JP2004158353A - 透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】非発光点の発現を抑え、耐久性と歩留まりを向上させることができ、製造コストを低減することができる透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ素子１１は、透明導電膜付基板としてのＩＴＯ膜付基板１５を有している。このＩＴＯ膜付基板１５では、透明基板の表面に透明導電膜としてのＩＴＯ膜１４が成膜されている。ＩＴＯ膜付基板１５の透明基板として無アルカリガラス基板１２を用いている。このため、ガラス中のアルカリ成分が、無アルカリガラス基板１２に形成されるＩＴＯ膜１４や有機ＥＬ素子１１の中（正孔輸送層１６や発光層１７の中）へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。
【選択図】 図１
【解決手段】有機ＥＬ素子１１は、透明導電膜付基板としてのＩＴＯ膜付基板１５を有している。このＩＴＯ膜付基板１５では、透明基板の表面に透明導電膜としてのＩＴＯ膜１４が成膜されている。ＩＴＯ膜付基板１５の透明基板として無アルカリガラス基板１２を用いている。このため、ガラス中のアルカリ成分が、無アルカリガラス基板１２に形成されるＩＴＯ膜１４や有機ＥＬ素子１１の中（正孔輸送層１６や発光層１７の中）へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と言う）素子は、平面光源や、次世代のフラットパネルディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）などとして注目されている。有機ＥＬ素子には通常、ガラス等の透明基板が用いられている。従来の有機ＥＬ素子として、ガラス基板上に透明導電膜を形成した透明導電膜付基板を有するものが知られている（例えば、特許文献１の図１参照）。
【０００３】
図３は従来の有機ＥＬ素子の構成を示している。この有機ＥＬ素子１は、ガラス基板（透明基板）２、ＳｉＯ２膜（酸化珪素膜）３、およびＳｉＯ２膜３の表面に成膜された酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：以下「ＩＴＯ」と言う）膜（透明導電膜）４からなるＩＴＯ膜付基板（透明導電膜付基板）５を有している。ガラス基板２は、ソーダライム等からなり、表面が湿式研磨されている。また、ＳｉＯ２膜（酸化珪素膜）３は、ガラス基板２の表面に、アルカリパッシベーションのために成膜されている。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子１はＩＴＯ膜付基板５の表面に成膜され発光層７に効率よく正孔を注入するための正孔輸送層６と、この正孔輸送層６の表面に成膜され、発光層７に電子を注入するための金属薄膜層８とで構成されている。
【０００５】
この有機ＥＬ素子１では、陽極であるＩＴＯ膜４と陰極である金属薄膜層８との間に、可変直流電源により直流電圧が印加されると、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とがそれぞれ、正孔輸送層６又は金属薄膜層８を介して発光層７に到達する。これにより、この発光層７でこれら正孔と電子とが再結合することにより発光する。
【０００６】
このような従来の有機ＥＬ素子では一般に、陽極基板であるＩＴＯ膜付基板５の表面高低差（表面凹凸）が大きいと、その凸部（突起）に集中して電界がかかり、素子が破壊して非発光点（素子上で発光しない点）が発生したり、該凸部が陰極と短絡して非発光点を発生する場合がある。これらの現象が起こると、有機ＥＬ素子１の耐久性は著しく低下してしまう。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−７７６２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記特許文献１に記載した従来技術および図３に示す従来技術の有機ＥＬ素子１では、次のような問題点がある。
【０００９】
（１）ガラス基板２の表面に、アルカリパッシベーションの目的でＳｉＯ２膜３を成膜する工程が必要となるため、製造コストが増大してしまう。
（２）ＳｉＯ２膜３の成膜にはマグネトロンスパッタ法（以下単に「スパッタ法」と言う）が用いられている。このスパッタ法では、成膜時のグロー放電状態に異常が生じると、膜材料の成分が異常に成長した粒子（異常粒子）が形成され、膜表面に固着して凸状部をなす場合がある。この凸状部が上述した非発光点を発生する要因になり、有機ＥＬ素子の耐久性が著しく低下するおそれがあり、歩留まりが低下するという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、非発光点の発現を抑え、耐久性と歩留まりを向上させることができ、製造コストを低減することができる透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、透明基板の少なくとも一方の表面に透明導電膜が形成されている透明導電膜付基板であって、前記透明基板は実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板であることを要旨とする。
【００１２】
この構成によれば、透明基板として無アルカリガラス基板を用いるため、本発明を有機ＥＬ素子に適用する場合、ガラス中のアルカリ成分が、透明導電膜や有機ＥＬ素子の中へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。従って、従来アルカリパッシベーションの目的で実施しているガラス基板表面へのＳｉＯ２膜の成膜工程を省略することができる。また、ＳｉＯ２膜の成膜時に発生する基板表面への異常粒子の固着がなくなる。これにより、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の透明導電膜付基板において、前記透明導電膜は酸化インジウム錫膜であることを要旨とする。
この構成によれば、透明導電膜が電気抵抗値の低い酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）であるため、成膜する膜の厚味を薄くすることができる。従って、ＩＴＯ膜の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、ＩＴＯ膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、透明基板の少なくとも一方の表面に透明導電膜が形成されている透明導電膜付基板の製造方法であって、前記透明基板は実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板であることを要旨とする。
