JP2004154813A - レーザ加工方法および装置 - Google Patents

レーザ加工方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004154813A
JP2004154813A JP2002322233A JP2002322233A JP2004154813A JP 2004154813 A JP2004154813 A JP 2004154813A JP 2002322233 A JP2002322233 A JP 2002322233A JP 2002322233 A JP2002322233 A JP 2002322233A JP 2004154813 A JP2004154813 A JP 2004154813A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
laser
workpiece
keyhole
diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002322233A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiko Matsuoka
芳彦 松岡
Hirofumi Shimura
洋文 志村
Shinya Sasaki
信也 佐々木
Tomoaki Nagasu
伴章 永壽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2002322233A priority Critical patent/JP2004154813A/ja
Publication of JP2004154813A publication Critical patent/JP2004154813A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】深いキーホールが安定に形成されるようにして、ボロシティを発生させることなく、高速で深溶け込み溶接を可能にする。
【解決手段】レーザ光源11、21から出射され、整形光学手段12、22により加工されたレーザビーム13、23は、合波手段5により合波されて被加工物6上に照射される。レーザビーム13とレーザビーム23とは重なっており、レーザビーム13による被加工物6上のスポット14内にレーザビーム23によるスポット24は入る。レーザビーム23の焦点深度はレーザビーム13のそれより長く、被加工物表面近傍から所望の溶け込み深さの1/2を越える深さまで分布している。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光を用いてキーホールを形成しつつ溶接を行う溶接方法とその溶接装置に関し、さらに詳しくは、キーホールを安定に維持しつつ、深溶け込みキーホール溶接を可能にする、キ−ホール溶接方法とその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
レーザ光は、集光させることで大きなエネルギーを被加工物上の小さな点や線に照射できるので、精密な溶接・切断・穿孔・表面改質などに利用されている。レーザ光を用いた溶接は、例えば、レーザ発振器からパルス波として出力されるレーザ光を適切なスポットに集光させ、被加工物に照射して実施されるものである(パルス波レーザ溶接)。パルスレーザ溶接では、1パルスの間で、被加工物に溶け込み(キーホール)が生じ、被加工物の裏側(照射面の反対側)にいわゆる裏波が得られるほどキーホールが深くなり、次いでキーホールの溶融金属が冷却固化することで、溶接される。
【0003】
レーザ発振器の高出力化が着実に進んできており、これら高出力レーザを用いた高速・深溶け込みキーホール溶接、即ち単位時間当りの溶接加工量がより大きくかつより厚い被加工物の溶接、の実用化が待たれている。しかしながら、高速溶接の場合にはキーホールが極めて不安定になり、深溶け込みが困難であるという問題がある。パルス波レーザ溶接においてもまた連続波レーザ溶接においても、キーホールが安定に維持されないと、被加工物の内部深くに直接熱を与えることができずに深い溶け込みが得られず、厚い被加工物の溶接が困難となる。また、薄い被加工物の場合でもボロシティの発生の原因となり、溶接部の強度低下を招く問題がある。
【0004】
キーホールの不安定化は次のように解釈されている。被加工物にレーザビームが照射されると、照射スポットにおいて局所的に溶融・蒸発し、表面から内部に至るキーホールが形成される。キーホール内壁をレーザビームが多重反射し、次第に内壁金属を熱し、溶融した金属が溶融池を形成する。溶融金属に働く重力によってキーホールが閉じられようとする一方、レーザビームによりキーホールに流れ込む溶融金属が加熱されて蒸気圧が高まり、蒸気噴流により溶融金属がキーホールから排出される。キーホールの不安定化は、キーホールへの溶融金属の流入と排出のアンバランスによって生じる。
【0005】
キーホールを安定化させる方法として、特許文献1には、一本または二方向からの溶接用レーザビームの焦点位置を溶接深さ方向に振動させて溶接する方法が開示されている。特許文献2には、キーホールが溶融金属によって閉じる直前にパルスレーザビームを照射し、キーホールが開いている期間はパルスレーザビームの照射を停止し、溶融金属を適量に制御する方法が開示されている。特許文献3には、被加工物に裏波が得られる状態の適正キーホール深さが繰り返し得られる最小のパルス幅で溶接を行う方法が開示されている。特許文献4には、金属溶融池の固有振動数と一致した周波数でレーザ出力を周期的に変動させて溶接する方法が開示されている。
