JP2004172494A

JP2004172494A - 基板支持装置およびそれを備えた半導体製造装置

Info

Publication number: JP2004172494A
Application number: JP2002338496A
Authority: JP
Inventors: Yoshihito Hara; 義仁原; Hidenobu Kimoto; 英伸木本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-11-21
Filing date: 2002-11-21
Publication date: 2004-06-17

Abstract

【課題】基板の静電破壊を防止するとともに、基板を清浄且つ高純度な状態でキズを付けずに保持することが可能な基板支持装置を提供する。
【解決手段】本発明において、基板１と接触する支持部４は、基板支持を目的とした内側の導電性支持部材の内部支持部６と、それを覆う筒形状で剥離帯電の防止及び内部支持部６からの発塵の拡散を防止した外側の筒状部材の外部支持部５との２重構造である。外部支持部５は支持本体２とバネなどの伸縮部３を介して接合されている。これにより、例えば、熱処理時およびその他の処理部間の搬送時及び処理部間での基板の受け渡し時に起こる基板１の帯電が防止されるのでスパークが発生しない。また、基板１と支持部４の接触による発塵の拡散を防止し、外部支持部５に格納することができる。この結果、基板１の静電破壊と発塵の防止が出来、製品の歩留まり向上に貢献できる。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を支持する基板支持装置およびそれを備えた半導体製造装置に関し、特に基板の帯電を防止すると共に、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく基板の支持が可能な基板支持装置およびそれを備えた半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、各工程において、基板を清浄に維持し、基板に損傷を与えないことが重要となる。また、各工程における基板の受け渡し時も同様に、基板に損傷を与えないことが重要となる。
【０００３】
このため、清浄でキズのない基板を各製造工程の処理室に移動するには、静電気などによって基板の帯電を防止した基板支持装置が重要な役割を果たす。
【０００４】
基板支持装置においては、基板支持部が導電性材料からなる場合の有効性は既知の通りである。すなわち、基板支持部は絶縁性材質で形成されていた場合、摩擦による静電気で基板に帯電し、空気中の埃等の微粒子を寄せ付け汚染させ、また電位差によるスパークで基板に損傷を与えるという問題点を有していた。
【０００５】
そこで、この問題点を解決するための手段として、炭素を含有した導電性ポリイミド樹脂や導電性セラミックなどの導電性材料を使用することで、基板の電位差を無くしスパークの回避をしている（例えば、下記特許文献１〜６）。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−３６２０７号公報（公開日１９９７年２月７日）
【０００７】
【特許文献２】特許第２９６３２１０号（発行日１９９９年１０月１８日）
【０００８】
【特許文献３】特開平９−３６２０７号公報（公開日１９９７年２月７日）
【０００９】
【特許文献４】特開平８−２８８１９０号公報（公開日１９９６年１１月１日）
【００１０】
【特許文献５】特開２０００−７７５０７号公報（公開日２０００年３月１４日）
【００１１】
【特許文献６】特開２００１−２４４２４３号公報（公開日２００１年９月７日）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら従来の方法は、以下の問題点を有している。
【００１３】
すなわち、基板支持部に炭素、例えばグラファイトやカーボン繊維を樹脂に混ぜ込む工法において幾つかの成型方法があるが、いずれにしても表面抵抗、体積抵抗を安定した値に保つ事ができなかった。そのため、完全には基板の帯電を無くすことは出来ず、スパーク不良も散見されるという問題点を有している。これは成型体内で炭素成分の粒度や分散状態に均一性が確保できない為、基板支持部の導電状態が不安定になっていると考えられる。
