JP2004157159A - 無機偏光素子および偏光光学素子および液晶素子 - Google Patents

Abstract

【課題】構造が簡素で、耐熱性・機械強度に優れた、無機材料による新規なワイヤグリッド型偏光素子を実現する。
【解決手段】無機材料による透明な基体１の平坦な面１Ａに、導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれ、埋め込まれた１次元ライン格子の露呈部と基体の平坦な面が同一の平面をなすように形成され、無機材料による透明な基体１の屈折率：ｎ、導電性材料による１次元ライン格子の各格子線２_ｉの配列ピッチ：ｄ、光の波長：λが、条件：０＜ｎ・ｄ／λ＜０．７ を満足する
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、無機偏光素子および偏光光学素子および液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
偏光素子は、特定の方向に直線偏光した光を透過させる光学素子であり、種々の光学装置に広く使用されている。偏光素子として広く知られたものに電気石があるが、高価であり、光学装置に部品として組み込むには不適当である。量産性がよく、低コストで製造できる偏光素子として、透明基板に、導電性材料による細線で１次元ライン格子を形成した「ワイヤグリッド型偏光素子」が提案されている（特許文献１〜３参照）。
【０００３】
ワイヤグリッド型偏光素子は「導電体内が無電界である」ことを利用するものである。即ち、このような偏光素子に自然偏光を入射させると、振動電界のうち、１次元ライン格子における格子線の長手方向の振動成分は格子線内で０となるので「１次元ライン格子の格子配列方向に振動する直線偏光」が透過する。
【０００４】
特許文献１、２に記載されたものは、１次元ライン格子が基板表面上に形成されているため、１次元ライン格子が基板から剥離し易く、使用態様に対する制約が強い。特許文献３に記載されたものは、１次元ライン格子が１対の基板に挟持された構成となっており、基板が１次元ライン格子に対する保護材として機能するので、使用態様に対する制約は改善されるが、「次元光学格子を１対の基板により挟持するという構造」のため製造は必ずしも容易といえない。
【０００５】
特許文献１にはまた、透明基板として有機樹脂材料を用いたグリッド型偏光素子も記載されているが、有機樹脂材料を用いたものは耐熱性や機械強度が低く、やはり使用態様に対する制約が強い。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−１５３７０６号公報
【特許文献２】
米国特許６１２２１０３号明細書
【特許文献３】
米国特許６２８８８４０Ｂ１号明細書
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、ワイヤグリッド型偏光素子であって、構造が簡素で耐熱性・機械強度に優れた、新規な無機偏光素子の実現を課題とする。この発明はまた、上記無機偏光素子を用いる偏光光学素子および液晶素子の実現を他の課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の無機偏光素子は「無機材料による透明な基体の平坦な面に、導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれ、埋め込まれた１次元ライン格子の露呈部と基体の平坦な面が同一の平面をなすように形成された」ことを構造上の特徴とする。
【０００９】
図１に基本的な構成を説明図として示す。
符号１は「無機材料による透明な基体」を示す。基体１の平坦な面１Ａの側に「導電性材料による１次元ライン格子」が埋め込まれている。
符号２_ｉ−１、２_ｉ、２_ｉ＋１、２_ｉ＋２、・・は、１次元ライン格子として埋め込まれた導電性材料による各「格子線」の横断面を示している。
【００１０】
格子線２ｉ等は、図面に直交する方向へ長く伸び、図面の左右方向に１次元格子状に配列して「１次元ライン格子」を構成している。また、埋め込まれた状態の各格子線の露呈部と基体１の平坦な面１Ａとは同一の平面をなす。
