JP2004190064A

JP2004190064A - 金属端子の表面処理方法及び金属端子

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Publication number: JP2004190064A
Application number: JP2002356647A
Authority: JP
Inventors: Taisuke Miki; 泰典三木; Hiroshi Yanagida; 浩柳田; Shunichi Nakayama; 俊一中山
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2002-12-09
Filing date: 2002-12-09
Publication date: 2004-07-08

Abstract

【課題】高い耐食性を有する金属端子を提供する。
【解決手段】金属端子１の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層２を形成する。このニッケルめっき層２の表面にこのニッケルめっき層２の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって表面処理する。金属めっき層３の電位Ｅ_１が高いことによって、高い耐食性を得ることができると共に、ニッケルめっき層２の電位Ｅ_３と金属めっき層３の電位Ｅ_１との差ΔＥ_１−３が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、さらに高い耐食性を得ることができるものである。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属端子の表面処理方法及び金属端子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
金属端子は銅（Ｃｕ）系素材で作製されるものであり、その表面にニッケル（Ｎｉ）めっき浴を用いて下地めっきとしてＮｉめっき層を形成した後、このＮｉめっき層の表面に金（Ａｕ）めっき層やクロム（Ｃｒ）めっき層を形成して表面処理が行われている（例えば、特許文献１及び２参照。）。そしてＮｉめっき浴としては、ワット浴やスルファミン酸Ｎｉめっき浴が広く用いられている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２３８５６９号公報（段落番号［０００２］等）
【特許文献２】
特開平５−１７１４６８号公報（特許請求の範囲等）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Ｎｉめっき層８の表面に特にＡｕ等の貴金属めっき層３を図５に示すように形成した場合には、例えばＡｕめっき層３の電位をＥ_１、Ｎｉめっき層８の電位をＥ_２とすれば、これらのめっき層３，８間の電位差ΔＥ_１−２が大きくなる。そうすると、大きな電位差ΔＥ_１−２によって腐食速度が速くなり、十分に高い耐食性を得ることが難しくなるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、高い耐食性を得ることができる金属端子の表面処理方法及び高い耐食性を有する金属端子を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る金属端子は、金属端子１の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層２を形成すると共に、このニッケルめっき層２の表面にこのニッケルめっき層２の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって表面処理して成ることを特徴とするものである。
【０００７】
また請求項２に係る金属端子は、金属端子１の表面に硫黄を含む第１ニッケルめっき層４を形成し、第１ニッケルめっき層４の表面に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層５を形成すると共に、第２ニッケルめっき層５の表面に第２ニッケルめっき層５の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって表面処理して成ることを特徴とするものである。
【０００８】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、金属めっき層３が貴金属めっき層であることを特徴とするものである。
【０００９】
また請求項４の発明は、請求項３において、貴金属めっき層の厚さが硫黄を含まないニッケルめっき層２，５の厚さよりも薄いことを特徴とするものである。
【００１０】
また請求項５に係る金属端子の表面処理方法は、硫黄析出因子を含有しないニッケルめっき浴を用いて金属端子１の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層２を形成した後に、このニッケルめっき層２の表面にこのニッケルめっき層２の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって金属端子１を表面処理することを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項６の発明は、請求項５において、ニッケルめっき浴として、硫黄析出因子を含有しないワット浴を用いることを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項７の発明は、請求項５において、ニッケルめっき浴として、硫酸マグネシウム・７水塩、塩化ニッケル・６水塩及びホウ酸からなるめっき浴を用いることを特徴とするものである。
【００１３】
また請求項８に係る金属端子の表面処理方法は、硫黄析出因子を含有するニッケルめっき浴を用いて金属端子１の表面に硫黄を含む第１ニッケルめっき層４を形成し、次いで硫黄析出因子を含有しないニッケルめっき浴を用いて第１ニッケルめっき層４の表面に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層５を形成し、しかる後に第２ニッケルめっき層５の表面に第２ニッケルめっき層５の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって金属端子１を表面処理することを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項９の発明は、請求項５乃至８のいずれかにおいて、金属めっき層３が貴金属めっき層であることを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項１０の発明は、請求項９において、貴金属めっき層の厚さが硫黄を含まないニッケルめっき層２，５の厚さよりも薄いことを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
