14が形成される。図1に示す例では、電極14は、半導体チップとなる領域の4辺に沿って配列されているが、2辺に沿って配列されてもよいし、中央部に配列されてもよい。
【0010】
半導体基板10は、集積回路12が形成された側の第1の面20と、それとは反対の第2の面22と、を有する。複数の電極14は、第1の面20から外部に露出している。
【0011】
半導体基板10には、少なくとも1層の絶縁層16が形成されている。図2に示す例では、絶縁層16は、半導体基板10の第1の面20に形成されている。絶縁層16は、パッシベーション膜と呼ばれ、例えば、SiO2、SiN、ポリイミド樹脂などで形成することができる。絶縁層16は、電極14の少なくとも一部を露出する開口部18を有する。絶縁層16は、電極14の表面を覆って形成した後、その一部をエッチングして電極14の一部を露出させてもよい。図2に示すように、絶縁層16は、電極14の中央部を開口して、外周端部を覆うように形成してもよい。
【0012】
図1及び図2に示される仮想ライン24は、半導体基板10を複数の領域(半導体チップとなる領域)に区画している。仮想ライン24は、集積回路12及び電極14を避けて形成されてもよい。各領域(半導体チップ)の外形は、矩形、円形又はその他の多角形であってもよいし、限定されるものではない。
【0013】
図3に示すように、半導体基板10に第1の面20から溝30を形成する。本実施の形態では、溝30は仮想ライン24に沿って形成する。すなわち、溝30は、半導体基板10を複数の半導体チップとなる領域に区画するように形成する。図3に示す例では、溝30は、集積回路12及び電極14を避けて形成している。溝30は、半導体基板10を、ブレードなどで切削することにより機械的に形成してもよいし、エッチングなどで化学的に形成してもよいし、レーザなどで光学的に形成してもよい。
【0014】
溝30は、第1の面20から傾斜してなるテーパ(例えば溝の開口方向に広がるテーパ)が付された壁面を有してもよいし、第1の面20から垂直に落ちる壁面を有してもよい。溝30は、底面が形成されて凹状になっていてもよいし、底面が形成されずにV状になっていてもよい。
【0015】
溝30は、半導体基板10を貫通しないように形成する。溝30は、完成品としての半導体チップの厚さよりも深くなるように形成する。また、溝30は、半導体基板10の内部に形成される集積回路12の素子及び配線よりも深くなるように形成する。なお、半導体基板10の溝30の内面には、半導体部分(例えばシリコン)が露出する。
【0016】
図4に示すように、半導体基板10に絶縁層40を形成する。絶縁層40の材料としては、酸化膜(例えばSiO2)、窒化膜(例えばSiN)又は樹脂(例えばポリイミド樹脂)などが挙げられる。
【0017】
絶縁層40は、少なくとも溝30の内面に形成する。図4に示す例では、絶縁層40は、溝30の内壁面及び底面に形成しているが、溝30の内壁面のみに形成しても構わない。ただし、絶縁層40は、溝30を埋め込まないように形成する。すなわち、絶縁層40によって溝(又は凹部)を形成する。図4に示す例では、溝30の内面(図4では内壁面及び底面)の全部は、絶縁層40で覆われている。
【0018】
絶縁層40を溝30の内面から第1の面20にかけて連続的に形成してもよい。例えば、半導体基板10の第1の面20及び溝30の内面を覆って絶縁層40を形成し、必要な部分をエッチングして絶縁層40から露出させてもよい。図4に示す例では、絶縁層40の電極14を覆う一部をエッチングして、電極14を露出する開口部42を形成する。
【0019】
溝30の内面(詳しくは内壁面)と第1の面20との間の角部は、半導体チップの角部に相当するので、絶縁層40によって半導体チップの角部を覆うことができる(図11参照)。したがって、半導体チップの角部を絶縁層で保護することができるので、チッピングの発生及び拡大を低減し、また、第1の面20に形成された集積回路12の素子及び配線の剥離を防止することができる。
【0020】
なお、第1の面20に絶縁層16が形成されている場合、絶縁層40の一部(第1の面上の部分)を絶縁層16上に形成する。
【0021】
図5に示すように、半導体基板10に導電層50を形成する。導電層50は、銅(Cu)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、チタンタングステン(Ti−W)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成してもよい。導電層50の形成工程としては、フォトリソグラフィを適用した後にエッチングすることで形成してもよいし、スパッタリングなど形成してもよいし、無電解メッキによるアディティブ法を適用することで形成してもよい。あるいは、インクジェット方式を使用して導電層50を形成してもよい。これによれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつ導電層50の材料を無駄なく経済的に設けることが可能である。
【0022】
導電層50は、溝30の内面(詳しくは内壁面)で絶縁層40上に形成する。図5に示す例では、導電層50は、溝30の内壁面及び底面に形成しているが、溝30の内壁面のみに形成しても構わない。ただし、導電層50は、溝30を埋め込まないように形成する。すなわち、絶縁層50によって溝(又は凹部)を形成する。溝30の内面と導電層50との間には、絶縁層40が介在するので、両者の電気的な接続が遮断される。
【0023】
導電層50は、溝30の内面に深さ方向に沿って延びるように形成してもよい。あるいは、導電層50は、ランド状(円形又は矩形など)に形成してもよい。溝30の内面のうち導電層50から露出する部分は、絶縁層40が露出する。
【0024】
図6は、図5のVI−VI線断面図である。図6に示す例では、導電層50は、溝30の内側の方向に、絶縁層40の表面から突起するように形成されている。
【0025】
変形例として、図7に示すように、導電層54は、溝32の内面において、絶縁層44の表面と面一になるように形成されてもよい。その場合、導電層54は絶縁層44の内部に入り込む。他の変形例として、図8に示すように、導電層56は、溝34の内面において、絶縁層46の表面よりも窪むように形成されていてもよい。その場合も、導電層56は、絶縁層46の内部に入り込む。ただし、導電層56は、絶縁層46で覆わずに露出させる。
【0026】
これらの変形例によれば、導電層54,56と絶縁層44,46との密着力が大きくなるので、導電層54,56を絶縁層44,46から剥離しにくくすることができる。なお、必要に応じて、導電層の形成工程後に、再度、絶縁層の形成工程を行って、絶縁層における導電層の周囲の部分を厚く形成してもよい。
【0027】
図5に示すように、導電層50を溝30の内面から第1の面20にかけて連続的に形成してもよい。すなわち、導電層50は、溝30の内面から第1の面20の方向に延びるように配線として形成してもよい。
【0028】
図5に示すように、導電層50を電極14に電気的に接続させてもよい。導電層50は、第1の面20に延びてなり、複数の絶縁層16,40の開口部18,42内で電極14と電気的に接続する接続部52を有する。接続部52は、電極14を覆うように形成してもよい。
【0029】
変形例として、導電層50を電極14に電気的に接続しなくてもよい。すなわち、導電層50は、ダミー配線(集積回路と導通しない配線)として形成してもよい。
【0030】
これによれば、半導体チップの側面に導電層50を形成することができる。例えば、導電層50を電極14に電気的に接続させれば、半導体チップの側面に、集積回路12と電気的に接続した外部端子(第1の電極)を容易に形成することができる。したがって、半導体チップ上の配線構造の自由度を向上させることができる。
【0031】
次に、半導体基板10の研磨工程を行い、複数の半導体チップ70に分割する。本実施の形態では、半導体基板10を、シート60によって保持した状態で研磨する。シート60は半導体基板10の保持部材である。
【0032】
図9に示すように、半導体基板10に、第1の面20からシート60を貼り付ける。シート60は、半導体基板10を第1の面20から保持する。シート60は、粘着材であってもよく、例えば、紫外線硬化型樹脂からなるUVテープであってもよい。UVテープによれば、紫外線の照射の有無によって、シート60の粘着力をコントロールできるので、半導体基板10の保持及び半導体チップ70の剥離に適している。
【0033】
図9に示す例では、シート60と半導体基板10との間に、樹脂などの充填材62が設けられ、シート60は充填材62を介して半導体基板10を保持している。充填材62は、少なくとも半導体基板10の溝30に充填され、図9に示すように、第1の面20にも設けられてもよい。充填材62は、シート60を貼り付ける前に、半導体基板10に第1の面20から塗布してもよく、あるいは、あらかじめシート60に設けておき、シート60を貼り付けることで溝30に設けてもよい。
【0034】
変形例として、充填材62なしで、半導体基板10にシート60を貼り付けてもよい。あるいは、シート60の一部が充填材62であってもよい。
【0035】
こうして、図10に示すように、半導体基板10を、第2の面22から研磨する。すなわち、半導体基板10の裏面をポリシングする。例えば、シート60が貼り付けられた半導体基板10をステージ(図示しない)に固定し、研磨用治具(図示しない)に備えられた砥石によって、半導体基板10を第2の面22から機械的に研磨する。本工程では、半導体基板10を溝30が露出する厚さまで研磨する。これによって、半導体基板10を複数の半導体チップ70に分割するとともに、各半導体チップ70を薄くすることができる。