【００１１】
なお、１次元ライン格子が「無機材料による透明な基体の平坦な面に埋め込まれる」とは、無機偏光素子の構造上の特徴を謂うものであり、無機偏光素子の製造過程において、予め形成された１次元ライン格子が「基体表面に機械的に埋め込まれる」訳ではない。
【００１２】
請求項１記載の無機偏光素子は、上記構造において、以下の特徴を有する。 即ち、無機材料による透明な基体１の屈折率：ｎ、導電性材料による１次元ライン格子の各格子線２_ｉの配列ピッチ：ｄ、光の波長：λが、条件：
（１） ０＜ｎ・ｄ／λ＜０．７
を満足する。
【００１３】
即ち、一般に、偏光化作用を及ぼすべき光の波長が短くなるほど、屈折率：ｎとピッチ：ｄの積が小さくなるようにして、条件（１）を満足させればよい。
【００１４】
後述するように、１次元ライン格子の各格子線の横断面形状は図１に示す「矩形形状」以外にも種々の形状が可能であるが、図１に示すように「矩形形状」を横断面形状とする場合は、上記パラメータ：ｎ・ｄ／λの値を０．１とし、「矩形形状」における幅：ａ、厚さ：ｔ、屈折率：ｎ、配列ピッチ：ｄ、波長：λが、条件：
（２） ０＜ａ＜ｄ
（３） ０＜ｔ＜０．２２λ／ｎ
を満足することが好ましい（請求項２）。
【００１５】
請求項１記載の無機偏光素子において、導電性材料による１次元ライン格子における各格子線の横断面形状は、上記矩形形状の他にも「台形形状、楔形状、半円形状もしくは半楕円形状」であることができる（請求項３）。
【００１６】
請求項１または２または３記載の無機偏光素子において、１次元ライン格子を構成する導電性材料は「金属」であることができる（請求項４）。導電性材料としては、金属以外に半導体材料も使用可能である。上記金属は、アルミニウム、銀、金もしくはクロムの何れかであることができる（請求項５）。
【００１７】
無機偏光素子を「可視域の光に対し、非透過光を反射する偏光素子」として用いる場合には、１次元ライン格子を、可視光に対して高い反射率を持つ「アルミニウムもしくは銀」で形成することが好ましく（請求項６）、逆に「可視域の光に対し、非透過光を反射させない偏光素子」として用いる場合には、可視光を吸収しやすい「クロム」で形成することが好ましい（請求項７）。また、無機偏光素子を「近赤外領域の光に対し、非透過光を反射する偏光素子」として用いる場合には、１次元ライン格子を「金」で形成することが好ましい（請求項８）。
【００１８】
請求項１〜８の任意の１に記載の無機偏光素子は「無機材料による基体を平行平板とする」ことにより偏光板として実施できる（請求項９）。
この発明の偏光光学素子は「偏光機能と他の光学機能を兼備」した偏光光学素子である。
請求項１０記載の偏光光学素子は、請求項１〜８の任意の１に記載の無機偏光素子における無機材料による基体の「１次元ライン格子が形成されない部分」に、反射面および／または屈折面を形成し、「１次元ライン格子と協働する光学作用」を持たせたものである。
【００１９】
例えば、無機材料による基体を「直角プリズム」として形成し、その斜面以外の２面のうち、一方の面に１次元ライン格子を埋め込んで偏光素子面とし、他方の面にレンズ面（屈折面）を形成し、斜面には反射面を形成する。このようにすると、例えば、自然偏光の光を偏光素子面から入射させ、直線偏光化された光を反射面で反射させ、この反射光をレンズ面の作用で発散させたり集束させたりすることができる。
【００２０】
請求項１０記載の偏光光学素子は「無機材料による基体の、１次元ライン格子が形成された面に対向する側の面にレンズ面が形成された」構成とすることができる（請求項１１）。この場合、さらに、１次元ライン格子が埋め込まれた平坦な面に「片面が平面であるレンズ」を接合一体化できる（請求項１２）。この請求項１２記載の偏光光学素子では、導電性材料による１次元ライン格子が「２つのレンズ面により挟まれた形態」となる。
【００２１】
上記請求項１０記載の偏光光学素子はまた「無機材料による基体の、１次元ライン格子が形成された面に対向する側の面にマイクロレンズアレイが形成された構成」とすることもできる（請求項１３）。