図３は金属端子１の一例を示すものである。この金属端子１は、Ｃｕ系素材の長尺な帯板（ストリップ１０）をプレス加工することによって、図３（ａ）に示すようにストリップ１０の長手方向の一側端縁に沿って多数本を平行に配列して、ストリップ１０と一体に形成してある。各金属端子１は、その先端部側から順に接点部６及び端子部９を設けるように折り曲げ加工して形成されている。また、図４は金属端子１の他例を示すものである。この金属端子１も、ストリップ１０をプレス加工することによって、図４（ａ）に示すようにストリップ１０の長手方向の一側端縁に沿って多数本を平行に配列して、ストリップ１０と一体に形成してある。各金属端子１は、その先端部側から順に接点部６を２個所に設け、さらに端子部９を設けるように折り曲げ加工して形成されており、上記２個所の接点部６は図４（ｃ）に示すように対向させている。
【００１８】
そして図１は、本発明の請求項５に係る金属端子の表面処理方法を使用して、金属端子１を表面処理したものである。上記方法によって金属端子１を表面処理するにあたっては、次のようにして行うことができる。まず金属端子１の表面にＮｉめっき層２を形成するのであるが、この場合、硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴を用いるものである。ここで、硫黄析出因子とは、Ｎｉめっき層２に硫黄を析出させる因子を意味するものであり、硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴を用いれば、図１に示すように硫黄を含まないＮｉめっき層２を金属端子１の表面に形成することができる。Ｎｉめっき層２の厚さは、特に限定されるものではないが、好ましくは０．０５〜１０μｍであり、より好ましくは０．１〜１０μｍである。
【００１９】
なお、従来のワット浴やスルファミン酸Ｎｉめっき浴には硫黄析出因子が含有されている。すなわち、従来のワット浴を構成する成分は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸、添加剤であり、またスルファミン酸Ｎｉめっき浴を構成する成分は、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸、添加剤であるが、いずれのＮｉめっき浴においても、添加剤が硫黄析出因子に該当するのである。具体的には、添加剤としては、めっきの結晶を微細化して光沢を付与する第１光沢剤や、平滑化機能を持つ第２光沢剤や、めっき浴の表面張力を下げて濡れ性を改善したりピンホールを改善したりする界面活性剤等が用いられており、これらのものを組み合わせることによってＮｉめっき層８の粗度（光沢）を自由に調整することができるが、第１光沢剤として用いられるベンゼンスルホン酸等や、第２光沢剤として用いられるホルムアルデヒド等や、界面活性剤として用いられるアルキルベンゼンスルホン酸等が、それぞれ硫黄析出因子に該当するのである。従って、従来のワット浴やスルファミン酸Ｎｉめっき浴のように硫黄析出因子を含有するＮｉめっき浴を用いると、図５に示すように硫黄を含むＮｉめっき層８が金属端子１の表面に形成されてしまい、図１に示すように硫黄を含まないＮｉめっき層２を金属端子１の表面に形成することは不可能である。
【００２０】
そして、請求項５の発明においては図１に示すように、金属端子１の表面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成した後に、このＮｉめっき層２の表面にこのＮｉめっき層２の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって金属端子１を表面処理するものである。このように、硫黄を含まないＮｉめっき層２の表面にこのＮｉめっき層２の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成すると、高い耐食性を得ることができるものである。また、金属めっき層３の電位をＥ_１、硫黄を含むＮｉめっき層８の電位をＥ_２、硫黄を含まないＮｉめっき層２の電位をＥ_３として、図５に示すように硫黄を含むＮｉめっき層８の表面に直接金属めっき層３を形成する場合と、図１に示すように硫黄を含まないＮｉめっき層２の表面に直接金属めっき層３を形成する場合とを比較すると、後者の場合におけるめっき層２，３間の電位差ΔＥ_１−３の方が、前者の場合におけるめっき層８，３間の電位差ΔＥ_１−２よりも著しく小さくなるのである（ΔＥ_１−２＞ΔＥ_１−３）。つまり、硫黄を含まないＮｉめっき層２の電位Ｅ_３の方が、硫黄を含むＮｉめっき層８の電位Ｅ_２よりも高い（Ｅ_３＞Ｅ_２）。これによって図１に示すような場合においては、腐食速度が著しく遅くなることとなり、さらに高い耐食性を得ることができるものである。
【００２１】
硫黄を含まないＮｉめっき層２の電位Ｅ_３よりも高い電位Ｅ_１を有する金属めっき層３としては、具体的には貴金属めっき層を挙げることができる。この貴金属めっき層としては、特に限定されるものではないが、例えば、金（Ａｕ）めっき層、白金（Ｐｔ）めっき層、パラジウム（Ｐｄ）めっき層、ロジウム（Ｒｈ）めっき層等を挙げることができる。いずれの貴金属めっき層であっても、硫黄を含まないＮｉめっき層２の電位よりも高い電位を有しているので、高い耐食性を得ることができるものである。なお、以下においては、金属めっき層３をＡｕめっき層３として説明するが、もちろんこれに限定されるものではない。
【００２２】
Ａｕめっき層３の厚さは、特に限定されるものではない。ただ、Ａｕめっき等の貴金属めっきは高価であるので、コスト削減の観点から、Ａｕめっき層３の厚さは、硫黄を含まないＮｉめっき層２の厚さよりも薄いことが好ましく、具体的には０．０１〜１μｍであることが好ましい。このように、Ａｕめっき層３の厚さが硫黄を含まないＮｉめっき層２の厚さよりも薄いと、Ａｕめっき層３にピンホールが発生するおそれがあるが、たとえピンホールが発生してこのピンホールを通してＮｉめっき層２が露出したとしても、Ａｕめっき層３のＡｕがＮｉめっき層２に拡散することによってＮｉめっき層２の電位Ｅ_３を上昇させることができ、これによってＡｕめっき層３とＮｉめっき層２との間の電位差ΔＥ_１−３をさらに小さくすることができ、耐食性の低下を防止することができるものである。
【００２３】
硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴としては、硫黄析出因子を含有しないワット浴を用いることができる。すなわち、従来のワット浴を構成する成分のうち、添加剤として硫黄析出因子を含有しないものを用いるようにすればよい。例えば、光沢剤にあっては、荏原ユージライト（株）製「ＣＦ２４」を用いることができる。これは、不飽和アルキルグリコール類及びクロラール誘導体を主成分とするものであって、硫黄析出因子を含有しないものであるので、硫黄析出因子を含有する光沢剤の代わりに用いることができる。そうすると、図１に示すように硫黄を含まないＮｉめっき層２を金属端子１の表面に形成することができ、さらにＡｕめっき層３を形成することによって、十分に高い耐食性を得ることができるものである。
