JP2004148374A - 高密度エネルギービームによるアルミニウム又はアルミニウム合金から成る被溶接部材同士の貫通溶接方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金から成る被溶接部材1,2同士の被溶接部1aに高密度エネルギービーム(レーザビームL)を照射して貫通溶接する際、高密度エネルギービームの照射側の少なくとも被溶接部1aの表面を覆うシールドガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)G2と、裏波Bの形成部2aの表面を覆うシールドガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)G1とを同時に形成する。シールドガス雰囲気G1は、裏波Bを含む周辺をシールドし、キーホールをレーザ照射側のシールドガスSの圧力に抗して押し上げるので、溶融金属(ビード)の垂れ下がりが防止され、垂れ下がりに起因した突起の形成が防止される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度エネルギービームによるアルミニウム又はアルミニウム合金から成る被溶接部材同士の貫通溶接方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
レーザビーム、電子ビーム等の高密度エネルギービームによる貫通溶接は、熱変形が小さく、急冷凝固による偏析の少ない溶接部を得ることができるので、鉄鋼材料、特に、薄板の突き合わせ溶接や重ね溶接に広く用いられている。
【0003】
図8(a)は、従来のアルミニウム又はアルミニウム合金(以下、Al材という)の溶接継手の横断面図、図8(b)は、従来の貫通溶接による機械構造用圧延鋼板(以下、SP材という)の横断面図、図8(c)は、比較のため、MIG溶接による貫通溶接によって形成されたAl材の溶接継手の横断面図である。
【0004】
図8(a),(b)に示すように、Al材、SP材にレーザビームaによる貫通溶接を施すと、いずれの場合にもレーザビームaによるキーホール(レーザビームによる溶融池[キーホール型溶融形状の溶融池])が形成されるが、SP材の凝固速度はAl材の凝固速度よりも遅く、また、溶融金属の粘度はSP材がAl材よりも高いので、SP材の場合は、ビードの垂れ下がり(落ち込み)は発生せず、裏波c2の表面は突起のない滑らかなものとなる。なお、MIG溶接によるAl材の貫通溶接の場合は、図8(c)に示すように、アークAにより溶融池dが熱伝導形(熱伝導型溶融形状)となってAl材の溶融金属の粘度が低くなるので、ビードの垂れ下がりは発生せず、裏波c3のビード表面も滑らかなものとなる。
しかし、レーザビームaによるAl材の貫通溶接の場合は、単位時間当りの入熱量が大きいと溶融金属の粘度が低下するので、ビードの垂れ下がりが発生してしまい、裏波c1に針状の突起eが形成されてしまう。
この場合、ブローホールの防止や酸化防止のためにトーチfから被溶接部gに向けて吹き出されたシールドガスhは、キーホールを裏波c2側に押し下げるように働いてビードの垂れ下がりを助長しているものと推定され、針状の突起eは、このようなキーホールの押し下げ、溶融金属の粘度の低さ、高速溶接による突起eの凝固速度の速さに起因して形成され順次成長していくものと推定される。
【0005】
このため、裏波c1側に突起eが形成された場合は、レーザ照射側に、ビードの垂れ下がりに起因したアンダーフィルが発生して溶接継手の強度が著しく低下してしまうので、フィラーによる肉盛量を増大し、溶接後においても突起eを除去しなければならなくなる。
【0006】
なお、従来のレーザビームaによるAl材の貫通溶接において、レーザビームaのAl材に対する入熱量を小さくすることによって裏波を抑制することが考えられているが、このようにすると、レーザビームaの反射が起こり易く、溶接部の途切れが発生するという問題がある。
また、レーザビームaによるAl材の溶接において、裏波c1側の被溶接部材の厚さを厚くし、レーザビームaの焦点距離を長くして裏波が出ないようにすれば、結果的に突起の形成を防止することができるが、この方法では、下側の被溶接部材2の厚さを必ず厚くしなければならないので、適用範囲が限られてしまうという問題がある。
