JP2004134173A - 冷陰極電子源及びそれを用いた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子放出電流の安定を図った冷陰極電子源、その冷陰極電子源を用いて高画質化を図ったフラットパネル型の表示装置を提供する。
【解決手段】電界の作用によって電子を放出するカーボンナノチューブを含有する電子放出部23と、電子放出部23を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極22及び電子引出電極25と、カソード電極22と電子引出電極25との間に複数の貫通孔27を有する絶縁性部材24と、電子引出電極25より電子放出部23寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されているとともに絶縁性部材24によって保持されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部26とを備えるようにした。
【選択図】 図2
【解決手段】電界の作用によって電子を放出するカーボンナノチューブを含有する電子放出部23と、電子放出部23を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極22及び電子引出電極25と、カソード電極22と電子引出電極25との間に複数の貫通孔27を有する絶縁性部材24と、電子引出電極25より電子放出部23寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されているとともに絶縁性部材24によって保持されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部26とを備えるようにした。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界の作用によって電子を放出する冷陰極電子源に関するものである。さらに、その冷陰極電子源を用いたフラットパネル型の表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電界の作用によって電子を放出する電界電子放出とは、金属または半導体などの表面の印加電界を109V/m程度にするとトンネル効果により障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる現象である。この電界電子放出の電子源を冷陰極電子源といい、熱エネルギーを利用して熱電子を放出する電子源(熱陰極電子源)に比べ、省エネルギーであるとともに長寿命化できるなど多くの優れた点を有している。
【0003】
冷陰極電子源の電子放出部に適用される電子放出材料としてカーボンナノチューブ(以下CNTと略す)が知られている。CNTは直径4〜50nm、長さ10μm以上と非常にアスペクト比の高い材料であり、外部電界を効率よくCNTの先端部に集中することが可能となる。これは、外部から印加する電界がマクロ的に低くてもCNTの近傍では非常に大きく増幅され、電子を取り出すのに十分な電界強度を発生できることを示している。その結果、電極に加える引出電極電位が比較的小さくても電子放出が可能であり、電界印加用の制御電源に必要とされる電圧を低減できるメリットがある。
【0004】
従来の冷陰極電子源を用いた表示装置は、電子引出電極に正電位、カソード電極に負電位を印加して電子放出部に電界を付与すると、CNTで構成された電子放出部から電子が放出される。この電子は、電子放出部と電子引出電極の間の空間を移動し、電子引出電極の開口部を通過して発光部に到達し、発光部の蛍光体に電子が衝突すると発光が起きる。この発光を利用して表示面に画像が表示される(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−155666号公報(段落0006−0021、図1)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術では、表示面における発光度合の偏りに伴なって画質が不均一となる問題があった。これは、電子放出部の表面状態の微妙な凹凸に依存して電子放出領域が不均一となってしまい、電子放出電流が不安定となるためである。
【0007】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、電子放出電流の安定を図った冷陰極電子源を提供する。さらに、その冷陰極電子源を用いて高画質化を図ったフラットパネル型の表示装置を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明における冷陰極電子源は、電界の作用によって電子を放出する電子放出部と、電子放出部を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極及び電子引出電極と、電子引出電極より電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部とを備えるものである。