【００１４】
また、使用を重ねるにあたり、導電性樹脂、導電性セラミックなどからなる基板支持部は、基板との接触による磨耗が激しく、基板支持部からの発塵が回避できない。その結果、基板が汚染するという問題点も有している。
【００１５】
また、基板支持部の磨耗が激しくなると、初期の状態と磨耗発生後の表面抵抗、体積抵抗にも変化が見られ、更に不安定な導電状態になってしまう。このため、基板の帯電を無くすことは非常に困難であるという問題点も有している。
【００１６】
本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電気などによる基板の帯電を防止すると共に、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持し得る基板支持装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板支持装置は、上記の課題を解決するために、基板を支持する基板支持手段を備え、基板と接触する部分が導電性材料からなる基板支持装置であって、上記基板支持手段は、上記基板支持手段を支持する支持本体と、基板と接触し実質的に基板を支持する支持手段と、上記支持本体と上記支持手段とを接続し、伸縮することにより上記支持本体と支持手段との距離を変化させる伸縮手段とを含んでいることを特徴としている。
【００１８】
上記の構成によれば、基板を支持する基板支持手段が、支持本体と支持手段と伸縮手段とを含んでいる。このため、基板支持手段が基板方向に移動して基板と支持手段とが接触すると、次第に伸縮手段が収縮し、支持手段が基板を支持する。これにより、基板と基板支持手段との摩擦を軽減できるので、静電気などによる基板の帯電を防止することができる。さらに、基板の帯電による基板への埃などの付着も防止できるので、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持することができる。
【００１９】
このように、上記の構成によれば、剥離帯電が発生しやすい基板支持手段は、伸縮手段を含んでいるので、剥離帯電が起こる急速な変化や磨耗を抑えることができる。なお、従来のように伸縮手段を備えない、導電性支持部のみからなる基板支持手段では、完全な剥離帯電を防止することはできない。
【００２０】
本発明の基板支持装置は、上記の課題を解決するために、上記支持手段は、内部支持手段と外部支持手段とからなる２重構造で形成され、上記内部支持手段は、基板に接触する内部接触手段と、上記支持本体に接続される内部支持本体とを含み、上記外部支持手段は、上記内部支持手段を被覆する構成であってもよい。
【００２１】
上記の構成によれば、支持手段が内部支持手段と外部支持手段とからなる２重構造である。すなわち、内部支持手段は外部支持手段に収容された構造であり、外部支持手段が、内部支持手段を被覆している。
【００２２】
これにより、たとえ、内部支持手段と基板とが接触して、内部支持手段から磨耗発塵が発生したとしても、内部支持手段は外部支持手段によって被覆されているので、磨耗発塵は外部支持手段の内部に回収される。したがって、磨耗発塵を外部支持手段によって回収することができる。その結果、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持することができる。
【００２３】
また、支持手段と基板とが接触すると、まず、外部支持手段と基板とが接触する。続いて、伸縮手段が収縮することにより、内部支持手段と基板との距離が近づき、やがて内部支持手段と基板とが接触する。これにより、基板は外部支持手段と内部支持手段とによって支持される。
【００２４】
このように、支持手段と基板との接触時には、外部支持手段と基板とが接触した後、内部支持手段と基板とが接触して、基板を支持する。一方、支持した基板から支持手段が離れる時には、内部支持手段が基板から離れた後、外部支持手段が基板から離れる。
【００２５】
したがって、内部支持手段が基板と接触する時には、外部支持手段によって内部支持手段と基板との間の空気の流れが遮断されている。これにより、静電気の発生を防止できるので、基板の帯電を防止できる。