【００２４】
また、硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴としては、硫酸マグネシウム・７水塩、塩化ニッケル・６水塩及びホウ酸からなるめっき浴を用いることができる。具体的には、上村工業（株）製「スルニックＡＭＴ」を用いることができる。これには添加剤を添加する必要がないので、硫黄析出因子が含有されるおそれはない。従って、このようなめっき浴を用いると、図１に示すように硫黄を含まないＮｉめっき層２を金属端子１の表面に形成することができ、さらにＡｕめっき層３を形成することによって、十分に高い耐食性を得ることができるものである。
【００２５】
さらに本発明においては、Ｎｉめっきの中にはＮｉを成分とする合金めっきも含まれるものである。従って、硫黄析出因子を含有しないスルファミン酸浴、塩化アンミン浴等を用いて、金属端子１の表面に硫黄を含まないＰｄ−Ｎｉ合金めっき層を形成してもよい。Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層は柔軟性に富み、Ａｕの下地めっきとして用いると、Ａｕめっき層の厚さを薄くすることができるものであり、またＮｉめっき層より耐食性をさらに高く得ることができるものである。
【００２６】
ここで、請求項５の発明により金属端子１を表面処理するにあたって、多数本の金属端子１を一体に形成したストリップ１０を長手方向に送りながら硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴に浸漬させることによって、まず金属端子１の表面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成し、さらに上記ストリップ１０を長手方向に送りながらＡｕめっき浴に浸漬させることによって、硫黄を含まないＮｉめっき層２の表面にＡｕめっき層３を形成するようにすれば、金属端子１の表面処理を効率的に行うことができるものである。また、上記ストリップ１０の全面に硫黄を含まないＮｉめっき層２及びＡｕめっき層３を形成する必要はなく、ストリップ１０に一体に形成してある金属端子１のみに硫黄を含まないＮｉめっき層２及びＡｕめっき層３を形成すればよい。従って、以上の点を踏まえて、金属端子１を表面処理するにあたっては、以下のような選択めっき（部分めっき）法を使用することができる。
【００２７】
図６は選択めっき法を行うための装置の一例を示すものであり、この選択めっき装置は次のように構成されている。めっき槽１２は上面を開口して形成してあり、めっき槽１２の対向する側壁にはそれぞれ上方に開口するスリット部２７，３０が形成してある。めっき槽１２内には陽極（図示省略）が固定してあり、さらに硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき液２４が貯えられている。つまりこのＮｉめっき液２４を貯えためっき槽１２が、硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴として構成されているのである。めっき槽１２内に入りきらない過剰のＮｉめっき液２４は、めっき槽１２のスリット部２７，３０から流れ落ちるようになっている。めっき槽１２の下部には、めっき槽１２よりも一回り大きく上面を開口して形成しためっき液保存タンク１５が配設されており、めっき槽１２のスリット部２７，３０から流れ落ちるＮｉめっき液２４を受けて貯留できるようにしてある。図示省略しているが、Ｎｉめっき液２４の加熱及び濾過はめっき液保存タンク１５内で行うことができるようにしてある。めっき液保存タンク１５は吸入配管２２を介してポンプ１６と連通されており、さらにこのポンプ１６は吐出配管２３を介してめっき槽１２と連通されている。これによってめっき液保存タンク１５に貯留されているＮｉめっき液２４をポンプ１６によってめっき槽１２内に返送できるようにしてある。
【００２８】
そして、図６に示す選択めっき装置を使用して金属端子１の表面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成するにあたっては、次のようにして行うことができる。まず、ストリップ１０の長手方向の両側端縁のうち金属端子１を形成してある一側端縁を下方に向けて、ストリップ１０を長手方向に送りながら一対のコンダクターロール１３間に通す。なお、図６においてストリップ１０に形成してある金属端子１は図示省略している。コンダクターロール１３に通されたストリップ１０はコンダクターロール１３の通電により陰極となって、めっき槽１２の一方のスリット部２７からめっき槽１２内に挿入される。そして、めっき槽１２内において硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき液２４にストリップ１０の下端部を浸漬させることによってめっきを行う。このときストリップ１０の高さ又はＮｉめっき液２４の液面の高さを調整することによって、ストリップ１０に形成してある金属端子１のみに硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成することができるものである。めっき槽１２内におけるＮｉめっき液２４の液面の高さは、あらかじめめっき槽１２の側壁や底部に孔（図示省略）を設けておいたり、スリット部２７，３０の切り込みの深さを調整しておいたりすることによって、またポンプ１６によるＮｉめっき液２４の返送量を調整したりすることによって、制御することができる。その後、めっきを行ったストリップ１０をめっき槽１２の他方のスリット部３０から外部へ引き出すことによって、硫黄を含まないＮｉめっき層２が金属端子１のみに形成されたストリップ１０を得ることができるものであり、ストリップ１０を一定の速度で長手方向に送ることによって、上記Ｎｉめっき層２の形成を連続して行うことができるものである。なお、ストリップ１０をめっき槽１２の一方のスリット部２７から他方のスリット部３０へ送る間、ストリップ１０全体をＮｉめっき液２４中に浸漬させて、ストリップ１０の全面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成してもよいことはいうまでもない。
【００２９】
