JP2004200578A - エピタキシャル基板及びサファイア単結晶基材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア単結晶基材1と、このサファイア単結晶基材1の主面1A上に形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜3とを具えたエピタキシャル基板10において、主面1Aの配向方向をサファイア単結晶の<11−20>方向(a軸)から<1−100>方向(m軸)へ向けて、好ましくは0.05度〜0.2度傾斜させた方向に設定する。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル基板及びサファイア単結晶基材に関し、詳しくは、フォトニックデバイス及び電子デバイスなどの半導体素子、並びにフィールドエミッタなどの素子を構成する基板として好適に用いることのできるエピタキシャル基板、及びそのエピタキシャル基板の基材として好適に用いることのできるサファイア単結晶基材に関する。
【0002】
【従来の技術】III族窒化物膜は、フォトニックデバイス及び電子デバイスなどの半導体素子を構成する半導体膜として用いられており、近年においては、携帯電話などに用いられる高速ICチップなどを構成する半導体膜としても注目を浴びている。また、特にAlを含むIII族窒化物膜は、フィールドエミッタへの応用材料として注目されている。
【0003】このようなIII族窒化物膜を形成する基板として、所定の基材上にエピタキシャル成長により形成した下地膜を具える、いわゆるエピタキシャル基板がある。前記基材としては安価であり入手が容易であることから、サファイア単結晶が用いられている。
【0004】前記エピタキシャル基板は所定の反応管内に設けられたサセプタ上に設置した後、前記サセプタ内外の加熱機構によって所定の温度に加熱し、III族金属供給原料及び窒素供給原料、並びに必要に応じて他の元素の供給原料をキャリアガスとともに前記反応管内に導入するとともに、前記エピタキシャル基板上に供給することによって、CVD法に従い目的とするIII族窒化物膜を形成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したサファイア単結晶基材としては、従来C軸(<0001>方向)配向した、いわゆるC面サファイア単結晶基材が用いられてきた。しかしながら、C面サファイア単結晶基材はC面の切り出しなどが困難であること、基板成長速度が遅いことなどの理由から、他の結晶軸方向に配向した主面を有する、例えばA面サファイア単結晶基材などと比較して高価であるとともに、大口径のものを得るのが困難であった。
【0006】かかる観点より、C面サファイア単結晶基材に代わる、他の結晶軸方向に配向した主面を有するサファイア単結晶基材を用いることが試みられている。しかしながら、このようなサファイア単結晶基材上に特にAlを含むIII族窒化物からなる下地膜を形成した場合、前記下地膜上に多数の表面欠陥が発生したり、表面平坦性が著しく劣化してしまうという問題があった。さらには、結晶性の劣化も著しく、このようなエピタキシャル基板上にIII族窒化物膜を形成して目的とする半導体素子を作製した場合において、その特性が著しく劣化してしまっていた。
【0007】したがって、現状においては、C軸以外の結晶軸方向に配向したサファイア単結晶基材と、この単結晶基材上に形成したAl含有下地膜とを具えたエピタキシャル基板において、実用に足るものを得ることができないのが現状である。
【0008】本発明は、C軸以外の結晶軸方向に配向した主面を有するサファイア単結晶基材と、少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜とを含み、実用に足るエピタキシャル基板を提供するとともに、このエピタキシャル基板を構成する前記サファイア単結晶基材を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、本発明は、<11−20>方向より<1−100>方向へ向けて所定の角度傾斜させた主面を有するサファイア単結晶基材と、このサファイア単結晶基板の前記主面上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル基板に関する。
【0010】また本発明は、<11−20>方向より<1−100>方向へ向けて所定の角度傾斜させた主面を有する、少なくともAlを含むIII族窒化物膜のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基材に関する。
【0011】本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。そして、上述したC面サファイア単結晶基材と比較して廉価であるとともに、大口径の加工が容易であることなどの理由から、a軸(<11−20>方向)に配向した主面を有する、いわゆるA面サファイア単結晶基材に着目した。そして、このA面サファイア単結晶基材を実用に供するべくさらなる鋭意検討を実施した。
【0012】その結果、前記サファイア単結晶基材の主面が前記a軸からm軸(<1−100>方向)へ向けて所定の角度傾斜するようにして、バルク状のサファイア単結晶部材から切り出し、得られたサファイア単結晶基材の傾斜した主面上にAl含有III族窒化物下地膜を形成することにより、この下地膜における表面欠陥や表面の粗れなどを防止し、実用に供することのできるエピタキシャル基板を提供できることを見出したものである。
【0013】したがって、前記エピタキシャル基板上にIII族窒化物膜を形成した目的の半導体素子を作製した場合において、その諸特性の劣化を抑制することができ、C軸サファイア単結晶基材を含むエピタキシャル基板を用いて作製した半導体素子と同等の特性を得ることができるようになる。
【0014】なお、本発明の好ましい態様においては、前記サファイア単結晶基材の、前記III族窒化物下地膜と対向する表層部分において表面窒化層を形成する。この場合、前記III族窒化物下地膜は、前記サファイア単結晶基材の前記主面上に、前記表面窒化層を介して形成させることになり、前記III族窒化物下地膜の結晶性をさらに向上させることができる。したがって、このようにして得たエピタキシャル基板を用いて作製した半導体素子の諸特性をさらに向上させることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【0016】図1はサファイア単結晶の結晶構造を示す図であり、図1から明らかなように、サファイア単結晶は六方晶系の結晶構造を呈し、C軸、a軸及びm軸は互いに直交して存在する。