【００２６】
このように、外部支持手段および内部支持手段は基板を支持するものであり、外部支持手段は、さらに剥離帯電の防止および内部支持手段からの発塵の拡散を防止する役割も果たす。
【００２７】
本発明の基板支持装置は、上記の課題を解決するために、上記内部支持手段は、導電性材料からなる構成であってもよい。
【００２８】
上記の構成によれば、内部接触手段と内部支持本体とを含む内部支持手段が導電性材料で形成されている。すなわち、内部支持手段と支持本体とが電気的に接続される。これにより、例えば、基板が静電気により帯電している場合、それによる電荷を、内部支持手段を介して支持本体に確実に逃すことができる。
【００２９】
さらに、内部支持手段として、例えば、従来は基板との磨耗が激しく基板を汚染させる原因となっている導電性樹脂を用いたとしても、外部支持手段によってその発塵を回収することができる。その結果、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持することができる。
【００３０】
本発明の基板支持装置は、上記の課題を解決するために、上記伸縮手段は、上記外部支持手段と基板との非接触時には、当該外部支持手段が上記内部接触手段を被覆するように伸長し、上記外部支持手段と基板との接触時には、上記内部支持手段が基板に接触するまで収縮する構成であってもよい。
【００３１】
換言すれば、上記伸縮手段は、常に上記外部支持手段の高さが、上記内部支持手段の高さ以上となるように伸縮する構成ということもできる。
【００３２】
上記の構成によれば、外部支持手段と基板との非接触時には、外部支持手段が内部支持手段を被覆するように、伸縮手段は伸長した状態となる。一方、外部支持手段と基板との接触時には、内部支持手段が基板と接触するまで、伸縮手段は収縮する。
【００３３】
すなわち、外部支持手段が基板に接触すると、伸縮手段が次第に収縮して、最終的に内部支持手段も基板に接触する。その結果、外部支持手段と内部支持手段とによって、基板が支持される。
【００３４】
一方、外部支持手段と内部支持手段とが基板から離れる場合、伸長手段は上記接触する場合とは逆の動作を行う。すなわち、まず収縮した伸縮手段が伸長することにより、内部支持手段のみが基板から離れる。このとき、外部支持手段は、基板と接触している。続いて、伸長手段がさらに伸長することにより外部支持手段と基板とが離れる。
【００３５】
ところで、静電気による基板の帯電は、基板を支持する支持手段の移動による空気の摩擦や、基板から支持手段が離れる際の剥離帯電が大半を占める。このため、内部支持手段が導電性樹脂などから形成されていると、導電性が不安定になり、静電気が発生しやすくなる。
【００３６】
しかし、上記の構成によれば、支持手段が基板と接触する時には、外部支持手段が基板と接触した後、内部支持手段が基板に接触する。その結果、外部支持手段が先に基板と接触することにより、内部支持手段と基板との間の空気の流れを遮断することができ、空気との摩擦をなくすことができる。これにより、静電気の発生を抑制することができ、基板の帯電を防止することができる。
【００３７】
さらに、上記の構成によれば、支持手段が基板から離れる時には、内部支持手段のみが基板から離れた後、外部支持手段が基板から離れる。その結果、内部支持手段のみが先に基板から離れることにより、内部支持手段と基板との間が瞬間的に真空状態を保つことができる。これにより、帯電の元となる空気層を無くすことができる。さらに、静電気の発生を抑制することができ、基板の帯電を防止することができる。
【００３８】
本発明の基板支持装置は、上記の課題を解決するために、上記内部支持手段の内部接触手段が、絶縁物の表面を導電性膜によって被覆したものであって、当該導電性膜は、スパッタリング法、蒸着法または厚膜ディピング法によって形成されている構成であってもよい。
【００３９】
上記の構成によれば、基板と接触する内部接触手段が、スパッタリング法、蒸着または厚膜ディピングによって形成された導電性薄膜である。
【００４０】
これにより、基板の帯電による電荷を確実に逃し、剥離帯電を防止することができる。
【００４１】