次に、硫黄を含まないＮｉめっき層２の表面にＡｕめっき層３を形成するにあたっては、図６に示す選択めっき装置と同様の装置を使用して行うことができる。ただし、この場合、めっき槽１２内にはＮｉめっき液２４の代わりにＡｕめっき液２５を入れておくものである。まず、ストリップ１０の長手方向の両側端縁のうち金属端子（Ｎｉめっき層形成済み）１を形成してある一側端縁を下方に向けて、ストリップ１０を長手方向に送りながら一対のコンダクターロール１３間に通す。コンダクターロール１３に通されたストリップ１０はコンダクターロール１３によって陰極となって、めっき槽１２の一方のスリット部２７からめっき槽１２内に挿入される。そして、めっき槽１２内においてＡｕめっき液２５にストリップ１０の下端部を浸漬させることによってめっきを行う。このときストリップ１０の高さ又はＡｕめっき液２５の液面の高さを調整することによって、ストリップ１０に形成してある金属端子１のみにＡｕめっき層３を形成することができる。めっき槽１２内におけるＡｕめっき液２５の液面の高さは、あらかじめめっき槽１２の側壁や底部に孔（図示省略）を設けておいたり、スリット部２７，３０の切り込みの深さを調整しておいたりすることによって、またポンプ１６によるＡｕめっき液２５の返送量を調整したりすることによって、制御することができる。その後、めっきを行ったストリップ１０をめっき槽１２の他方のスリット部３０から外部へ引き出すことによって、金属端子１のみにＡｕめっき層３が形成されたストリップ１０を得ることができるものであり、ストリップ１０を一定の速度で長手方向に送ることによって、Ａｕめっき層３の形成を連続して行うことができるものである。なお、ストリップ１０をめっき槽１２の一方のスリット部２７から他方のスリット部３０へ送る間、ストリップ１０全体をＡｕめっき液２５中に浸漬させて、ストリップ１０の全面にＡｕめっき層３を形成してもよいことはいうまでもない。
【００３０】
図７は選択めっき法を行うための装置の他例を示すものであり、この選択めっき装置は次のように構成されている。一対のめっきセル１７ａ，１７ｂが、各めっきセル１７ａ，１７ｂに設けた噴出口（図示省略）を対向させて配設してあり、各めっきセル１７ａ，１７ｂの両側には前部ロール２８ａ，２８ｂ及び後部ロール２９ａ，２９ｂがいずれも回転軸を上下方向にして配設してある。一方のめっきセル１７ａの片側に配設してある前部ロール２８ａと、他方のめっきセル１７ｂの片側に配設してある前部ロール２８ｂとが対向しており、また一方のめっきセル１７ａの片側に配設してある後部ロール２９ａと、他方のめっきセル１７ｂの片側に配設してある後部ロール２９ｂとが対向している。そして、各めっきセル１７ａ，１７ｂの両側に配設してある前部ロール２８ａ，２８ｂと後部ロール２９ａ，２９ｂとの間にそれぞれ無端のマスキングベルト１８ａ，１８ｂを巻架することによって、移動式ベルトマスク２６が形成されている。図７に示すように各めっきセル１７ａ，１７ｂはその周囲を各マスキングベルト１８ａ，１８ｂによって囲まれており、また、一対のめっきセル１７ａ，１７ｂ間において一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂはストリップ１０の厚さよりも若干狭い隙間をあけて対向している。各めっきセル１７ａ，１７ｂ内には陽極（図示省略）が固定してあり、さらに硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき液が貯えられている。つまりこのＮｉめっき液を貯えためっきセル１７ａ，１７ｂが、Ｎｉめっき浴として構成されているのである。Ｎｉめっき液は、一方のめっきセル１７ａ（１７ｂ）の噴出口から他方のめっきセル１７ｂ（１７ａ）に向けて噴出されるようにしてある。移動式ベルトマスク２６の下部には、上面を開口して形成しためっき浴タンク２１が配設されており、各めっきセル１７ａ，１７ｂの噴出口から噴出して流れ落ちるＮｉめっき液を受けて貯留できるようにしてある。めっき浴タンク２１は吸入配管２２を介してポンプ１６と連通されており、さらにこのポンプ１６は吐出配管２３を介して各めっきセル１７ａ，１７ｂと連通されている。これによってめっき浴タンク２１に貯留されているＮｉめっき液をポンプ１６によって各めっきセル１７ａ，１７ｂ内に返送できるようにしてある。
【００３１】
そして、図７に示す選択めっき装置を使用して金属端子１の表面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成するにあたっては、次のようにして行うことができる。まず、ストリップ１０の長手方向の両側端縁のうち金属端子１を形成してある一側端縁を下方に向けて、ストリップ１０を長手方向に送りながら一対のコンダクターロール１３間に通す。なお、図７においてストリップ１０に形成してある金属端子１は図示省略している。コンダクターロール１３に通されたストリップ１０は、コンダクターロール１３の通電により陰極となって、一対の前部ロール２８ａ，２８ｂ間に挿入される。各前部ロール２８ａ，２８ｂ及び後部ロール２９ａ，２９ｂはそれぞれ図７の矢印の向きに回転しており、また一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂの間隔はストリップ１０の厚さよりも若干狭いので、一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂが上記ストリップ１０を挟持しつつ一対のめっきセル１７ａ，１７ｂ間に引き入れることができるものである。一対のめっきセル１７ａ，１７ｂ間においてストリップ１０の両面の大部分は一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂにより押さえ付けられてマスキング（被覆）されているが、マスキングベルト１８ａ，１８ｂの下端縁からストリップ１０の下端縁を突出させることによって、ストリップ１０の下端部、少なくとも金属端子１を形成してある部分は露出させてある。このようにしておくと、各めっきセル１７ａ，１７ｂの噴出口から噴出されたＮｉめっき液を上記ストリップ１０の下端部のみに接触させてめっきを行うことができ、下端部以外の部分にはめっきを行わないようにすることができるものである。つまり、ストリップ１０に形成してある金属端子１のみに硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成することができるものである。その後、めっきを行ったストリップ１０を一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂで挟持しつつ一対の後部ロール２９ａ，２９ｂ間から外部へ引き出すことによって、硫黄を含まないＮｉめっき層２が金属端子１のみに形成されたストリップ１０を得ることができるものであり、ストリップ１０を一定の速度で長手方向に送ることによって、上記Ｎｉめっき層２の形成を連続して行うことができるものである。なお、図７においては、マスキングベルト１８の幅方向における中央部に長手方向に沿ってスロット（隙間）１９を設けてある。このようにしておくと、ストリップ１０を移動式ベルトマスク２６の前部ロール２８側から後部ロール２９側へ送る間、ストリップ１０の表面のうちスロット１９に対応する部分を露出させることができ、この露出した部分にスロット１９を通してＮｉめっき液を接触させてめっきを行うことによって、ストリップ１０の下端部以外の部分にも硫黄を含有しないＮｉめっき層２を形成することができるものである。
【００３２】