【００１５】
この構成によれば、請求項１に記載の発明と同様に、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の透明導電膜付基板の製造方法において、前記無アルカリガラス基板をダウンドロー法で製造することを要旨とする。
【００１６】
上述した従来の有機ＥＬ素子では、透明基板としてのガラス基板２（図３参照）は、通常、製造時に発生するうねり等を除去するために、表面が研磨剤を用いて研磨パッド等により研磨されている。従ってガラス基板２の表面には、研磨剤や研磨クズ等の異物によるキズが発生したり、研磨剤が残存したりする。このようなキズ入りガラス基板や研磨剤が残存したガラス基板２にＩＴＯ膜４が成膜されると、キズや研磨剤がＩＴＯ膜４の表面の平滑性に影響して、局所的な凸部を発生させてしまう。これに対し、この構成によれば、基板がダウンドロー法で製造されているため基板の表面のうねりやキズ、異物付着などによる凸部の発生が少ない。従って、無アルカリガラス基板を使って有機ＥＬ素子を作製する場合に、同ガラス基板表面を研磨する工程を省略することができるため、同ガラス表面に研磨キズが残らない。これにより、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数をさらに減少させることができる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項３又は４に記載の透明導電膜付基板の製造方法において、前記透明導電膜をイオンプレーティング法で成膜することを要旨とする。
【００１８】
上述した従来の有機ＥＬ素子（図３参照）では、ＳｉＯ２膜３やＩＴＯ膜４の成膜にはマグネトロンスパッタ法（以下単に「スパッタ法」と言う）が用いられている。このスパッタ法では、成膜時のグロー放電状態に異常が生じると、膜材料の成分が異常に成長した粒子（異常粒子）が形成され、膜表面に固着して凸状部をなす場合がある。これに対し、この構成によれば、透明導電膜はイオンプレーティング法で成膜されているため、成膜中のプラズマの異常放電発生を少なくすることができる。従って、透明導電膜の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、透明導電膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、請求項１又は２に記載の透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を要旨とする。
この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の非発光点が生じにくい。従って、エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が改善され、素子の寿命が延びる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、請求項３又は４に記載の透明導電膜付基板の製造方法で製造された透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を要旨とする。
【００２１】
この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の非発光点が生じにくい。従って、エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が改善され、素子の寿命が延びる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
以下、本発明を有機ＥＬ素子に具体化した一実施形態を図１に基づいて説明する。
【００２３】
図１は一実施形態の有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１１は、透明導電膜付基板としてのＩＴＯ膜付基板１５を有している。このＩＴＯ膜付基板１５は、透明基板としての無アルカリガラス基板（以下単に「ガラス基板」という）１２の表面に透明導電膜としてのＩＴＯ膜１４が成膜されたものである。
【００２４】
また、有機ＥＬ素子１１は、ＩＴＯ膜１４の表面に成膜され発光層１７に効率よく正孔を注入するための正孔輸送層１６と、この正孔輸送層１６の表面に成膜され、発光層１７に電子を注入するための金属薄膜層１８とを有している。
【００２５】
＜ガラス基板１２＞
本実施形態のＩＴＯ膜付基板１５は、その透明基板が、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板１２である点に特徴がある。ここにいう「実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス」とは、ＬｉＯ２やＮａＯ２、ＫＯ２などのアルカリ金属の酸化物を実質的に含有しない、すなわちそれらの酸化物がガラス成分の分析装置による分析によって検出されないガラスであることを意味する。
【００２６】
本実施形態では、ガラス基板１２のガラスは、酸化物に換算した重量百分率で表示して、ＳｉＯ２ ６０％、Ｂ２Ｏ３ １０％、Ａｌ２Ｏ３ １５％、ＢａＯ５％、ＲＯ（Ｂａ以外のアルカリ希土類） ９％、Ａｓ２Ｏ３ １％の組成を有している。このガラス基板１２では、ガラス中のアルカリ成分が、ガラス基板１２表面に形成されるＩＴＯ膜１４や有機ＥＬ素子を構成する正孔輸送層１６や発光層１７の中へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。従って本実施形態では、従来アルカリパッシベーションの目的で実施していたガラス基板１２表面へのＳｉＯ２膜などの成膜工程を省略している。
【００２７】
また、ガラス基板１２はダウンドロー法により製造されている。
ダウンドロー法では、所定の組成になるように原料を調合して、熔解槽に投入する。熔解されたガラスは、熔解槽から連続的に成形面に沿って供給され、成形面の下方で両側のガラスを融着させてから、ガラスの周辺部をローラー等によって、下方に引っ張ることによってシート状に形成される。
【００２８】
＜ＩＴＯ膜１４＞
本実施形態では、ガラス基板１２はアルカリ洗剤を用いたディップ式の超音波洗浄装置によって洗浄された後、温風乾燥され、イオンプレーティング成膜装置によってＩＴＯ膜１４が成膜される。
【００２９】
