JP2004187202A - 基板および該基板を用いたカメラモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】4層構造のリジット基板3の一面にプリプレグの接着材4を挟んでフレキ基板2を貼り合わせている。リジット基板3の第1〜第4パターン層5a〜5dはスルーホール6aにより、フレキ基板2のパターン5とリジット基板3のパターンはスルーホール6bで電気接続されている。パターン5および5dの上には絶縁層7が形成されている。反りやねじれの発生は抑制され、フレキ基板上に部品実装する構造のためフリップチップ実装が可能となる。1枚のリジット基板とフレキ基板の貼り合わせであるため基板を薄くすることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンポジットフレキ基板および該基板を用いたカメラモジュールに関する。
最初に本発明の名称に用いている「コンポジットフレキ基板」という用語は本発明ではリジット基板(樹脂基板,厚フレキ基板,セラミック基板などを含む)と片面フレキ基板を貼り合わた基板であると定義する。
【0002】
【従来の技術】
電子部品実装基板として両面フレキ基板と寸法が厚く硬いリジット基板を貼り合わせたリジットフレックス基板が用いられている。
図7は従来のリジットフレックス基板の一例を示す断面図である。
両面フレキ基板82の上下面から4層または2層構成のリジット基板80と81を貼り合わせることにより構成される。リジット基板80と81内のパターンおよびフレキ基板のパターン間は、スルーホールによって電気接続されている。
【0003】
このようなプリント基板において、通常、厚いリジット基板の片側のみに薄いフレキ基板を接着すると、リジット基板とフレキ基板の熱膨脹係数が異なることによる熱圧着後の収縮率の相違から反りやねじれが発生する。特に、リジット基板とフレキ基板の熱プレスによる貼り付け工程では、大きな基板を用いて生産性を上げているため反りなどが発生し易く、反りなどが発生した場合には、表面が平らでないため半田が均一に載らず部品の実装が不可能になる。
そこで従来のリジットフレックス基板は、硬質の厚い基板の間に薄い構成のフレキ基板を挟み込むことにより収縮時の応力が不均衡にならないようにして上述の反りやねじれを抑止し平面性を保っている。
【0004】
従来のリジットフレックス基板は、リジット基板を最小厚のもの(0.8mm)を用いたとしても上下の2枚のリジット基板にフレキ基板(50〜60μ)を重ね合わせた寸法は1.6mm以上になる。
また、リジットフレックス基板のフレキ基板は、ケーブルとしてのみの役割を果たすに過ぎず半導体素子(IC,撮像素子)や受動素子を搭載する面はリジット基板の表面層である。リジット基板には貫通孔が設置されており、この貫通孔が邪魔になることから、リジット基板表面に小さい電子部品(チップ,ICなどの小形部品)を搭載することは困難で、高密度実装(ファインのフリップチップ実装など)には適していない。ICに関して言えば、モールドパッケージ化またはセラミックパッケージ化したものまでで、ワイヤボンドによる半導体素子の搭載が限度であった。
【0005】
したがって、従来のリジットフレックス基板は、一定以上の狭いピッチのパターン形成は不可能であり、高密度実装による縦横方向の小型化および厚さ方向の小形化には限界があった。また、使用されているフレキ基板が両面パターンを有するものであるため、低価格化の障害にもなっていた。
【0006】
ところで、現状では携帯電話などの携帯通信装置やPDAなどの携帯情報端末はさらなる小形化の要請からその内蔵部品として用いられる基板の薄形化,高密度実装が望まれている。また、装置内蔵形カメラモジュールにおいても同様に小形化が進められている。
これを受けて基板に直接ベアチップを実装する方式等で小形化をすることが検討されている。
図8は、セラミック基板を用いたカメラモジュールの従来例を示す図である。セラミック基板(リジット基板)88の端部にフレシ基板89が接続されている。セラミック基板88の上面層には抵抗86,コンデンサ87が、下面層にはDSP90がそれぞれ搭載されている。さらに貫通孔92を挟んでレンズ部85,撮像素子91が実装されている。撮像素子91はバンプ93によりフリップチップ実装されている。
【0007】
上記従来例は電子素子搭載面はセラミック基板の上面であり、しかもフレキ基板は単に他の電子回路に電気接続するためのケーブルとしてしか用いられていない。また、フレキ基板を取り付けるセラミック基板の端部付近は、ケーブル接続で専有されているため、小形化を要求される携帯電話などにとってはデッドスペースとなる空間を確保しなければならない。
今後、さらにパターンのピッチ間隔が狭くなることを予想すれば、既存のリジットフレックス基板やフレキ基板をケーブルとて用いるセラミック基板では対応しきれなくなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述の問題を解決するために、リジットフレックス基板の薄形化を図るとともにパターンの狭ピッチによる高密度実装を実現しなければならない。そのためには高精細のフレキ基板の上に半導体チップをベアチップ実装できる構造にすることが必要である。