【0006】
ところで、本発明の溶接方法は、二つのレーザビームを用いることにより、キーホールを安定に維持しつつ深い溶け込みを可能としたものであるが、焦点位置(焦点深度)の異なる複数のレーザビームを照射してレーザ加工を行うものとしては以下のものが公知となっている。特許文献5には、レーザ穴あけ加工や切断加工の際に穴や切り口の周囲にできるかえりを除去することを目的として、口径の異なる2種類のレンズを同軸上に配置してレーザビームを集光し、加工物表面で焦点を結ぶ第一のビーム成分と、加工点周囲に焦点を結ばず照射する第二のビーム成分とを生成する方法が開示されている。また、類似の技術が、特許文献6にも開示されている。
さらに、特許文献7には、レーザ加工装置のビーム集光方法として、同心円状の曲線部と平坦部からなる複数のレンズを同軸上に配置させ、互いのレンズ性能を有する曲線部を重ならないように配置することで、また、特許文献8には、厚い被加工物の切断を目的として、一枚のレンズ等光学素子を分割して、被加工物の深さ方向の同軸上に複数の焦点を結ばせる方法が開示されている。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−107876号公報(第3−5頁、図1)
【特許文献2】
特開2000−351086号公報(第3−4頁、図1)
【特許文献3】
特開2001−205464号公報(第2−3頁、図2)
【特許文献4】
特開2002−224867号公報(第2頁、図1−3)
【特許文献5】
特公昭50−18240号公報(第2頁右欄、第7図)
【特許文献6】
特開昭61−165290号公報(第2頁、第1図)
【特許文献7】
特開平1−143783号公報(第2頁、第1図)
【特許文献8】
特開平7−80672号公報(第3頁、図1)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に記載された方法は、照射するレーザビームの焦点をキーホール内の深さ方向に振動させることで、効果的にキーホール内に流入する溶融金属を加熱し、蒸気噴流によるキーホールからの排出を促進しようとするものであるが、この手法では、照射するレーザビームの焦点をキーホール内の深さ方向に振動させるために、レーザビームをレーザ発振器から被加工物まで導く光学系と被加工物を保持するステージの両方に、またはいずれか一方に駆動機構を必要とし、装置が複雑・高価になる。
また、特許文献2ないし4に記載された手法は、いずれも過剰の溶融金属の生成がキーホールを不安定化させるものと考え、溶融金属が適量に保たれるように照射するレーザビームのエネルギーまたはパワーを制御するものである。これら方法は、パルスエネルギー、パルス幅、パルス間隔あるいは出力変調を、被加工物の種類、寸法などに合わせて精密に制御する必要があり、レーザ発振器自体に高い安定性・制御性を求めるために、装置が複雑・高価になる。
さらに、いずれの方法もキーホールの安定化には効果があるが、深溶け込み達成のための積極的方法は示されていない。
また、特許文献5ないし8に記載されたものでは、いずれも深い位置に焦点を結ぶビームの被加工物の表面でのビーム径の方が浅い位置に焦点を結ぶビームのそれよりより大きくなっている。このようなビーム構成で溶接を行う場合には、焦点位置の浅いビームによって穴が開けられることになるが、深い位置に焦点を結ぶビームのこの穴の外側を通過する部分はいわゆる“蹴られ”の状態となるため、ビームエネルギーの大半が被加工物内に入り込むことができず、効果的に深いキーホールを形成することができない。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、複雑な装置を必要とせず、キーホールを安定に維持し、深溶け込みを確実に実現し、高速・深溶け込みキーホール溶接を可能にする、キーホール溶接方法およびその装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明によれば、互いに重なる第1、第2のレーザビームを被加工物に照射してキーホール溶接を行う方法において、被加工物表面での第1のレーザビームの径が第2のレーザビームの径より大きく、かつ、第2のレーザビームの焦点深度が第1のレーザビームのそれより深くにまで達することを特徴とするキーホール溶接方法、が提供される。
そして、好ましくは、第1のレーザビームの被加工物表面での直径が100μm以上5mm以下になされ、第2のレーザビームの被加工物表面での直径が、第1のレーザビームのそれの1/2以下になされる。さらに好ましくは第2のレーザビームの焦点深度が被加工物表面近傍から所望の溶け込み深さの1/2を越える深さまで分布している。
【0010】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、被加工物表面で第1、第2のレーザビームが重なるように合波する合波手段と、を有するキーホール溶接装置であって、被加工物表面での第1のレーザビームの径が第2のレーザビームの径より大きく、かつ、第2のレーザビームの焦点深度が第1のレーザビームのそれより深くにまで達することを特徴とするキーホール溶接装置、が提供される。
そして、好ましくは、第1のレーザ光源が、Nd:YAGレーザなどの固体レーザにより構成され、第2のレーザ光源が、ファイバレーザにより構成されている。
【0011】
〔作用〕