次に、硫黄を含まないＮｉめっき層２の表面にＡｕめっき層３を形成するにあたっては、図７に示す選択めっき装置と同様の装置を使用して行うことができる。ただし、この場合、めっきセル１７ａ，１７ｂ内にはＮｉめっき液の代わりにＡｕめっき液を入れておくものである。まず、ストリップ１０の長手方向の両側端縁のうち金属端子（Ｎｉめっき層形成済み）１を形成してある一側端縁を下方に向けて、ストリップ１０を長手方向に送りながら一対のコンダクターロール１３間に通す。コンダクターロール１３に通されたストリップ１０は、コンダクターロール１３の通電によって陰極となって、一対の前部ロール２８ａ，２８ｂ間に挿入される。各前部ロール２８ａ，２８ｂ及び後部ロール２９ａ，２９ｂはそれぞれ図７の矢印の向きに回転しており、また一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂの間隔はストリップ１０の厚さよりも若干狭いので、一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂが上記ストリップ１０を挟持しつつ一対のめっきセル１７ａ，１７ｂ間に引き入れることができるものである。一対のめっきセル１７ａ，１７ｂ間においてストリップ１０の両面の大部分は一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂにより押さえ付けられてマスキング（被覆）されているが、マスキングベルト１８ａ，１８ｂの下端縁からストリップ１０の下端縁を突出させることによって、ストリップ１０の下端部、少なくとも金属端子１を形成してある部分のみは露出させてある。このようにしておくと、各めっきセル１７ａ，１７ｂの噴出口から噴出されたＡｕめっき液を上記ストリップ１０の下端部のみに接触させてめっきを行うことができ、下端部以外の部分にはめっきを行わないようにすることができるものである。つまり、ストリップ１０に形成してある金属端子１のみにＡｕめっき層３を形成することができるものである。その後、めっきを行ったストリップ１０を一対のマスキングベルト１８ａ，１８ｂで挟持しつつ一対の後部ロール２９ａ，２９ｂ間から外部へ引き出すことによって、金属端子１のみにＡｕめっき層３が形成されたストリップ１０を得ることができるものであり、ストリップ１０を一定の速度で長手方向に送ることによって、Ａｕめっき層３の形成を連続して行うことができるものである。なお、図７においては、既述のとおり、マスキングベルト１８の幅方向における中央部に長手方向に沿ってスロット（隙間）１９を設けてある。このようにしておくと、ストリップ１０を移動式ベルトマスク２６の前部ロール２８側から後部ロール２９側へ送る間、ストリップ１０の表面のうちスロット１９に対応する部分を露出させることができ、この露出した部分にスロット１９を通してＡｕめっき液を接触させてめっきを行うことによって、ストリップ１０の下端部以外の部分にもＡｕめっき層３を形成することができるものである。
【００３３】
図６及び図７に示す選択めっき装置は、組み合せて使用することができ、ストリップ１０の送り方向においていずれの選択めっき装置が上流側又は下流側に配置されていてもよい。
【００３４】
一方、図２は、本発明の請求項８に係る金属端子の表面処理方法を使用して、金属端子１を表面処理したものである。上記方法によって金属端子１を表面処理するにあたっては、次のようにして行うことができる。まず金属端子１の表面に第１Ｎｉめっき層４を形成するのであるが、この場合、硫黄析出因子を含有するＮｉめっき浴を用いるものである。つまりこの場合には、従来のワット浴やスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用いることができ、図２に示すように硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４を金属端子１の表面に形成することができる。このように従来のワット浴やスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用いるのは、高速度めっきが可能であるからであり、Ｃｕ系素材で形成される金属端子１の表面に対しては、硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成するよりも硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４を形成する方が、同じ厚さの層を形成するのであれば、約５〜６倍のめっき処理の高速化を図ることができるものである。第１Ｎｉめっき層４の厚さは、特に限定されるものではないが、好ましくは０．０５〜１０μｍであり、より好ましくは０．１〜１０μｍである。
【００３５】
次に、第１Ｎｉめっき層４の表面に第２Ｎｉめっき層５を形成するのであるが、この場合、硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴を用いるものである。つまりこの場合には、上述した硫黄析出因子を含有しないワット浴、硫酸マグネシウム・７水塩、塩化ニッケル・６水塩及びホウ酸からなるめっき浴を用いることができ、図２に示すように硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５を、硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４の表面に形成することができる。なお、上述した硫黄析出因子を含有しないスルファミン酸浴、塩化アンミン浴等を用いて、硫黄を含まないＰｄ−Ｎｉ合金めっき層を、硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４の表面に形成することもできる。よって、以下において「第２Ｎｉめっき層５」とあるのは、「Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層」と読み替えることができる。
【００３６】
第２Ｎｉめっき層５の厚さは、可能な限り薄いことが好ましく、具体的には０．１〜０．２μｍであることが好ましい。その理由は、硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４は硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５よりも硬く、逆に言えば第２Ｎｉめっき層５は第１Ｎｉめっき層４よりも軟らかく、第２Ｎｉめっき層５の厚さを０．２μｍよりも厚くしてしまうと、金属端子１を折り曲げたときに第２Ｎｉめっき層５が第１Ｎｉめっき層４から剥がれてしまうおそれがあるからである。また、第２Ｎｉめっき層５の厚さの下限を０．１μｍとしたのは、この厚さが実際に形成できる最も薄い厚さであるからである。以上より、第２Ｎｉめっき層５の厚さを可能な限り薄くしておくと、表面処理後の金属端子１の柔軟性を十分に確保して品質向上を図ることができるものであるが、後述するようにＡｕめっき層３は、軟らかい第２Ｎｉめっき層５に直接形成されるので、第２Ｎｉめっき層５の厚みを厳密に０．１〜０．２μｍにしなくても柔軟性を確保することはできる。
【００３７】