【0007】
ここで、MIGによる貫通溶接や高密度エネルギービームによるSP材の貫通溶接の場合には突起が発生しない点と、レーザビームaによるAl材の貫通溶接で、単位時間に投入する入熱量を大きくすると、ビードの垂れ下がりが発生し、裏波に突起が発生する点の2点に着眼すると、少なくとも、溶融池を裏波側からレーザ照射側に押し上げることができれば、ビードの垂れ下がり及びこれに起因する突起の発生が抑制されるものと考えられる。
なお、この種の先行技術として、レーザビームaによるAl材の貫通溶接において、ビードの垂れ下がりを防止し、突起の形成を防止するために、被溶接部材の裏側に裏板材を配置する方法が提案されている(特許文献1)。
【0008】
【特許文献1】
特開平5−228663号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、裏板材を用いてビードの垂れ下がりを抑制し、突起の形成を防止することができても、ビードを介して裏板材と被溶接部材とが溶着されてしまうことがあり、そのために、突起を除去するためのその後の後処理(剥離作業、表面の研磨作業等)に手数が掛かってしまうという問題がある。
本発明は前記事情に鑑みて提案されたものであり、本発明は、レーザビームによるAl材の貫通溶接方法において、溶融池を押し上げ、不活性ガス雰囲気により突起の形成を防止することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明は、被溶接部に高密度エネルギービームを照射して貫通溶接する際、高密度エネルギービームの貫通側に、被溶接部の裏波の形成部の表面を覆うシールドガス雰囲気を形成するようにしたレーザビームによるアルミニウム又はアルミニウム合金から成る被溶接部材同士の貫通溶接方法を提供するものである。
【0011】
裏波の形成部がシールドガス雰囲気によって空気からシールドされると、空気中の酸素、水素に起因したビード表面の酸化やブローホールの発生が抑制される。この場合、シールドガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)は、裏波を含む周辺を冷却し、高密度エネルギービームの照射によって形成されたキーホールをレーザ照射側のシールドガスの圧力に抗して押し上げるので、ビードの垂れ下がりが防止され、ビードの垂れ下がりに起因したアンダーフィルが抑制される。この結果、裏波の突出高さは、溶接線方向において一定となり、表面は突起のない滑らかなものとなる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図1乃至図2を参照して本発明に係るレーザビームによるアルミニウム又はアルミニウム合金から成る被溶接部材同士の貫通溶接方法の実施形態を説明する。
【0013】
〔第1実施形態〕
図1は、本発明に係る貫通溶接方法の概念的断面図であり、(a)は正面を、(b)は側面を示す。なお、上下の被溶接部材1,2は、レーザ溶接機3の取り付け台4に固定具(図示せず)によって取り付けられている。
取り付け台4には、被溶接部材2の裏波Bの形成部2aを覆うシールドガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)G1を形成するためのシールドガス供給部5が備えられる。シールドガス供給部5は、取り付け台4の内に区画されたチャンバ6と、取り付け台4の上面に開口し、チャンバ6と外部とを連通する開口部7とで構成される。開口部7は、裏波Bの形成部2aに沿わせて形成されていて、チャンバ6に供給されたシールドガスSをチャンバ6の上方に吹き出させ、このシールドガスSによって裏波Bの形成部2aの表面を覆うシールドガス雰囲気を形成するようになっており、開口部7の幅は、裏波Bの形成部2aに形成する裏波Bを跨ぐように決定されている。