上記の構成を有する本発明によれば、まず、焦点深度が浅く加工物表面での径の大きい第1のビームと焦点深度が深く加工物表面での径の小さい第2のビームとが照射されると被加工物表面の金属が溶融され一部金属が蒸発することにより、表面に溶融金属に囲まれた穴が開けられる。被加工物表面に穴が開けられた後、キーホール内部における第1のビーム成分の内部の多重反射によってのみでなく、焦点深度の深い第2のビームのエネルギー(パワー)が直接キーホール内部に投入されるので、キーホールは効果的に深さ方向に成長される。そして、キーホール周辺の溶融金属は、キーホール内部で多重反射する第1のビームと直接照射される第2のビームの両者により加熱されて溶融状態に維持され、キーホール先端部に形成される金属蒸気と溶融金属の排出がスムースに行われるので、ボロシティの発生を伴うことなく深溶け込みキーホール溶接を高速に行うことが可能になる。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態のレーザ溶接装置の概略構成図である。図1において、11はパルス発振Nd:YAGレーザなどからなるレーザ光源、21はパルス発振ファイバレーザなどからなるレーザ光源、12、22は、レーザ光源から出射されたレーザビーム13、23を整形する整形光学手段、5は二つのレーザビームをほぼ同軸に重なるように合波する合波手段、6はキーホール溶接が行われる鋼板などからなる被加工物、7は、被加工物6を保持してX、Y、Z方向に移動可能でZ軸と平行な軸およびZ軸に垂直な軸を中心として回転可能なステージを有するテーブルである。テーブル7の可動方向、回転方向は上記のうちの一部であってもよい。レーザビーム13、23は被加工物6の表面でスポット14、24を描く。整形光学手段12は、レーザ光源11から出射されたレーザビームが、被加工物6表面で直径100μm以上乃至5mm以下のスポット14が得られるよう、必要に応じてビーム径の拡大、ビーム内のエネルギー分布の整形、集光などを行う。同様に、整形光学手段22は、レーザ光源21から出射されたレーザビームが、被加工物6表面でスポット14の1/2以下の径のスポット24が得られ、焦点深度が被加工物表面近傍から所望の溶け込み深さの少なくとも1/2を越える深さまで分布するよう、ビーム径の拡大、ビーム内のエネルギー分布の整形、集光などを行う。
【0013】
キーホール溶接が有効に行われるのであれば、被加工物6表面のスポット14とスポット24の中心が一致していなくてもよい。スポット14およびスポット24の直径は、スポット内のパワー密度分布が一様であるならばその一様領域の直径、スポット内のパワー密度が一様でない場合にはスポット内の最大パワー密度の1/e倍のパワー密度である点間距離のうちの最大値とする。
レーザ光源11の出力は、被加工物6表面上のスポット14内のレーザビーム13およびレーザビーム23によるパワー密度の面積平均値が、被加工物6の溶接に適した値になるよう調整される。
【0014】
レーザビーム13による被加工物6表面のスポット14内のパワー密度分布は、一様または正規分布に限定されない。被加工物6表面上のスポット14内のレーザビーム13およびレーザビーム23によるパワー密度の面積平均値が、被加工物6の溶接に適した値になるならば、レーザビーム13による被加工物6表面のスポット14内のパワー密度分布は、例えばドーナッツ状であってもよい。
【0015】
レーザ光源12の出力は、被加工物6表面上のレーザビーム23によるスポット24内のパワー密度の面積平均値が、被加工物6の溶接に適する値以上でアブレーション加工に適する値以下になるよう調整される。
また、本発明で用いられるレーザビーム13および23は、異なる波長を有していてもよい。
本発明で用いられるレーザ光源11および21は、適宜パルス波レーザ光源や連続波レーザ光源が選択される。すなわち、実施するレーザ溶接の種類(スポット溶接、シーム溶接など)や被加工物の種類に応じて、レーザ光源11および21の種類の組み合わせ(レーザ光源11および21ともに連続波レーザ光源、レーザ光源11および21ともにパルス波レーザ光源、レーザ光源11または21の一方が連続波レーザ光源であり、他方がパルス波レーザ光源)も適宜選択される。レーザビーム13の被加工物6への照射と、レーザビーム23の被加工物6への照射は、照射開始時間および照射終了時間が完全に一致せずともよい。但し、レーザビーム13と23の両方が被加工物6に同時に照射される時間がある必要がある。
【0016】
レーザビーム13の被加工物6表面でのスポット14の直径は、次の理由で限定される。例えば、被加工物6が鉄鋼等の金属の場合、溶接に必要となるパワー密度は約100kW/cm以上である。工業的に利用可能な代表的な高出力レーザは、連続波10kW出力のNd:YAGであり、このレーザを用いた場合、100kW/cmのパワー密度を満足できるのは、スポット14の直径が約5mm程度までであることを理由に、スポット14の直径の上限を与える。
熱伝導は空間における温度勾配に従って温度の低い空間へ熱が流れる。入熱領域であるスポット14の面積が小さいと、熱伝導によるスポット14の外への熱の逃げが顕著となり、効果的な溶接が困難になる。レーザ溶接で一加工点で要する時間は100μsから100ms程度であり、この時間領域内での微小領域への入熱と熱の拡散を検討した結果、直径100μm程度以下から熱の拡散により入熱量域の温度上昇が顕著に低下することが判明したので、スポット14の直径の下限を直径100μmと与えた。
【0017】