本発明の基板支持装置は、上記の課題を解決するために、上記外部支持手段は、導電性材料からなる構成であってもよい。
【００４２】
上記の構成によれば、外部支持手段が導電性材料から形成されている。外部支持手段は伸縮手段を介して支持本体に接続されている。したがって、内部支持手段のみが基板から離れた場合に、弱い帯電が基板に残っていたとしても、外部支持手段は基板に接触しているので、外部支持手段から伸縮手段を経て支持本体に電荷を逃すことができる。
【００４３】
本発明の基板支持装置は、さらに、上記伸縮手段と支持本体との間に、上記伸縮手段を収容する収容手段を備えている構成であってもよい。
【００４４】
支持手段が導電性樹脂や導電性セラミックスからなる場合、基板との接触による磨耗が激しくなる。その結果、支持手段からの発塵を回避できなくなり、基板が汚染される。
【００４５】
上記の構成によれば、収容手段が伸縮手段を収容する。収容手段は、伸縮手段と支持本体との間に備えられる。これにより、たとえ、支持手段と基板とが接触することにより支持手段から発塵が発生したとしても、その発塵を収容手段によって回収することができる。その結果、外部支持手段と収容手段とにより、発塵による基板の汚染を確実に回避することができる。
【００４６】
本発明の半導体製造装置は、上記の課題を解決するために、上記いずれかの基板支持装置を複数備えていることを特徴としている。
【００４７】
上記の構成によれば、上記半導体製造装置は、本発明の基板支持装置を複数備えている。これにより、静電気による基板の帯電を防止すると共に、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持し得る半導体製造装置を提供することができる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図１ないし図５に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。以下では、一例として、本発明の基板支持装置を備えた半導体製造装置について説明することとする。
【００４９】
本実施形態の半導体製造装置は、例えば、図２に示すようなスパッタリング装置において使用される。図２は、スパッタリング装置の各処理室の一例を示す平面図である。
【００５０】
図２に示すスパッタリング装置は、中央部にＴＯ／ＣＨ処理室と、その周囲に４つのＳ／ＣＨ処理室と、２つのＬ／ＣＨ処理室から構成されている。なお、ＴＯ／処理室およびＳ／ＣＨ処理室では、成膜の処理を行う。Ｌ／ＣＨ処理室は、図示しない加熱部と冷却部とを備え、基板１の加熱と冷却とを行う。
【００５１】
図２の構成における一連の流れを説明すると、大気中の基板１は、まずＬ／ＣＨ処理室を経由してＴＯ／ＣＨ処理室で基板移載が行われ、Ｓ／ＣＨ処理室で所定の処理が行われ、ＴＯ／ＣＨ処理室にて取り出され、Ｌ／ＣＨ処理室に運ばれる。
【００５２】
具体的には、図２のスパッタリング装置の各処理室における処理は、図示しない基板１を大気中からＬ／ＣＨ処理室に移載して加熱処理を行い、図４に示す基板受け渡し用ロボットによりスパッタリング処理室Ｓ／ＣＨに移載される。Ｓ／ＣＨ処理室でのスパッタリング処理終了後、再び基板受け渡し用ロボットによって処理済の基板１をＳ／ＣＨ処理室から取り出す。そして、ＴＯ／ＣＨ処理室を経由して基板１をＬ／ＣＨ処理室へ運び、基板１を冷却する。冷却後、基板１を大気中に出す。
【００５３】
Ｌ／ＣＨ、Ｓ／ＣＨの各処理室には、図示しない基板載置部が存在する。前述のように、ＴＯ／ＣＨ処理室には図４に基板受け渡し用ロボットが存在する。Ｓ／ＣＨ処理室には、図３に示すような基板昇降支持機構（基板支持装置）がある。図３に示す基板支持装置は、複数の基板支持部（基板支持手段）１０を備えている。Ｓ／ＣＨ処理室では、基板昇降支持機構が、ＴＯ／ＣＨ処理室の基板受け渡し用ロボットから基板を受け取る。その後、基板を支持した基板昇降支持機構から、Ｓ／ＣＨ処理室にある基板載置部に基板が移載される。なお、図３の基板昇降支持機構は、本発明の基板支持部１０を複数備えた半導体製造装置ということもできる。
【００５４】
