JP2004193358A - 電磁波シールド筺体、半導体部品、基板および遊戯台 - Google Patents

Abstract

【課題】遊戯台に搭載されているＲＯＭの電磁波による誤動作を防止する、高い電磁波遮蔽能と高い可視光線透過率を有する、電磁波シールド筐体を提供する。
【解決手段】透明支持筐体（Ａ）に、面抵抗0.1〜10Ω/□で可視光線透過率が５０％以上の好ましくは金属と金属酸化物の積層体からなる透明導電層（Ｂ）を、直接又は粘着材（Ｃ）を介して積層させることにより、上記課題は達成される。この際、導電性材料（Ｄ）を適宜使用すると、電磁波シールド性能を低下させることなく様々な形状に対応することが出来る。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体部品などを保護する電磁場シールド筐体、更にそれを付した半導体部品、基板、および遊戯台に関する。さらに詳しくは、筐体内の半導体が外部からの電磁波を十分遮蔽し、機器の誤作動を防止する電磁波シールド能、筐体内部を容易に視認することが可能な可視光域における透明性を兼ね備えた電磁波シールド筐体、半導体部品、基板および遊戯台に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電磁波の侵入による半導体部品の誤動作を抑える為に、最近、電磁波遮蔽用電磁波シールド材料および半導体部品周りの電磁波遮蔽が可能な電磁波シールド筐体に対する要請が高まっている。電磁波は、金属の様な導電性材料で遮蔽することが出来るが、最近では半導体部品を視認できる透明性が求められている。このような導電性と透明性を有する電磁波遮蔽材料としては、大きく二種類に分けることができる。一つは、特開平１０−４１６７９号公報（特許文献１）に報告されている様な金属メッシュタイプと呼ばれているものであり、透明基材に細く金属を格子状に配置させたものである。これは、導電性に優れ、優れた電磁波遮蔽能を有するが、モワレ像が生じる問題がある。もう一つは、透明膜タイプと呼ばれるものであり、透明導電性薄膜を透明基体に設けたものである。透明膜タイプの電磁波遮蔽材料は、金属メッシュタイプに比べて、電磁波遮蔽能力に劣るが、透明性に優れ、モワレ像は発生しないという特徴がある。
【０００３】
透明導電性薄膜タイプの電磁波遮蔽材料は、蒸着、スパッタリングなどの方法で抵抗が低い金属の薄膜を透明基体上に形成することが通常行われる。中でも、純物質の中で最も比抵抗が低い銀からなる金属薄膜が好適に用いられる。さらに透過率上昇及び金属薄膜層の安定性向上の目的で、金属薄膜層に他の金属を混入させた合金薄膜層を形成したり、金属薄膜層を高屈折率透明薄膜層で挟み込み、透明導電性薄膜積層体を形成したりするのが通常である。しかし、電磁波遮蔽能力を向上させると、可視光線透過率が低いものしか得られないことが問題であった。また、金属の代わりに金属酸化物の薄膜を形成する方法もある。金属酸化物薄膜は透明性に優れているが、導電性が金属に比して低いため電磁波遮蔽能力を高めることが困難であった。
【０００４】
また電磁波シールド筐体は、その表面を完全に導電性材料で覆わないと、電磁波遮蔽性能が著しく低下するが、筐体の稜の部分はその形状から導電性が損なわれる可能性があるという問題があった。
【特許文献１】特開平１０−４１６７９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記従来技術に鑑み、半導体部品等を誤作動から保護する電磁波シールド性能および半導体部品の視認性に優れた透明性を兼ね備えた電磁波シールド筺体、半導体部品、基板および遊戯台を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決する為に鋭意研究を重ねた結果、金属層と高屈折率透明薄膜層を適切に積層させた透明導電層を有する筐体が電磁波シールド能を両立できること、また導電性材料を適切に用いることで高い電磁波シールド能を有する電磁波シールド筐体を容易に作製出来ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち本発明は、
（１）透明支持体（Ａ）に面抵抗0.1〜10Ω/□の透明導電層（Ｂ）が直接又は粘着材（Ｃ）を介して積層されてなり、可視光線透過率が５０％以上であり、電磁波シールド能が３０ＭＨｚから３０００ＭＨｚの周波数帯域で３０ｄＢ以上であることを特徴とする電磁波シールド筐体であり、