そこで、本件発明者は、反りやねじれの問題を解決する手段として、厚みのある基板より薄い構造のリジット基板にフレキ基板を貼り付ける構造にした方が、反りが少なくなることに着目した。
本発明の目的は、従来のリジットフレックス基板より小型で高密度実装ができ、ファインFC(フリップチィップ)実装にも対応可能にすることにより携帯通信装置や携帯情報端末の一層の小形化を押し進めることができる基板を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記基板を用いたカメラモジュールを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明による基板は、リジット基板と、前記リジット基板の最上層または最下層に貼り合わせたフレキ基板とからなり、前記フレキ基板に半導体素子をベアチップ実装可能に構成されている。
本発明における前記リジット基板は、樹脂基板,厚フレキ基板またはセラミック基板で構成されている。
本発明における前記リジット基板と前記フレキ基板のパターン層はスルーホールで電気接続して構成されている。
本発明における前記リジット基板は、2層以上のパターン層を有している。
本発明における前記半導体素子は撮像素子を用いることができる。
また、他の目的を達成するために本発明によるカメラモジュールは、貫通孔を有する請求項5記載の基板と、前記貫通孔を挟んで前記基板の両面にそれぞれ搭載したレンズ部および前記撮像素子とを備えて構成されている。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳しく説明する。
図1は、本発明によるコンポジットフレキ基板の第1の実施の形態を示す断面図で、ガラスエポキシ樹脂をベースにした4層構造のリジット基板を用いた例である。
リジット基板の厚みを薄く(例えば0.5t以下)することにより、リジット基板の片面のみの貼り合わせでも反りを吸収することができる。
リジット基板3はガラス布+エポキシ樹脂を材料としており、第1パターン層5a,第2パターン層5b,第3パターン層5c,第4パターン層5dを有している。各パターン層はスルーホール6aにより電気接続されている。
【0011】
フレキ基板2はポリイミド樹脂がベースであり、その表面にパターン5が形成されている。フレキ基板2はプリプレグ(接着剤)4をリジット基板3の間に挟み込み熱プレスすることによりリジット基板3の上に貼り付けられる。
フレキ基板2のパターン5とリジット基板3のパターン5a〜5dとの間はスルーホール6bにより電気接続されている。フレキ基板2のパターン5とリジット基板3の第4パターン層5dの上には絶縁層7が形成されている。
【0012】
リジット基板の薄形化は、プリプレグ(ガラス布+エポキシ樹脂)の薄形化と処理技術の向上により実現している。これにより0.35t厚程度のリジット基板の製造が可能となっている。
例えば4層板を作る場合、1層目の銅泊と2層目を接着するプリプレグの厚さを薄くしている。一般にプリプレグの厚は60μ〜100μであるが、厚を最小できるような材質が選定される。
【0013】
また、プリプレグは回路構成する場合のインピーダンスをコントロールする役割も果しており、速いクロックラインで信号を送る際、プリプレグの厚さが信号線の速度に影響を与える。したがって、パターン設計にあたって、プリプレグの厚みが薄くて良い回路設計を行う。すなわちプリプレグが薄くなってきて誘電率変化に対しても効果を出すような回路を作る。
パターンのアートワークにおいても、1層目のパターンを信号線,2層目のパターンを電源層,3層目のパターンをグランド層,4層目のパターンを信号線にするというような構成が採用されるが、回路の設計方法によってもプリプレグの厚さが異なってくるため、パターン層の配置なども重要になる。
【0014】
このようにリジット基板3を薄く作ることができるため、片面のフレキ基板2をリジット基板3の上面にのみ貼り付けても反りやねじりを抑制でき、ポリイミドを用いた狭ピッチパターン構成のフレキ基板2の上にベアチップ実装(フリップチップ実装)が可能となり、高密度に電子部品を搭載することができる。
リジット基板3の厚さは例えば0.5mm〜0.35mm以下に作ることができ、例えば0.5mmのリジット基板を用いれば、接着剤4,フレキ基板2の厚さを加えても0.5mm強の厚さにすることができる。
【0015】
図2は、本発明によるコンポジットフレキ基板の第2の実施の形態を示す断面図で、ガラスエポキシ樹脂をベースにした2層構造のリジット基板を用いた例である。
この実施の形態は、2層構造のリジット基板13を用いることにより図1のコンポジットフレキ基板1よりさらに薄形にしている。
第1パターン層15aと第2パターン層15bの間はスルーホール16aにより電気接続されている。パターン15が形成されたフレキ基板12はプリプレグ14により熱硬化接続される。パターン15とパターン層15a,15bの間はスルーホール16bにより電気接続されている。パターン15とパターン層15bの上には絶縁層17が形成されている。
【0016】
