JP2004207262A - 薄膜多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents

薄膜多層回路基板及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004207262A
JP2004207262A JP2002370883A JP2002370883A JP2004207262A JP 2004207262 A JP2004207262 A JP 2004207262A JP 2002370883 A JP2002370883 A JP 2002370883A JP 2002370883 A JP2002370883 A JP 2002370883A JP 2004207262 A JP2004207262 A JP 2004207262A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin film
circuit board
multilayer circuit
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002370883A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinya Iijima
真也 飯島
Yoshikatsu Ishizuki
義克 石月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2002370883A priority Critical patent/JP2004207262A/ja
Publication of JP2004207262A publication Critical patent/JP2004207262A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15172Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】導体層と絶縁層とが積層され、一表面にバンプ電極が設けられてなる薄膜多層回路基板の製造工程において、バンプ電極の実装後の超音波洗浄などで、バンプ電極と薄膜多層回路基板との接続の信頼性が低下するという問題を解決するバンプ電極構造とその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、薄膜多層回路基板(25と26)の一表面に形成された銅電極層(6)とポリイミド樹脂層(8)との界面及び銅電極層(6)と銅電極層に接続する上部配線層(10)の界面とにクロム密着層(7)が形成され、銅電極層の表面に、はんだバンプ(11)或いは金スタッドバンプ(13)が形成される。
【選択図】図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、特に、半導体チップを搭載する薄膜多層回路基板の構造とその製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】
従来の多層フィルム基板は、予め配線を形成したシート状の樹脂フィルムに熱過疎性樹脂等を介して積層して作製するものが大半であるが、このような方法で作製した多層フィルム基板は、配線の微細化が難しく、せいぜい100μmピッチの配線を形成するのが限界である。しかし、最近では、携帯電話などの高周波機器に内蔵する部品として、20μm以下のピッチの配線が形成された多層フィルム基板への要求が高まっている。そのような微細配線を有する多層フィルム基板を得るためには、スピンコート法やビルドアップ法によって支持基板上に多層配線を形成し、その後、支持基板をエッチングするか、或いは、機械的に引き剥がすことにより、除去してフィルム基板を取り出す方法が用いられるようになってきた。図10のLは、支持基板を除去したフィルム基板の表面に形成された電極の断面構造を示すが、電極層26の樹脂膜8に埋め込まれた電極6の下面に、はんだバンプ11が実装され、上面は多層配線層25の上部配線層10に接続されている。ところが、フィルムを基板から引き剥がしたり、エッチングして除去することによって、樹脂膜8との間にクラック27が発生し、また、上部配線層10と電極6との密着が悪くなり、はんだバンプ11を実装した後のフラックス洗浄(超音波洗浄)時や、Au(金)スタッドバンプの(超音波)接合時に、図10のMに示すように、バンプごと電極が脱落するといった問題が起きている。導体層と絶縁層との密着力低下を防止する方法は提案されているが、上記の問題に対する完全な解決にはなっていない(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平8−23166号広報(A)(第5頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、薄膜を積層した後に、支持基板を除去する方法で作製した薄膜多層回路基板において、バンプ電極のはんだバンプ実装後のフラックス洗浄(超音波洗浄)時、或いは、金(Au)スタッドバンプの超音波接合時における、電極脱落の問題を解決する電極構造とその形成方法を提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、第一導電層である電極と第一絶縁層である樹脂層間及び電極と上部配線層間に密着力を良くするための密着層を設けたバンプ電極構造とする。密着力を良くするための代表的な密着層としてクロム(Cr)薄膜を用いる。図8のJは、はんだバンプ11を、図8のKはAuスタッドバンプ13を各々実装した電極構造を示すが、共に、電極層26の樹脂層8に埋込まれた電極6と樹脂層8の間、及び、多層配線層25の配線層10との間に、電極6を包むように密着力を良くするための金属層7を介在させる。