（２）透明導電層（Ｂ）が、少なくとも厚さ５〜２００ｎｍの高屈折率透明薄膜層（ｂ）と厚さ４〜６０ｎｍの金属薄膜層（ｃ）とが（ｂ）／［（ｃ）／（ｂ）］_n（但しｎは１〜６の整数である。）の順に積層された積層体であることを特徴とする電磁波シールド筐体であり、
（３）筐体の稜に相当する部分に導電性材料（Ｄ）が付され、透明導電層（Ｂ）と導電性材料（Ｄ）が接触していることを特徴とする電磁波シールド筐体であり、
（４）上記の筐体に半導体を組み込んだ半導体部品であり、
（５）上記の半導体部品を装着した基板であり、
（６）上記の基板を装着した遊戯台
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の電磁波シールド筐体は、半導体部品保護ケースとして、特に、遊戯台内部に使用されているＲＯＭが外部で発生した電磁波により誤動作することを、電磁波を遮蔽することで防止し、かつＲＯＭを識別することが該ケースを装着したままで容易な視認性を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の電磁波シールド筐体は、透明支持体（Ａ）に面抵抗０．１〜１０Ω／□の透明導電層（Ｂ）が、直接または粘着材（Ｃ）を介して積層されてなる。
【００１０】
本発明における透明導電層（Ｂ）は、透明導電膜そのものであっても、例えば透明高分子フィルム（ａ）の主面上に形成する透明導電膜１つ以上からなる透明導電層（Ｂ１）であってもよい。透明導電膜は、面抵抗０．１〜１０Ω／□で、可視光線透過率が５０％以上である。なお、本発明における可視光線透過率、可視光線反射率とは、透過率及び反射率の波長依存性からＪＩＳ（Ｒ−３１０６）に従って計算されるものである。
【００１１】
本発明者らは、ROM等を誤動作から防ぐために必要な電磁波シールド能を有するには、電磁波シールド体となる透明導電層が、面抵抗１０〜０．１Ω／□の低抵抗な導電性を有していることが必要なことを見出した。電磁波シールド能を向上させるために、面抵抗を下げるには、金属薄膜層を厚くすることが挙げられるが、前述したように可視光線透過率も低くなり、薄くすると電磁波シールド能が弱くなる。そこで本発明においては、電磁波吸収のための高い導電性と電磁波反射の為の反射界面を多く有する金属薄膜と高屈折率透明薄膜を積層した多層薄膜が好ましく用いられる。上記の多層薄膜は、銀などの金属の持つ導電性及びその自由電子による近赤外線反射特性と、高屈折率透明薄膜の、ある波長領域における金属による反射の防止により、導電性、近赤外線カット能、可視光線透過率のいずれにおいても好ましい特性を有している。また可視光線透過率が高いので、全体的な金属薄膜層の厚さを増やし、面抵抗を下げる、即ち導電性を高めることことができる。また、上記多層薄膜は、層数及び／またはそれぞれの層の厚さを制御することにより可視光線透過率、可視光線反射率、近赤外線の透過率、透過色、反射色をある範囲で変化させることができる。以下、多層薄膜とは、特に記載がない限り、金属薄膜層を高屈折率透明薄膜層で挟み込んだ積層構造を１段以上重ねた多層積層の透明導電膜を示す。
【００１２】
上記の透明導電層（Ｂ）は、後述する透明支持体（Ａ）上に直接形成させることもできるし、高分子フィルムのような可撓性のある透明基体（ａ）に透明導電層（Ｂ）を形成したものを粘着材などで透明支持体（Ａ）に貼合しても良い。これらの中では、生産性の高いロールトゥーロールプロセスで生産可能な後者の方法で得られる透明導電層（Ｂ１）が好ましく用いられる。
【００１３】
透明基体（ａ）は、通常、可視波長領域において透明である高分子フィルムが用いられる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリスチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン6等のポリアミド、ポリイミド、トリアセチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル等のビニル化合物の付加重合体、ポリ塩化ビニリデン等のビニリデン化合物、フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体等のフッ素系化合物の共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体等のビニル化合物の共重合体、ポリエチレンオキシド等のポリエーテル、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記のような透明な高分子フィルムは可撓性を有しており透明導電膜をロール・ツー・ロール法で連続的に形成することができるため、これを使用した場合には効率よく、また、長尺大面積に透明積層体を生産できることから、好適に用いることができる。