そして、請求項８の発明においては図２に示すように、硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４の表面に硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５を形成した後に、第２Ｎｉめっき層５の表面に第２Ｎｉめっき層５の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成することによって金属端子１を表面処理するものである。このように、硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の表面に第２Ｎｉめっき層５の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３を形成すると、高い耐食性を得ることができるものである。硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の電位よりも高い電位を有する金属めっき層３としては、既述のとおり、具体的には貴金属めっき層を挙げることができる。この貴金属めっき層としては、特に限定されるものではないが、例えば、金（Ａｕ）めっき層、白金（Ｐｔ）めっき層、パラジウム（Ｐｄ）めっき層、ロジウム（Ｒｈ）めっき層等を挙げることができる。いずれの貴金属めっき層であっても、硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の電位よりも高い電位を有しているので、高い耐食性を得ることができるものである。なお、以下においても、金属めっき層３をＡｕめっき層３として説明するが、もちろんこれに限定されるものではない。
【００３８】
請求項８の発明においてはＮｉめっき層４，５が二層であるのに対して、請求項５の発明においてはＮｉめっき層２が単層であることから、請求項５の発明よりも請求項８の発明の方が、第１Ｎｉめっき層４を形成する工程だけ工程数が多くなるが、全体としてみれば請求項５の発明よりも請求項８の発明の方が、表面処理を５〜６倍高速に行うことができ、金属端子１の生産性を向上させることができるものである。
【００３９】
すなわち、請求項５及び８の発明においてＡｕめっき層３を形成する工程に要する時間は同じ程度である。よって、両発明の生産性の違いは、金属端子１の表面にＮｉめっき層２を単層形成する工程に要する時間と、金属端子１の表面にＮｉめっき層４，５を二層形成する工程に要する時間との違いに現れる。ここで、既述のとおり、Ｃｕ系素材で形成される金属端子１の表面に硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４を形成する際には高速度めっきが可能である。また、硫黄を含む第１Ｎｉめっき層４の表面に硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５を形成することも高速で行うことが可能である。そして、Ｎｉめっき層２を単層形成する工程に要する時間と、Ｎｉめっき層４，５を二層形成する工程に要する時間とを実際に比較してみると、Ｎｉめっき層４，５を二層形成する工程に要する時間の方が短くなり、結局、工程数が多くなっても請求項８の発明の方が、請求項５の発明よりも生産性を向上させることができるものである。
【００４０】
しかも、請求項８の発明においては図２に示すように、硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の表面にＡｕめっき層３を形成すると、請求項５の発明と同様に、高い耐食性を得ることができるものである。すなわち、Ａｕめっき層３の電位をＥ_１、硫黄を含むＮｉめっき層８（第１Ｎｉめっき層４）の電位をＥ_２、硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の電位をＥ_３として、図５に示すように硫黄を含むＮｉめっき層８の表面に直接Ａｕめっき層３を形成する場合と、図２に示すように硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の表面に直接Ａｕめっき層３を形成する場合とを比較すると、後者の場合におけるめっき層３，５間の電位差ΔＥ_１−３の方が前者の場合におけるめっき層３，８間の電位差ΔＥ_１−２よりも著しく小さくなるのである（ΔＥ_１−２＞ΔＥ_１−３）。これによって図２に示すような場合においては、腐食速度が著しく遅くなることとなり、十分に高い耐食性を得ることができるものである。このことから、硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５に直接Ａｕめっき層３を形成することが効果的であることが分かる。
【００４１】
Ａｕめっき層３の厚さは、特に限定されるものではない。ただ、Ａｕめっき等の貴金属めっきは高価であるので、コスト削減の観点から、Ａｕめっき層３の厚さは、硫黄を含まない第２Ｎｉめっき層５の厚さよりも薄いことが好ましく、具体的には０．０１〜１μｍであることが好ましい。このように、Ａｕめっき層３の厚さが第２Ｎｉめっき層５の厚さよりも薄いと、Ａｕめっき層３にピンホールが発生するおそれがあるが、たとえピンホールが発生してこのピンホールを通して第２Ｎｉめっき層５が露出したとしても、Ａｕめっき層３のＡｕが第２Ｎｉめっき層５に拡散することによって第２Ｎｉめっき層５の電位Ｅ_３を上昇させることができ、これによってＡｕめっき層３と第２Ｎｉめっき層５との間の電位差ΔＥ_１−３をさらに小さくすることができ、耐食性の低下を防止することができるものである。
【００４２】
ここで、請求項８の発明により金属端子１を表面処理するにあたって、多数本の金属端子１を一体に設けたストリップ１０を長手方向に送りながら硫黄析出因子を含有するＮｉめっき浴に浸漬させることによって、まず金属端子１の表面に第１Ｎｉめっき層４を形成し、次いでストリップ１０を長手方向に送りながら硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき浴に浸漬することによって、第１Ｎｉめっき層４の表面に第２Ｎｉめっき層５を形成し、さらにストリップ１０を長手方向に送りながらＡｕめっき浴に浸漬させることによって、第２Ｎｉめっき層５の表面にＡｕめっき層３を形成するようにすれば、金属端子１の表面処理を効率的に行うことができるものである。また、上記ストリップ１０の全面に第１Ｎｉめっき層４、第２Ｎｉめっき層５及びＡｕめっき層３を形成する必要はなく、ストリップ１０に一体に形成してある金属端子１のみに第１Ｎｉめっき層４、第２Ｎｉめっき層５及びＡｕめっき層３を形成すればよい。従って、以上の点を踏まえて、金属端子１を表面処理するにあたっては、上述したような選択めっき（部分めっき）法を使用することができる。
【００４３】