本実施の形態にかかる基板支持部を備えた基板支持装置の説明を行う。図１の基板支持部は、図示しない昇降部の稼働によって基板１を保持し、基板１を図２に示すスパッタリング装置のＬ／ＣＨ処理室の加熱載置台（図示せず）に移す。またＳ／ＣＨスパッタリング処理室でも同様に昇降部の稼働によって基板１を保持し処理台（図示せず）に移す。
【００５５】
図１は、本発明にかかる基板支持装置に備えられる基板支持部１０（図３参照）の構成と、基板支持部と基板とが接触する動作を示す平面図である。
【００５６】
図１に示すように、本基板支持装置の基板支持部（基板支持手段）は、基板支持部の本体となり基板支持部を支持する支持本体２、伸縮部（伸縮手段）３、および支持部（支持手段）４から構成されている。
【００５７】
支持本体２は、金属からなり基板支持部の本体となり基板支持部を支持する。伸縮部３は、例えば、バネなどからなり、基板１における基板支持部との接触面に対してほぼ鉛直方向に伸縮可能であり、支持本体２と支持部４との距離を変化させる。
【００５８】
支持部４は、基板１と接触し、実質的に基板１を支持する。支持部４は、外部支持部（外部支持手段）５と内部支持部（内部支持手段）６とからなり、内部支持部６が外部支持部５に被覆された２重構造である。内部支持部６は、さらに基板１と接触し基板１を支持する内部接触部７と、支持本体２に接続される内部支持本体８とから構成される。なお、外部支持部５と内部支持部６とは、電気的に導通しており、導電位である。すなわち、支持本体２と外部支持部５と内部支持部６とが電気的に導通しており、導電位である。
【００５９】
本発明の半導体製造装置は、このような基板支持部を複数備え、基板１を支持する。ここで、本発明の特徴部分である基板支持部と基板１とが接触する動作ついて、図１に基づいて説明する。
【００６０】
図１の左図に示すように、基板支持部４と基板１とが接触していない定常状態では、伸縮部３が伸びた状態となっている。次に、図１の中央図に示すように、図示しない基板昇降部によって、基板支持部が基板１方向に上昇すると、まず、基板１と外部支持部５とが接触する。このとき、内部支持部６は、基板１と接触していない。
【００６１】
外部支持部５が基板１に接触すると、伸縮部３が次第に収縮し、徐々に内部支持部６の内部接触部７と基板１との距離が近づく。この間、基板１は、外部基板支持部６に保持されながら徐々に上昇する。伸縮部３が収縮していくと、図１の右図に示すように、最終的には内部接触部７と基板１とが接触する。その結果、基板１は、外部基板支持部５と内部基板支持部６とによって保持されることになる。
【００６２】
保持された基板１が、基板支持部と離れていく場合の状態は、上記接触する場合と逆の状態となる。すなわち、伸縮部３が次第に伸長することにより、まず、内部支持部６の内部接触部７と基板１とが離れる。このとき、外部基板支持部３は、基板１と接触している。
【００６３】
さらに、伸縮部３が伸長していくと、次第に外部支持部５が離れていき、完全に基板１と離れた状態となり、定常状態に戻る。
【００６４】
本実施形態では、内部接触部７の先端の高さは、常に外部支持部５の高さ以下となるように設定しているので、内部支持部６のみで基板１を保持することはない。すなわち、常に外部支持部５と内部支持部６とにより基板１を支持する。なお、外部支持部５と内部支持部６とにより基板を支持した後、さらに伸縮部３が収縮して内部支持部６のみで基板１を支持するようにすることもできる。
【００６５】
ところで、静電気による帯電は、基板１を保持した基板支持部の移動による空気の摩擦や、基板１から基板支持部が離れる際の剥離帯電がある。しかし、本実施形態では、基板支持部は、外部支持部６を有しているので、基板１と内部基板支持部との間の空気の流れを遮断することができる。その結果、空気と基板１との摩擦を無くすことができる。
【００６６】
また、基板１から基板支持部が離れる時（すなわち、リフトオフ時）には、基板１と内部基板支持部との間を、瞬間的に真空状態とする。これにより、帯電の元となる空気層がなくなるため、基板１の帯電を防止できる。なお、このとき、基板１に弱い帯電が残っていたとしても、外部支持部５と基板１とが接触を続けているので、外部支持部５を通じて、支持本体２に帯電による電荷を逃すことができる。
【００６７】