【0006】
図1のような埋込みのバンプ電極を形成する方法としては、ガラス基板やシリコンウェーハ等の支持基板上に、これらの基板と密着の悪い金属層(Cu)を介し、バンプ電極層、Cr密着層、絶縁層、多層配線層を積層後、最後に基板から最下層のCu膜ごと引き剥がしによって、多層配線層25と電極層26とからなる薄膜多層回路部を引き剥がし、最下層のCu膜(Cu剥離層)をエッチングすることでバンプ電極を露出させる方法と、エッチャントでエッチングできる支持基板(Cu基板)上に電極層26と多層配線層25とを形成し、最後にCu基板をエッチング除去して下層の電極を露出させる方法とがある。その際にCu剥離層あるいはCu基板の上にエッチングストッパ層として、Cr層を設け、Cu剥離層あるいはCu基板エッチング時にCu、Ni電極のオーバーエッチングを防ぐ必要がある。これらの方法によって、樹脂層との密着性に優れた多層フィルム基板のバンプ電極を得ることができる。
【0007】
バンプ電極とそれを取り巻く樹脂層及びバンプ電極と上部配線層の界面に密着層を介在させることにより、はんだバンプ実装後のフラックス洗浄(超音波洗浄)時やAuスタッドバンプの(超音波)接合時における電極脱落を防ぐことができる。特に、Cr層はCuの電極と樹脂層との両方に対し優れた密着性を有するのみならず、Cuの電極とCuの上部配線層の界面で、俗にAnchor効果と呼ばれているように、双方の機械的・電気的接続をより強固にする働きが認められる。前述のような方法でバンプ電極を形成することにより、Cr層のCuと樹脂層との両方に対する優れた特性を効率的に取出すことができた。尚、銅(Cu)をニッケル(Ni)又、クロム(Cr)をコバルト(Co)で置換しても同様の効果が期待できる。
【0008】
【発明の実施の形態】
実施例1
図9は、本発明による電極構造の樹脂薄膜パッケージの断面図である。半導体チップ20が多層配線層25の上部樹脂層9の上面に接着剤22で固定され、上部配線層10に接続され、その上をモールド21が被覆している。多層配線層25の上部樹脂層9の下面には電極層26が一体化し、全体で薄膜多層回路部を形成する。電極層26には、密着層付きの電極24が埋め込まれ、その各々に、はんだバンプまたはAuスタットバンプが実装されている。
【0009】
図2のAから図5のKまでは、本発明の実施例1による半導体装置の製造工程断面図であり、支持基板を引き剥がしによって薄膜多層回路部を引き剥がし、バンプ電極を露出させる方法を示す。
剥離する支持基板としての厚さ2mm のガラス基板1上に、Cu剥離層2を0.5μm、Crストッパ層3を0.08μm、Cuシード層4を0.5μmの各厚さで順次スパッタリングで積層被着し、ポジレジスト5を15μm 塗布し、露光、現像により、80μm径 の電極パターンの開口を形成し、開口内に選択的に、Cuめっきを12μmの厚さに成長させて、電極6を形成した(図2A)。続いて、レジスト5を剥離し(図2B)、Cuシード層4を、電極6をマスクにエッチングし、Crストッパ層3上のCuシード層を除去した(図2C)。その後、Cr密着層7を0.08μm全面にスパッタリングで被着し(図3D)、Cr密着層7の膜厚は、0.06μm以上必要であるが0.1μmより薄い方がよい。薄過ぎると密着層としての信頼性が低下し、厚過ぎると作業性が低下するからである。Cr密着層7上から非感光性ポリイミドを約10μm塗布、キュアし、Cu電極上部を覆った後、化学機械研磨法(CMP)で電極の頭出し(Cr層上部が露出した時点で研磨を停止する)を行い平坦化した樹脂層8を得た(図3E)、その上に電極層形成と同様のプロセスで、ポリイミドからなる上部樹脂層9と上部配線層10とからなる配線層とを繰返し積層し、ライン/スペースが10μm/10μmの配線パターンで4層の多層配線層を形成した。図3Fにはその1層目までを示す。次に、パターンと関係ない部分にカッターで切れ目を入れ、そこを起点にガラス基板1からCu剥離層2より上の部分を引き剥がし(図4G)、ガラス基板と薄膜多層フィルム部を分離した(図4H)。次に、フィルム部のCu剥離層2をエッチングで除去し(図4I)、順次Crストッパ層をエッチングして電極6と一体化したCuシード層4を露出させた(図5J)。このCuシード層4上に、はんだフラックスを塗布後、90μm 径のはんだボールを搭載 、リフローし、超音波フラックス洗浄を行い、はんだバンプ11を形成した(図5K)。この際、フラックス洗浄後に電極の脱落等はなく、約2000個すべてのパターンにバンプが形成されていることを確認した。また、形成したはんだバンプによるCu電極の食われ等も観察されず、良好なはんだバンプを形成することができた。抵抗上昇は10%以下と良好であった。
【0010】
実施例2
図6のAから図8のIまでは、本発明の実施例2による半導体装置の製造工程断面図であり、Cu基板上にバンプ電極、薄膜多層回路を形成し、最後にCu基板をエッチング除去してバンプ電極を露出させる方法を示す。