【0009】
また、この発明における表示装置は、アノード電極及び蛍光体を搭載する前面パネルと、冷陰極電子源を搭載し前面パネルに対向する背面パネルとを備え、冷陰極電子源から放出された電子と蛍光体との衝突による発光を利用して画像を表示する表示装置において、冷陰極電子源が、電界の作用によって電子を放出するカーボンナノチューブを含有する電子放出部と、電子放出部を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極及び電子引出電極と、カソード電極と電子引出電極との間に複数の貫通孔を有する絶縁性部材と、電子引出電極より電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されているとともに絶縁性部材によって保持されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部とを備えるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、本発明が適用される表示装置の実施の形態1を説明するための要部断面図である。背面パネル1の片面に冷陰極電子源2が配置されている。前面パネル3の片面に蛍光体4が配置され、さらに蛍光体4を覆うようにアノード電極5が配置されている。背面パネル1と前面パネル3との間にはスペーサ6があり、表示装置内部の真空を維持している。
【0011】
続いて動作について説明する。冷陰極電子源2から放出された電子は、正電位を印加されたアノード電極5に向かって移動する。アノード電極5に到達した電子は、アノード電極5を突き抜けて蛍光体4に衝突する。この衝突の際に発光が起き、この発光を利用して表示面に画像が表示される。
【0012】
図2は、この表示装置に用いられる冷陰極電子源の断面図である。冷陰極電子源2は、電界の作用によって電子を放出する電子放出部23と、電子放出部23に電界を付与するカソード電極22及び電子引出電極25と、両電極の間に複数の貫通孔27を有する絶縁性部材としての絶縁層24とを備える。電子放出部23に含有される電子放出材料は、電子放出特性にすぐれたCNTである。絶縁層24は抵抗部としての抵抗膜26を貫通孔壁に保持し、抵抗膜26の電気抵抗率は後述する負の帰還効果の観点から106〜108Ωcmが好ましい。ここで、抵抗膜26は電子引出電極25に電気的接続されている。また、絶縁層24には酸化珪素を主成分とするガラス層が一般的に用いられるが、これに限定するものではない。貫通孔27の直径は2μm程度である。
【0013】
図3はこの実施の形態における冷陰極電子源を形成する工程図である。まず図3(a)のように背面パネル1上にカソード電極22を配置し、その上に電子放出部23を配置する。カソード電極22は、印刷あるいは蒸着後のパターニングなど種種の方法によって形成でき、材料的にも種種のものを用いることができる。ここでは、ITO(インジウム酸化錫)を蒸着後にエッチングによりパターニングを行っている。カソード電極22上の電子放出部23の形成方法については、例えばCVD法、CNTを含んだペーストを用いたスクリーン印刷法やコート法もしくはインクジェット法などの方式が考えられるが、いずれの方式であってもかまわない。
【0014】
次に図3(b)のように、電子放出部23の上に絶縁層24と電子引出電極25の層を積層する。絶縁層24の積層方法は、例えばガラスペーストの印刷、酸化珪素のCVD法による成膜などが考えられ、いずれの方式であってもかまわない。電子引出電極25の層の積層方法は、印刷法、インクジェト法、コート法、蒸着法、スパッター法などの方式が考えられ、いずれの方式であってもかまわない。
【0015】
続いて図3(c)のように、電子引出電極25をエッチングによってパターニングする。これは、例えばレジストを用いた露光現像方式によって容易にできる。
【0016】
続いて図3(d)のように、電子引出電極25のパターン孔を基準として、絶縁層24にエッチングによってカソード電極22表面までの貫通孔27を形成する。これは、例えばフッ素系エッチング剤を用いたRIEエッチング方式によって容易にできる。
【0017】
最後に図3(e)のように、例えば電気抵抗率107Ωcm程度のアモルファスシリコンを斜め蒸着することにより、抵抗膜26を貫通孔27の内壁に形成する。このように、抵抗膜26が絶縁層24の貫通孔27の孔壁面によって保持されている構造であれば、容易に形成できる。このとき、抵抗膜26の少なくとも一部が電子引出電極25より電子放出部23寄りにあればよく、図3(e)のように抵抗膜26が電子引出電極25を被覆していてもかまわない。
【0018】