【００２２】
請求項１４記載の液晶素子は「透過光の偏光方向を電気的に制御できる液晶素子に対して、請求項９記載の無機偏光素子を１対、偏光子および検光子として組合せて」なる液晶素子である。このようにして「液晶スイッチング素子」を実現できる。また、液晶素子がアレイ配列されたものである場合には、液晶パネルとして構成できる。
【００２３】
請求項１５記載の液晶素子は「素子ごとに透過光の偏光方向を電気的に制御できる液晶素子アレイに対して、請求項１３記載の偏光光学素子を１対、偏光子及び検光子として組合せ、且つ、偏光光学素子におけるマイクロレンズのアレイ配列を液晶素子アレイのアレイ配列と合致させた」ことを特徴とする。マイクロレンズアレイの各マイクロレンズにより、液晶素子アレイの液晶素子に光を集光させることにより液晶パネルにおける光利用効率を高めることができる。
【００２４】
なお、導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれる基体を構成する無機材料は、石英ガラスや通常の各種光学ガラスを好適に用いることができるが、これに限らず、無機材料で使用波長に対して透明なものを適宜に利用できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態を説明する。
図２は、請求項９記載の無機偏光素子の実施の１形態を説明するための図である。図２（ａ）に示すように、無機偏光素子１０は「平行平板状」であり、無機材料による平行平板状の基体１０Ａの片面側に、導電性材料による１次元ライン格子１０Ｂが埋め込まれて形成されている。基板１０Ａとしては光学ガラス、１次元ライン格子１０Ｂの導電性材料としては金属を想定している。
【００２６】
図２（ａ）に示すように、無機偏光素子１０の一方の側から入射光ＬＩを入射させると、１次元ライン格子１０Ｂにおける格子線の長手方向（図の上下方向）に電場振動面を持つ成分（以下「垂直偏光」という）は、反射光ＬＲとなって反射され、１次元ライン格子１０Ｂの格子配列方向に電場振動面を持つ成分（以下「水平偏光」という）は、透過光ＬＴとなって透過する。このようにして、直線偏光状態の光を透過光ＬＴ、反射光ＬＲとして得ることができる。
【００２７】
図２（ｂ）は、図２（ａ）の部分横断面を示している。符号１０Ｂ_ｉ−１、１０Ｂ_ｉ、１０Ｂ_ｉ＋１、・・は、１次元ライン格子１０Ｂを構成する「導電性材料による格子線」を示し、各格子線１０Ｂ_ｉは、図２（ｂ）の図面に直交する方向へ直線状に伸び、図の左右方向へ互いに平行に配列して「１次元ライン格子」をなしている。
【００２８】
埋め込まれた１次元ライン格子１０Ｂの露呈部（図の上側の面）と基体１０Ａの平坦な面が同一の平面をなす。なお、この形態例において、基体１０の両側の面には「反射防止膜」がコーティングされている。
【００２９】
各格子線１０Ｂ_ｉの横断面形状は、幅：ａ、厚さ：ｔの矩形形状である。図の如く、１次元ライン格子における格子線１０Ｂ_ｉの配列ピッチをｄとし、幅：ａとピッチ：ｄの関係を、ａ＝ｄ／π（πは円周率）とする。また、基体１０Ａを構成する無機材料の屈折率を「ｎ」とし、入射光ＬＩの波長を「λ」とする。
【００３０】
このとき、ｎ・ｄ／λを無次元のパラメータとして変化させ、無機偏光素子１０に、垂直偏光と水平偏光を入射させたときの、各々の偏光に対する透過率の変化を「電磁場解析」により調べた結果、図３に示す如くになった。
図３の縦軸は透過率、横軸（対数目盛）はパラメータ：ｎ・ｄ／λである。
【００３１】
この図から明らかなように、パラメータ：ｎ・ｄ／λが０．１以下では、水平偏光は略完全に遮断され、垂直偏光は略完全に透過する。また、パラメータ：ｎ・ｄ／λが０．７以下では、水平偏光の透過率は２０％、垂直偏光の透過率は８０％である。
【００３２】
したがって、無機偏光素子１０が実用上「偏光素子」として使用できるパラメータ：ｎ・ｄ／λの範囲は、条件：
（１） ０＜ｎ・ｄ／λ＜０．７
の範囲であることが分かる。特に、パラメータ：ｎ・ｄ／λが０．１以下では、良好な消光比を実現でき、偏向素子として極めて良好である。
