JP2004160541A - 溶接ワイヤおよびこのワイヤを用いる溶接方法 - Google Patents
溶接ワイヤおよびこのワイヤを用いる溶接方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高温強度と耐溶接割れ性に優れた溶接部を形成することができる溶接ワイヤおよびこのワイヤを用いる溶接方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
突き合わせ溶接、隅肉溶接等の溶接を行う場合は、溶接金属の結晶粒が粗大になるため、溶接時に高温割れが発生することがある。このようなことから、従来から溶接部の結晶粒を微細化するための努力がなされている。
例えば溶接ワイヤにTiを添加しておくことにより、溶接時に微細なTiN粒子を生成させてこれを溶接部に分散させ、このTiN粒子を核として溶接金属の微細な結晶粒を形成する方法が提案されている(特許文献1を参照)。
【0003】
また、溶接ワイヤに適量のAlとMgを添加して溶接部の結晶粒を等軸晶化・細粒化する方法が提案されている(特許文献2を参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−138394号公報
【特許文献2】
特開平9−225680号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した先行技術では必ずしも満足のいく結果は得られず、ますます強まっている耐溶接割れ性の向上や高温強度の向上という要求に対応しきれないという問題がある。
本発明は、上記した問題を解決し、優れた高温強度と耐溶接割れ性を備えた溶接部を形成することができる溶接ワイヤとそれを用いた溶接方法の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、例えばステンレス鋼溶接ワイヤにTiやAlを配合すると、溶接時にこれら成分は微細な窒化物の粒子になって溶接部に分散し、微細な結晶粒を形成するための核として機能するという公知の事実に着目し、溶接ワイヤにおけるAlとTiの含有量と溶接部における結晶粒度との関係を調べた。その結果、両者の間には相関があることを見出した。
【0007】
同時に、上記したAlとTiの機能は、溶接ワイヤ中における酸素量と、溶接時に用いるシールドガス中の酸素量および二酸化炭素の量によって影響を受けるとの知見を得た。
そして、これらの知見に踏まえて鋭意研究を重ねた結果、本発明の溶接ワイヤとそれを用いた溶接方法を開発するに至った。
【0008】
すなわち、本発明の溶接ワイヤは、C:0.025質量%以下;Si:1.3質量%以下;Mn:2.0質量%以下;Cr:10〜25質量%;N:0.04〜0.2質量%;AlおよびTi:次式(1)の関係を満たす量(質量%)
【0009】
【数3】
【0010】
(ただし、xとyはそれぞれAlとTiの含有量(質量%)を表す);
O:次式(2)の関係を満たす量(質量%)
z<(x+y−0.01)/0.5 …(2)
(ただし、zは溶接ワイヤ中の全酸素量(質量%)を表し、xとyは前記式(1)で定義した通りである);ならびに残部がFeと不可避的不純物からなることを特徴とする溶接ワイヤが提供される。
【0011】
また、本発明においては、上記した溶接ワイヤを用意する工程;
Ar、ならびに、O2およびCO2の少なくとも一方を含むシールドガスであって、O2およびCO2の体積%をそれぞれpおよびq(pとqがともにゼロであることはない)で表したときに、p≦10,q≦50、かつ次式(3)
p+q≦(x+y−0.01−0.5z)/0.0006 …(3)
(ここで、xとyは前記式(1)で定義した通りであり、zは前記式(2)で定義した通りである)
の関係を満たすシールドガスを用意する工程:ならびに、
前記溶接ワイヤの周りに前記シールドガスを供給しながら、ガスシールド溶接を行う工程;
を備えていることを特徴とする溶接方法が提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の溶接ワイヤは、上記Al、TiおよびOの外に、C:0.025質量%以下、Si:1.3質量%以下、Mn:2.0質量%以下、Cr:10〜25質量%、およびN:0.04〜0.2質量%を含むが、まずこれらの成分を上記の量だけ含有させる理由を説明する。
【0013】
