JP2004192682A - 磁気記憶装置の記録データ消去装置及び同消去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コンデンサ5の充電電荷をコイル3に放電させ、このコイル3の発生磁界により磁気記憶装置Mのデ−タを消去させる磁気記憶装置の記録デ−タ消去装置において、前記放電時に過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回は発生するように、上記コイル3のインダクタンスHおよび内部抵抗Rならびにコンデンサ5の印加電圧Vを設定する。これにより、磁気記憶装置Mの記憶媒体から記録データが完全ないしはこれに近い状態に消去される。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ハードディスク装置や磁気テープカートリッジ等の磁気記憶装置の記憶媒体に記録されたデータを消去するのに用いられる磁気記憶装置の記録データ消去装置、及び同消去方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
例えばハードディスク装置を廃棄したり再利用する場合、データの漏洩防止の観点から、ハードディスク装置におけるハードディスクに記録されているデータを消去することが一般に行われている。
【0003】
このようなハードディスク装置の記録データの消去は、従来、ハードディスクにおける記憶データに上書きデータ、例えば「00」のデータを繰り返して書き込むことにより行われていた。しかし、データの上書きによる消去処理は、大きな作業負担と時間を必要とする。一例を挙げると、20Gバイトの記データを消去するのに12時間以上もの長時間を費やさなければならなかった。
【0004】
一方、ハードディスクと同じく記録媒体であるフロッピィディスクや磁気テープ等のデータを消去するための消去装置として、円環状コアの外周面に巻回したトロイダル状のコイルを、消去装置本体のケース内に配置するとともに、このコイルに交流電源を接続したものが知られている(例えば特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特許公報第2545451号
この消去装置では、例えばフロッピィディスクを装置本体の外面部に配置し、前記コイルに交流電流を通電して交番磁界を発生させ、この磁界によってフロッピィディスクに記録されたデータを消去するものである。
【0006】
しかしながら、この記録デ−タの消去装置を用いて、例えばハードディスク装置のデータ消去を行おうとしても、ハードディスク装置におけるハードディスクが金属製ケースで収容されているため、消去装置本体の外面部にハードディスク装置をセットして、消去装置の磁界を発生させただけでは、記録データを有効に消去しきれない。
【0007】
このような事情から従来、装置本体内に配備されたコイルにより強力な磁界(例えば7000ガウス程度)を発生させ、この磁界での磁力によりハ−ドディスク装置の記録デ−タを消去するようにした磁気記憶装置の記録データ消去装置が提案されている。
【0008】
この記録データ消去装置は、ハ−ドディスク装置がセットされる部位に磁界を発生させるためのコイルを備え、所定の直流電圧が印加されるコンデンサを前記コイルに並列接続し、このコイルとコンデンサとの間に介挿されたスイッチ素子をONさせることにより、コンデンサに充電された充電電荷をコイルに放電させて該コイルから磁界を発生させ、これにより、該磁界内に置かれたハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記憶データを消去させるものである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記提案に係るものは、コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際の過度電圧が図9に示すように非振動的に減衰するので、磁界中のハ−ドディスク装置には一方向の磁力線が流れるだけであり、該ハードディスクが一方向へ磁化された着磁状態となっていた。つまり、完全消磁状態とはならず、結果、デ−タの消去性に劣るという問題がある。
【0010】
この発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたものであり、磁気記憶装置の記憶媒体を完全消磁して、記録デ−タを確実に消去することができる磁気記憶装置の記録データ消去装置を提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去装置において、前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回は発生するように、前記コイルのインダクタンスおよび内部抵抗ならびにコンデンサの印加電圧がそれぞれ適値に設定されていることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去装置によって解決される。
【0012】
この記録データ消去装置では、コンデンサに所定の直流電圧が印加されている状態で、スイッチ素子をONさせると、前記コンデンサの充電電荷がコイルへと放電され、この放電によりコイルから磁界が発生し、この磁界内に置かれた磁気記憶装置に磁力が作用する。
【0013】
この時、コイルのインダクタンスおよび内部抵抗、さらにはコンデサの印加電圧は、該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際の過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回発生するように、それぞれ適値に設定されていることから、コイルからは最初の放電による一方向の磁界の後に、前記リバウンドに対応して逆向きの磁界が発生し、これらの磁界が磁気記憶装置に作用することから、磁気記憶装置の記憶媒体が着磁せずに完全ないしはこれに近い消磁状態となり、デ−タの消去性が高められる。
【0014】
また、上記課題は、所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去方法において、前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象を、少なくとも一回発生させることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去方法」によっても解決される。
【0015】