すなわち請求項８の発明においても、請求項５の発明と同様に図６及び図７に示す選択めっき装置を使用することができる。第１Ｎｉめっき層４を形成するにあたっては、硫黄析出因子を含有するＮｉめっき液をめっき槽１２又はめっきセル１７内に貯えておけばよく、第２Ｎｉめっき層５を形成するにあたっては、硫黄析出因子を含有しないＮｉめっき液をめっき槽１２又はめっきセル１７内に貯えておけばよく、Ａｕめっき層３を形成するにあたっては、Ａｕめっき液をめっき槽１２又はめっきセル１７内に貯えておけばよい。また、第１Ｎｉめっき層４、第２Ｎｉめっき層５及びＡｕめっき層３の順にめっきを行えばいいだけであり、図６及び図７に示す選択めっき装置の使用法については既述のとおりであるので、これらの装置を用いて請求項８の発明を実施する場合の具体例の説明については省略することとする。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４５】
（実施例１）
Ｃｕ製の金属端子１の表面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成した後に、このＮｉめっき層２の表面にＡｕめっき層３を形成することによって、図１に示すような表面処理をした金属端子１を得た。Ｎｉめっき浴としては、光沢剤である荏原ユージライト（株）製「ＣＦ２４」を添加してある硫黄析出因子を含有しないワット浴を用いた。
【００４６】
（実施例２）
Ｃｕ製の金属端子１の表面に硫黄を含まないＮｉめっき層２を形成した後に、このＮｉめっき層２の表面にＡｕめっき層３を形成することによって、図１に示すような表面処理をした金属端子１を得た。Ｎｉめっき浴としては、上村工業（株）製「スルニックＡＭＴ」を用いた。
【００４７】
（実施例３）
Ｃｕ製の金属端子１の表面に第１Ｎｉめっき層４を形成し、次いで第１Ｎｉめっき層４の表面に第２Ｎｉめっき層５を形成し、しかる後に第２Ｎｉめっき層５の表面にＡｕめっき層３を形成することによって、図２に示すような表面処理をした金属端子１を得た。第１Ｎｉめっき層４を形成するためのＮｉめっき浴としては、スルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、第２Ｎｉめっき層５を形成するためのＮｉめっき浴としては、実施例１と同じものを用いた。
【００４８】
（実施例４）
Ｃｕ製の金属端子１の表面に第１Ｎｉめっき層４を形成し、次いで第１Ｎｉめっき層４の表面に第２Ｎｉめっき層５を形成し、しかる後に第２Ｎｉめっき層５の表面にＡｕめっき層３を形成することによって、図２に示すような表面処理をした金属端子１を得た。第１Ｎｉめっき層４を形成するためのＮｉめっき浴としては、スルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、第２Ｎｉめっき層５を形成するためのＮｉめっき浴としては、実施例２と同じものを用いた。
【００４９】
（比較例）
Ｃｕ製の金属端子１の表面に硫黄を含むＮｉめっき層８を形成した後に、このＮｉめっき層８の表面にＡｕめっき層３を形成することによって、図５に示すような表面処理をした金属端子１を得た。Ｎｉめっき浴としては、硫黄析出因子を含有するワット浴を用いた。
【００５０】
（亜硫酸ガス試験）
上記の実施例１〜４及び比較例において表面処理をした金属端子１について、亜硫酸ガス（ＳＯ_２）濃度１０ｐｐｍ、周囲温度４０℃、相対湿度９５％の雰囲気に放置する亜硫酸ガス試験を行った。結果は、比較例のものでは数１０時間で腐食が発生したが、各実施例のものでは１００時間経過時点でも腐食は発生しなかった。また、実施例１及び２のものよりも実施例３及び４のものの方が表面処理を高速に行うことができた。
【００５１】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る金属端子は、金属端子の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層を形成すると共に、このニッケルめっき層の表面にこのニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって表面処理するので、金属めっき層の電位が高いことによって、高い耐食性を得ることができると共に、ニッケルめっき層の電位と金属めっき層の電位との差が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、さらに高い耐食性を得ることができるものである。
【００５２】
また請求項２に係る金属端子は、金属端子の表面に硫黄を含む第１ニッケルめっき層を形成し、第１ニッケルめっき層の表面に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層を形成すると共に、第２ニッケルめっき層の表面に第２ニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって表面処理するので、金属めっき層の電位が高いことによって、高い耐食性を得ることができると共に、ニッケルめっき層の電位と金属めっき層の電位との差が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、さらに高い耐食性を得ることができるものである。
【００５３】
また請求項３の発明は、金属めっき層が貴金属めっき層であるので、硫黄を含まないニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有していることによって、高い耐食性を得ることができるものである。
【００５４】
また請求項４の発明は、貴金属めっき層の厚さが硫黄を含まないニッケルめっき層の厚さよりも薄いので、コストを削減することができると共に、たとえ貴金属めっき層にピンホールが発生してこのピンホールを通してニッケルめっき層が露出したとしても、貴金属めっき層の貴金属がニッケルめっき層に拡散することによってニッケルめっき層の電位を上昇させることができ、これによって貴金属めっき層とニッケルめっき層との間の電位差をさらに小さくすることができ、耐食性の低下を防止することができるものである。
【００５５】
また請求項５に係る金属端子の表面処理方法は、硫黄析出因子を含有しないニッケルめっき浴を用いて金属端子の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層を形成した後に、このニッケルめっき層の表面にこのニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって金属端子を表面処理するので、金属めっき層の電位が高いことによって、高い耐食性を得ることができると共に、ニッケルめっき層の電位と金属めっき層の電位との差が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、さらに高い耐食性を得ることができるものである。
【００５６】
また請求項６の発明は、ニッケルめっき浴として、硫黄析出因子を含有しないワット浴を用いるので、ニッケルめっき層に硫黄を析出させないようにすることができ、ニッケルめっき層の電位と金属めっき層の電位との差が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、十分に高い耐食性を得ることができるものである。
【００５７】