このようにして形成された冷陰極電子源の動作について説明を行う。図4は、この実施の形態における放出電子の軌道を説明するための冷陰極電子源の一部拡大断面図である。図4において、放出電子の軌道は点線で示されている。電子引出電極25とカソード電極22の間に電界が印加され、電子放出部23表面上の電界強度が所定の値以上になった時点でCNTから電子が放出される。図4のように、放出電子の多くは電子引出電極25の開口部を通過してアノード電極に到達するが、放出電子の一部は抵抗膜26に衝突する。抵抗膜26に衝突した電子は、電子引出電極25に伝わり、電子引出電極25とカソード電極22の間に電界を印加するための制御電源に吸収される。この抵抗膜26と制御電源との間の電流によって、抵抗膜26の電位が降下する。電子放出領域が偏在して放出電子が過剰な場合、抵抗膜26と制御電源との間の電流は大きくなり、これに比例して抵抗膜26の電位降下も大きくなる。したがって、CNTの表面電界強度は低減するため、過剰な電子放出を抑制できる。すなわち、放出電子が過剰となりやすい電子放出領域では、他の電子放出領域よりもCNTの表面電界強度が低くできるため、電子放出部23からの電子放出電流が安定する。
【0019】
このように、電子放出電流に対して負の帰還効果が作用するために、電子放出部23の電子放出特性の不均一を緩和する効果がある。それとともに、時間的な電子放出電流の変動を低減する効果もある。そのため、この冷陰極電子源をフラットパネル型の表示装置に用いれば、発光の均一性や画像の滑らかさ等の高画質化が図られる。
【0020】
さらに負の帰還効果の観点から、抵抗膜26は貫通孔27の孔壁面積の半分以上を占めることが望ましい。図5は、貫通孔壁における抵抗膜の面積比と放出電子のアノード電極到達率との関係を示す冷陰極電子源の特性図である。図6は、同様に抵抗膜の面積比と電子放出電流のバラツキとの関係を相対的に示す冷陰極電子源の特性図である。図5において縦軸はアノード電極到達率であり、アノード到達電流値/カソード放出電流値で定義する。アノード電極到達率が1とは、電子放出部からの放出電子がすべてアノード電極に到達することを意味する。横軸は貫通孔壁における抵抗膜の面積比であり、貫通孔壁における抵抗膜の面積/貫通孔壁の面積で定義する。この抵抗膜の面積比が0とは抵抗膜が全くないことを意味し、これが1とは貫通孔壁全体を抵抗膜が被覆していることを意味する。ここでは、絶縁層厚1〜2μm、貫通孔径2μmの場合を例示する。このように、抵抗膜の面積比が増すにしたがってアノード電極到達率は低下する。とくに抵抗膜の面積比が0.5を超えると、アノード電極到達率の低下が顕著となり、十分な負の帰還効果が得られる。このとき、絶縁層厚と貫通孔径の好ましいアスペクト比は1/2〜1である。
【0021】
また図6に示すように、抵抗膜の面積比が増すにしたがって電子放出電流のバラツキも低減しており、負の帰還効果によって電子放出電流が安定化する。この実施の形態では、電子放出電流の安定化に伴なって制御電源に必要とされる電圧も高まるが、電子放出材料にCNTを用いているためにわずかな電圧上昇にとどまる。したがって、低電圧で駆動し電子放出特性の均一化を図った冷陰極電子源が得られる。なお、この実施の形態における負の帰還効果はCNT以外の電子放出材料を用いても得られる。
【0022】
実施の形態2.
図7は、実施の形態2を説明するための冷陰極電子源を形成する工程図である。まず図7(d)に基づいてこの冷陰極電子源の構成を説明する。背面パネル1上に配置された冷陰極電子源は、カソード電極22、電子放出部23、絶縁層24、抵抗層28、電子引出電極25が順次積層されている。絶縁層24と抵抗層28は互いに連続した複数の貫通孔27bを有しており、この貫通孔27は電子引出電極25の開口部に対応している。電子放出部23は電子放出材料としてCNTを含有している。
【0023】
形成工程について説明する。図7(a)のように背面パネル1上にカソード電極22を配置し、その上に電子放出部23を配置する。次に図7(b)のように、電子放出部23の上に絶縁層24、抵抗層28及び電子引出電極25の層を積層する。ここで、絶縁層28は酸化珪素からなり、抵抗層28はアモルファスシリコンからなる。
【0024】
続いて図7(c)のように、電子引出電極25をエッチングによってパターニングする。最後に図7(d)のように、抵抗層28と絶縁層24とをフッ素系エッチング剤を用いて一括してエッチングし、カソード電極22表面までの貫通孔27bを形成する。とくにRIEエッチング方式を用いれば、容易に貫通孔27bを形成できる。
【0025】
このように形成された冷陰極電子源は、実施の形態1と同様に電子放出部23からの電子放出電流が安定する。さらに、この冷陰極電子源をフラットパネル型の表示装置に用いれば、発光の均一性や画像の滑らかさ等の高画質化が図られる。
【0026】
実施の形態3.