【0036】
これによれば、半導体基板10に第1の面20からシート60を貼り付けているので、ばらばらに分割された複数の半導体チップ70を一括して保持することができる。したがって、分割後の複数の半導体チップ70の取り扱いを容易にすることができる。
【0037】
また、研磨工程のときに、溝30に充填材62が設けられているため、研磨工程で生じる粉状の異物が溝30に入り込むのを防ぐことができる。したがって、半導体チップ70の損傷及び異物の付着を防止して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0038】
図11に示すように、必要に応じて、複数の半導体チップ70の研磨面に絶縁層72を形成してもよい。複数の半導体チップ70がシート60に保持されていれば、複数の半導体チップ70の研磨面を一括して絶縁処理することができる。また、図11に示すように、複数の半導体チップ70の間に充填材62が設けられていれば、例えば、複数の半導体チップ70の研磨面を含む全面に絶縁層72を形成した後、絶縁層72における充填材62の部分をエッチングして除去すればよい。絶縁層72は、絶縁層40と同一の材料で形成されてもよい。絶縁層72を形成することで、半導体チップ70の研磨面における外部との電気的な導通を遮断することができる。また、半導体チップ70の半導体部分(例えばシリコン)の全面を、絶縁層16,40,72によって覆うことができるので、半導体チップ70の端子(例えば導電層50)以外の部分での、外部との電気的な導通を遮断することができる。
【0039】
その後、半導体チップ70をシート60から剥離する。半導体チップ70とシート60との間に充填材62が設けられている場合には、半導体チップ70を充填材62から剥離する。例えば、それぞれの半導体チップ70を、シート60を介して、ツール(図示しない)によってピックアップする。こうして、個片の半導体チップ70を取り出すことができる。
【0040】
以上の工程によれば、絶縁層40を半導体基板10の溝30の内面に形成する。半導体基板10の溝30の内面は、複数の半導体チップ70の側面に相当する。したがって、半導体基板10の状態で、複数の半導体チップ70の側面を一括して絶縁処理することができる。また、半導体基板10を研磨する前に絶縁層40を形成するので、半導体基板10の割れ及び損傷を回避しつつ、極めて薄い半導体装置を製造することが可能である。
【0041】
(ワイヤボンディング方法)
図12〜図14は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であり、図15及び図16はその変形例を説明する図である。まず、半導体チップ70と、基板80と、を用意する。
【0042】
半導体チップ70の立体形状は、直方体であってもよい。半導体チップ70は、側面に第1の電極51を有する。例えば、半導体チップ70の最も面積の大きいいずれか一方の面に集積回路12及びそれに電気的に接続する電極(例えばパッド)14が形成され、電極14から接続部52を介して導電層50が半導体チップ70の側面に至ることで、半導体チップ70の側面に第1の電極51が形成されてもよい。その場合、第1の電極51は、上述の導電層50の一部であってもよい。1つの半導体チップ70に複数の第1の電極51が形成されてもよい。第1の電極51は、ランド状(円形又は矩形など)に形成してもよい。半導体チップ70のその他の構成及び製造方法は、すでに説明した通りである。
【0043】
基板80は、板状の基材である。基板80は、半導体パッケージ用のインターポーザであってもよいし、他の電子部品とともに実装される回路基板(マザーボード)であってもよい。基板80は、有機系又は無機系のいずれの材料で形成してもよい。基板80の外形は、半導体チップ70の外形よりも大きくてもよい。基板80には、第2の電極82が形成されている。例えば、基板80に複数の配線からなる配線パターンが形成され、各配線の接続部(例えばランド)が第2の電極82であってもよい。基板80は、基材のみからなるベース基板を指してもよいし、配線パターンを有する配線基板を指してもよい。
【0044】
基板80には、半導体チップ70が搭載されている。例えば、半導体チップ70の電極(例えばパッド)14の形成された面とは反対の面を、基板80に向けて搭載してもよい。あるいは、半導体チップ70の電極(例えばパッド)14の形成された面を、基板80に向けて搭載してもよい。半導体チップ70の側面は、基板80の面から立ち上がっている。すなわち、半導体チップ70の第1の電極51は、基板80の面から立ち上げ形成されている。基板80の第2の電極82は、半導体チップ70の外側に配置されている。
【0045】
第1及び第2の電極51,82をワイヤボンディングする。ワイヤ90は、例えば金線であり、ツール(例えばキャピラリ)94によって支持されている。本実施の形態では、ツール94は、ワイヤ90の軸方向が基板80の面に対して垂直(言い換えれば半導体チップ70の側面に対して平行)になるように、ワイヤ90を支持する。ツール94は、内部に穴95を有し、穴95の内側にワイヤ90が挿通されている。図12に示すように、ツール94の先端部の径は小さくなっていてもよい。こうすることで、ツール94が半導体チップ70と接触するのを防止することができる。ワイヤ90は、ツール94の上方に配置されるクランパ96によって保持可能になっている。
【0046】
まず、ワイヤ90の先端部92を塊状(例えばボール状)に形成する。例えば、先端部92をツール94の外部に露出させて、熱エネルギーによって溶融させて塊状に形成してもよい。
【0047】
そして、図12に示すように、ワイヤ90の先端部92を、半導体チップ70の側方から第1の電極51にボンディングする。詳しくは、ワイヤ90の先端部92から引き出される部分(ツール94の穴95に延びる部分)を、基板80の面から立ち上げた状態(例えばほぼ垂直な状態)にし、先端部92の側面を第1の電極51にボンディングする。これによれば、ワイヤ90は、基板80の面から立ち上がる向きに支持されているので、先端部92から引き出される部分が基板80に接触するのを回避することができる。ワイヤ90の先端部92は、ツール94を基板80の面に平行な方向(半導体チップ70の方向)に移動させることで、第1の電極51に加圧される。先端部92を第1の電極51に加圧する間に、超音波振動や熱等を加えることが好ましい。ワイヤ90の先端部92は、基板80から非接触にしてもよいし、基板80に接触しても構わない。
【0048】
変形例として、図15に示すように、ワイヤ90の先端部92を加圧部100によって加圧してもよい。詳しくは、加圧部100によって、ワイヤ90の先端部92のボンディングされる側とは反対の側面を、半導体チップ90の方向に加圧する。これによって、ワイヤ90と第1の電極51との接合力を高めることができる。加圧部100は、板材であってもよく、平面でワイヤ90の先端部92を加圧してもよい。図15に示す例では、加圧部100は、ツール94の一部になっている。こうすることで、製造装置の部品点数が少なくすることができる。
【0049】
他の変形例として、図16に示すように、ワイヤ90の先端部92を加圧部品102によって加圧してもよい。加圧部品102は、ボンディングツールであってもよい。例えば、半導体チップ70の側面にほぼ垂直な方向から、ワイヤ90の先端部92の側面を加圧する。加圧部品102は、ツール94とは別体であってもよい。
【0050】
図13に示すように、ワイヤ90を第1の電極51から第2の電極82に引き出す。詳しくは、ツール94及びクランパ96を、第1の電極51から第2の電極82に導く。ワイヤ90を半導体チップ70から離れる方向に引き出してもよい。ワイヤ90は、ループさせてもよい。ワイヤ90のループの頂点は、図13に示すように半導体チップ70よりも高い位置に設定してもよいし、半導体チップ70よりも低い位置に設定してもよい。
【0051】
図14に示すように、ワイヤ90の一部を第2の電極82にボンディングする。詳しくは、ツール94を第2の電極82に降下させて、ツール94の先端面によって、ワイヤ90の一部を第2の電極82に加圧する。加圧する間に、超音波振動や熱等を加えることが好ましい。こうすることで、ワイヤ90を第2の電極82に確実にボンディングすることができる。その後、クランパ96を閉じてワイヤ90を保持し、ツール94及びクランパ96を上昇させて、ワイヤ90を切断する。
【0052】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ワイヤ90を半導体チップ70の側面の第1の電極51から引き出すので、ワイヤ90の頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
【0053】
(半導体装置)
図17は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。半導体装置1は、第1の電極51を有する半導体チップ70と、第2の電極82を有する基板80と、を含む。半導体チップ70及び基板80は、すでに説明した通りである。
【0054】
第1及び第2の電極51,82は、ワイヤ90によって電気的に接続されている。ワイヤ90は、半導体チップ70の側面と、基板90の面とを結線する。詳しくは、ワイヤ90の第1の端部(先端部92)が半導体チップ70の側面で第1の電極51に接合され、ワイヤ90の第2の端部93が基板80の第2の電極82に接合されている。第1の端部(先端部92)は、塊状に形成されてもよい。ワイヤ90は、第1の電極51から、基板80の面から離れる方向に延びる部分を有してもよい。すなわち、ワイヤ90は、第1の端部(先端部92)から上方に引き出され、ループの頂点を経て、第2の電極82に向けて斜め下方に引き出されてもよい。