図２は、図１のＩＴＯ膜付基板１５の製造に使用されるイオンプレーティング装置の内部構成を示す概略構成図である。
図２に示すように、無アルカリガラス基板１２は成膜室となる真空容器１３に基板キャリア（図示しない）に固定された状態で導入される。この真空容器１３の一方の壁面には排気口１９が設けられ、他方の壁面には筒状部２０が設けられている。そして当該筒状部２０には圧力勾配型のプラズマガン２２が装着されるとともに当該筒状部２０の周囲には収束コイル２１が配置されている。
【００３０】
プラズマガン２２は、電磁石コイル２３が内蔵されて筒状部２０に接続された第２の中間電極２４と、環状永久磁石２５が内蔵されて第２の中間電極２４と並設された第１の中間電極２６と、陰極２７と、陰極２７と第１の中間電極２６との間に介在された円筒状のガラス管２８とを備えている。
【００３１】
電磁石コイル２３は電源２９により励磁され、収束コイル２１は電源３０により励磁される。なお、電源２９及び電源３０は、共に可変電源とされている。
第２の中間電極２４及び第１の中間電極２６は、それぞれ垂下抵抗器３１、３２を介して可変電圧型の主電源３３の一端（正側）に接続され、当該主電源３３の他端（負側）は陰極２７に接続されている。また、主電源３３にはスイッチ３６を介して補助放電電源３４及び垂下抵抗器３５が並列接続されている。
【００３２】
また、ガラス管２８の内部には陰極２７に固着されたＭｏ（モリブデン）からなる円筒部材３７と、Ｔａ（タンタル）からなるパイプ３８と、当該パイプ３８の先方にあって円筒部材３７に固着されたＬａＢ６からなる円盤状部材３９とが設けられている。放電ガス（例えば、所定量の酸素を含有したＡｒガス）が、図２で矢印Ｂで示す方向からパイプ３８を介してプラズマガン２２の内部に供給される。
【００３３】
真空容器１３の底部には、タブレット（被蒸発物質）としてのＩＴＯ焼結体４０を収容する主ハース４１が設置され、また当該主ハース４１には補助ハース４２が周設されている。主ハース４１は、熱伝導率の良好な導電材料、例えば銅で形成されると共に前記プラズマガン２２からのプラズマビームが入射する凹部を有し、さらに主電源３３の正側に接続されて陽極を形成し、プラズマビームを吸引する。
【００３４】
補助ハース４２は、主ハース４１と同様に熱伝導率の良好な導電材料で形成されており、また、内部に環状永久磁石４３及び電磁石４４が収容されている。当該電磁石４４は可変電源であるハースコイル電源４５により励磁される。すなわち、補助ハース４２は、主ハース４１を囲む環状容器内に環状永久磁石４３と電磁石４４とを同軸上に積層して配設されている。当該電磁石４４は、ハースコイル電源４５に接続され、環状永久磁石４３によって形成される磁界と電磁石４４によって形成される磁界とが重畳するように構成されている。
【００３５】
この場合、環状永久磁石４３により発生する中心側の磁界の向きと電磁石４４の中心側の磁界の向きとが同一方向とされ、ハースコイル電源４５の電圧を変化させることにより、電磁石４４に供給される電流を変化可能にしている。
【００３６】
また、補助ハース４２も垂下抵抗器４６を介して主ハース４１と同様、主電源３３の正側に接続されて陽極を構成している。
なお、真空容器１３の上部には加熱ヒータ４７が配設され、当該加熱ヒータ４７により、ガラス基板１２は所定温度（本実施形態では２００℃）に加熱される。
【００３７】
このように構成されたイオンプレーティング装置においては、酸化錫（ＳｎＯ２）の含有率が４〜６質量パーセントとされたＩＴＯ焼結体４０を主ハース４１の凹部に収容してある。このイオンプレーティング装置は、プラズマガン２２の陰極２７側から放電ガスがパイプ３８に供給されると、主ハース４１との間で放電が生じ、これによりプラズマビームが生成されるようになっている。このプラズマビームは、環状永久磁石２５及び電磁石コイル２３により収束され、収束コイル２１と補助ハース４２内の環状永久磁石４３及び電磁石４４により決定される磁界に案内されて主ハース４１に到達する。
【００３８】
そして、主ハース４１に収容されているＩＴＯ焼結体４０はプラズマビームにより加熱されて蒸発し、蒸発粒子となって飛散する。この蒸発粒子はプラズマビームによってイオン化され、加熱ヒータ４により加熱されているガラス基板１２に到達し、ガラス基板表面にＩＴＯ膜１４を形成する。
【００３９】
イオンプレーティング装置では、スパッタ装置などの他の真空成膜装置と比べて、より低い印加電圧で放電を生じさせているので、成膜中のプラズマの異常放電発生を少なくすることができる。このため、ＩＴＯ膜の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるという利点がある。
【００４０】
＜有機層＞
本実施形態ではＩＴＯ膜付基板１５は真空蒸着装置内に配され、１．３×１０−４Ｐａ以下の圧力になるまで排気した後、正孔輸送層１６であるトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）と発光層１７であるキノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）が成膜されている。さらに、これらの有機層上に金属薄膜層１８であるＭｇＡｇ合金膜（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）が陰極として成膜されている。
【００４１】
このようにして有機層および陰極が形成されたＩＴＯ膜付基板１５は、大気に曝されることなく、真空チャンバ内に窒素ガスが導入された状態でガラス基板とエポキシ樹脂で固められて封止される。こうして有機ＥＬ素子１１が作製される。
【００４２】
以上のように構成された第１実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
（１）ＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）の透明基板として無アルカリガラス基板１２を用いている。このため、ガラス中のアルカリ成分が、同ガラス基板１２に形成されるＩＴＯ膜１４（透明導電膜）や有機ＥＬ素子１１の中（有機ＥＬ素子１１を構成する正孔輸送層１６や発光層１７の中）へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。従って、従来アルカリパッシベーションの目的でガラス基板１２表面に成膜しているＳｉＯ２膜が不要になる。このため、ＳｉＯ２膜の成膜時に発生するＩＴＯ膜付基板１５表面への異常粒子の固着がなくなる。これにより、ＩＴＯ膜１４（透明導電膜）を形成した後のＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）表面上の凸部の発生数を減少させることができる。従って、ＩＴＯ膜付基板１５を使った有機ＥＬ素子１１では、非発光点の発現を抑えることができ、有機ＥＬ素子１１の耐久性と歩留まりを向上させることができ、製造コストを低減することができる。