本発明の溶接ワイヤにおいて、Cは溶接部の強度特性を高める成分である。ただし過剰に添加すると、AlおよびTiとの間で炭化物を生成してAl窒化物とTi窒化物の生成を阻害するため、その含有量は0.025質量%以下に設定される。
Siは脱酸剤として機能し、また耐溶接割れ性の向上にも資する。しかし、過剰に添加すると溶接部における結晶粒の粗大化を引き起こすため、その含有量は0.13質量%以下に設定される。
【0014】
Mnも脱酸剤として機能する。しかし、これも過剰に添加すると溶接部の耐食性、とりわけ耐酸化性の劣化を招くため、その含有量は2.0質量%以下に設定される。
Crは溶接部の強度特性を高め、同時に耐食性の確保に資する成分であり、その含有量は10〜25質量%に設定される。含有量が10質量%より少なくなると上記の効果が発揮されず、他方25質量%より多くなっても上記の効果は飽和に達し徒にコスト高を招くからである。
【0015】
Nは、結晶粒の核として機能するAlNやTiNを生成するための必須成分であり、その含有量は0.04〜0.2質量%に設定される。含有量が0.04質量%より少ない場合は、AlNやTiNの生成量が少なくなって、溶接部における結晶粒の微細化を実現することが困難になり、他方0.2質量%より多い場合は、結晶核となる上記AlNやTiNが凝集してその数が減少し、結晶粒の微細化効果が低下するからである。
【0016】
次に、本発明の溶接ワイヤにおいて最も重要な成分であるAl,TiおよびOと、これら成分の含有量の間の関係について説明する。
AlとTiは、いずれも微細な窒化物の粒子となって溶接部に均一に分散し、結晶粒の核として機能することにより、溶接部の金属組織の結晶粒を微細化する。
【0017】
ここで、他の成分の含有量はほぼ一定とした状態、例えばC:0.01質量%、Si:1.00質量%、Mn:0.50質量%、Cr:19.0質量%、N:0.10質量%とし、Alの含有量xとTiの各含有量y(ともに質量%表示)を変化させて溶接ワイヤを製造した。そして、この溶接ワイヤを用いて、鋼板に、Ar:98体積%、O2:2体積%から成る組成のシールドガスを用いてガスシールド溶接を行った。
【0018】
形成された溶接部における結晶粒度を測定した結果を図1と図2に示す。図1はAl含有量と結晶粒度の関係であり、図2はTi含有量と結晶粒度との関係である。ここで、結晶粒度(番単位)は、JIS G0552に準拠して測定した。数字が大きいほど粒径は小さい。
図1と図2から明らかなように、結晶粒度のヒストグラムのピークはAlの含有量xが0.05質量%、またTiの含有量yが0.08質量%の位置に存在している。
【0019】
xが0.05質量%より小さいとき、およびyが0.08質量%より小さいときは、xとyが小さくなるにつれてAlNおよびTiN粒子の生成個数が少なくなり、溶接部の結晶粒が粗大化した。一方、xが0.05質量%より大きいとき、およびyが0.08質量%より大きいときは、xとyが大きくなるにつれてAlNとTiNがそれぞれ凝集し、その結果、粒子の個数が減少して溶接部の結晶粒が粗大化することが観察された。
【0020】
そこで、これらの知見に基づき、exp{-800(x-0.05)2}およびexp{-300(y-0.08)2}というパラメータを設け(それぞれパラメータ(1a)およびパラメータ(1b)という)、各xとyについて計算した値をそれぞれ図1と図2の右端に示した。
両図から、パラメータ(1a)とパラメータ(1b)が1のときに結晶粒度(番単位)は最大の10番となり(粒径は最小である)、パラメータが0に近づくにつれて結晶粒度は小さくなっていくことが分かる。
【0021】
本発明においては、すでに述べた式(1):
【0022】
【数4】
【0023】
で表されるように、AlとTiの各含有量xとy(ともに質量%表示)は、上述の2つのパラメータ(1a)とパラメータ(1b)との積が0.5以上となるような量に設定する。
ここで、上記2つのパラメータはともに最大値が1であるから、パラメータ(1a)とパラメータ(1b)の積が0.5以上となるためには、どちらかが0.5以上でなければならない。したがって、xのとりうる値はほぼ0.02〜0.08質量%であり、他方yのとりうる値はほぼ0.05〜0.11質量%となる。
【0024】
そして、すでに述べたように、上記したAlとTiの機能は、溶接ワイヤ中における酸素の量にも影響されることが解明されたため、本発明においては、溶接ワイヤ中のOの量z(質量%)を上述の式(2):
z<(x+y−0.01)/0.5 …(2)