【００３３】
即ち、図２に示す無機偏光素子１０は、無機材料による透明な基体１０Ａの平坦な面に、導電性材料による１次元ライン格子１０Ｂが埋め込まれ、埋め込まれた１次元ライン格子１０Ｂの露呈部と基体１０Ａの平坦な面が同一の平面をなすように形成され、無機材料による透明な基体の屈折率：ｎ、導電性材料による１次元ライン格子の各格子線の配列ピッチ：ｄ、光の波長：λが、条件（１）を満足する（請求項１）。
【００３４】
次ぎに、図２の実施の形態において、パラメータ：ｎ・ｄ／λ＝０．１（即ち、ｄ＝０．１λ／ｎ）とし、この条件下において、格子線の幅：ａと配列ピッチ：ｄの比：ａ／ｄを変化させたときの、水平・垂直偏光の透過率の変化を図４に示し、このときの消光比（水平偏光の透過率／垂直偏光の透過率）の変化を図５に示す。図５の縦軸が消光比を表す。
【００３５】
図４から明らかなように、ａ／ｄが大きくなると、垂直偏光の透過率は急激に減少するのに対し、水平偏光の透過率はａ／ｄ＝０．２程度までは略１００％の透過率を持ち、それ以後は次第に減少する傾向をもつ。一方、消光比は、図５に示すように、ａ／ｄの増大とともに図の如く漸増し、ａ／ｄが略０．７程度のところで極大を持つ。
【００３６】
即ち、格子線の幅：ａは、ピッチ：ｄとの関係では、
（１） ０＜ａ＜ｄ
の範囲で許容されるが、ａが０に近づくほど、垂直偏光の透過率も高くなるため入射光を直線偏光化する「偏光化効率」は悪くなる。また、ａが大きくなると、水平偏光の透過率は急激に減少するが、ａがｄに近づくに連れて水平偏光の透過率も漸減する。これは、格子線間の間隔が小さくなって、透明な領域が狭まることによる。このため、ａがｄに近づくと偏光化効率は高くなるが、偏光素子としては「暗い」ものになる。
【００３７】
一方、消光比の方は、ａがｄに近づくに連れて急激に増加する。この点を考えると、ａ／ｄのより好ましい範囲は、偏光化効率および明るさの面から
０．１＜ａ／ｄ＜０．８
であり、さらに、偏光化効率・明るさとともに消光比を考慮すると、
０．２＜ａ／ｄ＜０．８
がさらに好ましい範囲となる。
【００３８】
次ぎに、ｎ・ｄ／λ＝０．１の条件下において、格子線１０Ｂ_ｉにおける幅：ａと厚さ：ｔの割合：ｔ／ａを変化させたときの、水平・垂直偏光の透過率の変化を図６に、消光比の変化を図７に示す。図７の縦軸が消光比である。
【００３９】
図６から明らかなように、垂直偏光の透過率はｔ／ａに殆ど依存しないが、水平偏光の透過率はｔ／ａの増大と伴に漸減する傾向がある。また、消光比は、図７から明らかなように、ｔ／ａの増大と伴に増大して飽和することが分かる。
【００４０】
図７に示すように、消光比（縦軸）は「ｔ／ａが略７以上では飽和する」ので、厚さ：ｔを７ａより厚くしても消光比を変化させることはできない。
従って、「消光比として、所望の値を設定できる厚さ：ｔ」の範囲は、ｔ＜７ａと考えられる。
【００４１】
図７の消光比特性が得られる条件は、前述の如く、ｎ・ｄ／λ＝０．１であり、また、ａ＝ｄ／πであるからｄ＝πａ、ｎ・ｄ／λ＝ｎ・πａ／λ＝０．１であるから、ａ＝０．１λ／（π・ｎ）となり、これから上記範囲「ｔ＜７ａ」は、
ｔ＜７・０．１λ／（π・ｎ）＝（０．７／３．１４）λ／ｎ＝０．２２λ／ｎ
となり、結局、条件：
（３） ０＜ｔ＜０．２２λ／ｎ
を満足することにより、消光比を、１：１０〜１：１０^８の範囲で「所望の値」に設定することが可能となる。（請求項２）。
【００４２】
逆に、ｔ≧７ａの場合には消光比が飽和しており、この領域では消光比の変化がないので、この領域では「飽和した消光比に対して、水平偏光の透過率を適宜に調整可能」である。
【００４３】
上には、無機偏光素子における「１次元ライン格子を構成する各格子線の横断面形状」を矩形形状としたが、格子線の横断面形状は他にも種々のものが可能である。
【００４４】
図８（ａ）に示す例では、格子線２１_ｉ等の横断面形状が「逆台形形状」であり、（ｂ）に示す例では、格子線２２_ｉ等の横断面形状は「楔形状」、（ｃ）に示す例では、格子線２３_ｉ等の横断面形状は「半楕円形状」である（請求項３）。