【００４３】
（２）従来アルカリパッシベーションの目的で実施しているガラス基板１２表面へのＳｉＯ２膜などの成膜工程を省略することができるので、ＩＴＯ膜付基板１５及び同基板を使って作製される有機ＥＬ素子１１の製造コストを低減することができる。
【００４４】
（３）ＩＴＯ膜１４（透明導電膜）が電気抵抗値の低い酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）であるため、ＩＴＯ膜１４を成膜する膜の厚味を薄くすることができる。従って、ＩＴＯ膜１４の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、ＩＴＯ膜を形成した後のＩＴＯ膜付基板１５表面上の凸部の発生数を減少させることができる。これによっても、ＩＴＯ膜付基板１５を使った有機ＥＬ素子１１では、非発光点の発現を抑えることができる。
【００４５】
（４）ダウンドロー法によって得られた無アルカリガラス基板１２は、成形時に両表面が自由表面として形成され、他方、成形型に接したガラス面は融着されているので、基板表面にうねりが少なく、平滑性と平坦性に優れているという利点を有している。従って、無アルカリガラス基板１２をあらためて研磨する必要がない。
【００４６】
つまり、無アルカリガラス基板１２がダウンドロー法で製造されているため、同ガラス基板の表面のうねりやキズ、異物付着などによる凸部の発生が少ない。従って、無アルカリガラス基板１２を使って有機ＥＬ素子を作製する場合に、同ガラス基板表面を研磨する工程を省略することができるため、同ガラス基板表面に研磨キズが残らない。このため、透明導電膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数をさらに減少させることができる。これによっても、ＩＴＯ膜付基板１５を使った有機ＥＬ素子１１では、非発光点の発現を抑えることができる。
【００４７】
（５）ダウンドロー法では、無アルカリガラス基板１２が成形される際に下方に、すなわち水平面に対して垂直な方向に引っ張られているため、同ガラス基板表面への異物付着が少ないという利点も有している。
【００４８】
（６）ＩＴＯ膜付基板１５はイオンプレーティング法で成膜されているため、成膜中のプラズマの異常放電発生を少なくすることができる。従って、ＩＴＯ膜付基板１５の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、ＩＴＯ膜１４透明導電膜を形成した後のＩＴＯ膜付基板１５表面上の凸部の発生数を減少させることができる。これによっても、透明導電膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００４９】
［実施例］
＜実施例１＞
本実施例では、ＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）の透明基板として無アルカリガラス基板１２を使うと共に、ＩＴＯ膜１４をイオンプレーティング法で成膜したものである。このように作製したＩＴＯ膜付基板１５を使って作製した有機ＥＬ素子１１の歩留まりは、８６％であった。
【００５０】
＜実施例２＞
本実施例では、ＩＴＯ膜付基板１５の透明基板として無アルカリガラス基板１２を使うと共に、ＩＴＯ膜１４をマグネトロンスパッタ法で成膜したものである。このように作製したＩＴＯ膜付基板１５を使って作製した有機ＥＬ素子１１の歩留まりは、７９％であった。
【００５１】
＜比較例＞
本比較例では、ＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）の透明基板として、ソーダライム等からなる表面が湿式研磨されたガラス基板を使っている。また、このガラス基板の表面には、アルカリパッシベーションのためのＳｉＯ２膜がマグネトロンスパッタ法で成膜され、ＳｉＯ２膜の表面には、ＩＴＯ膜がマグネトロンスパッタ法で成膜されている。さらに、ＩＴＯ膜を研磨してある。このように作製したＩＴＯ膜付基板１５を使って作製した有機ＥＬ素子１１の歩留まりは、５８％であった。
【００５２】
上記実施例１及び２によれば、有機ＥＬ素子の非発光点の発現を、比較例よりも抑えることができる。
［ 変形例］
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
【００５３】
・上記一実施形態では、本発明を有機ＥＬ素子に適用した例について説明したが、本発明は有機ＥＬに限らず、無機ＥＬ素子にも適用可能である。
・上記一実施形態では、ＩＴＯ膜１４（透明導電膜）が無アルカリガラス基板１２（透明基板）の一方の表面に成膜されているＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）について説明したが、同ガラス基板１２の両方の表面にＩＴＯ膜１４が成膜されているＩＴＯ膜付基板にも本発明は適用可能である。
【００５４】
・上記一実施形態では、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板１２の組成を一例として示してあるが、本発明はその組成に限定されず、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラスに広く適用可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１、３、６及び７に係る発明によれば、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。従って、非発光点の発現を抑え、耐久性と歩留まりを向上させることができる。
【００５６】
【発明の効果】
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態の有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図。
【図２】イオンプレーティング成膜装置を示す概略構成図。
【図３】従来の有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
１１…有機ＥＬ素子、１２…透明基板としての無アルカリガラス基板、１４…透明導電膜としてのＩＴＯ膜、１５…透明導電膜付基板としてのＩＴＯ膜付基板、１６…正孔輸送層、１７…発光層、１８…金属薄膜層。
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と言う）素子は、平面光源や、次世代のフラットパネルディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）などとして注目されている。有機ＥＬ素子には通常、ガラス等の透明基板が用いられている。従来の有機ＥＬ素子として、ガラス基板上に透明導電膜を形成した透明導電膜付基板を有するものが知られている（例えば、特許文献１の図１参照）。
【０００３】
図３は従来の有機ＥＬ素子の構成を示している。この有機ＥＬ素子１は、ガラス基板（透明基板）２、ＳｉＯ２膜（酸化珪素膜）３、およびＳｉＯ２膜３の表面に成膜された酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：以下「ＩＴＯ」と言う）膜（透明導電膜）４からなるＩＴＯ膜付基板（透明導電膜付基板）５を有している。ガラス基板２は、ソーダライム等からなり、表面が湿式研磨されている。また、ＳｉＯ２膜（酸化珪素膜）３は、ガラス基板２の表面に、アルカリパッシベーションのために成膜されている。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子１はＩＴＯ膜付基板５の表面に成膜され発光層７に効率よく正孔を注入するための正孔輸送層６と、この正孔輸送層６の表面に成膜され、発光層７に電子を注入するための金属薄膜層８とで構成されている。
【０００５】
この有機ＥＬ素子１では、陽極であるＩＴＯ膜４と陰極である金属薄膜層８との間に、可変直流電源により直流電圧が印加されると、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とがそれぞれ、正孔輸送層６又は金属薄膜層８を介して発光層７に到達する。これにより、この発光層７でこれら正孔と電子とが再結合することにより発光する。
【０００６】
このような従来の有機ＥＬ素子では一般に、陽極基板であるＩＴＯ膜付基板５の表面高低差（表面凹凸）が大きいと、その凸部（突起）に集中して電界がかかり、素子が破壊して非発光点（素子上で発光しない点）が発生したり、該凸部が陰極と短絡して非発光点を発生する場合がある。これらの現象が起こると、有機ＥＬ素子１の耐久性は著しく低下してしまう。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−７７６２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記特許文献１に記載した従来技術および図３に示す従来技術の有機ＥＬ素子１では、次のような問題点がある。
【０００９】
（１）ガラス基板２の表面に、アルカリパッシベーションの目的でＳｉＯ２膜３を成膜する工程が必要となるため、製造コストが増大してしまう。
（２）ＳｉＯ２膜３の成膜にはマグネトロンスパッタ法（以下単に「スパッタ法」と言う）が用いられている。このスパッタ法では、成膜時のグロー放電状態に異常が生じると、膜材料の成分が異常に成長した粒子（異常粒子）が形成され、膜表面に固着して凸状部をなす場合がある。この凸状部が上述した非発光点を発生する要因になり、有機ＥＬ素子の耐久性が著しく低下するおそれがあり、歩留まりが低下するという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、非発光点の発現を抑え、耐久性と歩留まりを向上させることができ、製造コストを低減することができる透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、透明基板の少なくとも一方の表面に透明導電膜が形成されている透明導電膜付基板であって、前記透明基板は実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板であることを要旨とする。
【００１２】
この構成によれば、透明基板として無アルカリガラス基板を用いるため、本発明を有機ＥＬ素子に適用する場合、ガラス中のアルカリ成分が、透明導電膜や有機ＥＬ素子の中へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。従って、従来アルカリパッシベーションの目的で実施しているガラス基板表面へのＳｉＯ２膜の成膜工程を省略することができる。また、ＳｉＯ２膜の成膜時に発生する基板表面への異常粒子の固着がなくなる。これにより、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の透明導電膜付基板において、前記透明導電膜は酸化インジウム錫膜であることを要旨とする。
この構成によれば、透明導電膜が電気抵抗値の低い酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）であるため、成膜する膜の厚味を薄くすることができる。従って、ＩＴＯ膜の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、ＩＴＯ膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、透明基板の少なくとも一方の表面に透明導電膜が形成されている透明導電膜付基板の製造方法であって、前記透明基板は実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板であることを要旨とする。
【００１５】
この構成によれば、請求項１に記載の発明と同様に、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の透明導電膜付基板の製造方法において、前記無アルカリガラス基板をダウンドロー法で製造することを要旨とする。
【００１６】
上述した従来の有機ＥＬ素子では、透明基板としてのガラス基板２（図３参照）は、通常、製造時に発生するうねり等を除去するために、表面が研磨剤を用いて研磨パッド等により研磨されている。従ってガラス基板２の表面には、研磨剤や研磨クズ等の異物によるキズが発生したり、研磨剤が残存したりする。このようなキズ入りガラス基板や研磨剤が残存したガラス基板２にＩＴＯ膜４が成膜されると、キズや研磨剤がＩＴＯ膜４の表面の平滑性に影響して、局所的な凸部を発生させてしまう。これに対し、この構成によれば、基板がダウンドロー法で製造されているため基板の表面のうねりやキズ、異物付着などによる凸部の発生が少ない。従って、無アルカリガラス基板を使って有機ＥＬ素子を作製する場合に、同ガラス基板表面を研磨する工程を省略することができるため、同ガラス表面に研磨キズが残らない。これにより、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数をさらに減少させることができる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項３又は４に記載の透明導電膜付基板の製造方法において、前記透明導電膜をイオンプレーティング法で成膜することを要旨とする。