となるように設定する(xとyはそれぞれAlとTiの含有量である)。
【0025】
Al,TiおよびOの含有量の間には、これら式(1)と式(2)の関係がともに成立していることが必要である。これらの関係が成立しているときに、微細なAlNとTiNの粒子が溶接部に多量にかつ均一に生成し、その溶接部における結晶粒は微細化する。
本発明の溶接ワイヤは、さらに、Nb:1.0質量%以下、Zr:0.1質量%以下、B:0.1質量%以下、Mo:5.0質量%以下およびW:5.0質量%以下の群から選ばれる少なくとも1種を含有することができる
Nb,ZrおよびBは、いずれも、溶接部にAlNおよびTiNの微細粒子を生成するのを助け、溶接部における結晶粒の微細化に資する成分であるが、過剰に添加すると、アークの安定化を阻害し、ビードが不健全になるため、Nbの含有量は1.0質量%以下、そしてZrとBの含有量はいずれも0.1質量%以下に制限される。
【0026】
またMoとWは、いずれも溶接部に固溶して強度特性を高める成分であるが、過剰に添加すると、析出して溶接部脆化の原因となるため、その含有量はいずれも5.0質量%以下に規制される。
次に、上記溶接ワイヤを用いて、ガスシールド溶接する際に用いるシールドガスについて説明する。
【0027】
本発明で用いるシールドガスは、Ar、ならびに、O2およびCO2の少なくとも一方を含み、O2とCO2の体積%をそれぞれpおよびqで表したときに、p≦10,q≦50、かつ次式(3)
p+q≦(x+y−0.01−0.5z)/0.0006 …(3)
(ここで、xとyは前記式(1)で定義した通りであり、zは前記式(2)で定義した通りである)
の関係を満たす。
【0028】
pが10体積%を超えると、溶接部の酸化の程度が大きくなる。また結晶粒の粗大化が進む。一方、qが50体積%を超えた場合でも、結晶粒の粗大化が起こる。
なお、シールドガスがAr単独である場合、すなわち、p,qがいずれもゼロである場合には、アークが不安定になって健全なビード形成ができないので、本発明ではこのような場合を除外する。
【0029】
式(3)の右辺は、シールドガスによる酸化物や炭化物の発生頻度を意味しており、p+qの値がこの右辺の値よりも大きくなると、酸化物や炭化物の発生量が多くなりすぎ、それらが凝集して結晶粒の粗大化を引き起こすため、回避すべきである。
本発明のシールドガスは、さらに、N2とHeのいずれかまたは両方が混合されていてもよい。その場合、過剰に混合するとアークが不安定になって健全なビードが形成できなくなり、また結晶粒が粗大化するという問題も生ずるので、用いるシールガスの全体積のうち、N2は30体積%以下、Heは50体積%以下に制限される。
【0030】
【実施例】
下記表1(実施例1〜12)と表2(比較例1〜10)に示す化学成分組成に対応する鋼を溶製した後、圧延および線引きによって直径1.2mmのワイヤに加工し、実施例1〜12および比較例1〜10の溶接用ステンレス鋼ワイヤを得た。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
これらの溶接ワイヤについて、下記表3と表4に示す組成のシールドガスを用いて突き合わせ溶接を行った。そして、形成された溶接部における結晶粒度を、JIS G0552に準拠して測定した。
また、溶接部から溶接線方向に沿って全体が溶着金属であるように丸棒型の試験片を採取し、各試験片につきJIS G0567に準拠して温度950℃で高温引張試験を行った。
【0034】
さらに、次のようにしてT型溶接割れ試験を行った。図3で示したように、平鋼板1の上に同じ平鋼板2を側面からみて逆T字型となるように立て、実施例1〜12と比較例1〜10の溶接ワイヤを用いて両平鋼板の当接部の片側に隅肉溶接を行い、ビード3を形成して両平鋼板を固定しておく。ついで、ビード3の反対側に改めて隅肉溶接を行ってビード4を形成し、そのときのビード4における溶接割れの有無をカラーチェックにより観察した。
【0035】
結果を表3(実施例1〜12)と表4(比較例1〜10)に示す。
【0036】
【表3】
【0037】
【表4】
【0038】
表3と表4から明らかなように、比較例1〜10の溶接ワイヤを用いた場合には、溶接部の結晶粒度は1番または2番で粗大結晶粒となっており、950℃における高温引張強度も26MPa以下と弱い。さらにT型溶接割れ試験においても、全てに割れが認められた。