【0055】
半導体チップ70は、基板80上で封止部(例えば樹脂封止部)110で封止されてもよい。封止部110は、電気的な接続部も封止する。また、基板80がインターポーザである場合には、基板80には外部端子112が形成される。例えば、基板80には、第2の電極82と電気的に接続する接続部84が形成され、接続部84に外部端子(例えばハンダボール)112が設けられてもよい。外部端子112は、基板80の半導体チップ70とは反対側に設けられてもよい。
【0056】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ワイヤ90が半導体チップ70の側面から引き出されているので、ワイヤ90の頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
【0057】
変形例として、図18に示すように、半導体チップ70は、リードフレーム(基板)120に搭載されてもよい。リードフレーム120は、半導体チップ70が搭載されるダイパッド122と、複数のリード(第2の電極)124とを含む。半導体チップ70は、封止部(例えば樹脂封止部)126によって、電気的な接続部とともに封止されてもよい。
【0058】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法から選択したいずれかの特定事項から導かれる構成を含み、その効果は上述の効果を備える。本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法以外の製造方法によって製造されるものを含む。
【0059】
以下の実施の形態の説明では、他の実施の形態と共通する事項(構成、作用、機能及び効果)及び他の実施の形態から想定され得る事項は省略する。なお、本発明は、複数の実施の形態を組み合わせることで達成される事項も含む。
【0060】
(第2の実施の形態)
図19は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、ワイヤボンディング工程前に、複数の半導体チップ70を積層する。複数の半導体チップ70は、接着材料128によって接着してもよい。
【0061】
複数の半導体チップ70は、電極(パッド)14の形成された面が同一方向を向くように積層してもよいし、反対方向を向くように積層してもよい。複数の半導体チップ70が同一形状をなす場合、各半導体チップ70の外形の全部が重複するように積層してもよい。こうすることで、複数の半導体チップ70の側面を面一にすることができるので、ワイヤ90をボンディングしやすくすることができる。
【0062】
本実施の形態では、ワイヤ90の先端部92を、いずれかの半導体チップ70の第1の電極51と、それに積層された他の半導体チップ70の第1の電極51と、の両方に接触させるようにボンディングする。これによれば、複数の第1の電極51を、1つのワイヤ90によって電気的に接続させることができるので、全体のワイヤ90の本数を少なくして、ワイヤボンディング工程及び半導体装置の構成の簡略化を図ることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述から導くことができるので省略する。
【0063】
(第3の実施の形態)
図20及び図21は、本発明を適用した第3の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【0064】
図20では、本実施の形態で使用される半導体チップ130が基板80に搭載されている。半導体チップ130の側面には、窪み132が形成されている。半導体チップ130の複数の側面のそれぞれに、複数の窪み132が形成されてもよい。いずれかの窪み132は、半導体チップ130のいずれかの電極(パッド)134に対応している。窪み132の断面形状は、半球状、凹状又はV字状をなしてもよい。窪み132は、半導体チップの製造工程において、溝30を形成するときに、その内面を横方向に削る(例えばエッチングする)ことで形成することができる(図3参照)。
【0065】
第1の電極136は、窪み132の内面に少なくとも一部が形成されている。詳しくは、第1の電極136は、窪み132の内面の一部に形成されてもよいし、内面の全部に形成されてもよいし、内面及びその周囲の面に形成されてもよい。
【0066】
ワイヤボンディング工程では、ワイヤ140の先端部142を、少なくとも一部が窪み132の内部に入り込むようにボンディングする。先端部142が窪み132よりも大きい場合には、先端部142の一部を窪み132の内部に入り込ませる。あるいは、先端部142が窪み132よりも小さい場合には、先端部142の全部を窪み132内に収容する。いずれの場合でも、ワイヤ140の先端部142の凸部と、窪み132の凹部とがかみ合うので、両者の接合力を高めることができる。また、先端部142の少なくとも一部が窪み132の内部に収容されるので、複数のワイヤ140の先端部142同士が接触するのを回避することができる。
【0067】
図21に示すように、複数の半導体チップ140を積層してもよい。詳しくは、複数の半導体チップ140を積層した後に、ワイヤボンディング工程を行う。ワイヤ140の先端部142の少なくとも一部は、いずれかの半導体チップ130の窪み132の内部に入り込むので、ワイヤ140の先端部(第1の端部)142同士が接触することで、上下の半導体チップ130が電気的にショートするのを回避することができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置(図21に示すスタック型半導体装置を含む)は、上述から導くことができるので省略する。
【0068】
(第4の実施の形態)
図22〜図24は、本発明を適用した第4の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、ワイヤ150のボンディング方向が上述と異なっている。
【0069】
ワイヤ150は、ツール(例えばキャピラリ)154によって支持されている。本実施の形態では、ツール154は、ワイヤ150の軸方向が基板80の面に対して平行(言い換えれば半導体チップ70の側面に対して垂直)になるように、ワイヤ150を支持する。すなわち、ワイヤ150及びツール154を、基板80の上方で寝かせた状態にする。図22に示すように、ツール154のうち基板80側の厚みは、それとは反対側の厚みよりも薄くなっていてもよい。こうすることで、ツール154を基板80の上方で寝かせても、ツール154が基板80に接触するのを防止することができる。したがって、基板80(特に配線パターン)の損傷を防止することができる。ワイヤ150はクランパ156によって保持可能になっている。
【0070】
図22に示すように、ワイヤ150の塊状に形成された先端部152を、半導体チップ70の側方から第1の電極51にボンディングする。詳しくは、ワイヤ150の先端部152から引き出される部分を、基板80の面とほぼ平行にし、ワイヤ150の先端部152の引き出される部分とは反対側(塊の最端部)を第1の電極51にボンディングする。これによって、ワイヤ150を半導体チップ70の側面にほぼ垂直にした状態でボンディングすることができるので、安定してボンディング工程を行うことができる。ツール154は、基板80の面に平行な方向(半導体チップ70の方向)に、ワイヤ150の先端部152を加圧する。
【0071】
図23に示すように、ワイヤ150を第1の電極51から基板80の面とほぼ平行の方向に引き出してもよい。これによれば、ワイヤ150を基板80の面とほぼ平行の方向に引き出すので、半導体装置の厚みを抑えることができ、極めて薄い半導体装置を製造することができる。あるいは、ワイヤ150は、基板80から離れる方向に引き出して、ループさせてもよい。その場合のループの頂点は、半導体チップ70よりも高い位置であってもよいし、低い位置であってもよい。
【0072】
図24に示すように、ワイヤ150の一部を第2の電極82にボンディングする。例えば、ツール154を第2の電極82上まで移動させて、ツール154の先端面によって、ワイヤ150の一部を第2の電極82に加圧する。加圧しやすくするために、ツール154を基板80の面から立ち上げてもよい。その後、クランパ156を閉じて、ワイヤ150を切断する。例えば、ツール154を、図24に示すように斜め上方に移動させることで、ワイヤ150を切断してもよい。
【0073】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述から導くことができ、ワイヤ150は、第1の電極51から基板80の面とほぼ平行の方向に延びる部分を有してもよい。
【0074】
(第5の実施の形態)
図25には、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板が示されている。回路基板1000には、半導体装置1が実装されている。回路基板1000には、配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、配線パターンと半導体装置1の外部端子112とが接合されている。
【0075】
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図26にはノート型パーソナルコンピュータ2000が示され、図27には携帯電話3000が示されている。