レーザビームLを照射するトーチ8は、前記レーザ溶接機3に対してX軸、Y軸及びZ軸の三軸方向に移動自在に設けられ、チャンバ6と、前記トーチ8は、シールドガスSを供給するためのシールドガス供給通路(図示せず)を介してボンベ等のシールドガス供給源(図示せず)に接続されている。このため、トーチ8から吹き出したシールドガスSは、上側の被溶接部材1の被溶接部1aの表面を覆うシールドガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)G2を形成し、開口部7から吹き出したシールドガスSは、下側の被溶接部材2の裏波Bの形成部2aの表面を覆うシールドガス雰囲気G1を形成することになる。各シールドガス雰囲気G1,G2は、被溶接部1a、裏波Bの形成部2aをそれぞれ空気から遮断して空気中の酸素、水素からそれぞれ被溶接部1a、裏波Bの形成部2aを遮断するので、空気中の水素や酸素の巻き込みに起因するブローホールの形成やビード表面の酸化が防止される。
【0014】
このように、シールドガスSを供給してシールドガス雰囲気G1,G2を形成させながら被溶接部1aにレーザビームLを照射すると、上下の被溶接部材1,2には、その重ね合わせ方向に沿ったキーホールが形成され、キーホールの側壁からの熱伝導によって被溶接部1aが溶融される。
被溶接部1aの溶融が裏波Bの形成部2aに到達すると、溶融金属は粘度が低いので垂れ下がろうとするが、裏波B側のシールドガス(バックシールドガス)Sは、キーホールを押し上げると同時に溶融金属を冷却して固化させる。この結果、裏波Bにおける突起(図5参照)の生成が防止され、溶接線方向(ビードの形成方向)における裏波の突出高さは、一定となる。また、ビードの垂れ下がりが抑制された結果、アンダーフィルも抑制されるので、フィラーによる被溶接部1aの肉盛量の低減も可能となる。
【0015】
すなわち、この第1実施形態によれば、アルミニウム材の貫通溶接において、アルミニウム材の材料的特性(溶融金属の粘性が低い点、低沸点成分(Mg)の影響によりハンピングし易い点)、レーザ溶接上の特性(高速度溶接のための凝固速度が速い点、キーホール型の溶融形状)から裏面にビード状の突起(裏波Bにおける突起〔図8(a)の突起c1〕)が形成され易いという従来技術の問題点を解決することができる。
【0016】
なお、本実施形態のような裏波制御技術は貫通溶接に幅広く適用できるが、裏波を隠すことができないような溶接部位への適用、車両で言えば、例えばドアやテールゲートの開口部、フロア中側等の部位に好適に適用できる。ちなみに、フロア部分の溶接などは、例えば閉断面部溶接に置き換えることができれば閉断面内に裏波が隠れて見えなくなるので、本実施形態のような裏波制御を特に必要とするものではない。
【0017】
〔第2実施形態〕
図2(a),(b)は、本発明に係る貫通溶接方法の第2実施形態を示す概念的断面図であり、(a)は正面を、(b)は側面を示す。なお、この実施形態において、シールドガス供給部は、シールドガスSを吹き出すノズル9と、シールドガス供給通路(図示せず)を介してノズル9にシールドガスSを供給するボンベ等のシールドガス供給源(図示せず)と、ノズル9をX軸、Y軸、Z軸の三軸方向に移動するマニュピュレータ(移動手段)とを備えている。上下の被溶接部材1,2は、片側が取り付け台(図示せず)に片持ち状態で固定されている。ノズル9は、裏波Bの形成部2aに吹き出し口が臨むように上向きに取り付けられている。また、ノズル9には、シールドガスSを供給するためのシールドガス供給通路を介してボンベ等のシールドガス供給源に接続されている。
前記マニュピュレータは、ノズル9の移動方向を裏波Bの形成部2aに沿わせ、且つ、裏波Bの形成部2aから下方に所定距離離れた軌道上をノズル9の吹き出し口が移動するように、且つ、この軌道上においてノズル9の吹き出し口の始端(移動始端)と終端(移動終端)とを裏波Bの形成部2aの始端と終端とに合致させて移動させるようにティーチングが施されている。
【0018】
従って、トーチ8から吹き出したシールドガスSは、上側の被溶接部材1の被溶接部1aの表面を覆ってシールドガス雰囲気G2を形成し、被溶接部1aの表面を空気から遮断する。また、ノズル9から吹き出したシールドガスSも裏波Bの形成部2aの表面を覆ってシールドガス雰囲気(不活性ガス雰囲気)G3を形成し、裏波Bの形成部2aの表面を空気から遮断する。各シールドガス雰囲気G2,G3が、空気中の酸素、水素からそれぞれ被溶接部1a、裏波Bの形成部2aを遮断するので、空気中の水素や酸素の巻き込みに起因するブローホールの形成やビード表面の酸化が防止される。