なお、基板支持部の形状は、図１では、外部支持部５として円筒型の支持部を、内部支持部６として円柱型の支持部を使用したが、それらの形状は特に限定されるものではなく、角柱や多角形であってもよい。また、外部支持部５（例えば、円筒型の支持部を使用する場合など）は、長さも長い程支持本体２との密閉性が優れ、基板１の帯電防止に有効である。
【００６８】
また、外部支持部５および内部支持部６は、導電性材料からなるものであればよい。ここで、上記導電性材料としては、例えば、金属、導電性ポリマー、導電性ポリマーと熱硬化性樹脂との混合剤、絶縁物の表面が導電性膜で被覆された構成、などを挙げることができる。
【００６９】
例えば、内部支持部６を覆う外側の管などからなる外部支持部５として、ステンレス材の筒管、金属や樹脂、セラミックなどの導電性材料であれば特に限定されるものではない。
【００７０】
同様に、内側の導電性支持部材からなる内部支持部６は、グラファイトを含有したポリイミド樹脂の成型品、絶縁物にスパッタリング法や蒸着法、ディッピング法等で導電性材料の薄膜を形成し、絶縁物の表面をコートして形成するようにしてもよい。
【００７１】
なお、基板１にキズを付けずに導電性を確保するには、導電性材料として、金属製やセラミック製支持部材ではなく、例えば炭素を含有した樹脂材料などの導電性ポリマーやその混合物、導電性膜により絶縁物を被覆した構成であることが好ましい。
【００７２】
したがって、２重構造から成る図１の支持部の構成は、例えば、グラファイトなどの炭素を含有した導電性ポリイミド樹脂からなり基板支持を目的とした内部支持部６と、それを覆う形でステンレスなどの金属から成る筒状の外部支持部５とから形成される。そして外部支持部５は、ばね（伸縮部）３を介して金属からなる支持本体２と接合している。内部支持本体３も支持本体２に接続されているので、支持本体２と外部支持部５および内部支持部６は電気的に導通しており、同電位となる。
【００７３】
また、内部支持部６が導電性樹脂から形成されると、基板１との接触による磨耗は避けられない。しかしながら、内部支持部６は外部支持部５に覆われているので、磨耗発塵による汚染を回避することができる。この場合、磨耗発塵は、外部支持部５の内部に回収される。また、内部支持部６を、外部支持部５の外に出ることがないようにすれば、内部支持部６から発生する発塵や埃等を、確実に外部支持部５の内壁に格納させることができるのである。
【００７４】
本発明の基板支持装置または半導体製造装置によって支持される基板１は、ガラスに限定されるものではなく、ＩＣなどのウエハ基板やＣＤ基板等の他の基板についても適用が可能である。
【００７５】
また、本実施形態では、半導体製造装置として、スパッタリング処理を行う例について説明したが、その他にも、例えば、真空装置である真空蒸着、イオンプレーティング、プラズマエッチング、プラズマＣＶＤ、イオン注入装置等に限らず、大気中のフォトリソグラフィやベーク炉、加熱オーブン、洗浄装置及び基板搬送用カセットの支持部材にも適用可能である。
【００７６】
また、本発明にかかる基板支持部は、図５に示すように、図１の基板支持部の構成に加えて、伸縮部３と支持本体２との間に、伸縮部３を収容する収容部９（収容手段）を備えている構成であってもよい。
【００７７】
すなわち、図５に示すように、基板１と外部支持手段５とが接触して伸縮部３が収縮すると、伸縮部３が収容部９に収容される構成である。前述のように、支持部４が導電性樹脂や導電性ポリマーであると、基板１との接触により、磨耗発塵が生じる。その結果、基板１が汚染されてしまう。しかし、収容部９を設けることにより、この発塵を回収できるので、一層基板１の汚染を確実に防止できる。
【００７８】
以上のように、本発明にかかる基板支持部は、基板と接触しない時は、外周の筒管（外部支持部）５は、ばね（伸縮部）３が伸びきった状態で内側の導電性支持部材（内部支持部）６を覆っている。基板１との接触においては先に外周の筒管（外部支持部）５が接触し、ばね３が縮み基板１には弱い力で接触を続け、そして内側の支持部材６が基板１と接触し基板１を保持する。その際、外側の筒管５も基板１と弱い力で接触を続けている。基板１から基板支持部が離れる時は、先に内側の支持部材６が基板から離れ、後にばね３が伸びきった時に外側の筒管５が基板１から離れる仕組みである。