【0076】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図9】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図10】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図11】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図12】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図13】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図14】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図15】本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図16】本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図17】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図18】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図19】本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図20】本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図21】本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図22】本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図23】本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図24】本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図25】本発明の実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図26】本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図27】本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
12 集積回路、 51 第1の電極、 70 半導体チップ、 80 基板、
82 第2の電極、 90,140,150 ワイヤ、
92,142,152 先端部(第1の端部)、 93 第2の端部、
132 窪み
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】
従来のワイヤボンディング技術を適用した半導体装置では、半導体チップの集積回路が形成された面(上面)の電極から、半導体チップの厚み方向にワイヤを引き出していたので、全体の薄型化に限界があった。特に、スタック型の半導体装置では、薄型かつ高集積化が要求されるため、その改善が望まれている。
【0003】
本発明の目的は、ワイヤボンディング技術を適用し、かつ、半導体装置の薄型化を実現することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成された半導体チップの第1の電極と、前記半導体チップが搭載された基板の第2の電極と、をワイヤボンディングすることを含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤボンディング工程で、
(a)ワイヤの先端部を前記半導体チップの側方から前記第1の電極にボンディングし、
(b)前記ワイヤを前記第1の電極から前記第2の電極に引き出し、
(c)前記ワイヤの一部を前記第2の電極にボンディングする。本発明によれば、ワイヤを半導体チップの側面の第1の電極から引き出すので、ワイヤの頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
(2)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部から引き出される部分を前記基板の面から立ち上げた状態で、前記先端部の側面を前記第1の電極にボンディングしてもよい。これによれば、ワイヤを基板の面から立ち上げた状態にしているので、先端部から引き出される部分が基板に接触するのを回避することができる。
(3)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程は、前記先端部のボンディングされる側とは反対の側面を、前記半導体チップの方向に加圧することを含んでもよい。これによって、ワイヤと第1の電極との接合力を高めることができる。
(4)この半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部から引き出される部分を前記基板の面とほぼ平行にした状態で、前記先端部の前記引き出される部分とは反対側を前記第1の電極にボンディングしてもよい。これによって、ワイヤを半導体チップの側面にほぼ垂直にした状態でボンディングすることができるので、安定してボンディング工程を行うことができる。
(5)この半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記ワイヤを前記基板の面とほぼ平行の方向に引き出してもよい。これによれば、ワイヤを基板の面とほぼ平行の方向に引き出すので、極めて薄い半導体装置を製造することができる。
(6)この半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの前記側面には、窪みが形成され、
前記第1の電極は、前記窪みの内面に少なくとも一部が形成され、
前記(a)工程で、前記先端部を、少なくとも一部が前記窪みの内部に入り込むようにボンディングしてもよい。これによれば、ワイヤの先端部を少なくとも一部が窪みの内部に入り込むようにボンディングするので、ワイヤと第1の電極との接合力を高めることができる。
(7)この半導体装置の製造方法において、
これよって、ワイヤの本数を少なくして、ワイヤボンディング工程の簡略化を図ることができる。前記ワイヤボンディング工程前に、複数の前記半導体チップを積層することをさらに含み、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部を、いずれかの前記半導体チップの前記第1の電極と、それに積層された他の前記半導体チップの前記第1の電極と、の両方に接触させるようにボンディングしてもよい。
(8)この半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程で、前記ワイヤの一部を、超音波振動を加えることで前記第2の電極にボンディングしてもよい。これによって、ワイヤを第2の電極に確実にボンディングすることができる。
(9)本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成され、第1の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記第1の電極にワイヤを介して電気的に接続された第2の電極を有する基板と、
を含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤの第1の端部が前記半導体チップの前記側面で前記第1の電極に接合され、前記ワイヤの第2の端部が前記基板の前記第2の電極に接合されてなる。本発明によれば、ワイヤが半導体チップの側面の第1の電極から引き出されているので、ワイヤの頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
(10)本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成され、第1の電極を有する複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップが積層されて搭載され、いずれかの半導体チップの前記第1の電極にワイヤを介して電気的に接続された第2の電極を有する基板と、
を含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤの第1の端部が前記いずれかの半導体チップの前記側面で前記第1の電極に接合され、前記ワイヤの第2の端部が前記基板の前記第2の電極に接合されてなる。本発明によれば、ワイヤが半導体チップの側面の第1の電極から引き出されているので、ワイヤの頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
(11)この半導体装置において、
前記ワイヤの前記第1の端部は、塊状に形成されてもよい。
(12)この半導体装置において、
前記ワイヤは、前記第1の電極から、前記基板の面から離れる方向に延びる部分を有してもよい。
(13)この半導体装置において、
前記ワイヤは、前記第1の電極から前記基板の面とほぼ平行の方向に延びる部分を有してもよい。
(14)この半導体装置において、
前記半導体チップの前記側面には、窪みが形成され、
前記第1の電極は、前記窪みの内面に少なくとも一部が形成され、
前記ワイヤの前記第1の端部は、少なくとも一部が前記窪みの内部に入り込むように接合されてもよい。これによれば、ワイヤの第1の端部は少なくとも一部が窪みの内部に入り込むように接合されているので、ワイヤと第1の電極との接合力を高めることができる。
(15)本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されている。