【0019】
前記マニュピュレータによるノズル9の移動速度を、前記トーチ8の移動速度と合致させ、トーチ8とノズル9とを同期させて始端から終端に移動させながら、トーチ8からレーザビームLを照射させると同時に、ノズル9、トーチ8からそれぞれシールドガスSを吹き出させると、キーホールが裏波B側から押し上げられ、ビードがシールドガスSにより裏波B側で急冷されて粘度が急激に増加するので、被溶接部1aへの単位時間当りの入熱量を大きくしても突起T及びアンダーフィルが抑制される。従って、裏波Bは、突出高さが一定で表面が滑らかな横断面となり、接合強度の高い健全な溶接継手が得られる。また、アンダーフィルが抑制されるのでフィラーによる肉盛量の低減も可能となる。つまり、この第2実施形態でも第1実施形態と同様に、従来技術の問題点を解決することができる。
【0020】
【実施例】
以下、図3乃至図7を参照して本発明に係る貫通溶接方法による実施例を説明する。なお、これらの実施例においては、上下の被溶接部材1,2にはA5052(JIS)のアルミニウム板を用い、YAGレーザにより被溶接部材1,2に溶接継手を形成した。
【0021】
〔実施例1〕
図3は、第1実施形態に係る貫通溶接方法において、裏波Bの形成部2aにシールドガスSを吹き付けてシールドガス雰囲気を形成した場合、すなわちバックシールドガスありとした場合と、裏波Bの形成部2aにシールドガスSを吹き付けない場合、すなわち、バックシールドガスなしとした場合の溶接継手の平面図(各欄の上段)及び側面図(各欄の下段)である。
裏波B側のシールドガスS、レーザ照射側のシールドガスSの流量は一定とし、上下の被溶接部材1,2の厚さの組み合わせ(板組)と、溶接速度を変えて溶接継手を形成すると、上下の被溶接部材1,2の被溶接部1aに投入するレーザビームLの単位時間当たりの入熱量は、溶接スピードの増減に反比例する。バックシールドガスなしで溶接速度が低い場合(3m/min)は、樹氷状の突起Tが裏波Bの表面に形成され、溶接速度が高い場合(6m/min)は、複数の針状の突起Tが形成されるが、バックシールドありの場合は、裏波Bの表面に対する突起Tの形成が抑制されている。
【0022】
〔実施例2〕
図4は、第1実施形態に係る貫通溶接方法において、レーザ照射側のシールドガスSの流量を一定とし、裏波B側のシールドガスSの流量を10l/min、25l/min、40l/minとした場合の溶接継手の横断面図、図5は、同溶接継手の平面図(各欄の上段)と側面図(各欄の下段)である。なお、シールドガスSの溶接継手に及ぼす影響を知るため、シールドガスには、Ar(アルゴンガス)、N2(窒素ガス)、He(ヘリウムガス)の3種類の不活性ガスを使用した。この場合、シールドガスSは、裏波Bの下方から裏波Bに対して上向きに吹き付けている。また、比較のため、圧縮Air(圧縮空気)を使用した場合の貫通溶接も併せて実施した。
図4に示すように、裏波B側のシールドガスSの流量を10l/min、25l/min、40l/minに変化させていくと、溶接線方向と直交する溶接継手の横断面においては、シールドガスSの流量の増加に応じてレーザ照射側が円弧状に盛り上がった溶接継手が得られた。このことからシールドガスSによるバックシールドありの場合は、シールドガスSによってキーホールが押し上げられること、シールドガスSの流量を増すとキーホールの押し上げ量が増えてアンダーフィルが抑制されることが分かった。また、キーホールの押し上げには、不活性ガス、圧縮Airに大きな差異は見ることができない。また、圧縮Air(圧縮空気)は、流量の制御によって裏波Bの突出高さを変えることはできるが、突起T(図5参照)の抑制には大きな効果がないことが分かった。このため、突起Tが形成されるのを防止するには、裏波Bを不活性ガスで覆いながらこの不活性ガスにより溶融池を押し上げることが重要になる。
従って、シールドガスSの流量の調節により、フィラーによる肉盛量の減少も可能となる。
【0023】
〔実施例3〕
図6は、第2実施形態に係る貫通溶接方法において、裏波Bに対するノズル9の向きを変えてシールドガスSの吹き出し方向を変えた場合の溶接継手の断面図である。