レーザビーム23の被加工物6表面でのスポット24の直径、および焦点深度分布は次の理由で限定される。被加工物6に形成されるキーホールは、深溶け込みが達成された時点でおおよそ円筒形状になることが望ましいが、その形成過程では、入り口部分を底面とするおおよそ円錐形状であると想像される。形成過程のキーホールの先端部分に、確実にかつ効果的にレーザビーム23を到達させるためには、被加工物6表面でのレーザビーム23によるスポット24の直径は、スポット14の1/2以下であることが望ましい。
【0018】
焦点深度は、焦点におけるパワー密度の80%以上のパワー密度であるレーザビームの光軸上区間とする。被加工物6に形成されるキーホールの深さ方向への効果的な成長をレーザビーム23によって行うために、被加工物6の表面近傍は焦点深度の開始端にある必要がある。一方、レーザビーム23が、被加工物6の表面近傍から、少なくとも所望の溶け込み深さの半分の深さまでの焦点深度の軸上区間を有していれば、所望の溶け込み深さにおいてもレーザビーム23が十分なパワー密度を有していると考えられること、および従来と同様のキーホール内での多重反射によっても残りのキーホールの成長が期待できることから、焦点深度の軸上区間の終了端は、少なくとも所望の溶け込み深さの半分の深さ以上であることが必要である。
【0019】
テーブル7は、テーブル7上の被加工物6に照射されるレーザビームのスポット14および24が、被加工物6上を連続的に移動できるように、X、Y、Z、θおよびφステージ、あるいはこれらのステージの幾つかから構成される。レーザビームスポット14および24と、被加工物6の相対位置を連続的に変化させる手段は、テーブル7が可動であることに限定されない。同様の作用が得られるのであれば、レーザ光源11および12が連続的に空間を移動できる手段を有していてもよいし、あるいはレーザビーム13および23を合波した後の被加工物6に至る光路中にガルバノミラーなどの光路可変偏向素子を設置してもよい。
【0020】
被加工物6上のスポット14内におけるパワー密度がある閾値を越えると、被加工物6表面で溶融、穴開き、キーホールの生成が生じ、結果として溶接が行われる。
次に、図2を参照して、本実施の形態による加工方法について説明する。レーザ光源11から出たレーザビーム13は、従来のレーザ溶接と同様に被加工物6上に集光照射される。レーザビーム13の被加工物6上のスポット14は、レーザビーム13の焦点である必要はなく、従来のレーザ溶接と同様に、必要に応じて被加工物6表面の手前あるいは向こう側に焦点をずらしてもよい。
【0021】
レーザビーム23は、小さいスポット径および長い焦点深度となるように、公知の輪帯ビームの集光などの光学的超解像手法や、公知の準無回折ビーム(ベッセルビーム)の手法を、ビーム整形光学手段22で用いて整形される。
合波手段5により合波されたレーザビーム13およびレーザビーム23は、被加工物6表面にスポット14およびスポット24を形成する。被加工物6上のスポット14内の(面積平均)パワー密度は、被加工物6の溶接に適した値となるよう調節されており、従来の溶接手法と同様に、照射スポットにおいて局所的に溶融・蒸発が生じ、表面から内部向かってキーホール62が成長し始める。レーザビーム13は、焦点深度が短いので、焦点前後でビーム径が大きく広がり、キーホールを深さ方向だけでなく、横方向にも成長させる。
【0022】
レーザビーム23は長い焦点深度を有しており、かつそのスポット24径がスポット14の1/2以下なので、キーホール内にそのパワーのほぼ全量が投入されるとともに、キーホールを深さ方向に選択的に成長させ、効果的な深溶け込みが実現される。レーザビーム13は、キーホール内面全体に広がっており、キーホールを埋めるように流入してくる溶融金属へ選択的に照射されるものではないため、過剰に流入してくる溶融金属に対しては排出効果が薄い。これに対し、レーザビーム23はキーホール62の中心部に筒状に高パワー密度部分を持つので、この領域に流入してきた溶融金属61を効果的に過熱し、金属蒸気63の蒸気圧を高めて蒸気噴流によってこれらを排出し、キーホール62を安定に維持する。
スポット溶接やシーム溶接など、実施される溶接の種類に応じて、テーブル7によりスポット14および24と被加工物6の相対位置は変化させられることは、従来のレーザ溶接加工法と同じである。
【0023】
図3は、本発明の第2の実施の形態のレーザ溶接装置の概略構成図である。本実施の形態においては、光源としては、Nd:YAGレーザなどからなるレーザ光源31のみが用いられる。レーザ光源31から出射されたレーザビームは、分波手段8において、レーザビーム13および23に分波される。整形光学手段12は、分波手段8において分波されたレーザビームが、被加工物6表面で直径100μm以上乃至5mm以下のスポット14が得られるよう、応じてビーム径の拡大、ビーム内のエネルギー分布の整形、集光などを行う。同様に、整形光学手段22は、分波手段8において分波されたレーザビームが、被加工物6表面でスポット14の1/2以下の径のスポット24が得られ、焦点深度が被加工物表面近傍から所望の溶け込み深さの少なくとも1/2を越える深さまで分布するよう、ビーム径の拡大、ビーム内のエネルギー分布の整形、集光などを行う。