(16)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0006】
(第1の実施の形態)
図1〜図15は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。まず、本実施の形態で使用する半導体チップの製造方法を説明する。
【0007】
(半導体チップの製造方法)
図1〜図11は、本実施の形態で使用される半導体チップ(半導体装置)の製造方法の一例を説明する図である。本実施の形態で使用される半導体チップは、その側面に電極を有する。
【0008】
半導体基板(例えばシリコン基板)10を使用する。半導体基板10は、半導体ウエハであってもよい。図1では、半導体ウエハの一部が示されている。半導体基板10の平面形状は限定されないが、例えば半導体ウエハの場合には円形であることが一般的である。
【0009】
半導体基板10には、複数の集積回路(例えばトランジスタやメモリを有する回路)12が形成されている。半導体基板10には、複数の電極(例えばパッド)14が形成されている。各電極14は、集積回路12に電気的に接続されている。各電極14は、集積回路12に重ならない領域(図1では集積回路の外側の領域)に形成されてもよい。各電極14は、アルミニウム系又は銅系の金属で形成されてもよい。電極14の表面の形状は特に限定されないが矩形であることが多い。半導体基板10が半導体ウエハである場合、複数の半導体チップとなる各領域に、2つ以上(1グループ)の電極14が形成される。図1に示す例では、電極14は、半導体チップとなる領域の4辺に沿って配列されているが、2辺に沿って配列されてもよいし、中央部に配列されてもよい。
【0010】
半導体基板10は、集積回路12が形成された側の第1の面20と、それとは反対の第2の面22と、を有する。複数の電極14は、第1の面20から外部に露出している。
【0011】
半導体基板10には、少なくとも1層の絶縁層16が形成されている。図2に示す例では、絶縁層16は、半導体基板10の第1の面20に形成されている。絶縁層16は、パッシベーション膜と呼ばれ、例えば、SiO2、SiN、ポリイミド樹脂などで形成することができる。絶縁層16は、電極14の少なくとも一部を露出する開口部18を有する。絶縁層16は、電極14の表面を覆って形成した後、その一部をエッチングして電極14の一部を露出させてもよい。図2に示すように、絶縁層16は、電極14の中央部を開口して、外周端部を覆うように形成してもよい。
【0012】
図1及び図2に示される仮想ライン24は、半導体基板10を複数の領域(半導体チップとなる領域)に区画している。仮想ライン24は、集積回路12及び電極14を避けて形成されてもよい。各領域(半導体チップ)の外形は、矩形、円形又はその他の多角形であってもよいし、限定されるものではない。
【0013】
図3に示すように、半導体基板10に第1の面20から溝30を形成する。本実施の形態では、溝30は仮想ライン24に沿って形成する。すなわち、溝30は、半導体基板10を複数の半導体チップとなる領域に区画するように形成する。図3に示す例では、溝30は、集積回路12及び電極14を避けて形成している。溝30は、半導体基板10を、ブレードなどで切削することにより機械的に形成してもよいし、エッチングなどで化学的に形成してもよいし、レーザなどで光学的に形成してもよい。
【0014】
溝30は、第1の面20から傾斜してなるテーパ(例えば溝の開口方向に広がるテーパ)が付された壁面を有してもよいし、第1の面20から垂直に落ちる壁面を有してもよい。溝30は、底面が形成されて凹状になっていてもよいし、底面が形成されずにV状になっていてもよい。
【0015】
溝30は、半導体基板10を貫通しないように形成する。溝30は、完成品としての半導体チップの厚さよりも深くなるように形成する。また、溝30は、半導体基板10の内部に形成される集積回路12の素子及び配線よりも深くなるように形成する。なお、半導体基板10の溝30の内面には、半導体部分(例えばシリコン)が露出する。
【0016】
図4に示すように、半導体基板10に絶縁層40を形成する。絶縁層40の材料としては、酸化膜(例えばSiO2)、窒化膜(例えばSiN)又は樹脂(例えばポリイミド樹脂)などが挙げられる。
【0017】
絶縁層40は、少なくとも溝30の内面に形成する。図4に示す例では、絶縁層40は、溝30の内壁面及び底面に形成しているが、溝30の内壁面のみに形成しても構わない。ただし、絶縁層40は、溝30を埋め込まないように形成する。すなわち、絶縁層40によって溝(又は凹部)を形成する。図4に示す例では、溝30の内面(図4では内壁面及び底面)の全部は、絶縁層40で覆われている。
【0018】
絶縁層40を溝30の内面から第1の面20にかけて連続的に形成してもよい。例えば、半導体基板10の第1の面20及び溝30の内面を覆って絶縁層40を形成し、必要な部分をエッチングして絶縁層40から露出させてもよい。図4に示す例では、絶縁層40の電極14を覆う一部をエッチングして、電極14を露出する開口部42を形成する。
【0019】
溝30の内面(詳しくは内壁面)と第1の面20との間の角部は、半導体チップの角部に相当するので、絶縁層40によって半導体チップの角部を覆うことができる(図11参照)。したがって、半導体チップの角部を絶縁層で保護することができるので、チッピングの発生及び拡大を低減し、また、第1の面20に形成された集積回路12の素子及び配線の剥離を防止することができる。
【0020】
なお、第1の面20に絶縁層16が形成されている場合、絶縁層40の一部(第1の面上の部分)を絶縁層16上に形成する。
【0021】
図5に示すように、半導体基板10に導電層50を形成する。導電層50は、銅(Cu)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、チタンタングステン(Ti−W)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成してもよい。導電層50の形成工程としては、フォトリソグラフィを適用した後にエッチングすることで形成してもよいし、スパッタリングなど形成してもよいし、無電解メッキによるアディティブ法を適用することで形成してもよい。あるいは、インクジェット方式を使用して導電層50を形成してもよい。これによれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつ導電層50の材料を無駄なく経済的に設けることが可能である。
【0022】
導電層50は、溝30の内面(詳しくは内壁面)で絶縁層40上に形成する。図5に示す例では、導電層50は、溝30の内壁面及び底面に形成しているが、溝30の内壁面のみに形成しても構わない。ただし、導電層50は、溝30を埋め込まないように形成する。すなわち、絶縁層50によって溝(又は凹部)を形成する。溝30の内面と導電層50との間には、絶縁層40が介在するので、両者の電気的な接続が遮断される。
【0023】
導電層50は、溝30の内面に深さ方向に沿って延びるように形成してもよい。あるいは、導電層50は、ランド状(円形又は矩形など)に形成してもよい。溝30の内面のうち導電層50から露出する部分は、絶縁層40が露出する。
【0024】
図6は、図5のVI−VI線断面図である。図6に示す例では、導電層50は、溝30の内側の方向に、絶縁層40の表面から突起するように形成されている。
【0025】
変形例として、図7に示すように、導電層54は、溝32の内面において、絶縁層44の表面と面一になるように形成されてもよい。その場合、導電層54は絶縁層44の内部に入り込む。他の変形例として、図8に示すように、導電層56は、溝34の内面において、絶縁層46の表面よりも窪むように形成されていてもよい。その場合も、導電層56は、絶縁層46の内部に入り込む。ただし、導電層56は、絶縁層46で覆わずに露出させる。
【0026】
これらの変形例によれば、導電層54,56と絶縁層44,46との密着力が大きくなるので、導電層54,56を絶縁層44,46から剥離しにくくすることができる。なお、必要に応じて、導電層の形成工程後に、再度、絶縁層の形成工程を行って、絶縁層における導電層の周囲の部分を厚く形成してもよい。
【0027】
図5に示すように、導電層50を溝30の内面から第1の面20にかけて連続的に形成してもよい。すなわち、導電層50は、溝30の内面から第1の面20の方向に延びるように配線として形成してもよい。
【0028】
図5に示すように、導電層50を電極14に電気的に接続させてもよい。導電層50は、第1の面20に延びてなり、複数の絶縁層16,40の開口部18,42内で電極14と電気的に接続する接続部52を有する。接続部52は、電極14を覆うように形成してもよい。
【0029】
変形例として、導電層50を電極14に電気的に接続しなくてもよい。すなわち、導電層50は、ダミー配線(集積回路と導通しない配線)として形成してもよい。
【0030】
これによれば、半導体チップの側面に導電層50を形成することができる。例えば、導電層50を電極14に電気的に接続させれば、半導体チップの側面に、集積回路12と電気的に接続した外部端子(第1の電極)を容易に形成することができる。したがって、半導体チップ上の配線構造の自由度を向上させることができる。
【0031】
次に、半導体基板10の研磨工程を行い、複数の半導体チップ70に分割する。本実施の形態では、半導体基板10を、シート60によって保持した状態で研磨する。シート60は半導体基板10の保持部材である。
【0032】