この場合フィルムの厚さは通常１０μｍ〜２５０μｍのものが用いられる。フィルムの厚さが１０μｍ以下では、基材としての機械的強度に不足し、２５０μｍ以上では可撓性が不足するためフィルムをロールで巻き取りが困難になる場合がある。
【００１４】
上記の透明導電層（Ｂ）は、透明基体（ａ）の一方の主面上に高屈折率透明薄膜層（ｂ）、金属薄膜層（ｃ）の順に、（ｂ）／（ｃ）を繰り返し単位として１回以上繰り返し積層し、さらにその上に少なくとも高屈折率透明薄膜層（ｂ）を積層して得られる。本発明の多層薄膜における上記繰り返し単位の繰り返し積層数は１回〜６回、つまり、（ａ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）、または、（ａ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）、または、（ａ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）、または、（ａ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）、または、（ａ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）、または、（ａ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）／（ｃ）／（ｂ）であることが好ましい。さらに好ましい繰り返し積層数は２回から５回、特に好ましくは２回から４回である。繰り返し積層数が７回以上だと生産装置の制限、生産性の問題が大きくなり、また、可視光線透過率の低下と可視光線反射率の増加が生じる場合がある。
【００１５】
高屈折率透明薄膜層（ｂ）を形成する透明薄膜としては、可視域において透明性を有し、金属薄膜層の可視域における光線反射を防止する効果を有するものであれば特に限定されるものではないが、可視光線に対する屈折率が１．６以上、好ましくは１．８以上、さらに好ましくは２．０以上の屈折率の高い材料が用いられる。このような透明薄膜を形成する具体的な材料としては、インジウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、スズ、亜鉛、アンチモン、タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタン、トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、または、これら酸化物の混合物や、硫化亜鉛などが挙げられる。これら酸化物あるいは硫化物は、金属と酸素あるいは硫黄と化学量論的な組成にズレがあっても、光学特性を大きく変えない範囲であるならば差し支えない。なかでも、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウムや酸化インジウムと酸化スズの混合物（ＩＴＯ）は、透明性、屈折率に加えて、成膜速度が速く金属薄膜層との密着性等が良好であることから好適に使用できる。高屈折率透明薄膜層の厚さは、基体の光学特性、金属薄膜層の厚さ、光学特性、および、透明薄膜層の屈折率等から光学設計的かつ実験的に求められ、特に限定されるものではないが、５nm以上２００nm以下であることが好ましく、より好ましくは１０nm以上１００nm以下である。また、高屈折率透明薄膜第１層・・・第ｎ＋１層（ｎ≧１）は、同じ厚さとは限らず、同じ透明薄膜材料でなくともよい。高屈折率透明薄膜層の形成には、スパッタリング、イオンプレーティング、イオンビームアシスト、真空蒸着、湿式塗工等、従来公知の方法のいずれでも採用できる。
【００１６】