これに反し、式(1)と式(2)の条件をともに満足する実施例1〜12の溶接ワイヤを用い、かつ式(3)の条件を満たす組成のシールドガスを用いてガスシールド溶接した溶接部は、その金属組織における結晶粒度が5番以上と微細化している。また、高温強度も35MPa以上で、比較例に比べて著しく優れている。さらに、T型溶接割れ試験においても溶接割れは全く認められなかった。
【0039】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明の溶接ワイヤを用い、本発明のシールドガスを用いてガスシールド溶接を行うと、溶接部における結晶粒の粗大化による溶接部の割れが起こらず、かつ高温強度の高い溶接部を形成することができる。
このように、本発明の溶接ワイヤは、本発明のシールドガスを用いるガスシールド溶接時に、AlとTiが微細な窒化物の粒子になって溶接部に分散し、それが結晶粒の核として機能するため、溶接部における結晶粒が微細となる。その結果、耐溶接割れ性は向上し、また溶接部の高温強度も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】溶接ワイヤのAl含有量と溶接部の結晶粒度との関係を示すグラフである。
【図2】溶接ワイヤのTi含有量と溶接部の結晶粒度との関係を示すグラフである。
【図3】本発明に係る溶接ワイヤを用いたT型溶接割れ試験を説明するための説明図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、高温強度と耐溶接割れ性に優れた溶接部を形成することができる溶接ワイヤおよびこのワイヤを用いる溶接方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
突き合わせ溶接、隅肉溶接等の溶接を行う場合は、溶接金属の結晶粒が粗大になるため、溶接時に高温割れが発生することがある。このようなことから、従来から溶接部の結晶粒を微細化するための努力がなされている。
例えば溶接ワイヤにTiを添加しておくことにより、溶接時に微細なTiN粒子を生成させてこれを溶接部に分散させ、このTiN粒子を核として溶接金属の微細な結晶粒を形成する方法が提案されている(特許文献1を参照)。
【0003】
また、溶接ワイヤに適量のAlとMgを添加して溶接部の結晶粒を等軸晶化・細粒化する方法が提案されている(特許文献2を参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−138394号公報
【特許文献2】
特開平9−225680号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した先行技術では必ずしも満足のいく結果は得られず、ますます強まっている耐溶接割れ性の向上や高温強度の向上という要求に対応しきれないという問題がある。
本発明は、上記した問題を解決し、優れた高温強度と耐溶接割れ性を備えた溶接部を形成することができる溶接ワイヤとそれを用いた溶接方法の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、例えばステンレス鋼溶接ワイヤにTiやAlを配合すると、溶接時にこれら成分は微細な窒化物の粒子になって溶接部に分散し、微細な結晶粒を形成するための核として機能するという公知の事実に着目し、溶接ワイヤにおけるAlとTiの含有量と溶接部における結晶粒度との関係を調べた。その結果、両者の間には相関があることを見出した。
【0007】
同時に、上記したAlとTiの機能は、溶接ワイヤ中における酸素量と、溶接時に用いるシールドガス中の酸素量および二酸化炭素の量によって影響を受けるとの知見を得た。
そして、これらの知見に踏まえて鋭意研究を重ねた結果、本発明の溶接ワイヤとそれを用いた溶接方法を開発するに至った。
【0008】
すなわち、本発明の溶接ワイヤは、C:0.025質量%以下;Si:1.3質量%以下;Mn:2.0質量%以下;Cr:10〜25質量%;N:0.04〜0.2質量%;AlおよびTi:次式(1)の関係を満たす量(質量%)
【0009】
【数3】
【0010】
(ただし、xとyはそれぞれAlとTiの含有量(質量%)を表す);
O:次式(2)の関係を満たす量(質量%)
z<(x+y−0.01)/0.5 …(2)
(ただし、zは溶接ワイヤ中の全酸素量(質量%)を表し、xとyは前記式(1)で定義した通りである);ならびに残部がFeと不可避的不純物からなることを特徴とする溶接ワイヤが提供される。
