JP2004134624A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004134624A JP2004134624A JP2002298629A JP2002298629A JP2004134624A JP 2004134624 A JP2004134624 A JP 2004134624A JP 2002298629 A JP2002298629 A JP 2002298629A JP 2002298629 A JP2002298629 A JP 2002298629A JP 2004134624 A JP2004134624 A JP 2004134624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- electrode
- fixing bed
- semiconductor device
- internal lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H10W72/5475—
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】ケース(1)に貫通するようにして設け電極(2)のケース内側に位置する内部リード(2b)を固定用ベッド(7)で埋め込み固定する際、前記内部リードにおけるワイヤボンディング面(2c)が露出するように、ワイヤボンディング面と前記固定用ベッドの上面と同一面とする。そして、前記内部リードの端面(2e)を、固定用ベッドの端面(7e)から退避させ、かつ、前記端面(2e)の一部が露出するように、固定用ベッドに切り欠き(7a)が形成されている。この切り欠きは、ケース成型時に、金型の一部が入り込んだものである。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電力用半導体素子を有し、その電極がケースにインサート成型されている電力用半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種の半導体装置は、公知の放熱板上にはんだを介して、導電性の板材を上面に有した絶縁性のセラミック基板が構成されたものであり、基板導電材上にはんだを介してスイッチング用素子が構成され、各素子は、公知のワイヤー配線を用いて結線されている。そして、半導体装置を構成するケース外からケースへ貫通して設けられる電極(出力および接続用電極)のケース内側の端部は、ケース内の底面に形成した“ピンガイド”や“電極つぶし構造”により、保持されている。
【0003】
また、ケース内に位置する電極を長手方向に2分し、一方の部分に対して段差を形成し、その段差部に樹脂を形成することで電極を固定しているが(例えば、特許文献1参照)、電極に微細な加工が必要となる。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−349219号「電力用半導体装置」(実施の形態1、図3)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
前記内部電極は、ケース成型時にピンガイド構造や電極つぶし構造が形成されるため、ケース成型用金型の構造が複雑となり、高価となった。また、ピンガイド構造では、成型後に残るピン穴からの気泡流出により、絶縁不具合を発生させていた。また、電極つぶし構造では十分な電極保持ができないためにワイヤーボンドで不具合を起こしていた。更に、従来のケース内部前面と、電極内部前面が同一面で構成されていたため、電極底面とケース樹脂間に生じたスキマの空気が電極内部前面より気泡として発生し品質の安定化が困難であった。
【0006】
この発明は、ケース成形用金型構造を単純にでき、また、電極面への加工をなくし、かつ気泡発生の要因となる空気溜まりをなくした半導体装置を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
基板およびこれに実装した半導体装置をケースに収納後、ケース内部をゲル状樹脂で充填してなる電力用半導体装置において、上記課題を解決すべく、本発明は、ケースに貫通するようにして設けられた電極のケース内側に位置する内部リードを固定用ベッドで埋め込み固定する際、前記内部リードにおけるワイヤボンディング面が露出するように、ワイヤボンディング面と前記固定用ベッドの上面と同一面とし、そして、前記内部リードの端面(2e)を、固定用ベッドの端面(7e)から退避させ、かつ、前記端面(2e)の一部が露出するように、固定用ベッドに切り欠きが形成されており、この切り欠きは、ケース成型時に、金型の一部が入り込んだものによるものであることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1に半導体装置の平面図を示し、ケース1内に収納した回路基板4上に、半導体素子5が設けられ、その半導体素子5はワイヤ6により他のデバイスなどに接続されている。放熱板3はケース1の底板を兼ねる。外部引き出し用の電極2部分の拡大斜視図を図2に示し、その電極2の全体図を図3に示す。また、図2中のA−B方向およびC−D方向での垂直断面図を図4および図5に示す。
【0009】
L字形状の電極2は、ケース1を貫通するようにして設けられ、外部リード2aはケース外に引き出され、内部リード2bは、ケース内にて固定用ベッド7に埋め込まれることにより保持されるが、その内部リード2bの上面部であるワイヤボンディング面2cは、固定用ベッド7の上面と同一平面にされ、ワイヤボンディング面2cが露出される。
【0010】
電極2のケース内側の端面2e(図3)は、図2、図4に示すように、固定用ベッド7の端面7eより退避しており、かつ、端面2eの一部が露出するように、固定用ベッド7の上端面部に切り欠き7aが形成されている。
【0011】
図4において示した矢印(→)は、電極2をケース1および固定用ベッド7に埋め込み成型する際の金型(不図示)による押圧面を示している。切り欠き7aで示した個所に対しても金型が入り込むことによって、そのような切り欠き7aが固定用ベッド7に形成される。このとき、切り欠き7aに入り込んだ金型の端面が、電極2の端面2eに当接するため、前記埋め込み成型の際に、電極2が正確な位置で保持されるようになる。
【0012】
ここで用いた金型の形状もシンプルなため、金型を安価に形成できる。また、成型の際に、金型内面と、電極2を含むケース1および固定用ベッド7との間に隙間が生じないため、上述したような気泡発生も生じない。
【0013】
更に図3に示したように、電極2のワイヤボンディング面2cの周囲に、プレス加工時の塑性変形である“ダレ”2dが生じている。このような電極2を、ワイヤボンディング面2cのみが露出するように、固定用ベッド7に埋め込んだ時、図2中のA−B方向での垂直断面図である図4に示されるように、ダレ2dの部分が樹脂で覆われることにより、ダレ2dが無い場合に比べて電極2の保持強度が増す。
【0014】
【発明の効果】
この発明は、ケース内の固定用ベッドに電極を成型固定する際、電極の端面を金型で保持するようにしたので、金型の形状もシンプルなため、金型を安価に形成でき、また、成型の際に、金型内面と、電極を含むケースおよび固定用ベッドとの間に隙間が生じないため、上述したような気泡発生も生じない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態を示した電力用半導体装置の内部平面図
【図2】電極における内部リード部の詳細斜視図
【図3】電極の全体斜視図
【図4】図2中のA−B方向での垂直断面を示した図
【図5】図2中のC−D方向での垂直断面を示した図
【符号の説明】
1 ケース、2 電極、2a 外部リード、2b 内部リード、2c ワイヤボンディング面、2d ダレ、2e 端面、3 放熱板、4 回路基板、5 半導体素子、6 ワイヤ、7 固定用ベッド、7a 切り欠き
Claims (2)
- 基板およびこれに実装した半導体装置をケースに収納後、ケース内部をゲル状樹脂で充填してなる電力用半導体装置において、
ケースに貫通するようにして設けられた電極のケース内側に位置する内部リードを固定用ベッドで埋め込み固定する際、前記内部リードにおけるワイヤボンディング面が露出するように、ワイヤボンディング面と前記固定用ベッドの上面と同一面とし、そして、前記内部リードの端面(2e)を、固定用ベッドの端面(7e)から退避させ、かつ、前記端面(2e)の一部が露出するように、固定用ベッドに切り欠きが形成されており、この切り欠きは、ケース成型時に、金型の一部が入り込んだものによるものであることを特徴とする電力用半導体装置。 - 上記電極をプレス加工したときに生じる電極の上縁のダレの個所が、固定用ベッドの樹脂で覆われることにより、電極の固定強度を高めた請求項1記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002298629A JP4141789B2 (ja) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002298629A JP4141789B2 (ja) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | 電力用半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004134624A true JP2004134624A (ja) | 2004-04-30 |