鏡面研磨した厚さ2mmのCu基板12上に、Crストッパ層3を0.2μm、Cu シード層4を0.5μmの厚さにでスパッタリングで積層被着し、実施例1と同様の方法で、ポジレジスト5を15μmの厚さに塗布し、露光、現像の後、80μm径 の電極パターンの開口を形成し、開口内に選択的にCuめっきを12μmの厚さに成長させて、電極6を形成した(図6A)。続いて、レジスト5を剥離し(図6B)、Cuシード層4を、電極6をマスクにエッチングし、Crストッパ層3上のCuシード層を除去した(図6C)。その後、Cr密着層7を全面にスパッタリングで被着し(図7D)、その上から非感光性ポリイミドを約10μm塗布、キュアし、Cu電極上部を覆った後、化学機械研磨法(CMP)で電極の頭出し(Cr層上部が露出した時点で研磨を停止する)を行い平坦化した樹脂層8を得た(図7E)、その上に電極層形成と同様のプロセスで、ポリイミドからなる上部樹脂層9と上部配線層10とからなる配線層を繰返し積層し、ライン/スペースが10μm/10μmの配線パターンで4層の多層配線層を形成した。図7Fにはその1層目までを示す(図7F)。その後、塩化銅溶液を用いてCu基板12をエッチング除去し、薄膜多層フィルム部を分離した(図8G)。この時、注意する点として、塩化銅はエッチング力がかなり強いため、Crストッパ層3の厚さが薄すぎるとストッパ層3を超えてCu電極6までエッチングが進んでしまうため、Crストッパ層3の厚みは、0.1μm以上であればよいが、0.2μm以上が安全である。次に、薄膜多層フィルム部のCrストッパ層3をエッチングして、電極6と一体化したCuシード層4を露出させ(図8H)、実施例1と同様に、このCuシード層4上に、はんだフラックスを塗布後、90μm 径のはんだボールを搭載、リフローし、超音波フラックス洗浄を行い、はんだバンプ11を形成した(図8I)。この際、フラックス洗浄後に電極の脱落等はなく、約2000個すべてのパターンにバンプが形成されていることを確認した。また、形成したはんだバンプによるCu電極の食われ等も観察されず、良好なはんだバンプを形成することができた。
【0011】
(付記1)導体層と絶縁層が積層され、その第一表面に、バンプを形成する第一導体層と該第一導体層の周囲に配置される第一絶縁層とが形成された薄膜多層回路基板において、該第一導体層と該第一導体層との界面、及び、該第一導体層と該第一導体層と電気的に接続される第二導体層との界面とに密着層が形成されたことを特徴とする薄膜多層回路基板。
【0012】
(付記2)前記密着層の少なくとも表面は、クロムを主成分とし、前記導体層の少なくとも該密着層に接続する表面は、銅又はニッケルを主成分とし、又、前記絶縁層の少なくとも該密着層に接続する表面は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂のいずれかを主成分とすることを特徴とする付記1記載の薄膜多層回路基板。
【0013】
(付記3)前記薄膜多層回路基板の第二表面には、半導体チップが形成されたことを特徴とする付記1記載の薄膜多層回路基板。
(付記4)導体層と絶縁層が積層されてなる薄膜多層回路基板の製造方法において、支持基板上に電極パターンを形成する工程と、該電極パターンが形成された支持基板の表面に密着層を形成する工程と、該密着層に覆われた該電極パターンの周囲に第一絶縁層を形成する工程と、該密着層及び該第一絶縁層上に、該密着層と接する配線層と第二絶縁層とを形成する工程と、該支持基板を剥離する工程とを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。
【0014】
(付記5)前記複数の電極パターンを形成する前記支持基板の少なくとも表面は、銅−クロム−銅の三層構造を有することを特徴とする付記4記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
(付記6)前記支持基板を前記電極パターン及び前記第一絶縁層の下面より剥離する工程において、該電極パターンの下面に銅層を露出させ、該銅層表面に、はんだバンプ或いはAuスタッドバンプが形成されたことを特徴とする付記5記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
【0015】
(付記7)支持基板の一表面上に、該支持基板と密着性の悪い材料からなる最下層薄膜、該最下層薄膜のエッチャントに対し耐エッチング性を有するエッチング阻止層、及び、導体層を順次形成する工程と、該最下層薄膜上に前記薄膜多層回路層を形成後、該支持基板を該最下層薄膜との界面から引き剥がすことによって該薄膜多層回路層を該最下層薄膜ごと該支持基板から分離する工程と、該最下層薄膜をエッチングによって除去する工程とを有することを特徴とする付記4記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
【0016】
(付記8)前記支持基板はガラス基板又はシリコンウェーハであり、前記最下層薄膜は、銅(Cu)を主成分とする金属薄膜であることを特徴とする付記7記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
(付記9)支持基板をエッチャントによってエッチング可能な材料によって形成する工程と、該支持基板上に薄膜多層回路基板を形成後、該エッチャントによって該支持基板をエッチング除去する工程とを有することを特徴とする付記4記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
【0017】