金属薄膜層（ｃ）の材料としては、銀が、導電性、および多層積層したときの可視光線透過性に優れているため好適である。しかし、銀は化学的、物理的安定性に欠け、環境中の汚染物質、水蒸気、熱、光等によって劣化するため、銀に金、白金、パラジウム、銅、インジウム、スズ等の環境に安定な金属を一種以上含んだ合金やこれら環境に安定な金属も好適に使用できる。特に金、銅、パラジウム、ネオジウム等は耐環境性、光学特性に優れ好適である。ここで、銀を含む合金の銀の含有率は、特に限定されるものではないが銀薄膜の導電性、光学特性と大きく変わらないことが望ましく、５０重量％以上１００重量％未満程度である。しかしながら、銀に他の金属を添加すると、その優れた導電性、光学特性を阻害する。従って、複数の金属薄膜層を有する場合は、可能であれば少なくとも１つの層は銀を合金にしないで用いることや、基体から見て最初の層及び／又は最外層にある金属薄膜層のみを合金にすることが望ましい。
【００１７】
金属薄膜層の厚さは導電性、光学特性等から光学設計的かつ実験的に求められ、透明導電層が要求特性を持てば特に限定されるものではないが、導電性等から薄膜が島状構造ではなく連続状態であることが必要なので４nm以上であることが望ましく、金属薄膜層が厚すぎると透明性が問題になるので６０nm以下が望ましい。更に好ましくは５〜５０ｎｍであり、特に好ましくは１０〜５０ｎｍである。金属薄膜層が複数ある場合は、各層が全て同じ厚さとは限らず、全て銀あるいは同じ銀を含む合金でなくともよい。金属薄膜層の形成には、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、メッキ等、従来公知の方法のいずれでも採用できる。
【００１８】
透明導電膜の表面原子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、蛍光Ｘ線法（ＸＲＦ）、Ｘ線マイクロアナライシス法（ＸＭＡ）、荷電粒子励起Ｘ線分析法（ＲＢＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、真空紫外光電子分光法（ＵＰＳ）、赤外吸収分光法（ＩＲ）、ラマン分光法、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、低エネルギーイオン散乱分光法（ＩＳＳ）等により測定できる。また、膜中の原子組成及び膜厚は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）や２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）を深さ方向に実施することによって調べることができる。
【００１９】
上記透明導電層の耐環境性を向上させるために、透明導電膜の表面に、導電性、光学特性を著しく損なわない程度に有機物又は無機物の任意の保護層を設けてもよい。また、金属薄膜層の耐環境性や金属薄膜層と高屈折率透明薄膜層との密着性等を向上させるため、金属薄膜層と高屈折率透明薄膜層の間に、導電性、光学特性を損なわない程度に任意の無機物層を形成してもよい。具体的な材料としては銅、ニッケル、クロム、金、白金、亜鉛、ジルコニウム、チタン、タングステン、スズ、パラジウム等の金属又はその酸化物、あるいはこれらの材料の２種類以上からなる合金があげられる。その厚さは、好ましくは０．２nm〜２nm程度である。
【００２０】
所望の光学特性の透明導電層を得るには、得ようとする電磁波シールド能の為の導電性、つまり、金属薄膜材料・厚さを勘案して、透明基体（ａ）および薄膜材料の光学定数（屈折率、消光係数）を用いたベクトル法、アドミッタンス図を用いる方法等を使った光学設計を行い、各層の薄膜材料及び、層数、膜厚等を決定する。この際、透明導電膜上に形成される層がある場合はその隣接層を考慮すると良い。このことは透明導電膜への光の入射媒質が、空気または真空等の屈折率１の入射媒質と違うために透過色（及び透過率、反射色、反射率）が変化するためである。すなわち、透明導電層上に粘着材（Ｃ）が形成される場合は、粘着材（Ｃ）の光学定数を考慮する設計を行う。光学定数は、エリプソメトリー（楕円偏光解析法）やアッベ屈折計により測定できる。また、光学特性を観察しながら、層数、膜厚等を制御して成膜を行うこともできる。
【００２１】