【0024】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能なものである。たとえば、使用されるレーザ光源はNd:YAGレーザやファイバレーザに限定されない。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、焦点深度が深くにまで分布している方のレーザビームの被加工物表面でのスポット径を焦点深度が浅く分布している方のレーザビームのそれより小さくするものであるので、キーホールの安定性を維持しつつ効果的なキーホールの深さ方向の成長が可能になり、従来の方法よりも加工速度が向上し、ボロシティの発生を伴うことなく高速・深溶け込みキーホール溶接が可能になる。また、本発明は、レーザ発振器自体に高い安定性・制御性を求めるものではないので、複雑・高価な装置を必要とせず、ローコストでの深溶け込みキーホール溶接が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態のレーザ加工装置の概略構成図。
【図2】本発明のレーザ加工方法で加工を行う際の動作を説明するための断面図。
【図3】本発明の第2の実施の形態のレーザ加工装置の概略構成図。
【符号の説明】
11、21、31 レーザ光源
12、22 整形光学手段
13、23 レーザビーム
14、24 スポット
5 合波手段
6 被加工物
61 溶融金属
62 キーホール
63 金属蒸気
7 テーブル
8 分波手段

Claims (14)

  1. 互いに重なる第1、第2のレーザビームを被加工物に照射してキーホール溶接を行う方法において、被加工物表面での第1のレーザビームの径が第2のレーザビームの径より大きく、かつ、第2のレーザビームの焦点深度が第1のレーザビームのそれより深くにまで達していることを特徴とするキーホール溶接方法。
  2. 第1のレーザビームの被加工物表面での直径が100μm以上であることを特徴とする請求項1に記載のキーホール溶接方法。
  3. 第1のレーザビームの被加工物表面での直径が5mm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のキーホール溶接方法。
  4. 第2のレーザビームの被加工物表面での直径が、第1のレーザビームのそれの1/2以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のキーホール溶接方法。
  5. 第2のレーザビームの焦点深度が被加工物表面近傍から所望の溶け込み深さの1/2を越える深さまで分布していることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のキーホール溶接方法。
  6. 第2のレーザビーム成分の被加工物上のパワー密度の面積平均値が、被加工物の溶接に適する値以上アブレーション加工に適する値以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のキーホール溶接方法。
  7. 2つのレーザビームと被加工物との相対的移動を伴いながら溶接が行われることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のキーホール溶接方法。
  8. 2つのレーザビームが、共に連続発振レーザの出射光であるか、共にパルス発振レーザの出射光であるか、一方が連続発振レーザの出射光で他方がパルス発振レーザの出射光であるか、の内のいずれかであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のキーホール溶接方法。
  9. 第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、被加工物表面で第1、第2のレーザビームが重なるように合波する合波手段と、を有するキーホール溶接装置であって、被加工物表面での第1のレーザビームの径が第2のレーザビームの径より大きく、かつ、第2のレーザビームの焦点深度が第1のレーザビームのそれより深くにまで達することを特徴とするキーホール溶接装置。
  10. 前記第1のレーザ光源と前記合波手段との間に第1のレーザビームを整形する第1の整形光学手段が、および/または、前記第2のレーザ光源と前記合波手段との間に第2のレーザビームを整形する第2の整形光学手段が備えられていることを特徴とする請求項9に記載のキーホール溶接装置。
  11. 第1のレーザ光源が、固体レーザにより構成されていることを特徴とする請求項9または10に記載のキーホール溶接装置。
  12. 第1のレーザ光源が、Nd:YAGレーザにより構成されていることを特徴とする請求項9または10に記載のキーホール溶接装置。
  13. 第2のレーザ光源が、ファイバレーザにより構成されていることを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載のキーホール溶接装置。
  14. レーザ光源と、前記レーザ光源が出射するレーザビームを第1、第2のレーザビームに分割する分波手段と、被加工物表面で第1、第2のレーザビームが重なるように合波する合波手段と、第1のレーザビームを整形する第1の整形光学手段と、第2のレーザビームを整形する第2の整形光学手段と、を有するキーホール溶接装置であって、被加工物表面での第1のレーザビームの径が第2のレーザビームの径より大きく、かつ、第2のレーザビームの焦点深度が第1のレーザビームのそれより深いことを特徴とするキーホール溶接装置。
JP2002322233A 2002-11-06 2002-11-06 レーザ加工方法および装置 Pending JP2004154813A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002322233A JP2004154813A (ja) 2002-11-06 2002-11-06 レーザ加工方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002322233A JP2004154813A (ja) 2002-11-06 2002-11-06 レーザ加工方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004154813A true JP2004154813A (ja) 2004-06-03