【００７９】
それゆえ、導電性材料からなる内部支持部６の周りを導電性材料の筒などの外部支持部５で囲い込む形状とすることにより、従来よりも一層基板１の帯電を無くすことができる。さらに、外部支持部５によって、内部支持部５からの発生する発塵や埃などを回収できる。
【００８０】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００８１】
【発明の効果】
本発明の基板支持装置は、以上のように、基板を支持する基板支持手段を備え、基板と接触する部分が導電性材料からなる基板支持装置であって、上記基板支持手段は、上記基板支持手段を支持する支持本体と、基板と接触し実質的に基板を支持する支持手段と、上記支持本体と上記支持手段とを接続し、伸縮することにより上記支持本体と支持手段との距離を変化させる伸縮手段とを含んでいる構成である。
【００８２】
それゆえ、基板と基板支持手段との摩擦を軽減できるので、静電気などによる基板および帯電を防止することができるという効果を奏する。さらに、基板の帯電による基板への埃などの付着も防止できるので、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持することができるという効果を奏する。
【００８３】
本発明の基板支持装置は、以上のように、上記支持手段は、内部支持手段と外部支持手段とからなる２重構造で形成され、上記内部支持手段は、基板に接触する内部接触手段と、上記支持本体に接続される内部支持本体とを含み、上記外部支持手段は、上記内部支持手段を被覆する構成であってもよい。
【００８４】
それゆえ、たとえ、内部支持手段と基板とが接触して、内部支持手段から磨耗発塵が発生したとしても、内部支持手段は外部支持手段によって被覆されているので、磨耗発塵は外部支持手段の内部に回収される。したがって、磨耗発塵を外部支持手段によって回収することができるという効果を奏する。また、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持することができるという効果を奏する。
【００８５】
さらに、内部支持手段が基板と接触する時には、外部支持手段によって内部支持手段と基板との間の空気の流れが遮断されているので、静電気の発生を防止して、基板の帯電を防止できるという効果を奏する。
【００８６】
本発明の基板支持装置は、以上のように、上記内部支持手段は、導電性材料からなる構成であってもよい。
【００８７】
それゆえ、例えば、基板が静電気により帯電している場合、それによる電荷を、内部支持手段を介して支持本体に確実に逃すことができるという効果を奏する。
【００８８】
さらに、内部支持手段として、例えば、従来は基板との磨耗が激しく基板を汚染させる原因となっている導電性樹脂を用いたとしても、外部支持手段によってその発塵を回収することができる。その結果、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持することができるという効果を奏する。
【００８９】
本発明の基板支持装置は、以上のように、上記伸縮手段は、上記外部支持手段と基板との非接触時には、当該外部支持手段が上記内部接触手段を被覆するように伸長し、上記外部支持手段と基板との接触時には、上記内部支持手段が基板に接触するまで収縮する構成であってもよい。
【００９０】
それゆえ、外部支持手段が先に基板と接触することにより、内部支持手段と基板との間の空気の流れを遮断することができ、空気との摩擦をなくすことができるという効果を奏する。これにより、静電気の発生を抑制することができ、基板の帯電を防止することができるという効果を奏する。
【００９１】
さらに、内部支持手段のみが先に基板から離れることにより、内部支持手段と基板との間が瞬間的に真空状態を保つことができる。これにより、帯電の元となる空気層を無くすことができる。さらに、静電気の発生を抑制することができ、基板の帯電を防止することができるという効果を奏する。
【００９２】
本発明の基板支持装置は、以上のように、上記内部支持手段の内部接触手段が、絶縁物の表面を導電性膜によって被覆したものである場合、当該導電性膜は、スパッタリング法、蒸着法または厚膜ディピング法によって形成されている構成であってもよい。