【００４５】
図３に示すような各種の横断面形状を持つ１次元ライン格子の場合にも、前述の条件（１）が有効であることは勿論である。また、上記各種の横断面形状の場合についても、条件（３）に相当する「消光比として、所望の値を設定できる厚さ：ｔ」の範囲を設定可能である。この場合、厚さ：ｔは、図３に示す各横断面形状における「溝の深さ」に（横断面形状に応じた）係数を乗じたものとなる。格子線の横断面形状は、上記以外にも「半円形状」等、種々の形状が許容される。
【００４６】
ここで、この発明の無機偏光素子の「無機材料による透明な基体の平坦な面に、導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれ、埋め込まれた１次元ライン格子の露呈部と基体の平坦な面が同一の平面をなす」構造を実現する方法を簡単に説明する。このような構造を実現する方法には種々のものが可能である。
【００４７】
例えば、無機材料として光学ガラスを想定すると、この光学ガラスの平坦な面にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層に電子線描画やＸ線描画の手法で「１次元ライン格子に相当するパターン」を書き込み、現像により「格子線となるべき部分のフォトレジスト」を除去する。
【００４８】
次いで、現像後のフォトレジスト層をマスクとしてエッチングを行い、フォトレジストに形成された「１次元ライン格子に相当するパターン」を、光学ガラスの平坦な面に転写し、光学ガラス表面に「１次元ライン格子に対応する溝パターン」を形成する。
【００４９】
この状態で金属材料、例えば、アルミニウムをＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔ）等の化学蒸着法や物理蒸着を用いた成膜法、あるいは鍍金等の堆積法で、フォトレジスト層表面および「１次元ライン格子に対応する溝パターン」に層状に付着させる。
【００５０】
その後、「アルミニウムの付着したフォトレジスト層」を、光学ガラスの平坦な面から除去すると、１次元ライン格子に相当するアルミニウム細線の配列が得られるので、光学ガラスの表面側をブラスト処理して「光学ガラス面から盛り上がっているアルミニウム部分」を除去し、埋め込まれた「アルミニウムによる１次元ライン格子の露呈部」と基体の平坦な面が同一の平面をなすようにする。
【００５１】
別の方法として、光学ガラスの平坦な面に電子線描画等により直接的に「１次元ライン格子に対応する溝パターン」を加工し、物理蒸着やＣＶＤ等の化学蒸着により上記平坦な面全体にアルミニウムを付着させるとともに、溝パターンにアルミニウムを充填する。その後、電子スパッタリング等で「平坦な面上のアルミニウム」を除去し、溝部に充填されたアルミニウムのみを残せば、所望の１次元ライン格子が得られる。
【００５２】
上記アルミニウムに代えて、銀、金、クロム等を、無機偏光素子の使用目的に応じて用い得ることは前述した通りである（請求項６、７、８）。勿論、別の導電性材料を使用することもできる。
【００５３】
先に、図２以下に即して実施の形態を説明した無機偏光素子１０は、無機材料による基体１０Ａを平行平板としたものであり（請求項９）であり、「偏光板」として使用可能であった。
【００５４】
図９に示すのは、請求項１０、１１、１２記載の偏光光学素子の実施の１形態を示している。
この偏光光学素子９０では、無機材料による基体９１の、１次元ライン格子９２が形成されない部分に、屈折面９１Ａが形成され、１次元ライン格子９２と協働する光学作用を持つ（請求項１０）。
【００５５】
そして、無機材料による基体９１の、１次元ライン格子９２が形成された面に対向する面に形成された屈折面９２は「凸レンズ面」であり（請求項１１）、１次元ライン格子９２の形成された面の側には、片面が平面である凸レンズ９３を接合一体化されている（請求項１２）。
【００５６】
このような偏光光学素子９０では、例えば、凸レンズ９３の側から水平・垂直偏光成分を含む入射光ＬＩを平行光束として入射させると、水平偏光成分は透過光ＬＴとなり、レンズ９３とレンズ面９１Ａの作用で集束光束となり、垂直偏光成分は反射光ＬＲとなり、レンズ９３の作用により集束光束となる。