Family

ID=32802477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002322233A Pending JP2004154813A (ja) 2002-11-06 2002-11-06 レーザ加工方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004154813A (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012053045A1 (ja) * 2010-10-18 2012-04-26 新日本製鐵株式会社 レーザ装置及びこれを備えたレーザ加工装置
JP2012210659A (ja) * 2012-07-23 2012-11-01 Sumitomo Metal Ind Ltd レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置
JP2012210660A (ja) * 2012-07-23 2012-11-01 Sumitomo Metal Ind Ltd レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置
JP2012236228A (ja) * 2012-07-23 2012-12-06 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置
JP2014024105A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Miyachi Technos Corp レーザ加工システム及びレーザ加工方法
JP2015520938A (ja) * 2012-04-13 2015-07-23 サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク レーザナノ加工装置および方法
JP2016530103A (ja) * 2013-08-30 2016-09-29 ロフィンーバーゼル ラゼルテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト パルスレーザービームによる被加工品の加工方法およびレーザー加工装置
WO2018011456A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Corelase Oy Laser processing apparatus and method
JP2018507425A (ja) * 2014-12-15 2018-03-15 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 光学瞳対称化のための方法および装置
WO2018091417A1 (de) * 2016-11-15 2018-05-24 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren und laserschweissvorrichtung zum tiefschweissen eines werkstücks, mit einstrahlen eines laserstrahls in die von einem anderen laserstrahl erzeugte kapillaröffnung
WO2018219710A1 (de) * 2017-05-29 2018-12-06 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh VERFAHREN ZUM TIEFSCHWEIßEN EINES WERKSTÜCKS, MIT VERTEILUNG DER LASERLEISTUNG AUF MEHRERE FOKI
CN109909601A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种激光加工系统及方法
CN110890509A (zh) * 2018-09-05 2020-03-17 罗伯特·博世有限公司 用于将电池薄膜堆叠的各个膜状的薄膜连接起来的方法
DE102018219280A1 (de) 2018-11-12 2020-05-14 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum spritzerfreien Schweißen, insbesondere mit einem Festkörperlaser
CN111526966A (zh) * 2017-12-29 2020-08-11 可利雷斯股份有限公司 激光处理装置及方法
WO2021182644A1 (ja) * 2020-03-13 2021-09-16 古河電気工業株式会社 ベーパチャンバおよびベーパチャンバの製造方法