図3は、本発明によるコンポジットフレキ基板の第3の実施の形態を示す断面図で、リジット基板として厚フレキ基板を用いた例である。
この実施の形態は、リジット基板が2層である図2のコンポジットフレキ基板11よりさらに薄くしたものである。
リジット基板として厚フレキ基板23を用いた点を除いてパターン層25a,25b,25,フレキ基板22,接着剤24および絶縁層27の構成は図2の同機能部分と同じ構成である。厚フレキ基板としてはポリイミド樹脂が用いられる。
【0017】
図4は、本発明によるコンポジットフレキ基板の第4の実施の形態を示す断面図で、リジット基板としてセラミック多層基板を用いた例である。
この実施の形態はHTCC(High Temperature Cofired Ceramic )セラミック基板の上下にフレキ基板を貼り付けて耐衝撃性の向上を図ったものである。
セラミック基板33の上層には抵抗体39が形成され、その上面にはフレキ基板32が接着剤34により貼り付けられている。また、セラミック基板33の下層にもフレキ基板38が接着剤37により貼り付けられている。フレキ基板32および38のパターン35とセラミック基板33のパターンとの間はスルーホール36により電気接続されている。フレキ基板32および38に形成されているパターン35の上には絶縁層37が形成されている。
実施の形態2,3および4についてもフレキ基板の上に電子部品を実装できる構成であるので、高密度のフリップチップ実装が可能であり、小形化が可能となる。
【0018】
図5A〜Dは、本発明によるコンポジットフレキ基板の製造方法を示す工程図である。エポキシガラス樹脂をベースにした4層のリジット基板にフレキ基板を貼り付けたコンポジットフレキ基板は以下の工程によって製造される。
〔1〕エポキシ樹脂含浸のガラス布の基板41の両面に銅箔42がラミネートされた銅張り積層板(コア材)を準備する。
〔2〕銅箔42の表面に感光性ドライフィルム43を貼り付ける。
〔3〕UV光により、マスクを使用してドライフィルム43にパターンなどを描画する。光の照射部44が可溶性の部分である。
〔4〕光の照射された部分のドライフィルム45を薬液で除去する。
〔5〕ドライフィルム残存部45をマスクとして銅箔42の薬液によるエッチングおよび水洗浄を行う。
〔6〕ドライフィルム残存部45を薬液により除去し、水洗する。
以上により基板41の上下面に第2パターン層46と第3パターン層47が形成される。
【0019】
つぎに第1層目と第4層目のパターン形成およびフレキ基板の積層の工程を説明する。
〔7〕第2および第3パターン層が形成された基板の両面にプリプレグ(ガラス布+エポキシ樹脂)49と銅箔48を積み重ねる。
〔8〕熱プレスして第2および第3パターン層が形成された基板の上にプリプレグ,銅泊を貼り付け4層のリジット板を形成する。
〔9〕4層のリジット板にスルーホール(TH)の孔50を開ける。
〔10〕4層のリジット板のTHにメッキ51を施す。このとき表面層にもメッキが付着する。
〔11〕工程〔1〕〜〔6〕と同様にリジット板の表層エッチングを行い第1のパターン層53を形成する。
〔12〕リジット板のTHを樹脂54で埋める。
〔13〕リジット板にエポキシ接着剤56を介してポリイミドフィルム58および銅泊57よりなる片面フレキ板55を積み上げる。
〔14〕熱プレスによりリジット板と片面フレキ板を積層しコンポジット板を形成する。
〔15〕NCによりコンポジット板に貫通孔59を形成する。
【0020】
〔16〕コンポジット板にTHメッキ60を施す。このとき表面層にもメッキが付着する。
〔17〕工程〔1〕〜〔6〕と同様にコンポジット板の表層エッチングを行い、フレキ基板65の上にパターン層61を、リジット板の下面にパターン層68を形成する。
〔18〕リジット板のTH66を樹脂62で埋める。
〔19〕ソルダー・レジスト67塗布し、露光する。
〔20〕ソルダー・レジスト67を現像洗浄して露光部63を取り除き、表面処理のNi+Auメッキ64を施す。
以上により4層リジット基板と片面フレキ基板を積層したコンポジットフレキ基板が完成する。
【0021】
図6は、本発明によるカメラモジュールの実施の形態を説明するための図である。
樹脂またはセラミック基板などのリジット基板72の下面に片面フレキ基板71を貼り合わせたコンポジットフレキ基板が用いられる。
リジット基板72には貫通孔75が設けられており、上面右側には抵抗R,コンデンサCが搭載されている。
コンポジットフレキ基板の裏面の片面フレキ基板71のパターン面は微細であり、フリップチップ実装などの高密度実装が可能となっている。
【0022】
貫通孔75を挟んで上面にはレンズ部70が搭載され、下面には撮像素子74がフリップチップ実装される。下面にはさらにDSPなどのIC73が実装される。カメラモジュールにコンポジットフレキ基板を用いているため、高密度実装が可能となってXY方向の面積を小さくすることができ、しかも、リジットフレックス基板より薄いコンポジットフレキ基板を実現できるため、厚さも薄くすることができ、カメラモジュールの小形化を実現できる。
【0023】
本発明の効果を羅列すると、以下のような種々の効果を得ることができる。