図9に示すように、半導体基板10に、第1の面20からシート60を貼り付ける。シート60は、半導体基板10を第1の面20から保持する。シート60は、粘着材であってもよく、例えば、紫外線硬化型樹脂からなるUVテープであってもよい。UVテープによれば、紫外線の照射の有無によって、シート60の粘着力をコントロールできるので、半導体基板10の保持及び半導体チップ70の剥離に適している。
【0033】
図9に示す例では、シート60と半導体基板10との間に、樹脂などの充填材62が設けられ、シート60は充填材62を介して半導体基板10を保持している。充填材62は、少なくとも半導体基板10の溝30に充填され、図9に示すように、第1の面20にも設けられてもよい。充填材62は、シート60を貼り付ける前に、半導体基板10に第1の面20から塗布してもよく、あるいは、あらかじめシート60に設けておき、シート60を貼り付けることで溝30に設けてもよい。
【0034】
変形例として、充填材62なしで、半導体基板10にシート60を貼り付けてもよい。あるいは、シート60の一部が充填材62であってもよい。
【0035】
こうして、図10に示すように、半導体基板10を、第2の面22から研磨する。すなわち、半導体基板10の裏面をポリシングする。例えば、シート60が貼り付けられた半導体基板10をステージ(図示しない)に固定し、研磨用治具(図示しない)に備えられた砥石によって、半導体基板10を第2の面22から機械的に研磨する。本工程では、半導体基板10を溝30が露出する厚さまで研磨する。これによって、半導体基板10を複数の半導体チップ70に分割するとともに、各半導体チップ70を薄くすることができる。
【0036】
これによれば、半導体基板10に第1の面20からシート60を貼り付けているので、ばらばらに分割された複数の半導体チップ70を一括して保持することができる。したがって、分割後の複数の半導体チップ70の取り扱いを容易にすることができる。
【0037】
また、研磨工程のときに、溝30に充填材62が設けられているため、研磨工程で生じる粉状の異物が溝30に入り込むのを防ぐことができる。したがって、半導体チップ70の損傷及び異物の付着を防止して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0038】
図11に示すように、必要に応じて、複数の半導体チップ70の研磨面に絶縁層72を形成してもよい。複数の半導体チップ70がシート60に保持されていれば、複数の半導体チップ70の研磨面を一括して絶縁処理することができる。また、図11に示すように、複数の半導体チップ70の間に充填材62が設けられていれば、例えば、複数の半導体チップ70の研磨面を含む全面に絶縁層72を形成した後、絶縁層72における充填材62の部分をエッチングして除去すればよい。絶縁層72は、絶縁層40と同一の材料で形成されてもよい。絶縁層72を形成することで、半導体チップ70の研磨面における外部との電気的な導通を遮断することができる。また、半導体チップ70の半導体部分(例えばシリコン)の全面を、絶縁層16,40,72によって覆うことができるので、半導体チップ70の端子(例えば導電層50)以外の部分での、外部との電気的な導通を遮断することができる。
【0039】
その後、半導体チップ70をシート60から剥離する。半導体チップ70とシート60との間に充填材62が設けられている場合には、半導体チップ70を充填材62から剥離する。例えば、それぞれの半導体チップ70を、シート60を介して、ツール(図示しない)によってピックアップする。こうして、個片の半導体チップ70を取り出すことができる。
【0040】
以上の工程によれば、絶縁層40を半導体基板10の溝30の内面に形成する。半導体基板10の溝30の内面は、複数の半導体チップ70の側面に相当する。したがって、半導体基板10の状態で、複数の半導体チップ70の側面を一括して絶縁処理することができる。また、半導体基板10を研磨する前に絶縁層40を形成するので、半導体基板10の割れ及び損傷を回避しつつ、極めて薄い半導体装置を製造することが可能である。
【0041】
(ワイヤボンディング方法)
図12〜図14は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であり、図15及び図16はその変形例を説明する図である。まず、半導体チップ70と、基板80と、を用意する。
【0042】
半導体チップ70の立体形状は、直方体であってもよい。半導体チップ70は、側面に第1の電極51を有する。例えば、半導体チップ70の最も面積の大きいいずれか一方の面に集積回路12及びそれに電気的に接続する電極(例えばパッド)14が形成され、電極14から接続部52を介して導電層50が半導体チップ70の側面に至ることで、半導体チップ70の側面に第1の電極51が形成されてもよい。その場合、第1の電極51は、上述の導電層50の一部であってもよい。1つの半導体チップ70に複数の第1の電極51が形成されてもよい。第1の電極51は、ランド状(円形又は矩形など)に形成してもよい。半導体チップ70のその他の構成及び製造方法は、すでに説明した通りである。
【0043】
基板80は、板状の基材である。基板80は、半導体パッケージ用のインターポーザであってもよいし、他の電子部品とともに実装される回路基板(マザーボード)であってもよい。基板80は、有機系又は無機系のいずれの材料で形成してもよい。基板80の外形は、半導体チップ70の外形よりも大きくてもよい。基板80には、第2の電極82が形成されている。例えば、基板80に複数の配線からなる配線パターンが形成され、各配線の接続部(例えばランド)が第2の電極82であってもよい。基板80は、基材のみからなるベース基板を指してもよいし、配線パターンを有する配線基板を指してもよい。
【0044】
基板80には、半導体チップ70が搭載されている。例えば、半導体チップ70の電極(例えばパッド)14の形成された面とは反対の面を、基板80に向けて搭載してもよい。あるいは、半導体チップ70の電極(例えばパッド)14の形成された面を、基板80に向けて搭載してもよい。半導体チップ70の側面は、基板80の面から立ち上がっている。すなわち、半導体チップ70の第1の電極51は、基板80の面から立ち上げ形成されている。基板80の第2の電極82は、半導体チップ70の外側に配置されている。
【0045】
第1及び第2の電極51,82をワイヤボンディングする。ワイヤ90は、例えば金線であり、ツール(例えばキャピラリ)94によって支持されている。本実施の形態では、ツール94は、ワイヤ90の軸方向が基板80の面に対して垂直(言い換えれば半導体チップ70の側面に対して平行)になるように、ワイヤ90を支持する。ツール94は、内部に穴95を有し、穴95の内側にワイヤ90が挿通されている。図12に示すように、ツール94の先端部の径は小さくなっていてもよい。こうすることで、ツール94が半導体チップ70と接触するのを防止することができる。ワイヤ90は、ツール94の上方に配置されるクランパ96によって保持可能になっている。
【0046】
まず、ワイヤ90の先端部92を塊状(例えばボール状)に形成する。例えば、先端部92をツール94の外部に露出させて、熱エネルギーによって溶融させて塊状に形成してもよい。
【0047】
そして、図12に示すように、ワイヤ90の先端部92を、半導体チップ70の側方から第1の電極51にボンディングする。詳しくは、ワイヤ90の先端部92から引き出される部分(ツール94の穴95に延びる部分)を、基板80の面から立ち上げた状態(例えばほぼ垂直な状態)にし、先端部92の側面を第1の電極51にボンディングする。これによれば、ワイヤ90は、基板80の面から立ち上がる向きに支持されているので、先端部92から引き出される部分が基板80に接触するのを回避することができる。ワイヤ90の先端部92は、ツール94を基板80の面に平行な方向(半導体チップ70の方向)に移動させることで、第1の電極51に加圧される。先端部92を第1の電極51に加圧する間に、超音波振動や熱等を加えることが好ましい。ワイヤ90の先端部92は、基板80から非接触にしてもよいし、基板80に接触しても構わない。
【0048】
変形例として、図15に示すように、ワイヤ90の先端部92を加圧部100によって加圧してもよい。詳しくは、加圧部100によって、ワイヤ90の先端部92のボンディングされる側とは反対の側面を、半導体チップ90の方向に加圧する。これによって、ワイヤ90と第1の電極51との接合力を高めることができる。加圧部100は、板材であってもよく、平面でワイヤ90の先端部92を加圧してもよい。図15に示す例では、加圧部100は、ツール94の一部になっている。こうすることで、製造装置の部品点数が少なくすることができる。
【0049】
他の変形例として、図16に示すように、ワイヤ90の先端部92を加圧部品102によって加圧してもよい。加圧部品102は、ボンディングツールであってもよい。例えば、半導体チップ70の側面にほぼ垂直な方向から、ワイヤ90の先端部92の側面を加圧する。加圧部品102は、ツール94とは別体であってもよい。
【0050】
図13に示すように、ワイヤ90を第1の電極51から第2の電極82に引き出す。詳しくは、ツール94及びクランパ96を、第1の電極51から第2の電極82に導く。ワイヤ90を半導体チップ70から離れる方向に引き出してもよい。ワイヤ90は、ループさせてもよい。ワイヤ90のループの頂点は、図13に示すように半導体チップ70よりも高い位置に設定してもよいし、半導体チップ70よりも低い位置に設定してもよい。
【0051】
図14に示すように、ワイヤ90の一部を第2の電極82にボンディングする。詳しくは、ツール94を第2の電極82に降下させて、ツール94の先端面によって、ワイヤ90の一部を第2の電極82に加圧する。加圧する間に、超音波振動や熱等を加えることが好ましい。こうすることで、ワイヤ90を第2の電極82に確実にボンディングすることができる。その後、クランパ96を閉じてワイヤ90を保持し、ツール94及びクランパ96を上昇させて、ワイヤ90を切断する。