(付記10)前記支持基板が、銅(Cu)基板であることを特徴とする付記9記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
(付記11)前記支持基板上に、該支持基板のエッチャントに対し耐エッチング性を有するエッチング阻止層、及び、導体層を順次形成する工程と、該導体層上に薄膜多層回路基板を形成後、該エッチャントによって該支持基板をエッチング除去し、次に、該エッチング阻止層を除去する工程とを有することを特徴とする付記9記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
【0018】
(付記12)前記エッチング阻止層は、クロム(Cr)薄膜であることを特徴とする付記11記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
(付記13)前記クロム(Cr)薄膜の厚さは、0.1μm以上であることを特徴とする付記12記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
(付記14)前記三層構造中の該クロム(Cr)薄膜の厚さは、0.06μm以上で0.1μmより薄いことを特徴とする付記5記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
【0019】
(付記15)前記Cr密着層の膜厚は、0.06μm以上で0.1μmより薄いことを特徴とする付記5記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
(付記16)前記密着層を形成する工程では、少なくとも、前記電極パターンの上面と側面を覆うことを特徴とする付記4記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
【0020】
【発明の効果】
本発明によれば、微細パターンの薄膜多層回路基板のバンプ電極を形成する際に、電極と絶縁膜及び電極と多層配線との界面にCr等の密着層を形成することで、はんだバンプ実装後のフラックス洗浄(超音波洗浄)時やAuスタッドバンプの超音波接合時における電極脱落の起きないバンプ電極の作製を実現することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置の電極構造断面図
【図2】本発明の実施例1による半導体装置の製造工程断面図(その1)
【図3】本発明の実施例1による半導体装置の製造工程断面図(その2)
【図4】本発明の実施例1による半導体装置の製造工程断面図(その3)
【図5】本発明の実施例1による半導体装置の製造工程断面図(その4)
【図6】本発明の実施例2による半導体装置の製造工程断面図(その1)
【図7】本発明の実施例2による半導体装置の製造工程断面図(その2)
【図8】本発明の実施例2による半導体装置の製造工程断面図(その3)
【図9】本発明による電極構造の樹脂薄膜パッケージ断面図
【図10】従来技術による電極構造の欠点の説明図
【符号の説明】
1、ガラス基板
2、Cu剥離層
3、Crストッパ層
4、Cuシード層
5、レジスト層
6、電極
7、Cr密着層
8、樹脂層
9、上部樹脂層
10、上部配線層
11、はんだバンプ
12、Cu基板
13、Auスタッドバンプ
20、半導体チップ
21、モールド
22、接着剤
24、密着層付き電極
25、多層配線層
26、電極層
27、クラック

Claims (5)

  1. 導体層と絶縁層が積層され、その第一表面に、バンプを形成する第一導体層と該第一導体層の周囲に配置される第一絶縁層とが形成された薄膜多層回路基板において、該第一導体層と該第一導体層との界面、及び、該第一導体層と該第一導体層と電気的に接続される第二導体層との界面とに密着層が形成されたことを特徴とする薄膜多層回路基板。
  2. 前記密着層の少なくとも表面は、クロムを主成分とし、前記導体層の少なくとも該密着層に接続する表面は、銅又はニッケルを主成分とし、又、前記絶縁層の少なくとも該密着層に接続する表面は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂のいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項1記載の薄膜多層回路基板。
  3. 前記薄膜多層回路基板の第二表面には、半導体チップが形成されたことを特徴とする請求項1記載の薄膜多層回路基板。
  4. 導体層と絶縁層が積層されてなる薄膜多層回路基板の製造方法において、支持基板上に電極パターンを形成する工程と、該電極パターンが形成された支持基板の表面に密着層を形成する工程と、該密着層に覆われた該電極パターンの周囲に第一絶縁層を形成する工程と、該密着層及び該第一絶縁層上に、該密着層と接する配線層と第二絶縁層とを形成する工程と、該支持基板を剥離する工程とを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。
  5. 前記複数の電極パターンを形成する前記支持基板の少なくとも表面は、銅−クロム−銅の三層構造を有することを特徴とする請求項4記載の薄膜多層回路基板の製造方法。