【0011】
また、本発明においては、上記した溶接ワイヤを用意する工程;
Ar、ならびに、O2およびCO2の少なくとも一方を含むシールドガスであって、O2およびCO2の体積%をそれぞれpおよびq(pとqがともにゼロであることはない)で表したときに、p≦10,q≦50、かつ次式(3)
p+q≦(x+y−0.01−0.5z)/0.0006 …(3)
(ここで、xとyは前記式(1)で定義した通りであり、zは前記式(2)で定義した通りである)
の関係を満たすシールドガスを用意する工程:ならびに、
前記溶接ワイヤの周りに前記シールドガスを供給しながら、ガスシールド溶接を行う工程;
を備えていることを特徴とする溶接方法が提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の溶接ワイヤは、上記Al、TiおよびOの外に、C:0.025質量%以下、Si:1.3質量%以下、Mn:2.0質量%以下、Cr:10〜25質量%、およびN:0.04〜0.2質量%を含むが、まずこれらの成分を上記の量だけ含有させる理由を説明する。
【0013】
本発明の溶接ワイヤにおいて、Cは溶接部の強度特性を高める成分である。ただし過剰に添加すると、AlおよびTiとの間で炭化物を生成してAl窒化物とTi窒化物の生成を阻害するため、その含有量は0.025質量%以下に設定される。
Siは脱酸剤として機能し、また耐溶接割れ性の向上にも資する。しかし、過剰に添加すると溶接部における結晶粒の粗大化を引き起こすため、その含有量は0.13質量%以下に設定される。
【0014】
Mnも脱酸剤として機能する。しかし、これも過剰に添加すると溶接部の耐食性、とりわけ耐酸化性の劣化を招くため、その含有量は2.0質量%以下に設定される。
Crは溶接部の強度特性を高め、同時に耐食性の確保に資する成分であり、その含有量は10〜25質量%に設定される。含有量が10質量%より少なくなると上記の効果が発揮されず、他方25質量%より多くなっても上記の効果は飽和に達し徒にコスト高を招くからである。
【0015】
Nは、結晶粒の核として機能するAlNやTiNを生成するための必須成分であり、その含有量は0.04〜0.2質量%に設定される。含有量が0.04質量%より少ない場合は、AlNやTiNの生成量が少なくなって、溶接部における結晶粒の微細化を実現することが困難になり、他方0.2質量%より多い場合は、結晶核となる上記AlNやTiNが凝集してその数が減少し、結晶粒の微細化効果が低下するからである。
【0016】
次に、本発明の溶接ワイヤにおいて最も重要な成分であるAl,TiおよびOと、これら成分の含有量の間の関係について説明する。
AlとTiは、いずれも微細な窒化物の粒子となって溶接部に均一に分散し、結晶粒の核として機能することにより、溶接部の金属組織の結晶粒を微細化する。
【0017】
ここで、他の成分の含有量はほぼ一定とした状態、例えばC:0.01質量%、Si:1.00質量%、Mn:0.50質量%、Cr:19.0質量%、N:0.10質量%とし、Alの含有量xとTiの各含有量y(ともに質量%表示)を変化させて溶接ワイヤを製造した。そして、この溶接ワイヤを用いて、鋼板に、Ar:98体積%、O2:2体積%から成る組成のシールドガスを用いてガスシールド溶接を行った。
【0018】
形成された溶接部における結晶粒度を測定した結果を図1と図2に示す。図1はAl含有量と結晶粒度の関係であり、図2はTi含有量と結晶粒度との関係である。ここで、結晶粒度(番単位)は、JIS G0552に準拠して測定した。数字が大きいほど粒径は小さい。
図1と図2から明らかなように、結晶粒度のヒストグラムのピークはAlの含有量xが0.05質量%、またTiの含有量yが0.08質量%の位置に存在している。
【0019】
xが0.05質量%より小さいとき、およびyが0.08質量%より小さいときは、xとyが小さくなるにつれてAlNおよびTiN粒子の生成個数が少なくなり、溶接部の結晶粒が粗大化した。一方、xが0.05質量%より大きいとき、およびyが0.08質量%より大きいときは、xとyが大きくなるにつれてAlNとTiNがそれぞれ凝集し、その結果、粒子の個数が減少して溶接部の結晶粒が粗大化することが観察された。
【0020】
そこで、これらの知見に基づき、exp{-800(x-0.05)2}およびexp{-300(y-0.08)2}というパラメータを設け(それぞれパラメータ(1a)およびパラメータ(1b)という)、各xとyについて計算した値をそれぞれ図1と図2の右端に示した。