【００９３】
それゆえ、基板の帯電による電荷を確実に逃し、剥離帯電を防止することができるという効果を奏する。
【００９４】
本発明の基板支持装置は、以上のように、上記外部支持手段は、導電性材料からなる構成であってもよい。
【００９５】
それゆえ、内部支持手段のみが基板から離れた場合に、弱い帯電が基板に残っていたとしても、外部支持手段は基板に接触しているので、外部支持手段から伸縮手段を経て支持本体に電荷を逃すことができるという効果を奏する。
【００９６】
本発明の基板支持装置は、以上のように、さらに、上記伸縮手段と支持本体との間に、上記伸縮手段を収容する収容手段を備えている構成であってもよい。
【００９７】
それゆえ、たとえ、支持手段と基板とが接触することにより支持手段から発塵が発生したとしても、その発塵を収容手段によって回収することができるという効果を奏する。その結果、外部支持手段と収容手段とにより、発塵による基板の汚染を確実に回避することができるという効果を奏する。
【００９８】
本発明の半導体製造装置は、以上のように、上記いずれかの基板支持装置を複数備えていることを特徴としている。
【００９９】
それゆえ、静電気による基板の帯電を防止すると共に、基板を清浄かつ高純度な状態でキズをつけることなく支持し得る半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態にかかる基板支持部の構成を示す平面図である。
【図２】スパッタリング装置の処理室の一例を示す平面図である。
【図３】図１の基板支持部を備えた基板昇降支持機構の一例を示す構成図である。
【図４】図２のスパッタリング装置における基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置を示した図である。
【図５】図１とは異なる基板支持部の構成を示す図である。
【符号の説明】
１基板
２支持本体
３伸縮部（伸縮手段）
４支持部（支持手段）
５外部支持部（外部支持手段）
６内部支持部（内部支持手段）
７内部接触部（内部接触手段）
８内部支持本体
９収容部（収容手段）
１０基板支持部（基板支持手段）

Claims

基板を支持する基板支持手段を備え、基板と接触する部分が導電性材料からなる基板支持装置であって、
上記基板支持手段は、
上記基板支持手段を支持する支持本体と、
基板と接触し実質的に基板を支持する支持手段と、
上記支持本体と上記支持手段とを接続し、伸縮することにより上記支持本体と支持手段との距離を変化させる伸縮手段とを含んでいることを特徴とする基板支持装置。
上記支持手段は、内部支持手段と外部支持手段とからなる２重構造で形成され、
上記内部支持手段は、基板に接触する内部接触手段と、上記支持本体に接続される内部支持本体とを含み、
上記外部支持手段は、上記内部支持手段を被覆することを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
上記内部支持手段は、導電性材料からなることを特徴とする請求項２に記載の基板支持装置。
上記伸縮手段は、
上記外部支持手段と基板との非接触時には、当該外部支持手段が上記内部接触手段を被覆するように伸長し、
上記外部支持手段と基板との接触時には、上記内部支持手段が基板に接触するまで収縮することを特徴とする請求項２または３に記載の基板支持装置。
上記内部支持手段の内部接触手段が、絶縁物の表面を導電性膜によって被覆したものであって、当該導電性膜は、スパッタリング法、蒸着法または厚膜ディピング法によって形成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板支持装置。
上記外部支持手段は、導電性材料からなることを特徴とする請求項２に記載の基板支持装置。
さらに、上記伸縮手段と支持本体との間に、上記収縮手段を収容する収容手段を備えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板支持装置。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板支持装置を複数備えていることを特徴とする半導体製造装置。