JP2002370883A 2002-12-20 2002-12-20 薄膜多層回路基板及びその製造方法 Withdrawn JP2004207262A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002370883A JP2004207262A (ja) 2002-12-20 2002-12-20 薄膜多層回路基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002370883A JP2004207262A (ja) 2002-12-20 2002-12-20 薄膜多層回路基板及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004207262A true JP2004207262A (ja) 2004-07-22

Family

ID=32809930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002370883A Withdrawn JP2004207262A (ja) 2002-12-20 2002-12-20 薄膜多層回路基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004207262A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006059943A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 North:Kk 集積回路装置とその製造方法
WO2017209178A1 (ja) * 2016-06-02 2017-12-07 富士フイルム株式会社 パターン製造方法、半導体装置の製造方法および積層体
JP2021018997A (ja) * 2019-07-17 2021-02-15 大日本印刷株式会社 支持基板付配線基板、配線基板、素子付配線基板積層体、および素子付配線基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006059943A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 North:Kk 集積回路装置とその製造方法
WO2017209178A1 (ja) * 2016-06-02 2017-12-07 富士フイルム株式会社 パターン製造方法、半導体装置の製造方法および積層体
JP2021018997A (ja) * 2019-07-17 2021-02-15 大日本印刷株式会社 支持基板付配線基板、配線基板、素子付配線基板積層体、および素子付配線基板
JP7379893B2 (ja) 2019-07-17 2023-11-15 大日本印刷株式会社 支持基板付配線基板、配線基板、素子付配線基板積層体、および素子付配線基板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9856135B2 (en) Microelectronic interconnect element with decreased conductor spacing
JP4171499B2 (ja) 電子装置用基板およびその製造方法、並びに電子装置およびその製造方法
JP5331958B2 (ja) 配線基板及び半導体パッケージ
US20190066908A1 (en) Electronic component
JP4890959B2 (ja) 配線基板及びその製造方法並びに半導体パッケージ
JP2004119726A (ja) 回路装置の製造方法
JP4170266B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2004119727A (ja) 回路装置の製造方法
KR20040027346A (ko) 회로 장치의 제조 방법
KR100639737B1 (ko) 회로 장치의 제조 방법
JP4203538B2 (ja) 配線基板の製造方法、及び配線基板
JP4549695B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP3935456B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2004207262A (ja) 薄膜多層回路基板及びその製造方法
JP4549692B2 (ja) 配線基板の製造方法
TW201244561A (en) Multilayer wiring board
JP4549693B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP4241202B2 (ja) めっきポスト型配線基板の製造方法
JP4073294B2 (ja) 回路装置の製造方法
JP2004063808A (ja) 半導体装置のパッケージ構造とその製造方法
JP3687436B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005063988A (ja) 配線基板の製造方法
JP2005079107A (ja) 配線基板の製造方法、及び配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040610

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040610

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060307