両図から、パラメータ(1a)とパラメータ(1b)が1のときに結晶粒度(番単位)は最大の10番となり(粒径は最小である)、パラメータが0に近づくにつれて結晶粒度は小さくなっていくことが分かる。
【0021】
本発明においては、すでに述べた式(1):
【0022】
【数4】
【0023】
で表されるように、AlとTiの各含有量xとy(ともに質量%表示)は、上述の2つのパラメータ(1a)とパラメータ(1b)との積が0.5以上となるような量に設定する。
ここで、上記2つのパラメータはともに最大値が1であるから、パラメータ(1a)とパラメータ(1b)の積が0.5以上となるためには、どちらかが0.5以上でなければならない。したがって、xのとりうる値はほぼ0.02〜0.08質量%であり、他方yのとりうる値はほぼ0.05〜0.11質量%となる。
【0024】
そして、すでに述べたように、上記したAlとTiの機能は、溶接ワイヤ中における酸素の量にも影響されることが解明されたため、本発明においては、溶接ワイヤ中のOの量z(質量%)を上述の式(2):
z<(x+y−0.01)/0.5 …(2)
となるように設定する(xとyはそれぞれAlとTiの含有量である)。
【0025】
Al,TiおよびOの含有量の間には、これら式(1)と式(2)の関係がともに成立していることが必要である。これらの関係が成立しているときに、微細なAlNとTiNの粒子が溶接部に多量にかつ均一に生成し、その溶接部における結晶粒は微細化する。
本発明の溶接ワイヤは、さらに、Nb:1.0質量%以下、Zr:0.1質量%以下、B:0.1質量%以下、Mo:5.0質量%以下およびW:5.0質量%以下の群から選ばれる少なくとも1種を含有することができる
Nb,ZrおよびBは、いずれも、溶接部にAlNおよびTiNの微細粒子を生成するのを助け、溶接部における結晶粒の微細化に資する成分であるが、過剰に添加すると、アークの安定化を阻害し、ビードが不健全になるため、Nbの含有量は1.0質量%以下、そしてZrとBの含有量はいずれも0.1質量%以下に制限される。
【0026】
またMoとWは、いずれも溶接部に固溶して強度特性を高める成分であるが、過剰に添加すると、析出して溶接部脆化の原因となるため、その含有量はいずれも5.0質量%以下に規制される。
次に、上記溶接ワイヤを用いて、ガスシールド溶接する際に用いるシールドガスについて説明する。
【0027】
本発明で用いるシールドガスは、Ar、ならびに、O2およびCO2の少なくとも一方を含み、O2とCO2の体積%をそれぞれpおよびqで表したときに、p≦10,q≦50、かつ次式(3)
p+q≦(x+y−0.01−0.5z)/0.0006 …(3)
(ここで、xとyは前記式(1)で定義した通りであり、zは前記式(2)で定義した通りである)
の関係を満たす。
【0028】
pが10体積%を超えると、溶接部の酸化の程度が大きくなる。また結晶粒の粗大化が進む。一方、qが50体積%を超えた場合でも、結晶粒の粗大化が起こる。
なお、シールドガスがAr単独である場合、すなわち、p,qがいずれもゼロである場合には、アークが不安定になって健全なビード形成ができないので、本発明ではこのような場合を除外する。
【0029】
式(3)の右辺は、シールドガスによる酸化物や炭化物の発生頻度を意味しており、p+qの値がこの右辺の値よりも大きくなると、酸化物や炭化物の発生量が多くなりすぎ、それらが凝集して結晶粒の粗大化を引き起こすため、回避すべきである。
本発明のシールドガスは、さらに、N2とHeのいずれかまたは両方が混合されていてもよい。その場合、過剰に混合するとアークが不安定になって健全なビードが形成できなくなり、また結晶粒が粗大化するという問題も生ずるので、用いるシールガスの全体積のうち、N2は30体積%以下、Heは50体積%以下に制限される。
【0030】
【実施例】
下記表1(実施例1〜12)と表2(比較例1〜10)に示す化学成分組成に対応する鋼を溶製した後、圧延および線引きによって直径1.2mmのワイヤに加工し、実施例1〜12および比較例1〜10の溶接用ステンレス鋼ワイヤを得た。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
これらの溶接ワイヤについて、下記表3と表4に示す組成のシールドガスを用いて突き合わせ溶接を行った。そして、形成された溶接部における結晶粒度を、JIS G0552に準拠して測定した。