| JP2004134624A5 JP2004134624A5 (ja) | 2005-07-21 |
| JP4141789B2 JP4141789B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=32287979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002298629A Expired - Fee Related JP4141789B2 (ja) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4141789B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014212218A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2019067885A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10971414B2 (en) | 2019-03-11 | 2021-04-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11107776B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN113496965A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-12 | 广东汇芯半导体有限公司 | 半导体电路和半导体电路的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09259956A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Aisin Aw Co Ltd | 導電ワイヤ接続端子 |
| JP2000349219A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 引き出し端子、電力用半導体装置用ケース及び電力用半導体装置 |
-
2002
- 2002-10-11 JP JP2002298629A patent/JP4141789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09259956A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Aisin Aw Co Ltd | 導電ワイヤ接続端子 |
| JP2000349219A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 引き出し端子、電力用半導体装置用ケース及び電力用半導体装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014212218A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| CN104167370A (zh) * | 2013-04-18 | 2014-11-26 | 富士电机株式会社 | 半导体装置制造方法及半导体装置 |
| JP2019067885A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US11107776B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10971414B2 (en) | 2019-03-11 | 2021-04-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN113496965A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-12 | 广东汇芯半导体有限公司 | 半导体电路和半导体电路的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4141789B2 (ja) | 2008-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6909170B2 (en) | Semiconductor assembly with package using cup-shaped lead-frame | |
| US6225146B1 (en) | Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP4338620B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US8241958B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor module, method for manufacturing semiconductor device, and lead frame | |
| JP7210868B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP2023658A2 (en) | Semiconductor device, lead frame, and microphone package therefor | |
| US6242797B1 (en) | Semiconductor device having pellet mounted on radiating plate thereof | |
| KR19980081519A (ko) | 플라스틱 캡슐화 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP4334335B2 (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JP2005191147A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JP4141789B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP2001035961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10242385A (ja) | 電力用混合集積回路装置 | |
| JP4253183B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JP3715590B2 (ja) | インサート成形ケース及び半導体装置 | |
| JP3209120B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP4331993B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| CN114434729B (zh) | 半导体装置用的框体的制造方法 | |
| JP3867881B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100325669B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPS6043849A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2512289B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100753793B1 (ko) | 전력 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| US9040356B2 (en) | Semiconductor including cup-shaped leadframe packaging techniques |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041202 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080304 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080411 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080513 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080611 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |