JP4678169B2 - 有機el素子及びその製造方法、並びに有機el装置 - Google Patents
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Description
各積層体は、一対の電極層の間に、単層又は多層の有機層が挟まれてなる。有機層は発光層を含んでおり、その他にも例えばホール注入層やホール輸送層、或いは電子注入層や電子輸送層などを含むことがある。発光層で生じる光は、積層体の光出射側から取り出されるが、このような有機EL素子では、光は複数の積層体を透過しなければ素子外には取り出せない。そのため、少なくとも素子の光出射側に位置する電極層は、全てITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極である必要がある。素子の光出射方向は、素子が面発光するように、積層体の層面に垂直方向を中心に設定されることが望ましく、光は基板の上面側又は下面側の一方から出射されてもよいし、上面側及び下面側の両方から出射されてもよい。
先ず、図1から図3を参照して、本発明の実施形態に係る有機EL素子の基本的な構成について説明する。図1から図3の夫々は、本実施形態に係る有機EL素子の概略構成を表す断面図である。
図1において、有機EL素子1は、素子基板10の上面側から光を取り出すトップエミッション型の発光素子であり、ガラス基板、樹脂製のフィルム基板、或いは半導体基板等からなる素子基板10の上面に複数個の積層体20Aが、下面に積層体20Aと相対する位置に積層された複数個の積層体20Bが夫々形成されることで構成されている。これら積層体20(即ち、積層体20A及び積層体20B)の各間には、透明絶縁層30が挿入されている。
図2において、有機EL素子2は、素子基板10の下面側から光を取り出すボトムエミッション型の発光素子である。陰極11bは、有機EL素子2を構成する各層のうち光出射方向における最下層にあたる陰極であり、素子基板10の上面においては、積層体20Aの最上層として形成される。また、素子基板10は、光出射側に配置されているために、ガラス基板や樹脂製のフィルム基板等の透明基板とされる。
図3において、有機EL素子3は、有機EL素子1とほぼ同様に構成されている。但し、この場合は、素子基板10の下面側の最上層として、金属の陰極11aの代わりに透明導電材料からなる陰極21が形成されている。そのため、有機EL素子3は、素子基板10の両面から同時に光を取り出すことができる。
次に、図4及び図5を更に参照し、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法について説明する。図4は、本実施形態に係る製造方法に適用される成膜装置の概略構成を示している。図5は、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法を表すフローチャートである。尚、以下では、代表的に“ボトムエミッション型”の有機EL素子2を製造する場合について説明するが、その他の態様の素子もほぼ同様の方法で製造することができる。
具体的な製造工程を説明する前に、本実施形態に係る成膜装置200の構成について説明する。
次に、成膜装置200を用いた有機EL素子2の各製造工程を具体的に説明する。
次に、図6から図8を参照して、上記実施形態の有機EL素子を備えた有機EL装置に係る実施形態について説明する。尚、以下では、図2のような“ボトムエミッション型”の有機EL素子2を備えた場合を例にとり、具体的に説明する。
図6を参照して有機EL装置の全体構成について説明する。図6は、素子基板10を封止基板の側から見た有機EL装置の概略的な平面図である。ここでは、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の有機EL装置を例にとる。
次に、図6に加え、図7及び図8を参照して、有機EL装置の画像表示領域110における画素部の構成について具体的に説明する。図7は、有機EL装置の全体構成を示すブロック図であり、図8は、データ線、走査線、有機EL素子等が形成された素子基板上の任意の画素部の断面図である。
有機EL装置の駆動時、素子基板10の両面において、走査線112を介して走査信号が供給される。これにより、スイッチング用トランジスタ76がオン状態になる。よって、データ線114から供給される画像信号は、駆動用トランジスタ74のゲートに印加されると共に、保持容量78に書き込まれる。このとき、駆動用トランジスタ74はオン状態となり、電源供給線117から駆動電流が、駆動用トランジスタ74を介して有機EL素子2に印加される。その際、駆動用トランジスタ74のゲート電圧は、保持容量78に書き込まれた画像信号により固定されるために、有機EL素子2側には、画像信号に応じた一定の電流が流れる。
次に、図9を参照して、本発明の有機EL装置の他の実施形態について説明する。図9は、第2実施形態に係る有機EL装置の画素部の構成を概念的に表している。
次に、図10及び図11を参照して、上記実施形態の有機EL装置が適用された電子機器について説明する。
先ず、上述した有機EL装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図10は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図10において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、有機EL装置を用いて構成された表示ユニット1206とを備えている。
さらに、この有機EL装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図11は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図11において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに有機EL装置を備えるものである。
Claims (6)
- 基板の一方の面に積層されており、少なくとも一方が透明な一対の電極層と該一対の電極層間に挟持された有機層とを含んで構成されたn個(但し、nは2以上の自然数)の第1積層体と、
前記n個の第1積層体の各間に夫々挿入された第1透明絶縁層と、
前記基板の他方の面における前記第1積層体と相対する位置に積層されており、少なくとも一方が透明な一対の電極層と該一対の電極層間に挟持された有機層とを含んで構成されたm個(但し、mは2以上の自然数)の第2積層体と、
前記m個の第2積層体の各間に夫々挿入された第2透明絶縁層と、
前記一方の面に設けられた第1トランジスタと、
前記他方の面に設けられた第2トランジスタと、
を備え、
前記n個の第1積層体は、前記第1トランジスタの上層側に設けられた下側第1積層体及び前記下側第1積層体の上層に前記第1透明絶縁層を介して重ねて設けられた上側第1積層体とを含み、
前記下側第1積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層が前記第1トランジスタのドレイン電極に接続され、
前記上側第1積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層が、前記下側第1積層体の一方の電極層に接続され、
前記下側第1積層体の前記有機層と前記上側第1積層体の前記有機層とは同一の発光層を含み、
前記m個の第2積層体は、前記第2トランジスタの上層側に設けられた下側第2積層体及び前記下側第2積層体の上層に前記第2透明絶縁層を介して重ねて設けられた上側第2積層体とを含み、
前記下側第2積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層が前記第2トランジスタのドレイン電極に接続され、