本発明の電磁波シールド筐体に用いられる透明支持体（Ａ）は、機械的強度や、軽さ、割れにくさから、可視域において透明な高分子材料が望ましいが、熱による変形等の少ない熱的安定性からガラスも好適に使用できる。透明支持体（Ａ）に用いられる高分子材料としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）をはじめとするアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、透明ＡＢＳ樹脂等が使用できるが、これらの樹脂に限定されるものではない。特にＰＭＭＡはその広い波長領域での高透明性と機械的強度の高さから特に好適に使用できる。高分子性の透明基体（Ａ）の厚さは、たわまずに平面性を維持する剛性が得られればよく、特に限定されるものではないが、通常１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。ガラスを透明支持体（Ａ）として使用する場合は、機械的強度を付加するために化学強化加工または風冷強化加工を行った半強化ガラスまたは強化ガラスを用いることが望ましい。
【００２２】
本発明の透明支持体（Ａ）の形状は、筺体であっても良いし、シート状であっても良い。シート状の場合は、対応する形状のシートを粘着材、接着剤、粘着テープなどを用いて組み合わせ、筐体を形成させることもできるし、シートに透明導電層（Ｂ）を形成させた後筐体に組み上げても良い。
【００２３】
前述したとおり透明導電層（Ｂ）としては、透明基体（ａ）に上記透明導電層に透明導電層を形成した透明導電層（Ｂ１）が好ましく用いられ、透明導電層（Ｂ１１）は粘着材（Ｃ）を介して透明支持体（Ａ）と貼り合わせて用いることが望ましい。貼り合わせは、透明支持体（Ａ）の主面と、透明導電層（Ｂ１）の薄膜形成面、もしくは透明基体（ａ）側のどちらかを透明な粘着材（Ｃ）を介して行う。どちらの場合でも電極を形成することは容易であり、かつ、ROM等を装着した基板の外枠と電気的接触を得ることも容易に可能であるが、後述する理由により透明導電層（Ｂ１）の薄膜形成面と透明支持体（Ａ）とを粘着材（Ｃ）を介して貼り合わせることが好ましい。
【００２４】
本発明で用いられる粘着材（Ｃ）は、任意の透明粘着材および透明な接着剤ある。具体的な接着剤の例としては、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリビニルブチラール接着剤（ＰＶＢ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）等、ポリビニルエーテル、飽和無定形ポリエステル、メラミン樹脂等が挙げられる。この際肝要なことは、ROM等に記載されている情報を十分に視認可能な程度以上に粘着材は可視光線に対して透明である必要がある。粘着材は、実用上の接着強度があればフィルム状のものでも液状のものでもよい。また、粘着性又は粘着性とガスバリア機能や耐候性機能を一つ以上有する機能材を有する透明な基体でも良い。粘着材は感圧型でシート状のものが好適に使用できる。フィルム状粘着材貼り付け後または接着材塗布後に各部材をラミネートすることによって貼り合わせを行う。液状のものは塗布、貼り合わせ後に室温放置または加熱により硬化する接着剤である。塗布方法としては、バーコート法、リバースコート法、グラビアコート法、ダイコート法、ロールコート法等が挙げられるが、接着剤の種類、粘度、塗布量等から考慮、選定される。粘着材もしくは接着剤層の厚みは、特に限定されるものではないが、０．５μｍ〜５０μｍ、好ましくは１μｍ〜３０μｍである。粘着材を形成される面、貼り合わせられる面は、予め易接着コートまたはコロナ放電処理などの易接着処理により濡れ性を向上させておくことが好適である。さらに、粘着材を用いて貼り合わせた後は、貼り合わせ時に部材間に入り込んだ空気を脱泡または、粘着材に固溶させ、さらには部材間の密着力を向上させる為に、できれば加圧、加温の条件で養生を行うことが肝要である。このとき、加圧条件としては数気圧〜２０気圧以下程度、加温条件としては各部材の耐熱性に依るが、室温以上８０℃以下程度であるが、これらに特に制限を受けない。
【００２５】