【００５７】
レンズ面９１Ａを凹レンズ面とすることも、レンズ９３を凹レンズとすることもでき、例えば「透過光ＬＴを発散光、反射光ＬＲを集束光とする」ことも「透過光ＬＴを集束光、反射光ＬＲを発散光とする」ことも「透過光ＬＴ、反射光ＬＲともに発散光とする」ことも可能である。
【００５８】
図１０は、請求項１４、１５記載の液晶素子の実施の１形態を説明するための図である。
符号１０１、１０２は偏光光学素子、符号１０３は液晶素子アレイをそれぞれ示している。液晶素子アレイは、単位画素を構成する液晶素子ＬＣ_ｉｊを２次元正方行列状にアレイ配列したものであって、図示されない駆動回路により各液晶素子ＬＣ_ｉｊに独立に駆動電圧を印加できるようになっている。
【００５９】
各液晶素子ＬＣ_ｉｊは「ツイステッドネマチック液晶」による素子であり、駆動電圧が印加されていない状態で「直線偏光状態の光」を入射させると、入射光の偏光面を９０度旋回させて透過させる。駆動電圧を印加すると、入射光の偏光面の向きを保ったまま透過させる。
【００６０】
偏光光学素子１０１、１０２は無機材料を基体として構成され、その片面に導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれ、埋め込まれた１次元ライン格子の露呈部と基体の平坦な面が同一の平面をなすように形成されている。
【００６１】
偏光光学素子１０１では、埋め込み形成された１次元ライン格子１０１Ａは、格子線の配列方向が図面の上下方向を向き、偏光光学素子１０２では、埋め込み形成された１次元ライン格子１０２Ａは、格子線の配列方向が図面に直交する方向になっている。従って、偏光光学素子１０１と１０２とでは、１次元ライン格子１０１Ａ、１０２Ａは格子配列方向が互いに直交している。
【００６２】
このため、偏光光学素子１０１、１０２を１対の偏光素子として、偏光子・検光子として使用できる。
【００６３】
また、偏光光学素子１０１の１次元ライン格子１０１Ａが形成されたのと逆側の面には、マイクロレンズＭＬ１_ｉｊが、液晶素子ＬＣ_ｉｊの配列に１：１で対応して形成されており、偏光光学素子１０２の１次元ライン格子１０２Ａが形成されたのと逆側の面には、マイクロレンズＭＬ２_ｉｊが、液晶素子ＬＣ_ｉｊの配列に１：１で対応して形成されている。
【００６４】
従って、例えば、図１０の左方から自然偏光の光を入射させると、偏光子としての偏光光学素子１０１の作用により、入射した光のうち「図の上下方向に振動する偏光成分」のみが透過光となり、各マイクロレンズＭＬ１_ｉｊにより、各マイクロレンズに対応する液晶素子ＬＣ_ｉｊに集光する。この光は液晶素子ＬＣ_{ｉ ｊ}を透過するが、その際、駆動電圧が印加されていない液晶素子では偏光面が９０度旋回され、マイクロレンズＭＬ２_ｉｊにより集束されて１次元ライン格子１０２Ａを透過する。
【００６５】
また、駆動電圧が印加された液晶素子では偏光面の旋回が起こらず、マイクロレンズＭＬ２_ｉｊにより集束された透過光は、１次元ライン格子１０２Ａにより遮断される。このように、偏光光学素子１０２から図の右方へ射出する光は、駆動電圧の印加された液晶素子ＬＣ_ｉｊに従って空間的に強度変調される。
【００６６】
このように強度変調された光を適宜の結像光学系で結像させれば、２次元画像を表示することができる。
【００６７】
従来、液晶パネルに偏光子・検光子として「有機偏光素子」が用いられているが、有機偏光素子は、熱の影響による経年変化で性能の劣化が生じることが知られている。図１０に示すように、この発明の無機偏光素子を偏光子・検光子として用いれば、耐熱性や機械的強度が極めて高いので、耐久性のある液晶パネルを実現できる。
【００６８】