この磁気記憶装置の記録データ消去方法では、コイルのインダクタンスおよび内部抵抗ならびにコンデンサの印加電圧をそれぞれ適値に設定すれば、前記リバウンド現象により、最初の放電による磁界の向きとは逆方向の磁界が発生し、磁気記憶装置のデ−タ消去が確実に行える。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0017】
図1は、この発明の一実施形態に係る磁気記憶装置のデータ消去装置を示す一部破断側面図、図2は同じくデータ消去装置を示す分解斜視図である。
【0018】
図1および図2において、11は装置本体であり、この装置本体11は、例えば前端面が開放された箱形ケース12と、この箱形ケース12の開口12aを開閉可能に閉塞する蓋体13と、箱形ケース12の外面側に装着された前端開放の合成樹脂製箱形外装体14とからなる。なお、少なくとも箱形ケ−ス12(この実施形態では箱形ケ−ス12および蓋体13)は、例えば鉄やニッケル等の磁性材料から構成されており、後述するコイル3により発生した磁界によるコイル内部の磁束密度を増加しかつ均一化してハードディスク装置Mに作用させる役目をもっている。
【0019】
前記箱形ケ−ス12内には、中空状のコイルスプ−ル15が配設されており、このコイルスプ−ル15の外周面には、スプール軸方向へ沿って多数回巻かれたコイル3が巻装されている。このコイル3は、ハードディスク装置Mのハ−ドディスク(図示せず)に記憶されたデ−タを消去させるための磁界を発生するものである。
【0020】
コイルスプ−ル15の中空部は、前記ハードディスク装置Mの挿入用空間Sとして構成されている。つまり、この挿入用空間Sに挿入されたハ−ドディスク装置Mに対して前記コイル3の磁界が作用するようになっている。なお、前記蓋体13は、前記箱形ケース12の開口端部側に兆番等を用いてヒンジ止めたりする等の周知の手段により箱形ケース12に装着すればよい。
【0021】
また、前記箱形ケース12からは、後述する商用交流電源接続用の電源コード17が引き出されている。
【0022】
次に、上記データ消去装置の電気的構成を図3に基づいて説明する。
【0023】
図3において、1は商用交流電源であり、この商用交流電源1には、直流電源回路2を介して前記コイル3が接続されている。
【0024】
前記直流電源回路2は、入力側が商用交流電源1に接続された直流変換部4と、直流変換部4の出力側に並列接続されたコンデサ5と、直流変換部4からコンデンサ5への入力ライン(高電位端側)に介挿されたリアクトル6と、スイッチ素子7とを備えている。
【0025】
前記直流変換部4は、商用交流電源1の電源電圧を所定電圧の直流に変換するものであり、例えば昇圧チョッパからなる。また、コンデサ5は、前記コイル3に並列接続されており、直流変換部4からの直流電圧が印加される。リアクトル6は、直流変換部4からの直流上のリップル分を除去する機能を有する。
【0026】
スイッチ素子7は、例えば双方向性のサイリスタ等からなり、前記コンデンサ5とコイル3との間に介挿されており、トリガ信号を受けてONし、コンデンサ5の充電電荷をコイル3に放電させるものである。コイル3は、放電電流が流れることにより、前記ハードディスク装置Mがセットされた空所Sに磁界を生起するものである。
【0027】
前記コイル3のインダクタンス(H)および内部抵抗(R)並びにコンデンサ5の印加電圧(V)、あるいはさらにコンデンサ5の容量(F)は、前記コンデンサ5の充電電荷をコイル3に放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象(図4〜図8参照)が少なくとも一回は発生するように、それぞれ適値が選択して設定されている。例えばコイル3の線径を1.2mm以上とし、そのインダクタンス(H)が100〜200H、内部抵抗(R)が2.5〜5Ωに設定される。また、コンデンサ5の印加電圧(V)は300V以上に設定されている。コンデンサ5の容量(F)は4700〜9400μFに設定されている。
【0028】
次に、上記構成による記録データ消去装置の動作について説明する。
【0029】
直流電源回路2のスイッチ素子7をOFF(開放)したまま、前記交流商用電源1に接続する。この後、記憶データを消去する必要のあるハードディスク装置Mを前記空間S内に挿入して蓋体13を閉じる。
【0030】
一方、この時、前記直流電源回路3におけるコンデンサ5は、直流変換部4からの電力供給を受けて充電されている。この状態で、スイッチ素子7をON(閉成)すると、コンデンサ5の充電電荷がコイル3へと放電され、この放電によりコイル3の内部空間、つまりハードディスク装置Mが配置されている挿入用空所Sに磁界が発生し、この磁界による磁力線がハードディスク装置Mのアルミニウム製や鉄製の金属製ケースを貫通することにより、記録媒体であるハードディスクに記録されているシリンダ情報等を含むデータが消去される。
【0031】
上記コンデンサ5の放電電荷がコイル3に流れた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバンド現象が少なくとも一回(例えば図4では、略4回)は生起される。このため、ハ−ドディスク装置Mにおけるハ−ドディスクには、最初の放電による一方向の磁界のみならずこれと逆方向の磁界が作用し、このため完全ないしはこれに近い状態に消磁されることになり、デ−タの消去性が著しく高められる。
【0032】
所定時間経過後、スイッチ素子7をOFF(開放)して、次のデータ消去に備える。なお、上記コイル3による磁界を発生させる時間、換言すればスイッチ素子7をONしている時間は、特に限定されることはないが、望ましくは10ms以内に設定するのがよい。10msを越えてもデータ消去効果は同じであり、むしろエネルギー効率の低下や時間の無駄となる。
【0033】
上記によりデータを消去されたハードディスク装置Mは、前記挿入用空所Sから取り出し、必要に応じて廃棄処分されるか、あるいは再利用に供される。
【0034】
ところで、ハードディスク装置Mにおける書き込みデータを消去するには、書き込まれている磁化よりも大きな磁力を作用させる必要がある。この観点からは、挿入用空所Sに作用するコイル3による磁界は、大きい程よい。しかし、ハードディスク装置Mに内蔵されている制御回路部(図示せず)等が破壊されることなく、再利用を保証する上では、磁界の強さを、磁束密度が6000〜15000ガウスの範囲に設定するのがよい。磁束密度が6000ガウス未満では、データ消去が不十分となり、15000ガウスを超えると、前記制御回路部も破壊してしまうおそれがあり、従って、特に好ましい磁束密度は、8000〜13000ガウスである。