▲1▼微細フレキ基板を表層に形成しているので、FC(フリップチップ)実装の狭ピッチのベアチップ実装が可能となる。
▲2▼片面構成のフレキ部を用いているので、従来のリジットフレックス基板より低コストで製造が可能である。
▲3▼HTCCなどのセラミック基板を片面フレキで上下を挟み込むことにより耐衝撃性を向上させることができる。
▲4▼コンポジットフレックス基板を用いたカメラモジュールの小形化を実現できる。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば従来のリジットフレックス基板より小形のコンポジットフレキ基板を実現でき、カメラモジュールもさらなる小形化を押し進めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるコンポジットフレキ基板の第1の実施の形態を示す断面図で、4層構造のリジット基板を用いた例である。
【図2】本発明によるコンポジットフレキ基板の第2の実施の形態を示す断面図で、2層構造のリジット基板を用いた例である。
【図3】本発明によるコンポジットフレキ基板の第3の実施の形態を示す断面図で、リジット基板として厚フレキ基板を用いた例である。
【図4】本発明によるコンポジットフレキ基板の第4の実施の形態を示す断面図で、リジット基板としてセラミック多層基板を用いた例である。
【図5A】本発明によるコンポジットフレキ基板の製造方法を示す工程図で、リジット基板の内層形成工程を示す図である。
【図5B】本発明によるコンポジットフレキ基板の製造方法を示す工程図で、リジット基板の外層形成工程を示す図である。
【図5C】本発明によるコンポジットフレキ基板の製造方法を示す工程図で、フレキ基板とリジット基板の積層工程の前半部を示す図である。
【図5D】本発明によるコンポジットフレキ基板の製造方法を示す工程図で、フレキ基板とリジット基板の積層工程の後半部を示す図である。
【図6】本発明によるカメラモジュールの実施の形態を説明するための図である。
【図7】従来のリジットフレックス基板の一例を示す断面図である。
【図8】リジット基板を用いたカメラモジュールの従来例を示す図である。
【符号の説明】
1,11,21,31 コンポジットフレキ基板
2,12,22,32 フレキ基板
3,13 リジット基板
4,14,24,34 接着剤(プリプレグ)
5,15,25,35 パターン(銅泊)
6a,6b,16a,16b,26a,26b,36 スルーホール
7,17,27,37 絶縁層
23 厚フレキ基板
33 セラミック基板(HTCC基板)
Claims (6)
- リジット基板と、
前記リジット基板の最上層または最下層に貼り合わせたフレキ基板とからなり、
前記フレキ基板に半導体素子をベアチップ実装可能に構成したことを特徴とする基板。 - 前記リジット基板は、樹脂基板,厚フレキ基板またはセラミック基板で構成したことを特徴とする請求項1記載の基板。
- 前記リジット基板と前記フレキ基板のパターン層はスルーホールで電気接続したことを特徴とする請求項1または2記載の基板。
- 前記リジット基板は、2層以上のパターン層を有することを特徴とする請求項2記載の基板。
- 前記半導体素子は撮像素子であることを特徴とする請求項1,2,3または4記載の基板。
- 貫通孔を有する請求項5記載の基板と、
前記貫通孔を挟んで前記基板の両面にそれぞれ搭載したレンズ部および前記撮像素子と、
を備えたことを特徴とするカメラモジュール。
Priority Applications (1)
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JP2002354737A JP2004187202A (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 基板および該基板を用いたカメラモジュール |
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Publications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017010834A1 (ko) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈 |
-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002354737A patent/JP2004187202A/ja active Pending
Cited By (2)
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WO2017010834A1 (ko) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈 |
US10558108B2 (en) | 2015-07-15 | 2020-02-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Camera module |
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