即ち、図１０に示す偏光光学素子１０１、１０２は、無機材料による基体の、１次元ライン格子１０１Ａ、１０２Ａが形成された面に対向する面に、マイクロレンズアレイが形成された偏光光学素子（請求項１３）であり、また、透過光の偏光方向を電気的に制御できる液晶素子１０３に対し、偏光子及び検光子として組合せられ（請求項１４）、素子ごとに透過光の偏光方向を電気的に制御できる液晶素子アレイ１０３に対して偏光子及び検光子として組合せられ、且つ、偏光光学素子１０１、１０２におけるマイクロレンズのアレイ配列が液晶素子アレイ１０３のアレイ配列と合致している（請求項１５）。
【００６９】
【実施例】
図１０に示した偏光光学素子１０１、１０２を、以下の如くに作成した。使用波長：λを可視領域：４００〜７００ｎｍとし、基体となるべき無機材料として屈折率：１．４の平行平板状の光学ガラスを用い、その片面に、液晶素子アレイにおける素子配列に対応した凸のマイクロレンズのアレイを形成したものを基体とした。
【００７０】
１次元ライン格子を構成する導電性材料としてアルミニウムを用い、格子線の配列ピッチ：ｄを８５・７ｎｍとし、前記パラメータ：ｎ・ｄ／λ＜０．３とした。即ち、λ＝４００ｎｍに対して、ｎ・ｄ＜１２．０ｎｍである。
【００７１】
格子線の横断面を矩形形状とし、その幅：ａ＝３０ｎｍ、厚さ：ｔ＝１００ｎｍとした。
【００７２】
作製は、前述した「光学ガラスの平坦な面にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層に電子線描画で１次元ライン格子に相当するパターンを書き込み、現像後、エッチングを行い、光学ガラス表面に１次元ライン格子に対応する溝パターンを形成し、アルミニウムをＣＶＤにより層状に付着させ、その後、アルミニウムの付着したフォトレジスト層を光学ガラスの平坦な面から除去し、光学ガラスの表面側をブラスト処理し、埋め込まれたアルミニウムの１次元ライン格子の露呈部と基体の平坦な面が同一の平面をなすようにする方法」によった。
【００７３】
このようにして得られた偏光光学素子１０１、１０２における、水平偏光、垂直偏光の透過率は図１１に示す如くであり、消光比は図１２に示す如くである。図１１から明らかなように、可視領域：４００〜７００ｎｍの波長範囲において、透過率は、垂直偏光につき実質的に０、水平偏光につき８０％以上である。また、可視領域内で消光比は１：１００以上である。
【００７４】
即ち、この偏光光学素子は良好な偏光子・検光子として使用可能である。
【００７５】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、新規な無機偏光素子および偏光光学素子および液晶素子を実現できる。この発明の無機偏光素子は、上記の如く、無機材料による透明な基体の平坦な面に、導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれ、埋め込まれた１次元ライン格子の露呈部と基体の平坦な面が同一の平面をなす構造となっているので、１次元ライン格子と無機材料による基体との結合が堅固であって機械的な耐久性に優れ、材料が無機材料と導電性材料であるので耐熱性にも優れている。また、条件（１）を満足することにより良好な偏光化機能を有する。
【００７６】
従って、この発明の無機偏光素子を用いる偏光光学素子・液晶素子は、偏光化機能に優れ、また、熱の影響を問題としないですむ。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の無機偏光素子の構造を説明するための図である。
【図２】この発明の無機偏光素子の実施の１形態を説明するための図である。
【図３】条件（１）を説明するための図である。
【図４】条件（２）、（３）を説明するための図である。
【図５】条件（２）、（３）を説明するための図である。
【図６】条件（２）、（３）を説明するための図である。
【図７】条件（２）、（３）を説明するための図である。
【図８】１次元ライン格子の格子線の横断面形状を３例示す図である。
【図９】請求項１２記載の偏光光学素子の実施の１形態を説明するための図である。
【図１０】請求項１５記載の液晶素子の実施の１形態を説明するための図である。
【図１１】実施例の光学特性を説明するための図である。