CN113423531A (zh) * 2019-02-13 2021-09-21 相干公司 激光焊接方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9172202B2 (en) 2010-10-18 2015-10-27 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Laser apparatus and laser materials processing apparatus provided with same
WO2012053045A1 (ja) * 2010-10-18 2012-04-26 新日本製鐵株式会社 レーザ装置及びこれを備えたレーザ加工装置
JP2015520938A (ja) * 2012-04-13 2015-07-23 サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク レーザナノ加工装置および方法
JP2012210659A (ja) * 2012-07-23 2012-11-01 Sumitomo Metal Ind Ltd レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置
JP2012210660A (ja) * 2012-07-23 2012-11-01 Sumitomo Metal Ind Ltd レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置
JP2012236228A (ja) * 2012-07-23 2012-12-06 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp レーザ溶接方法およびレーザ溶接装置
JP2014024105A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Miyachi Technos Corp レーザ加工システム及びレーザ加工方法
JP2016530103A (ja) * 2013-08-30 2016-09-29 ロフィンーバーゼル ラゼルテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト パルスレーザービームによる被加工品の加工方法およびレーザー加工装置
JP2018507425A (ja) * 2014-12-15 2018-03-15 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 光学瞳対称化のための方法および装置
WO2018011456A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Corelase Oy Laser processing apparatus and method
CN107848069A (zh) * 2016-07-15 2018-03-27 可利雷斯股份有限公司 激光处理装置和方法
JP2018527184A (ja) * 2016-07-15 2018-09-20 コアレイズ オーワイ レーザ加工装置及びレーザ加工方法
CN107848069B (zh) * 2016-07-15 2019-10-08 可利雷斯股份有限公司 激光处理装置和方法
US11351633B2 (en) 2016-07-15 2022-06-07 Corelase Oy Laser processing apparatus and method
WO2018091417A1 (de) * 2016-11-15 2018-05-24 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren und laserschweissvorrichtung zum tiefschweissen eines werkstücks, mit einstrahlen eines laserstrahls in die von einem anderen laserstrahl erzeugte kapillaröffnung
EP3915715A1 (de) * 2016-11-15 2021-12-01 Trumpf Laser- und Systemtechnik GmbH Verfahren und laserschweissvorrichtung zum tiefschweissen eines werkstücks, mit einstrahlen eines laserstrahls in die von einem anderen laserstrahl erzeugte kapillaröffnung
CN109982807A (zh) * 2016-11-15 2019-07-05 通快激光与系统工程有限公司 用于通过将激光束入射到由另一激光束产生的小孔开口来深熔焊接工件的方法和激光焊接装置
US11400548B2 (en) 2016-11-15 2022-08-02 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Methods and laser welding devices for deep welding a workpiece
WO2018219710A1 (de) * 2017-05-29 2018-12-06 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh VERFAHREN ZUM TIEFSCHWEIßEN EINES WERKSTÜCKS, MIT VERTEILUNG DER LASERLEISTUNG AUF MEHRERE FOKI