また、溶接部から溶接線方向に沿って全体が溶着金属であるように丸棒型の試験片を採取し、各試験片につきJIS G0567に準拠して温度950℃で高温引張試験を行った。
【0034】
さらに、次のようにしてT型溶接割れ試験を行った。図3で示したように、平鋼板1の上に同じ平鋼板2を側面からみて逆T字型となるように立て、実施例1〜12と比較例1〜10の溶接ワイヤを用いて両平鋼板の当接部の片側に隅肉溶接を行い、ビード3を形成して両平鋼板を固定しておく。ついで、ビード3の反対側に改めて隅肉溶接を行ってビード4を形成し、そのときのビード4における溶接割れの有無をカラーチェックにより観察した。
【0035】
結果を表3(実施例1〜12)と表4(比較例1〜10)に示す。
【0036】
【表3】
【0037】
【表4】
【0038】
表3と表4から明らかなように、比較例1〜10の溶接ワイヤを用いた場合には、溶接部の結晶粒度は1番または2番で粗大結晶粒となっており、950℃における高温引張強度も26MPa以下と弱い。さらにT型溶接割れ試験においても、全てに割れが認められた。
これに反し、式(1)と式(2)の条件をともに満足する実施例1〜12の溶接ワイヤを用い、かつ式(3)の条件を満たす組成のシールドガスを用いてガスシールド溶接した溶接部は、その金属組織における結晶粒度が5番以上と微細化している。また、高温強度も35MPa以上で、比較例に比べて著しく優れている。さらに、T型溶接割れ試験においても溶接割れは全く認められなかった。
【0039】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明の溶接ワイヤを用い、本発明のシールドガスを用いてガスシールド溶接を行うと、溶接部における結晶粒の粗大化による溶接部の割れが起こらず、かつ高温強度の高い溶接部を形成することができる。
このように、本発明の溶接ワイヤは、本発明のシールドガスを用いるガスシールド溶接時に、AlとTiが微細な窒化物の粒子になって溶接部に分散し、それが結晶粒の核として機能するため、溶接部における結晶粒が微細となる。その結果、耐溶接割れ性は向上し、また溶接部の高温強度も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】溶接ワイヤのAl含有量と溶接部の結晶粒度との関係を示すグラフである。
【図2】溶接ワイヤのTi含有量と溶接部の結晶粒度との関係を示すグラフである。
【図3】本発明に係る溶接ワイヤを用いたT型溶接割れ試験を説明するための説明図である。
Claims (5)
- 更に、Nb:1.0質量%以下、Zr:0.1質量%以下、B:0.1質量%以下、Mo:5.0質量%以下およびW:5.0質量%以下の群から選ばれる少なくとも1種が含有されている請求項1の溶接ワイヤ。
- C:0.025質量%以下;Si:1.3質量%以下;Mn:2.0質量%以下;Cr:10〜25質量%;N:0.04〜0.2質量%;Al,Ti:次式(1)の関係を満たす量(質量%)
O:次式(2)の関係を満たす量(質量%)
z<(x+y−0.01)/0.5 …(2)
(ただし、zは溶接ワイヤ中の全酸素量(質量%)を表し、xとyは前記式(1)の場合と同義である);および
残部がFeと不可避的不純物からなる溶接ワイヤを用意する工程;
Ar、ならびに、O2およびCO2の少なくとも一方を含むシールドガスであって、O2およびCO2の体積%をそれぞれpおよびq(pとqはともにゼロであることはない)で表したときに、p≦10,q≦50、かつ次式(3)
p+q≦(x+y−0.01−0.5z)/0.0006 …(3)
(ここで、xとyは前記式(1)で定義した通りであり、zは前記式(2)で定義した通りである)
の関係を満たすシールドガスを用意する工程;ならびに、
前記溶接ワイヤの周りに前記シールドガスを供給しながら、ガスシールド溶接を行う工程;
を備えていることを特徴とする溶接方法。 - 前記溶接ワイヤは、更に、Nb:1.0質量%以下、Zr:0.1質量%以下、B:0.1質量%以下、Mo:5.0質量%以下、W:5.0質量%以下の群から選ばれる少なくとも1種が含有されている請求項3の溶接方法。
- 前記シールドガスは、さらに、N2:30体積%以下およびHe:50体積%以下のいずれかまたは両方を含んでいる請求項3の溶接方法。
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