図6に示すように、バックシールドなしでは裏波Bに突起Tが形成されるが、ノズル9を用いたバックシールドでは、裏波Bに対するシールドガスSの吹き付け方向によって突起Tの形成状態が変化する。
すなわち、溶接線の終端側から始端側又は終端側から始端側に向かって斜め上向きにノズル9の吹き付け口を臨ませ、裏波Bの下方から斜め上方に向かってシールドガスSを吹き付けると裏波Bに突起が形成されることがあるが、シールドガスSの吹き付け方向を鉛直上向きとし、裏波Bの真下から溶接線に沿わせて裏波BにシールドガスSを吹き付けた場合は、突起Tの形成が防止された。
従って、ノズル9を用いてシールドガスSによるバックシールドを施す場合は、シールドガスSの吹き付け方向は鉛直上向きとし、裏波Bの真下から溶接線に沿わせて裏波BにシールドガスSを吹き付けるようにするのが好ましい。
【0024】
〔実施例4〕
図7は、第2実施形態に係る貫通溶接方法において、ノズル9の吹き出し口と裏波Bの形成部2aとの間隔を変えて形成した溶接継手の平面図(各欄の上段)、側面図(各欄の下段)及び断面図である。
本例では、ノズル9の吹き出し口と裏波Bの形成部2aとの間隔を、3mm、6mm、10mm、15mm、20mmとした。ノズル9の吹き出し口と裏波Bの形成部2aとの間隔を3mm、15mm、20mmに設定した場合は、裏波Bに突起Tが生じ、6mm〜10mmとすると突起Tの形成が抑制されることが分かった。10mmを超えた場合は、裏波Bに対するシールドガスSの影響力が低下(流量不足)したものと考えられる。3mmとした場合、ガス圧が高すぎるため不安定となったが、この場合にもシールドガスSの吹き出し方向、流量の調節によって解消されるものと考えられる。
【0025】
【発明の効果】
以上、説明したことから明らかなように本発明は、シールドガスによるキーホールの押し上げ、ビードの冷却効果と不活性ガス雰囲気により、裏波に突起が形成されないようにしたので、溶接継手に対する溶接後の突起の除去作業を無くすことができる。また、アンダーフィル、溶接の途切れなどの溶接欠陥の他、溶接継手の表面に酸化のない健全な溶接継手を形成することができるという、優れた効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る貫通溶接方法の第1実施形態を示す概念的断面図であり、(a)は正面を、(b)は側面を示す。
【図2】本発明に係る貫通溶接方法の第2実施形態を示す概念的断面図であり、(a)は正面を、(b)は側面を示す。
【図3】第1実施形態に係る貫通溶接方法において、バックシールドガスありの場合と、バックシールドガスなしの場合の溶接継手の平面図(各欄の上段)及び側面図(各欄の下段)である。
【図4】第1実施形態に係る貫通溶接方法において、レーザ照射側のシールドガスの流量を一定とし、裏波側のシールドガスの流量を変えた場合の溶接継手の横断面図である。
【図5】第1実施形態に係る貫通溶接方法において、レーザ照射側のシールドガスの流量を一定とし、裏波側のシールドガスの流量を変えた場合の溶接継手の平面図(各欄の上段)と側面図(各欄の下段)である。
【図6】第2実施形態に係る貫通溶接方法において、裏波に対するノズルの向きを変えてシールドガスの吹き出し方向を変えた場合の溶接継手の断面図である。
【図7】第2実施形態に係る貫通溶接方法において、ノズルの吹き出し口と裏波の形成部との間隔を変えた形成した溶接継手の平面図(各欄の上段)、側面図(各欄の下段)及び断面図である。
【図8】従来の貫通溶接による溶接継手の横断面図である。
【符号の説明】
1 被溶接部材
1a 被溶接部
2 被溶接部材
2a 裏波の形成部
B 裏波
G1 シールドガス雰囲気
G2 シールドガス雰囲気
L レーザビーム(高密度エネルギービーム)
Claims (1)
- 高密度エネルギービームを照射して貫通溶接する際、高密度エネルギービームの貫通側に、被溶接部の裏波の形成部の表面を覆うシールドガス雰囲気を形成するようにしたことを特徴とする高密度エネルギービームによるアルミニウム又はアルミニウム合金から成る被溶接部材同士の貫通溶接方法。
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