【0017】本発明においては、エピタキシャル基板を構成するサファイア単結晶基材における主面の配向方向Xがa軸からm軸へ向けて所定の角度傾斜していることが必要である。具体的は、図1に示す結晶構造において、a軸及びm軸を含む平面内でC軸を中心に回転するようにして、角度θだけ傾斜していることが必要である。本発明の目的を達成することができれば角度θの値は特には限定されないが、好ましくは0.05度〜0.2度に設定する。
【0018】この場合、前記サファイア単結晶基材上に形成されたAl含有III族窒化物下地膜の表面欠陥などをより効果的に抑制することができるとともに、その表面平坦性を向上させることができる。具体的には前記下地膜の表面粗さRaを5Å以下、さらには3Å以下にまですることができる。
【0019】図2は、本発明のエピタキシャル基板の一例を示す構成図である。図2に示すエピタキシャル基板10は、サファイア単結晶基材1と、このサファイア単結晶基材1の主面1A上に形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜3とを具える。また、サファイア単結晶基材1の表層部分には表面窒化層2が形成されている。
【0020】図2に示すエピタキシャル基板10において、サファイア単結晶基材1の主面1Aは図1に示すX方向に配向していることが必要である。そして、主面1Aの傾斜角度を上述した好ましい範囲に設定することにより、下地膜3の主面3Aの表面粗さRaを5Å以下とすることができる。したがって、エピタキシャル基板10上に所定のIII族窒化物膜を形成した場合においてその結晶品質の劣化を抑制することができ、良好な特性を呈する半導体素子を得ることができる。
【0021】また、図2に示すエピタキシャル基板10においては、サファイア単結晶基材1の表層部分に表面窒化層2を形成しているが、これによって下地膜3の結晶性を向上させることができる。表面窒化層2は、サファイア単結晶基材1の主面1Aから1nmにおける深さにおける窒素含有量が好ましくは10原子%以下となるように形成する。この場合、下地膜3の(0002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が350秒以下であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下、さらには1500秒以下となり、良好な結晶性を呈するようになる。
【0022】なお、表面窒化層2の窒素含有量及び厚さは、Arイオンを用いてサファイア単結晶基材1を厚さ方向にエッチングすると同時に、ESCAによる組成分析を行って得た、厚さ方向の組成分析より求めたものである。
【0023】詳細なESCA測定条件は以下に示す通りである。X線源として、Mgターゲットを用いたエネルギー1253.6eVのX線を用いた。分析は、測定領域1.1mmφ、検出角45度、及びパスエネルギー35.75eVで行ない、窒素原子の同定には、N1sスペクトルを用いた。測定の際の真空度は3×10−9Torrであった。エッチングには加速電圧3.0kVのAr+イオンを用い、その際、ラスター領域は3mm×3mmである。
【0024】本条件でのエッチング速度は、SiO2で40Å/分であり、Al2O3のスパッタ速度はSiO2の場合の1/3であることが確認された。そこで、窒化表面のスパッタ速度を便宜上Al2O3換算エッチングレートから計算し、1nmエッチングするための時間を逆算して、そのエッチング時点の窒素濃度を上記窒素含有量としたものである。
【0025】表面窒化層2は、サファイア単結晶基材1をアンモニアなどの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって行なう。そして、窒素濃度や窒化温度、窒化時間を適宜に制御することによって形成する。
【0026】なお、表面窒化層2は必ずしも要求されるものではなく、表面窒化層2を有しないサファイア単結晶基材1の主面1A上に直接的に下地膜3を形成した場合においても、本発明の目的を十分に達成することができる。
【0027】本発明の作用効果は、下地膜3中のAl含有量が増大するにつれて顕著になる。したがって、下地膜3中のAl含有量が全III族元素に対して50原子%以上であることが好ましく、さらには100原子%以上、すなわち下地膜3がAlNから構成されていることが好ましい。
【0028】なお、下地膜3は、Alの他にGa及びInなどのIII族元素を含有することができ、必要に応じてMg、Si、又はBなどの元素を含有することもできる。さらに、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含むことができる。
【0029】また、下地膜3はCVD法などの公知の成膜手法を用いて作製することができる。
【0030】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
(実施例1)
サファイア単結晶基材としてa軸方向からm軸方向に角度0.12度傾斜した主面を有するサファイア単結晶を用い、これを石英製の反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定し、1200℃まで加熱した。
【0031】そして、アンモニアガス(NH3)を水素キャリアガスとともに5分間流し、前記基材の主面を窒化させた。なお、ESCAによる分析の結果、この表面窒化処理によって、前記主面には窒化層が形成されており、前記主面から深さ1nmにおける窒素含有量が5原子%であることが判明した。
【0032】次いで、Al供給原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)を用い、窒素供給原料としてアンモニアガス(NH3)を用い、これら原料ガスを水素キャリアガスとともに、NH3/TMAモル比=500の流量で、前記反応管内に導入するとともに、前記基材上に供給してAlN下地膜を厚さ3μmに形成し、エピタキシャル基板を作製した。なお、NH3及びTMAの流量は、前記モル比を満足するように成膜速度に応じて適宜に選択する。
【0033】このようにして得たAlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅は約250秒であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅は約1100秒であり、表面粗さRaは2.5Åであった。したがって、前記AlN下地膜は良好な結晶性を示すとともに、良好な表面平坦性を有することが判明した。
【0034】(実施例2)
サファイア単結晶基材としてa軸方向からm軸方向に角度0.18度傾斜した主面を有するサファイア単結晶を用いた以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル基板を作製した。AlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅は約300秒であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅は約900秒であり、表面粗さRaは3.0Åであった。したがって、前記AlN下地膜は良好な結晶性を示すとともに、良好な表面平坦性を有することが判明した。