【００１８】
上述した従来の有機ＥＬ素子（図３参照）では、ＳｉＯ２膜３やＩＴＯ膜４の成膜にはマグネトロンスパッタ法（以下単に「スパッタ法」と言う）が用いられている。このスパッタ法では、成膜時のグロー放電状態に異常が生じると、膜材料の成分が異常に成長した粒子（異常粒子）が形成され、膜表面に固着して凸状部をなす場合がある。これに対し、この構成によれば、透明導電膜はイオンプレーティング法で成膜されているため、成膜中のプラズマの異常放電発生を少なくすることができる。従って、透明導電膜の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、透明導電膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、請求項１又は２に記載の透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を要旨とする。
この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の非発光点が生じにくい。従って、エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が改善され、素子の寿命が延びる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、請求項３又は４に記載の透明導電膜付基板の製造方法で製造された透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子を要旨とする。
【００２１】
この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の非発光点が生じにくい。従って、エレクトロルミネッセンス素子の耐久性が改善され、素子の寿命が延びる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
以下、本発明を有機ＥＬ素子に具体化した一実施形態を図１に基づいて説明する。
【００２３】
図１は一実施形態の有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１１は、透明導電膜付基板としてのＩＴＯ膜付基板１５を有している。このＩＴＯ膜付基板１５は、透明基板としての無アルカリガラス基板（以下単に「ガラス基板」という）１２の表面に透明導電膜としてのＩＴＯ膜１４が成膜されたものである。
【００２４】
また、有機ＥＬ素子１１は、ＩＴＯ膜１４の表面に成膜され発光層１７に効率よく正孔を注入するための正孔輸送層１６と、この正孔輸送層１６の表面に成膜され、発光層１７に電子を注入するための金属薄膜層１８とを有している。
【００２５】
＜ガラス基板１２＞
本実施形態のＩＴＯ膜付基板１５は、その透明基板が、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板１２である点に特徴がある。ここにいう「実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス」とは、ＬｉＯ２やＮａＯ２、ＫＯ２などのアルカリ金属の酸化物を実質的に含有しない、すなわちそれらの酸化物がガラス成分の分析装置による分析によって検出されないガラスであることを意味する。
【００２６】
本実施形態では、ガラス基板１２のガラスは、酸化物に換算した重量百分率で表示して、ＳｉＯ２ ６０％、Ｂ２Ｏ３ １０％、Ａｌ２Ｏ３ １５％、ＢａＯ５％、ＲＯ（Ｂａ以外のアルカリ希土類） ９％、Ａｓ２Ｏ３ １％の組成を有している。このガラス基板１２では、ガラス中のアルカリ成分が、ガラス基板１２表面に形成されるＩＴＯ膜１４や有機ＥＬ素子を構成する正孔輸送層１６や発光層１７の中へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。従って本実施形態では、従来アルカリパッシベーションの目的で実施していたガラス基板１２表面へのＳｉＯ２膜などの成膜工程を省略している。
【００２７】
また、ガラス基板１２はダウンドロー法により製造されている。
ダウンドロー法では、所定の組成になるように原料を調合して、熔解槽に投入する。熔解されたガラスは、熔解槽から連続的に成形面に沿って供給され、成形面の下方で両側のガラスを融着させてから、ガラスの周辺部をローラー等によって、下方に引っ張ることによってシート状に形成される。
【００２８】
＜ＩＴＯ膜１４＞
本実施形態では、ガラス基板１２はアルカリ洗剤を用いたディップ式の超音波洗浄装置によって洗浄された後、温風乾燥され、イオンプレーティング成膜装置によってＩＴＯ膜１４が成膜される。
【００２９】
図２は、図１のＩＴＯ膜付基板１５の製造に使用されるイオンプレーティング装置の内部構成を示す概略構成図である。
図２に示すように、無アルカリガラス基板１２は成膜室となる真空容器１３に基板キャリア（図示しない）に固定された状態で導入される。この真空容器１３の一方の壁面には排気口１９が設けられ、他方の壁面には筒状部２０が設けられている。そして当該筒状部２０には圧力勾配型のプラズマガン２２が装着されるとともに当該筒状部２０の周囲には収束コイル２１が配置されている。
【００３０】
プラズマガン２２は、電磁石コイル２３が内蔵されて筒状部２０に接続された第２の中間電極２４と、環状永久磁石２５が内蔵されて第２の中間電極２４と並設された第１の中間電極２６と、陰極２７と、陰極２７と第１の中間電極２６との間に介在された円筒状のガラス管２８とを備えている。
【００３１】
電磁石コイル２３は電源２９により励磁され、収束コイル２１は電源３０により励磁される。なお、電源２９及び電源３０は、共に可変電源とされている。
第２の中間電極２４及び第１の中間電極２６は、それぞれ垂下抵抗器３１、３２を介して可変電圧型の主電源３３の一端（正側）に接続され、当該主電源３３の他端（負側）は陰極２７に接続されている。また、主電源３３にはスイッチ３６を介して補助放電電源３４及び垂下抵抗器３５が並列接続されている。
【００３２】