CN109909601A (zh) * 2017-12-13 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种激光加工系统及方法
US11571767B2 (en) 2017-12-13 2023-02-07 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Laser processing device and laser processing method
CN111526966A (zh) * 2017-12-29 2020-08-11 可利雷斯股份有限公司 激光处理装置及方法
US11850679B2 (en) 2017-12-29 2023-12-26 Corelase Oy Laser processing apparatus and method
CN110890509A (zh) * 2018-09-05 2020-03-17 罗伯特·博世有限公司 用于将电池薄膜堆叠的各个膜状的薄膜连接起来的方法
WO2020099326A1 (de) 2018-11-12 2020-05-22 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum spritzerfreien schweissen, insbesondere mit einem festkörperlaser
DE102018219280A1 (de) 2018-11-12 2020-05-14 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum spritzerfreien Schweißen, insbesondere mit einem Festkörperlaser
US11786989B2 (en) 2018-11-12 2023-10-17 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Method for splash-free welding, in particular using a solid-state laser
CN113423531A (zh) * 2019-02-13 2021-09-21 相干公司 激光焊接方法
CN113423531B (zh) * 2019-02-13 2023-09-05 相干公司 激光焊接方法
WO2021182644A1 (ja) * 2020-03-13 2021-09-16 古河電気工業株式会社 ベーパチャンバおよびベーパチャンバの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004154813A (ja) レーザ加工方法および装置
JP3978066B2 (ja) レーザ加工装置
US10610962B2 (en) Methods and apparatus for spot welding workpieces using laser pulses
US4356376A (en) Pulse laser pretreated machining
TW201805100A (zh) 雷射處理設備以及方法
JP4833773B2 (ja) 微細穴開け加工方法
JPWO2010137475A1 (ja) レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP6190855B2 (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US11712750B2 (en) Laser drilling and machining enhancement using gated CW and short pulsed lasers
JP2004358521A (ja) レーザ熱加工装置、レーザ熱加工方法
JP2008055478A (ja) 仕上げ加工方法
TW202045289A (zh) 雷射鑽孔裝置及方法
JPH11267867A (ja) レーザ加工方法及び装置
JP2718795B2 (ja) レーザビームを用いてワーク表面を微細加工する方法
JP6393555B2 (ja) レーザ加工機及びレーザ切断加工方法
JP2022517713A (ja) 特に固体レーザを用いたスパッタフリー溶接のための方法
JP2005021964A (ja) レーザーアブレーション加工方法およびその装置
US6930274B2 (en) Apparatus and method of maintaining a generally constant focusing spot size at different average laser power densities
JP2002346777A (ja) レーザ・アーク併用溶接方法
JP2020157324A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2016078024A (ja) ピアス加工方法及びレーザ加工機
JP2003285186A (ja) レーザ加工装置
JP2003053579A (ja) レーザ加工装置及び加工方法
JP3436862B2 (ja) 厚鋼板のレーザ切断方法及び装置
JPH07214360A (ja) レーザ加工

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041207

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051122