透明導電層（Ｂ）は、特に銀を用いた薄膜の場合、耐擦傷性や耐環境性に乏しい為、保護する必要がある。多層薄膜に保護フィルムを貼合する方法もあるが、透明基体（ａ）／透明導電層（Ｂ）／透明粘着材（Ｃ）／透明支持体（Ａ）とすることによって、構成部材数または構成層数を最小限にとどめ、工程、コスト、部材間の界面反射を減じることができる。
【００２６】
電磁波を安定的に遮蔽するには、透明導電層（Ｂ）と外部との電気的接続が必要であるので、粘着材層（Ｃ）が透明導電層の導電面上に形成される場合には粘着材層（Ｃ）がこの電気的接続を妨げてはならない。例えば、粘着材層（Ｃ）が導電層の周縁部を残すように形成されることが肝要である。
【００２７】
粘着材層のヘイズは0.5%以上20%以下であり、好ましくは1%以上10%以下である。ヘイズが小さすぎると外光を散らす能力が不十分であり、ヘイズが大きすぎると平行光線透過率が低くなり、ＲＯＭに記載されている情報の認識が困難になる。
【００２８】
また、多層薄膜に銀を用いた場合、銀は化学的、物理的安定性に欠け、環境中の汚染物質、水蒸気等によって劣化し、凝集現象を起こすため、透明導電性積層体の薄膜形成面には、薄膜が使用環境中の汚染物質、水蒸気がさらされないようにガスバリア性を有する層で被覆することが肝要である。従って、粘着材層（Ｃ）がガスバリア性を有していることが好適である。好適なガスバリア性は、透湿度で１０g/m^２・day以下である。
【００２９】
また、電磁波シールド積層体に耐擦傷性を付与するために、透明基体（ａ）や透明支持体（Ａ）がハードコート性を有していることが好適である。透明基体（ａ）や透明支持体（Ａ）自体にハードコート性がない場合には、ハードコート剤を塗布することが好ましい。ハードコート膜としてはアクリル系樹脂、シリコン系樹脂、メラミン系樹脂、ウレタン系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等の熱硬化型又は光硬化型樹脂等が挙げられる。
【００３０】
さらに、指紋等の汚れ防止や汚れが付いたときに簡単に取り除くことができるよう、電磁波シールド積層体表面に防汚性を付与しても良い。この為には、ハードコート層が防汚性を有すればよい。防汚性を有する材料としては、水及び／または油脂に対して非濡性を有するものであって、例えばフッ素化合物やケイ素化合物、チタン酸化物が挙げられる。反射防止防眩性や帯電防止性等の他の機能に併せる際には、それら機能を妨げるものであってはならない。この場合、反射防止膜の構成材料に低屈折率であるフッ素化合物を使用することや、フッ素系有機分子を１〜数分子、最表面にコートすることによって、反射防止防眩性や帯電防止性を維持しつつ防汚性を付与することができる。
【００３１】
本発明の電磁波シールド筺体は、少なくとも透明支持体（Ａ）と透明導電層（Ｂ）とからなる。具体的には筐体状の透明支持体（Ａ）に透明導電層（Ｂ）を形成させたり、透明導電層（Ｂ１）を粘着材（Ｃ）で透明支持体（Ａ）に貼合する方法が挙げられる。また、シート状の透明支持体に透明導電層を形成した後、筐体に組み上げることもできる。透明導電層（Ｂ１）を用いる場合は、後述する電極を形成する目的のため透明支持体（Ａ）の貼合する面積より広い面積の透明導電層（Ｂ１）を用いることがある。本発明の電磁波シールド筐体は、電磁波シールド能を十分に発現させるため、透明導電層（Ｂ）が隙間無く形成されている必要があるが、上記の方法の中には筐体の稜部分で発生する透明導電層（Ｂ）が連続していない部分が発生する場合がある。この場合は、例えば、（１）予め透明支持体（Ａ）の稜の部分に銅テープや銀ペーストなどの導電性材料（Ｄ）を付した後、透明導電層（Ｂ１）が、導電性材料（Ｄ）に接触するように透明支持体（Ａ）に貼合する方法、（２）所定形状のフィルム形態の透明導電層（Ｂ１）の透明導電層側の辺同士を予め導電性テープを介して隙間無く貼合した後、透明支持体（Ａ）に貼合する方法、（３）筐体の各面の透明導電層（Ｂ１）の端面が剥き出しになっている場合などは、該端面同士を銀ペーストなどの導電性ペーストで導通を取る方法など、導電性材料（Ｄ）を利用することで、稜の部分が僅かに不透明になるが、実質的に透明性を損なうことなく、隙間無く導電性体で覆われ電磁波シールド性能に優れた筺体を得ることが出来る。上記の導電性材料（Ｄ）は、視認性の面から幅が３ｍｍ〜５ｍｍであることが好ましいが、特に限定されるものではない。５ｍｍ以上の幅を使用しても視認性に影響を与えない環境であれば、この寸法を使用してもなんら問題はない。