【0035】(実施例3)
サファイア単結晶基材としてa軸方向からm軸方向に角度0.08度傾斜した主面を有するサファイア単結晶を用いた以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル基板を作製した。AlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅は約250秒であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅は約1400秒であり、表面粗さRaは2.0Åであった。したがって、前記AlN下地膜は良好な結晶性を示すとともに、良好な表面平坦性を有することが判明した。
【0036】(実施例4)
サファイア単結晶基材として実施例1と同様にa軸方向からm軸方向に角度0.12度傾斜した主面を有するサファイア単結晶を用い、前記基材の主面に対して窒化処理を施さなかった以外は、実施例1と同様にしてエピタキシャル基板を作製した。AlN下地膜の結晶性をX線回折によって調べたところ、(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅は約320秒であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅は約1900秒であり、表面粗さRaは3.5Åであった。したがって、前記AlN下地膜は、ほぼ良好な結晶性及び表面平坦性を有することが判明した。
【0037】(比較例)
サファイア単結晶基材としてA面サファイア単結晶を用いた以外は、実施例同様にしてエピタキシャル基板を作製した。AlN下地膜の(0002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は500秒であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅は約2500秒であり、表面粗さRaは6Åであって、結晶性及び表面平坦性共に十分でないことが判明した。
【0038】以上、具体例を挙げながら、本発明を発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の実施に形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。例えば、図2に示すエピタキシャル基板10において、サファイア単結晶基材1と下地膜3との間に、バッファ層やひずみ超格子などの多層積層膜を挿入し、下地膜3の結晶性をさらに向上させることもできる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、C軸以外の結晶軸方向に配向した主面を有するサファイア単結晶基材と、少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜とを含み、実用に足るエピタキシャル基板を提供するとともに、このエピタキシャル基板を構成する前記サファイア単結晶基材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】サファイア単結晶の結晶構造を示す図である。
【図2】本発明のエピタキシャル基板の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 サファイア単結晶基材、2 表面窒化層、3 Al含有III族窒化物下地膜、10 エピタキシャル基板
Claims (13)
- <11−20>方向より<1−100>方向へ向けて所定の角度傾斜させた主面を有するサファイア単結晶基材と、このサファイア単結晶基板の前記主面上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル基板。
- 前記傾斜角度は0.05度〜0.2度であることを特徴とする、請求項1に記載のエピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜の表面粗さが5Å以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のエピタキシャル基板。
- 前記サファイア単結晶基材の、前記III族窒化物下地膜と対向する表層部分において表面窒化層を具えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のエピタキシャル基板。
- 前記表面窒化層の窒素含有量が、前記サファイア単結晶基材の前記主面から1nmの深さにおいて10原子%以下であることを特徴とする、請求項4に記載のエピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜の(0002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が350秒以下であり、(10−12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下であることを特徴とする、請求項4又は5に記載のエピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜中のAl含有量が全III族元素に対して50原子%以上であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載のエピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物下地膜はAlNからなることを特徴とする、請求項7に記載のエピタキシャル基板。
- <11−20>方向より<1−100>方向へ向けて所定の角度傾斜させた主面を有する、少なくともAlを含むIII族窒化物膜のエピタキシャル成長用サファイア単結晶基材。
- 前記傾斜角度は0.05度〜0.2度であることを特徴とする、請求項9に記載のサファイア単結晶基材。
- 前記サファイア単結晶基材の表層部分において表面窒化層を具えることを特徴とする、請求項9又は10に記載のサファイア単結晶基材。
- 前記表面窒化層の窒素含有量が、前記サファイア単結晶基材の前記主面から1nmの深さにおいて10原子%以下であることを特徴とする、請求項11に記載のサファイア単結晶基材。
- 請求項1〜8のいずれか一に記載のエピタキシャル基板を含むことを特徴とする、半導体素子。
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