【0052】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ワイヤ90を半導体チップ70の側面の第1の電極51から引き出すので、ワイヤ90の頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
【0053】
(半導体装置)
図17は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。半導体装置1は、第1の電極51を有する半導体チップ70と、第2の電極82を有する基板80と、を含む。半導体チップ70及び基板80は、すでに説明した通りである。
【0054】
第1及び第2の電極51,82は、ワイヤ90によって電気的に接続されている。ワイヤ90は、半導体チップ70の側面と、基板90の面とを結線する。詳しくは、ワイヤ90の第1の端部(先端部92)が半導体チップ70の側面で第1の電極51に接合され、ワイヤ90の第2の端部93が基板80の第2の電極82に接合されている。第1の端部(先端部92)は、塊状に形成されてもよい。ワイヤ90は、第1の電極51から、基板80の面から離れる方向に延びる部分を有してもよい。すなわち、ワイヤ90は、第1の端部(先端部92)から上方に引き出され、ループの頂点を経て、第2の電極82に向けて斜め下方に引き出されてもよい。
【0055】
半導体チップ70は、基板80上で封止部(例えば樹脂封止部)110で封止されてもよい。封止部110は、電気的な接続部も封止する。また、基板80がインターポーザである場合には、基板80には外部端子112が形成される。例えば、基板80には、第2の電極82と電気的に接続する接続部84が形成され、接続部84に外部端子(例えばハンダボール)112が設けられてもよい。外部端子112は、基板80の半導体チップ70とは反対側に設けられてもよい。
【0056】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、ワイヤ90が半導体チップ70の側面から引き出されているので、ワイヤ90の頂点の高さを低くすることができる。したがって、半導体装置の薄型化を実現することができる。
【0057】
変形例として、図18に示すように、半導体チップ70は、リードフレーム(基板)120に搭載されてもよい。リードフレーム120は、半導体チップ70が搭載されるダイパッド122と、複数のリード(第2の電極)124とを含む。半導体チップ70は、封止部(例えば樹脂封止部)126によって、電気的な接続部とともに封止されてもよい。
【0058】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法から選択したいずれかの特定事項から導かれる構成を含み、その効果は上述の効果を備える。本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法以外の製造方法によって製造されるものを含む。
【0059】
以下の実施の形態の説明では、他の実施の形態と共通する事項(構成、作用、機能及び効果)及び他の実施の形態から想定され得る事項は省略する。なお、本発明は、複数の実施の形態を組み合わせることで達成される事項も含む。
【0060】
(第2の実施の形態)
図19は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、ワイヤボンディング工程前に、複数の半導体チップ70を積層する。複数の半導体チップ70は、接着材料128によって接着してもよい。
【0061】
複数の半導体チップ70は、電極(パッド)14の形成された面が同一方向を向くように積層してもよいし、反対方向を向くように積層してもよい。複数の半導体チップ70が同一形状をなす場合、各半導体チップ70の外形の全部が重複するように積層してもよい。こうすることで、複数の半導体チップ70の側面を面一にすることができるので、ワイヤ90をボンディングしやすくすることができる。
【0062】
本実施の形態では、ワイヤ90の先端部92を、いずれかの半導体チップ70の第1の電極51と、それに積層された他の半導体チップ70の第1の電極51と、の両方に接触させるようにボンディングする。これによれば、複数の第1の電極51を、1つのワイヤ90によって電気的に接続させることができるので、全体のワイヤ90の本数を少なくして、ワイヤボンディング工程及び半導体装置の構成の簡略化を図ることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述から導くことができるので省略する。
【0063】
(第3の実施の形態)
図20及び図21は、本発明を適用した第3の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【0064】
図20では、本実施の形態で使用される半導体チップ130が基板80に搭載されている。半導体チップ130の側面には、窪み132が形成されている。半導体チップ130の複数の側面のそれぞれに、複数の窪み132が形成されてもよい。いずれかの窪み132は、半導体チップ130のいずれかの電極(パッド)134に対応している。窪み132の断面形状は、半球状、凹状又はV字状をなしてもよい。窪み132は、半導体チップの製造工程において、溝30を形成するときに、その内面を横方向に削る(例えばエッチングする)ことで形成することができる(図3参照)。
【0065】
第1の電極136は、窪み132の内面に少なくとも一部が形成されている。詳しくは、第1の電極136は、窪み132の内面の一部に形成されてもよいし、内面の全部に形成されてもよいし、内面及びその周囲の面に形成されてもよい。
【0066】
ワイヤボンディング工程では、ワイヤ140の先端部142を、少なくとも一部が窪み132の内部に入り込むようにボンディングする。先端部142が窪み132よりも大きい場合には、先端部142の一部を窪み132の内部に入り込ませる。あるいは、先端部142が窪み132よりも小さい場合には、先端部142の全部を窪み132内に収容する。いずれの場合でも、ワイヤ140の先端部142の凸部と、窪み132の凹部とがかみ合うので、両者の接合力を高めることができる。また、先端部142の少なくとも一部が窪み132の内部に収容されるので、複数のワイヤ140の先端部142同士が接触するのを回避することができる。
【0067】
図21に示すように、複数の半導体チップ140を積層してもよい。詳しくは、複数の半導体チップ140を積層した後に、ワイヤボンディング工程を行う。ワイヤ140の先端部142の少なくとも一部は、いずれかの半導体チップ130の窪み132の内部に入り込むので、ワイヤ140の先端部(第1の端部)142同士が接触することで、上下の半導体チップ130が電気的にショートするのを回避することができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置(図21に示すスタック型半導体装置を含む)は、上述から導くことができるので省略する。
【0068】
(第4の実施の形態)
図22〜図24は、本発明を適用した第4の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、ワイヤ150のボンディング方向が上述と異なっている。
【0069】
ワイヤ150は、ツール(例えばキャピラリ)154によって支持されている。本実施の形態では、ツール154は、ワイヤ150の軸方向が基板80の面に対して平行(言い換えれば半導体チップ70の側面に対して垂直)になるように、ワイヤ150を支持する。すなわち、ワイヤ150及びツール154を、基板80の上方で寝かせた状態にする。図22に示すように、ツール154のうち基板80側の厚みは、それとは反対側の厚みよりも薄くなっていてもよい。こうすることで、ツール154を基板80の上方で寝かせても、ツール154が基板80に接触するのを防止することができる。したがって、基板80(特に配線パターン)の損傷を防止することができる。ワイヤ150はクランパ156によって保持可能になっている。
【0070】
図22に示すように、ワイヤ150の塊状に形成された先端部152を、半導体チップ70の側方から第1の電極51にボンディングする。詳しくは、ワイヤ150の先端部152から引き出される部分を、基板80の面とほぼ平行にし、ワイヤ150の先端部152の引き出される部分とは反対側(塊の最端部)を第1の電極51にボンディングする。これによって、ワイヤ150を半導体チップ70の側面にほぼ垂直にした状態でボンディングすることができるので、安定してボンディング工程を行うことができる。ツール154は、基板80の面に平行な方向(半導体チップ70の方向)に、ワイヤ150の先端部152を加圧する。
【0071】
図23に示すように、ワイヤ150を第1の電極51から基板80の面とほぼ平行の方向に引き出してもよい。これによれば、ワイヤ150を基板80の面とほぼ平行の方向に引き出すので、半導体装置の厚みを抑えることができ、極めて薄い半導体装置を製造することができる。あるいは、ワイヤ150は、基板80から離れる方向に引き出して、ループさせてもよい。その場合のループの頂点は、半導体チップ70よりも高い位置であってもよいし、低い位置であってもよい。
【0072】
図24に示すように、ワイヤ150の一部を第2の電極82にボンディングする。例えば、ツール154を第2の電極82上まで移動させて、ツール154の先端面によって、ワイヤ150の一部を第2の電極82に加圧する。加圧しやすくするために、ツール154を基板80の面から立ち上げてもよい。その後、クランパ156を閉じて、ワイヤ150を切断する。例えば、ツール154を、図24に示すように斜め上方に移動させることで、ワイヤ150を切断してもよい。