また、ガラス管２８の内部には陰極２７に固着されたＭｏ（モリブデン）からなる円筒部材３７と、Ｔａ（タンタル）からなるパイプ３８と、当該パイプ３８の先方にあって円筒部材３７に固着されたＬａＢ６からなる円盤状部材３９とが設けられている。放電ガス（例えば、所定量の酸素を含有したＡｒガス）が、図２で矢印Ｂで示す方向からパイプ３８を介してプラズマガン２２の内部に供給される。
【００３３】
真空容器１３の底部には、タブレット（被蒸発物質）としてのＩＴＯ焼結体４０を収容する主ハース４１が設置され、また当該主ハース４１には補助ハース４２が周設されている。主ハース４１は、熱伝導率の良好な導電材料、例えば銅で形成されると共に前記プラズマガン２２からのプラズマビームが入射する凹部を有し、さらに主電源３３の正側に接続されて陽極を形成し、プラズマビームを吸引する。
【００３４】
補助ハース４２は、主ハース４１と同様に熱伝導率の良好な導電材料で形成されており、また、内部に環状永久磁石４３及び電磁石４４が収容されている。当該電磁石４４は可変電源であるハースコイル電源４５により励磁される。すなわち、補助ハース４２は、主ハース４１を囲む環状容器内に環状永久磁石４３と電磁石４４とを同軸上に積層して配設されている。当該電磁石４４は、ハースコイル電源４５に接続され、環状永久磁石４３によって形成される磁界と電磁石４４によって形成される磁界とが重畳するように構成されている。
【００３５】
この場合、環状永久磁石４３により発生する中心側の磁界の向きと電磁石４４の中心側の磁界の向きとが同一方向とされ、ハースコイル電源４５の電圧を変化させることにより、電磁石４４に供給される電流を変化可能にしている。
【００３６】
また、補助ハース４２も垂下抵抗器４６を介して主ハース４１と同様、主電源３３の正側に接続されて陽極を構成している。
なお、真空容器１３の上部には加熱ヒータ４７が配設され、当該加熱ヒータ４７により、ガラス基板１２は所定温度（本実施形態では２００℃）に加熱される。
【００３７】
このように構成されたイオンプレーティング装置においては、酸化錫（ＳｎＯ２）の含有率が４〜６質量パーセントとされたＩＴＯ焼結体４０を主ハース４１の凹部に収容してある。このイオンプレーティング装置は、プラズマガン２２の陰極２７側から放電ガスがパイプ３８に供給されると、主ハース４１との間で放電が生じ、これによりプラズマビームが生成されるようになっている。このプラズマビームは、環状永久磁石２５及び電磁石コイル２３により収束され、収束コイル２１と補助ハース４２内の環状永久磁石４３及び電磁石４４により決定される磁界に案内されて主ハース４１に到達する。
【００３８】
そして、主ハース４１に収容されているＩＴＯ焼結体４０はプラズマビームにより加熱されて蒸発し、蒸発粒子となって飛散する。この蒸発粒子はプラズマビームによってイオン化され、加熱ヒータ４により加熱されているガラス基板１２に到達し、ガラス基板表面にＩＴＯ膜１４を形成する。
【００３９】
イオンプレーティング装置では、スパッタ装置などの他の真空成膜装置と比べて、より低い印加電圧で放電を生じさせているので、成膜中のプラズマの異常放電発生を少なくすることができる。このため、ＩＴＯ膜の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるという利点がある。
【００４０】
＜有機層＞
本実施形態ではＩＴＯ膜付基板１５は真空蒸着装置内に配され、１．３×１０−４Ｐａ以下の圧力になるまで排気した後、正孔輸送層１６であるトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）と発光層１７であるキノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）が成膜されている。さらに、これらの有機層上に金属薄膜層１８であるＭｇＡｇ合金膜（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）が陰極として成膜されている。
【００４１】
このようにして有機層および陰極が形成されたＩＴＯ膜付基板１５は、大気に曝されることなく、真空チャンバ内に窒素ガスが導入された状態でガラス基板とエポキシ樹脂で固められて封止される。こうして有機ＥＬ素子１１が作製される。
【００４２】
以上のように構成された第１実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
（１）ＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）の透明基板として無アルカリガラス基板１２を用いている。このため、ガラス中のアルカリ成分が、同ガラス基板１２に形成されるＩＴＯ膜１４（透明導電膜）や有機ＥＬ素子１１の中（有機ＥＬ素子１１を構成する正孔輸送層１６や発光層１７の中）へと拡散して、それらの特性に影響を及ぼすことがない。従って、従来アルカリパッシベーションの目的でガラス基板１２表面に成膜しているＳｉＯ２膜が不要になる。このため、ＳｉＯ２膜の成膜時に発生するＩＴＯ膜付基板１５表面への異常粒子の固着がなくなる。これにより、ＩＴＯ膜１４（透明導電膜）を形成した後のＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）表面上の凸部の発生数を減少させることができる。従って、ＩＴＯ膜付基板１５を使った有機ＥＬ素子１１では、非発光点の発現を抑えることができ、有機ＥＬ素子１１の耐久性と歩留まりを向上させることができ、製造コストを低減することができる。
【００４３】
（２）従来アルカリパッシベーションの目的で実施しているガラス基板１２表面へのＳｉＯ２膜などの成膜工程を省略することができるので、ＩＴＯ膜付基板１５及び同基板を使って作製される有機ＥＬ素子１１の製造コストを低減することができる。
【００４４】
（３）ＩＴＯ膜１４（透明導電膜）が電気抵抗値の低い酸化インジウム錫膜（ＩＴＯ膜）であるため、ＩＴＯ膜１４を成膜する膜の厚味を薄くすることができる。従って、ＩＴＯ膜１４の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、ＩＴＯ膜を形成した後のＩＴＯ膜付基板１５表面上の凸部の発生数を減少させることができる。これによっても、ＩＴＯ膜付基板１５を使った有機ＥＬ素子１１では、非発光点の発現を抑えることができる。
【００４５】
（４）ダウンドロー法によって得られた無アルカリガラス基板１２は、成形時に両表面が自由表面として形成され、他方、成形型に接したガラス面は融着されているので、基板表面にうねりが少なく、平滑性と平坦性に優れているという利点を有している。従って、無アルカリガラス基板１２をあらためて研磨する必要がない。
【００４６】