【００３２】
本発明の半導体部品は、例えばROM等のメモリー、マイクロプロセッサーなどの半導体を本発明の筐体に組み込んだものである。具体的には筐体に装着されていても良いし、本発明の筺体に周囲を覆われたものであっても良い。本発明の基板は、上記の半導体部品を装着した基板である。上記において、半導体は筐体内に一つずつ組み込まれても良いし、複数組み込まれても良い。また本発明の遊戯台は、上記の半導体部品や基板を装着したもので、具体的にはパチンコ台やゲーム機器などを例示することが出来る。本発明の筐体、半導体部品、基板、遊戯台は、メモリーやマイクロプロセッサーの電磁波による誤作動を防止できる。また本発明の筐体は、可視光線透過率が高いため、視認性に優れているので、例えば、半導体部品、基板などが使われた電気回路の外観異常を電磁場シールド筐体を外すことなく発見することが出来る。
【００３３】
本発明において、電磁波は導電層において吸収されたのち電荷を誘起するため、アースをとることによって電荷を逃がさないと、再び電磁波シールド体がアンテナとなって電磁波を発振し電磁波シールド能が低下する。従って、本発明の電磁波シールド能を有する筺体、半導体部品、基板、遊戯台においては透明導電層が他の導電体、例えば遊戯台本体のケース内部の導電部とが電気的にコンタクトしている必要がある。そのため、透明導電層（Ｂ）は通電部分である透明導電膜形成面が一部剥き出しており、粘着材（Ｃ）は、電気的接触を得る部分以外に形成されている必要がある。
【００３４】
電気的接触を良好とするために、透明導電膜と電気的に接触した電極（Ｄ）を形成する。電極形状は特に限定しない。一方で電磁波シールド能を有する筺体は設置する際に例えば遊戯台本体との間に、電磁波の漏洩する隙間が存在しないことが肝要である。従って、透明導電膜上且つ周縁部に連続的に、電極を形成すると好適である。すなわち、ＲＯＭに記載されている情報を十分に視認できるよう、筐体の周縁部に、枠状に、平面な電極を形成する。電極に用いる材料は、導電性、耐触性および透明導電膜との密着性等の点から、銀、金、銅、白金、ニッケル、アルミニウム、クロム、鉄、亜鉛、カーボン等の単体もしくは２種以上からなる合金や、合成樹脂とこれら単体または合金の混合物、もしくは、ホウケイ酸ガラスとこれら単体または合金の混合物からなるペーストを、従来公知の印刷、塗工する方法などで使用できる。透明導電層（Ｂ１）を用いる場合は、前記の通り、透明支持体（Ａ）より大面積のものを用い、はみ出した多層薄膜を電極とすることが出来る。また上記の多層薄膜に上記の導電性ペーストや導電性テープを付しても良い。この場合、電磁波シールド筐体の視認性を損なわないので好ましい。電極の厚さは、これもまた特に限定されるものではないが、数μｍ〜数ｍｍ程度である。
【００３５】
【実施例】
つぎに、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。
【００３６】
実施例中及び比較例中の透明導電層の薄膜は、基材の一方の主面にマグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。膜厚は、触針粗さ計（製品名：Dektak）により測定した値である。高屈折率透明薄膜層（ｂ）がＩＯ薄膜の場合は、ターゲットにインジウムを、ＩＴＯ薄膜の場合は、ターゲットに酸化インジウム・酸化スズ焼結体（組成比Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０ｗｔ％））を、スパッタガスにアルゴン・酸素混合ガス（全圧２６６mPa：酸素分圧５mPa）を用いて成膜した。金属薄膜層（ｃ）である銀薄膜は、ターゲットに銀を、スパッタガスにアルゴンガス（全圧２６６mPa）を用いて成膜した。
［実施例１］
２軸延伸ポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴ）フィルム（厚さ：７５μｍ）を透明基体（ａ）としてその一方の主面に、ＰＥＴフィルムから順にＩＴＯ薄膜（膜厚：４０ｎｍ）、銀薄膜（膜厚：１１ｎｍ）、ＩＴＯ薄膜（膜厚：９５ｎｍ）、銀薄膜（膜厚：１４ｎｍ）、ＩＴＯ薄膜（膜厚：９０ｎｍ）、銀薄膜（膜厚：１２ｎｍ）、ＩＴＯ薄膜（膜厚：４０ｎｍ）の計７層の透明導電膜を作製し、面抵抗2.2Ω/□の透明導電層（Ｂ）であるスパッタフィルムを作製した。該透明導電層（Ｂ）の断面を、本発明における透明導電層の一例を示す断面図として、図１に示した。