【0073】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述から導くことができ、ワイヤ150は、第1の電極51から基板80の面とほぼ平行の方向に延びる部分を有してもよい。
【0074】
(第5の実施の形態)
図25には、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板が示されている。回路基板1000には、半導体装置1が実装されている。回路基板1000には、配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、配線パターンと半導体装置1の外部端子112とが接合されている。
【0075】
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図26にはノート型パーソナルコンピュータ2000が示され、図27には携帯電話3000が示されている。
【0076】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図8】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図9】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図10】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図11】本発明の第1の実施の形態で使用される半導体チップの製造方法を示す図である。
【図12】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図13】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図14】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図15】本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図16】本発明の第1の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図17】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図18】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図19】本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図20】本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図21】本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。
【図22】本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図23】本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図24】本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図25】本発明の実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図26】本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図27】本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
12 集積回路、 51 第1の電極、 70 半導体チップ、 80 基板、
82 第2の電極、 90,140,150 ワイヤ、
92,142,152 先端部(第1の端部)、 93 第2の端部、
132 窪み
Claims (16)
- 集積回路が形成された半導体チップの第1の電極と、前記半導体チップが搭載された基板の第2の電極と、をワイヤボンディングすることを含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤボンディング工程で、
(a)ワイヤの先端部を前記半導体チップの側方から前記第1の電極にボンディングし、
(b)前記ワイヤを前記第1の電極から前記第2の電極に引き出し、
(c)前記ワイヤの一部を前記第2の電極にボンディングする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部から引き出される部分を前記基板の面から立ち上げた状態で、前記先端部の側面を前記第1の電極にボンディングする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程は、前記先端部のボンディングされる側とは反対の側面を、前記半導体チップの方向に加圧することを含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部から引き出される部分を前記基板の面とほぼ平行にした状態で、前記先端部の前記引き出される部分とは反対側を前記第1の電極にボンディングする半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程で、前記ワイヤを前記基板の面とほぼ平行の方向に引き出す半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの前記側面には、窪みが形成され、
前記第1の電極は、前記窪みの内面に少なくとも一部が形成され、
前記(a)工程で、前記先端部を、少なくとも一部が前記窪みの内部に入り込むようにボンディングする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ワイヤボンディング工程前に、複数の前記半導体チップを積層することをさらに含み、
前記(a)工程で、前記ワイヤの前記先端部を、いずれかの前記半導体チップの前記第1の電極と、それに積層された他の前記半導体チップの前記第1の電極と、の両方に接触させるようにボンディングする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程で、前記ワイヤの一部を、超音波振動を加えることで前記第2の電極にボンディングする半導体装置の製造方法。 - 集積回路が形成され、第1の電極を有する半導体チップと、前記半導体チップが搭載され、前記第1の電極にワイヤを介して電気的に接続された第2の電極を有する基板と、
を含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤの第1の端部が前記半導体チップの前記側面で前記第1の電極に接合され、前記ワイヤの第2の端部が前記基板の前記第2の電極に接合されてなる半導体装置。 - 集積回路が形成され、第1の電極を有する複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップが積層されて搭載され、いずれかの半導体チップの前記第1の電極にワイヤを介して電気的に接続された第2の電極を有する基板と、
を含み、
前記第1の電極は、前記半導体チップの前記基板から立ち上がる側面に形成され、
前記ワイヤの第1の端部が前記いずれかの半導体チップの前記側面で前記第1の電極に接合され、前記ワイヤの第2の端部が前記基板の前記第2の電極に接合されてなる半導体装置。 - 請求項9又は請求項10に記載の半導体装置において、
前記ワイヤの前記第1の端部は、塊状に形成されてなる半導体装置。 - 請求項9から請求項11のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ワイヤは、前記第1の電極から、前記基板の面から離れる方向に延びる部分を有する半導体装置。 - 請求項9から請求項11のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ワイヤは、前記第1の電極から前記基板の面とほぼ平行の方向に延びる部分を有する半導体装置。 - 請求項9から請求項13のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記側面には、窪みが形成され、
前記第1の電極は、前記窪みの内面に少なくとも一部が形成され、
前記ワイヤの前記第1の端部は、少なくとも一部が前記窪みの内部に入り込むように接合されてなる半導体装置。 - 請求項9から請求項14のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
- 請求項9から請求項14のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
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WO2017011049A3 (en) * | 2015-04-28 | 2017-02-16 | Invensas Corporation | Coupling of side surface contacts to a circuit platform |
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-
2002
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