つまり、無アルカリガラス基板１２がダウンドロー法で製造されているため、同ガラス基板の表面のうねりやキズ、異物付着などによる凸部の発生が少ない。従って、無アルカリガラス基板１２を使って有機ＥＬ素子を作製する場合に、同ガラス基板表面を研磨する工程を省略することができるため、同ガラス基板表面に研磨キズが残らない。このため、透明導電膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数をさらに減少させることができる。これによっても、ＩＴＯ膜付基板１５を使った有機ＥＬ素子１１では、非発光点の発現を抑えることができる。
【００４７】
（５）ダウンドロー法では、無アルカリガラス基板１２が成形される際に下方に、すなわち水平面に対して垂直な方向に引っ張られているため、同ガラス基板表面への異物付着が少ないという利点も有している。
【００４８】
（６）ＩＴＯ膜付基板１５はイオンプレーティング法で成膜されているため、成膜中のプラズマの異常放電発生を少なくすることができる。従って、ＩＴＯ膜付基板１５の成膜の際に、異常粒子の発生を抑えることが容易になるため、ＩＴＯ膜１４透明導電膜を形成した後のＩＴＯ膜付基板１５表面上の凸部の発生数を減少させることができる。これによっても、透明導電膜を形成した後の基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。
【００４９】
［実施例］
＜実施例１＞
本実施例では、ＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）の透明基板として無アルカリガラス基板１２を使うと共に、ＩＴＯ膜１４をイオンプレーティング法で成膜したものである。このように作製したＩＴＯ膜付基板１５を使って作製した有機ＥＬ素子１１の歩留まりは、８６％であった。
【００５０】
＜実施例２＞
本実施例では、ＩＴＯ膜付基板１５の透明基板として無アルカリガラス基板１２を使うと共に、ＩＴＯ膜１４をマグネトロンスパッタ法で成膜したものである。このように作製したＩＴＯ膜付基板１５を使って作製した有機ＥＬ素子１１の歩留まりは、７９％であった。
【００５１】
＜比較例＞
本比較例では、ＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）の透明基板として、ソーダライム等からなる表面が湿式研磨されたガラス基板を使っている。また、このガラス基板の表面には、アルカリパッシベーションのためのＳｉＯ２膜がマグネトロンスパッタ法で成膜され、ＳｉＯ２膜の表面には、ＩＴＯ膜がマグネトロンスパッタ法で成膜されている。さらに、ＩＴＯ膜を研磨してある。このように作製したＩＴＯ膜付基板１５を使って作製した有機ＥＬ素子１１の歩留まりは、５８％であった。
【００５２】
上記実施例１及び２によれば、有機ＥＬ素子の非発光点の発現を、比較例よりも抑えることができる。
［ 変形例］
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
【００５３】
・上記一実施形態では、本発明を有機ＥＬ素子に適用した例について説明したが、本発明は有機ＥＬに限らず、無機ＥＬ素子にも適用可能である。
・上記一実施形態では、ＩＴＯ膜１４（透明導電膜）が無アルカリガラス基板１２（透明基板）の一方の表面に成膜されているＩＴＯ膜付基板１５（透明導電膜付基板）について説明したが、同ガラス基板１２の両方の表面にＩＴＯ膜１４が成膜されているＩＴＯ膜付基板にも本発明は適用可能である。
【００５４】
・上記一実施形態では、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板１２の組成を一例として示してあるが、本発明はその組成に限定されず、実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラスに広く適用可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１、３、６及び７に係る発明によれば、透明導電膜を形成した後の透明導電膜付基板表面上の凸部の発生数を減少させることができる。従って、非発光点の発現を抑え、耐久性と歩留まりを向上させることができる。
【００５６】
【発明の効果】
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態の有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図。
【図２】イオンプレーティング成膜装置を示す概略構成図。
【図３】従来の有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
１１…有機ＥＬ素子、１２…透明基板としての無アルカリガラス基板、１４…透明導電膜としてのＩＴＯ膜、１５…透明導電膜付基板としてのＩＴＯ膜付基板、１６…正孔輸送層、１７…発光層、１８…金属薄膜層。
Claims (7)
- 透明基板の少なくとも一方の表面に透明導電膜が形成されている透明導電膜付基板であって、
前記透明基板は実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板であることを特徴とする透明導電膜付基板。 - 請求項１に記載の透明導電膜付基板において、
前記透明導電膜は酸化インジウム錫膜であることを特徴とする透明導電膜付基板。 - 透明基板の少なくとも一方の表面に透明導電膜が形成されている透明導電膜付基板の製造方法であって、
前記透明基板は実質的にアルカリ金属酸化物を含まない無アルカリガラス基板であることを特徴とする透明導電膜付基板の製造方法。 - 請求項３に記載の透明導電膜付基板の製造方法において、
前記無アルカリガラス基板をダウンドロー法で製造することを特徴とする透明導電膜付基板の製造方法。 - 請求項３又は４に記載の透明導電膜付基板の製造方法において、
前記透明導電膜をイオンプレーティング法で成膜することを特徴とする透明導電膜付基板の製造方法。 - 請求項１又は２に記載の透明導電膜付基板を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項３又は４に記載の透明導電膜付基板の製造方法で製造された透明導電膜付基板を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
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- 2002-11-07 JP JP2002324282A patent/JP2004158353A/ja active Pending
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