また請求項７の発明は、ニッケルめっき浴として、硫酸マグネシウム・７水塩、塩化ニッケル・６水塩及びホウ酸からなるめっき浴を用いるので、ニッケルめっき層に硫黄を析出させないようにすることができ、ニッケルめっき層の電位と金属めっき層の電位との差が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、十分に高い耐食性を得ることができるものである。
【００５８】
また請求項８に係る金属端子の表面処理方法は、硫黄析出因子を含有するニッケルめっき浴を用いて金属端子の表面に硫黄を含む第１ニッケルめっき層を形成し、次いで硫黄析出因子を含有しないニッケルめっき浴を用いて第１ニッケルめっき層の表面に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層を形成し、しかる後に第２ニッケルめっき層の表面に第２ニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって金属端子を表面処理するので、金属めっき層の電位が高いことによって、高い耐食性を得ることができると共に、第２ニッケルめっき層の電位と金属めっき層の電位との差が著しく小さくなり、これによって腐食速度が著しく遅くなることとなり、さらに高い耐食性を得ることができるものである。また、第１ニッケルめっき層を形成する際に硫黄析出因子を含有するニッケルめっき浴を用い、第１ニッケルめっき層に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層を形成することによって、表面処理を高速に行うことができ、金属端子の生産性を向上させることができるものである。さらに、貴金属めっき層は、硬い第１ニッケルめっき層に直接形成されるのではなく、軟らかい第２ニッケルめっき層に直接形成されることによって、表面処理後の金属端子の柔軟性を確保して品質向上を図ることができるものである。
【００５９】
また請求項９に係る金属端子の表面処理方法は、金属めっき層が貴金属めっき層であるので、硫黄を含まないニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有していることによって、高い耐食性を得ることができるものである。
【００６０】
また請求項１０に係る金属端子の表面処理方法は、貴金属めっき層の厚さが硫黄を含まないニッケルめっき層の厚さよりも薄いので、コストを削減することができると共に、たとえ貴金属めっき層にピンホールが発生してこのピンホールを通してニッケルめっき層が露出したとしても、貴金属めっき層の貴金属がニッケルめっき層に拡散することによってニッケルめっき層の電位を上昇させることができ、これによって貴金属めっき層とニッケルめっき層との間の電位差をさらに小さくすることができ、耐食性の低下を防止することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、表面処理後の金属端子の一部を拡大した断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、表面処理後の金属端子の一部を拡大した断面図である。
【図３】金属端子を一体に形成したストリップの一例を示すものであり、（ａ）は上記ストリップの一部の平面図、（ｂ）は上記ストリップの正面図、（ｃ）は（ｂ）におけるＡ部分を拡大した正面図、（ｄ）は（ｃ）におけるＤ方向矢視図、（ｅ）は（ｃ）におけるＣ−Ｃ矢視図、（ｆ）は（ｂ）におけるＡ部分をさらに拡大した正面図、（ｇ）は上記ストリップの一部を拡大した側面図、（ｈ）は（ｃ）におけるＢ−Ｂ矢視図である。
【図４】金属端子を一体に形成したストリップの他例を示すものであり、（ａ）は上記ストリップの一部の平面図、（ｂ）は上記ストリップの正面図、（ｃ）は（ｂ）におけるＢ部分を拡大した正面図、（ｄ）は（ｃ）におけるＣ−Ｃ矢視図、（ｅ）は（ｂ）のＢ部分におけるＥ方向矢視図、（ｆ）は（ｂ）のＢ部分におけるＦ方向矢視図である。
【図５】従来の技術の一例を示すものであり、表面処理後の金属端子の一部を拡大した断面図である。
【図６】選択めっき装置の一例を示す斜視図である。
【図７】選択めっき装置の他例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１金属端子
２ニッケルめっき層（硫黄を含まない）
３金属めっき層（金めっき層）
４第１ニッケルめっき層（硫黄を含む）
５第２ニッケルめっき層（硫黄を含まない）

Claims

金属端子の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層を形成すると共に、このニッケルめっき層の表面にこのニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって表面処理して成ることを特徴とする金属端子。
金属端子の表面に硫黄を含む第１ニッケルめっき層を形成し、第１ニッケルめっき層の表面に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層を形成すると共に、第２ニッケルめっき層の表面に第２ニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって表面処理して成ることを特徴とする金属端子。
金属めっき層が貴金属めっき層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の金属端子。
貴金属めっき層の厚さが硫黄を含まないニッケルめっき層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項３に記載の金属端子。
硫黄析出因子を含有しないニッケルめっき浴を用いて金属端子の表面に硫黄を含まないニッケルめっき層を形成した後に、このニッケルめっき層の表面にこのニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって金属端子を表面処理することを特徴とする金属端子の表面処理方法。
ニッケルめっき浴として、硫黄析出因子を含有しないワット浴を用いることを特徴とする請求項５に記載の金属端子の表面処理方法。
ニッケルめっき浴として、硫酸マグネシウム・７水塩、塩化ニッケル・６水塩及びホウ酸からなるめっき浴を用いることを特徴とする請求項５に記載の金属端子の表面処理方法。
硫黄析出因子を含有するニッケルめっき浴を用いて金属端子の表面に硫黄を含む第１ニッケルめっき層を形成し、次いで硫黄析出因子を含有しないニッケルめっき浴を用いて第１ニッケルめっき層の表面に硫黄を含まない第２ニッケルめっき層を形成し、しかる後に第２ニッケルめっき層の表面に第２ニッケルめっき層の電位よりも高い電位を有する金属めっき層を形成することによって金属端子を表面処理することを特徴とする金属端子の表面処理方法。
金属めっき層が貴金属めっき層であることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の金属端子の表面処理方法。
貴金属めっき層の厚さが硫黄を含まないニッケルめっき層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項９に記載の金属端子の表面処理方法。