【0035】
なお、コイル3による磁界の強さは、その巻き数や通電する電流値の変更により容易に調整可能である。
【0036】
次に、コイル3のインダクタンス(H)およびその内部抵抗(R)、コンデンサ5の印加電圧(V)について、前記記憶デ−タの消去が有効に発揮されるそれぞれの適値を決め、前記過渡電圧と時間との関係からリバウンド現象をそれぞれ測定し、それらのデータ消去性について確かめた実施例を以下に示す。
「実施例1」
コイル3の径を1.2mm以上とし、その内部抵抗を2.5Ω、コイル3のインダクタンスを100H、コンデンサ5の印加電圧を380V、コンデンサ5の容量を4700μFに設定した。
【0037】
この条件下での放電時の過度電圧・時間特性を測定すると、図4に示すように1回の放電について略4回のリバンド現象が発生した。この場合は、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを完璧に消去することができた。
「実施例2」
コイル3の径を1.2mm以上とし、その内部抵抗を5Ω、コイル3のインダクタンスを200H、コンデンサ5の印加電圧を380V、コンデンサ5の容量を4700μFに設定した。
【0038】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図5に示すように1回の放電について略3回のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを完璧に消去することができた。
「実施例3」
コイル3の径を1.2mm以上とし、その内部抵抗を5Ω、コイル3のインダクタンスを100H、コンデンサ5の印加電圧を1000V、コンデンサ5の容量を9400μFに設定した。
【0039】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図6に示すように1回の放電について略2回弱のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを高精度に消去することができた。
「実施例4」
コイル3の径を1.2mm以上とし、その内部抵抗を5Ω、コイル3のインダクタンスを200H、コンデンサ5の両端電圧を800V、コンデンサ5の容量を9400μFに設定した。
【0040】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図7に示すように1回の放電について略2回のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを高精度に消去することができた。
「実施例5」
コイル3の径を1.2mm以上とし、その内部抵抗を5Ω、コイル3のインダクタンスを100H、コンデンサ5の両端電圧を380V、コンデンサ5の容量を4700μFに設定した。
【0041】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図8に示すように1回の放電について略2回のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを高精度に消去することができた。
【0042】
上記実施例1〜5から明らかなように、放電時の過渡電圧をリバウンドさせることにより、記録データを良好に消去できることが分かった。とくに、実施例1のように、数回のリバウンドにより、前記データの消去効果が極めて有効に発揮されることが分かった。
【0043】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、コンデンサの充電電荷を放電させる際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回発生するように構成したことにより、前記リバウンド現象に対応して、最初の放電による磁界とは逆向きの磁界により、磁気記憶装置の記憶媒体を完全ないしはこれに近い状態の消磁状態として、デ−タの消去性の著しく高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る磁気記憶装置の記録データ消去装置を示す一部破断側面図である。
【図2】同じくデータ消去装置を示す分解斜視図である。
【図3】同じくデータ消去装置の電気回路図である。
【図4】実施例1における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図5】実施例2における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図6】実施例3における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図7】実施例4における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図8】実施例4における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図9】従来の放電時の過渡電圧・時間特性図である
【符号の説明】
3・・・・・・コイル
5・・・・・・コンデンサ
7・・・・・・スイッチ素子
H・・・・・・コイル3のインダクタンス
M・・・・・・磁気記憶装置
R・・・・・・コイルの内部抵抗
V・・・・・・コンデンサの印加電圧
Claims (2)
- 所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去装置において、
前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回は発生するように、前記コイルのインダクタンスおよび内部抵抗ならびにコンデンサの印加電圧がそれぞれ適値に設定されていることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去装置。 - 所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去方法において、
前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象を、少なくとも一回発生させることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去方法。
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