前記上側第2積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層が、前記下側第2積層体の一方の電極層に接続され、
前記下側第2積層体の前記有機層と前記上側第2積層体の前記有機層とは同一の発光層を含み、
前記n個の第1積層体の各々に含まれる有機層、及び前記m個の第2積層体の各々に含まれる有機層は、互いに同一の発光層を含んでいる
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記第1及び第2積層体における前記透明な電極層と前記第1及び第2透明絶縁層とは夫々、イオンプレーティング法により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記第1積層体において前記一方の面上で最上層となる前記電極層、又は前記第2積層体において前記他方の面上で最上層となる前記電極層は、金属膜からなり、
前記第1及び第2積層体における前記金属膜以外の電極層は透明導電膜からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL素子。 - 前記第1及び第2積層体の夫々は、前記一対の電極層間に、前記有機層に電子を注入するための電子注入層を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の有機EL素子。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の有機EL素子と、
一端側において前記第1積層体の夫々における前記一対の電極層の一方と電気的に接続されると共に、他端側は前記第1積層体の夫々を駆動するための電源と電気的に接続される第1電源供給用配線と、
前記第1積層体の夫々における前記一対の電極層の他方と電気的に接続される第1電極用配線と、
一端側において前記第2積層体の夫々における前記一対の電極層の一方と電気的に接続されると共に、他端側は前記第2積層体の夫々を駆動するための電源と電気的に接続される第2電源供給用配線と、
前記第2積層体の夫々における前記一対の電極層の他方と電気的に接続される第2電極用配線と
を備え、
前記第1電源供給用配線及び前記第1電極用配線により前記n個の第1積層体の夫々が電気的に前記電源に対して並列に接続され、前記第2電源供給用配線及び前記第2電極用配線により前記m個の第2積層体の夫々が電気的に前記電源に対して並列に接続されるように構成されていることを特徴とする有機EL装置。 - 基板の一方の面に積層されており、少なくとも一方が透明な一対の電極層と該一対の電極層間に挟持された有機層とを含んで構成されたn個(但し、nは2以上の自然数)の第1積層体と、前記n個の第1積層体の各間に夫々挿入された第1透明絶縁層と、基板の他方の面における前記第1積層体と相対する位置に積層されており、少なくとも一方が透明な一対の電極層と該一対の電極層間に挟持された有機層とを含んで構成されたm個(但し、mは2以上の自然数)の第2積層体と、前記m個の第2積層体の各間に夫々挿入された第2透明絶縁層と、前記一方の面に設けられた第1トランジスタと、前記他方の面に設けられた第2トランジスタと、を備え、前記n個の第1積層体の各々に含まれる有機層、及び前記m個の第2積層体の各々に含まれる有機層は、互いに同一の発光層を含んでいる有機EL素子を製造するための有機EL素子の製造方法であって、
前記n個の第1積層体を、前記第1トランジスタの上層側に設けられた下側第1積層体及び前記下側第1積層体の上層に前記第1透明絶縁層を介して重ねて設けられた上側第1積層体とを含むように形成する工程と、
前記下側第1積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層を前記第1トランジスタのドレイン電極に接続する工程と、
前記上側第1積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層を前記下側第1積層体の一方の電極層に接続する工程と、
前記下側第1積層体の前記有機層と前記上側第1積層体の前記有機層とを同一の発光層を含むように形成する工程と、
前記m個の第2積層体を、前記第2トランジスタの上層側に設けられた下側第2積層体及び前記下側第2積層体の上層に前記第2透明絶縁層を介して重ねて設けられた上側第2積層体とを含むように形成する工程と、
前記下側第2積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層を前記第2トランジスタのドレイン電極に接続する工程と、
前記上側第2積層体の前記一対の電極層のうち一方の電極層を前記下側第2積層体の一方の電極層に接続する工程と、
前記下側第2積層体の前記有機層と前記上側第2積層体の前記有機層とを同一の発光層を含むように形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5837391A (en) * | 1996-01-17 | 1998-11-17 | Nec Corporation | Organic electroluminescent element having electrode between two fluorescent media for injecting carrier thereinto |
JP2000133449A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-05-12 | Rohm Co Ltd | 有機el素子の積層構造 |
JP2004031214A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004079291A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004134395A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置 |
JP2004158353A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子 |
WO2004054325A1 (ja) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5837391A (en) * | 1996-01-17 | 1998-11-17 | Nec Corporation | Organic electroluminescent element having electrode between two fluorescent media for injecting carrier thereinto |
JP2000133449A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-05-12 | Rohm Co Ltd | 有機el素子の積層構造 |
JP2004031214A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004079291A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004134395A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置 |
JP2004158353A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付基板、透明導電膜付基板の製造方法、及び透明導電膜付基板を有するエレクトロルミネッセンス素子 |
WO2004054325A1 (ja) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置、製造装置、成膜方法、およびクリーニング方法 |
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