【００３７】
透明支持体（Ａ）として、２５０ｍｍ×２５０ｍｍ×高さ２０ｍｍで厚さ３ｍｍのアクリル製筐体を用い、その内側にアクリル系粘着剤を乾燥膜厚２５μｍとなるように塗工後、乾燥させた。次に、筐体内側の各稜部分に導電性テープを貼った。次に、２４４ｍｍ×２４４ｍｍのスパッタフィルムを１枚、２４４ｍｍ×３０ｍｍを４枚、切り出しスパッタフィルムの導電面を粘着剤側に向けて、筐体内側の各面に貼った。フィルムを貼った時点でフィルム間での導通は予め貼っておいた導電性テープにより取れるようにした。また、側面部は、透明導電膜が１０ｍｍ筐体の外にはみ出す様に貼りつけた。はみ出した部分に導電性テープ（日東電工社製）を貼り電極（Ｄ）を形成し、本発明のＲＯＭ保護用筐体を作製した。、本発明のＲＯＭ保護用筐体の一例の断面図を図２に示した。本発明のＲＯＭ保護用筐体とその装着状態の一例を図３に示した。
［比較例１］
ＰＥＴフィルム（厚さ：７５μｍ）を高分子フィルム（ａ）としてその一方の主面に、ＰＥＴフィルムから順にＩＴＯ薄膜（膜厚：４０ｎｍ）、銀薄膜（膜厚：３０ｎｍ）、ＩＴＯ薄膜（膜厚：８０ｎｍ）、銀薄膜（膜厚：３０ｎｍ）、ＩＴＯ薄膜（膜厚：４０ｎｍ）、の計５層の透明導電膜を作製し、面抵抗１.０Ω/□の透明導電層（Ｂ）であるスパッタフィルムを作製したこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
実施例１及び比較例１の筐体の面から、５０ｍｍ×５０ｍｍのシートを切り出し、電磁波シールド能をおよび可視光線透過率を測定した。電磁波シールド能は、ＫＥＣ（関西電子センター）法により行った。表には、１ＧＨｚ帯域における電磁波シールド能を記載したが、いずれにおいても、電磁波シールド能は十分な能力を有していた。
【００３８】
実施例１及び比較例１の筐体を、ＲＯＭ基板を覆うようにＲＯＭ基板上に装着した。この際、電極（Ｄ）をＲＯＭ基板下に敷いた導電性のパネルに電気的に接続した。この時の各試料の、目視による視認性、ＲＯＭの誤動作について調べた。結果を表１に示した。
【００３９】
【表１】

【００４０】
【発明の効果】
以上の如く、本発明によれば、遊戯台のＲＯＭを十分に認識できる視認性を著しく損なわない光学特性を有し、且つ、外部から侵入しＲＯＭの誤動作を招く電磁波を遮蔽する電磁波シールド能を兼ね備え、さらにまた耐候性、耐環境性、防汚性に優れた、遊戯台に搭載された基板上のＲＯＭを保護する電磁波シールド筐体を低コストに提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における透明導電層（Ｂ）の一例を示す断面図
【図２】本発明の半導体保護用電磁波シールド筐体の稜及び電極部分を示す断面図
【図３】本発明の半導体保護用電磁波シールド筐体の一例を示す立体図
【符号の説明】
１０ 透明導電層（Ｂ）
１１ 高分子フィルム（ａ）
１２ 高屈折率透明薄膜層（ｂ）
１３ 金属薄膜層（ｃ）
２０ 透明支持体（Ａ）
３０ 粘着材（Ｃ）
４０ 導電材料
５０ 半導体（ＲＯＭ）
６０ 基板

Claims (6)

1. 透明支持体（Ａ）に面抵抗0.1〜10Ω/□の透明導電層（Ｂ）が直接又は粘着材（Ｃ）を介して積層されてなり、可視光線透過率が５０％以上であり、電磁波シールド能が３０ＭＨｚから３０００ＭＨｚの周波数帯域で３０ｄＢ以上であることを特徴とする電磁波シールド筐体。
2. 透明導電層（Ｂ）が、少なくとも厚さ５〜２００ｎｍの高屈折率透明薄膜層（ｂ）と厚さ４〜６０ｎｍの金属薄膜層（ｃ）とが（ｂ）／［（ｃ）／（ｂ）］n（但しｎは1〜６の整数である。）の順に積層された積層体であることを特徴とする請求項１記載の電磁波シールド筐体。
3. 筐体の稜に相当する部分に導電性材料（Ｄ）が付され、透明導電層（Ｂ）と導電性材料（Ｄ）が接触していることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド筐体。
4. 請求項１に記載の筐体に半導体を組み込んだ半導体部品。
5. 請求項４記載の半導体部品を装着した基板。
6. 請求項５に記載の基板を装着した遊戯台。

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