【図１２】実施例の光学特性を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 無機材料による基体
１Ａ 基体１の平坦な面
２_ｉ 基体１の平坦な面１Ａに埋め込まれた導電性材料による１次元ライン格子の格子線

Claims (15)

1. 無機材料による透明な基体の平坦な面に、導電性材料による１次元ライン格子が埋め込まれ、上記埋め込まれた１次元ライン格子の露呈部と上記基体の平坦な面が同一の平面をなすように形成され、
   無機材料による透明な基体の屈折率：ｎ、導電性材料による１次元ライン格子の各格子線の配列ピッチ：ｄ、光の波長：λが、条件：
   （１） ０＜ｎ・ｄ／λ＜０．７
   を満足することを特徴とする無機偏光素子。
2. 請求項１記載の無機偏光素子において、
   導電性材料による１次元ライン格子における各格子線の横断面形状が矩形形状であり、無機材料による透明な基体の屈折率：ｎ、導電性材料による１次元ライン格子の各格子線の配列ピッチ：ｄ、光の波長：λによるパラメータ：ｎ・ｄ／λの値が０．１であり、且つ、上記各格子線の横断面形状の矩形形状における幅：ａ、厚さ：ｔ、上記屈折率：ｎ、配列ピッチ：ｄ、波長：λが、条件：
   （２） ０＜ａ＜ｄ
   （３） ０＜ｔ＜０．２２λ／ｎ
   を満足することを特徴とする無機偏光素子。
3. 請求項１記載の無機偏光素子において、
   導電性材料による１次元ライン格子における、各格子線の横断面形状が、台形形状、楔形状、半円形状もしくは半楕円形状であることを特徴とする無機偏光素子。
4. 請求項１または２または３記載の無機偏光素子において、
   １次元ライン格子を構成する導電性材料が金属であることを特徴とする無機偏光素子。
5. 請求項４記載の無機偏光素子において、
   １次元ライン格子を構成する金属が、アルミニウム、銀、金、クロムの何れかであることを特徴とする無機偏光素子。
6. 請求項５記載の無機偏光素子において、
   可視域の光に対し、非透過光を反射する偏光素子として用いられ、１次元ライン格子がアルミニウムもしくは銀で形成されることを特徴とする無機偏光素子。
7. 請求項５記載の無機偏光素子において、
   可視域の光に対し、非透過光を反射させない偏光素子として用いられ、１次元ライン格子がクロムで形成されることを特徴とする無機偏光素子。
8. 請求項５記載の無機偏光素子において、
   近赤外領域の光に対し、非透過光を反射する偏光素子として用いられ、１次元ライン格子が金で形成されることを特徴とする無機偏光素子。
9. 無機材料による基体を平行平板としたことを特徴とする請求項１〜８の任意の１に記載の無機偏光素子。
10. 請求項１〜８の任意の１に記載の無機偏光素子における、無機材料による基体の、１次元ライン格子が形成されない部分に、反射面および／または屈折面が形成され、上記１次元ライン格子と協働する光学作用を持つことを特徴とする偏光光学素子。
11. 請求項１０記載の偏光光学素子において、
    無機材料による基体の、１次元ライン格子が形成された面に対向する側の面に、レンズ面が形成されたことを特徴とする偏光光学素子。
12. 請求項１１記載の偏光光学素子の、１次元ライン格子が埋め込まれた平坦な面に、片面が平面であるレンズを接合一体化したことを特徴とする偏光光学素子。
13. 請求項１０記載の偏光光学素子において、
    無機材料による基体の、１次元ライン格子が埋め込まれた平坦な面に対向する側の面に、マイクロレンズアレイが形成されたことを特徴とする偏光光学素子。
14. 透過光の偏光方向を電気的に制御できる液晶素子に対し、請求項９記載の平行平板状の無機偏光素子を１対、偏光子及び検光子として組合せてなる液晶素子。
15. 素子ごとに透過光の偏光方向を電気的に制御できる液晶素子アレイに対して、請求項１３記載の偏光光学素子を１対、偏光子及び検光子として組合せ、且つ、上記偏光光学素子におけるマイクロレンズのアレイ配列を上記液晶素子アレイのアレイ配列と合致させてなる液晶素子。

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