この実施の形態では、貫通孔の形成に陽極酸化法を用いる。図8は実施の形態3を説明するための陽極酸化装置の概略構成図である。カソード電極及び電子放出部を形成した背面パネル73に、アルミニウム層74を蒸着しておく。この背面パネル73をホルダ71に固定し、カソード電極、電源75、対向電極76を相互に電気的接続する。ここで、電源75の陽極はカソード電極と、電源75の陰極は対向電極76に接続する。ホルダ71と対向電極76とを化成槽72内の電解液に浸漬させる。電解液としては、例えばシュウ酸が使用される。
【0027】
図9は、陽極酸化法によって形成された貫通孔を上方から観察したときの電子顕微鏡写真である。陽極酸化法では、実施の形態1で説明したRIEエッチングと比較して、大面積に対して一括に微細な貫通孔(例えば孔径0.2〜0.3μm程度)を形成できる。さらに、アルミニウム層74に形成された貫通孔の内壁表面はアルミナ膜に変質し、良好な絶縁膜として機能する。このアルミナ膜が形成されたアルミニウム層74に、斜め蒸着によって電子引出電極及び抵抗膜を形成すると、簡単な工程で容易に負の帰還効果を有する冷陰極電子源が得られる。
【0028】
図10は、このようにして形成された冷陰極電子源の冷陰極電子源の断面図である。背面パネル1上に配置された冷陰極電子源2cは、カソード電極22、電子放出部23、表面にアルミナ膜24bが形成された絶縁層としてのアルミニウム層24a、電子引出電極25c、抵抗膜26cから構成されている。絶縁層は陽極酸化法により形成された複数の貫通孔27cを有しており、この貫通孔27cは電子引出電極25cの開口部に対応している。電子放出部23は電子放出材料としてCNTを含有している。電子引出電極25c及び抵抗膜26cは、順次斜め蒸着によって形成されている。貫通孔27cの内壁において抵抗膜26cの図示下端は、電子引出電極25cの図示下端より電子放出部23寄りである。
【0029】
この冷陰極電子源は、実施の形態1と同様に電子放出部からの電子放出電流が安定する。さらに、この冷陰極電子源をフラットパネル型の表示装置に用いれば、発光の均一性や画像の滑らかさ等の高画質化が図られる。
【0030】
【発明の効果】
この発明によれば、電子引出電極より電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されている抵抗部を備えたため、負の帰還効果を利用して電子放出特性の均一化を図った冷陰極電子源を提供できる。さらに、このような冷陰極電子源を用いることにより、発光の均一性による高画質化を図った表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1を説明するための表示装置の要部断面図である。
【図2】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の断面図である。
【図3】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の形成工程図である。
【図4】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の一部拡大断面図である。
【図5】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源のアノード電極到達率に関する特性図である。
【図6】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の電子放出電流に関する特性図である。
【図7】実施の形態2を説明するための冷陰極電子源の形成工程図である。
【図8】実施の形態3を説明するための陽極酸化装置の概略構成図である。
【図9】実施の形態3を説明するための貫通孔の電子顕微鏡写真である。
【図10】実施の形態3を説明するための冷陰極電子源の断面図である。
【符号の説明】
1 背面パネル、2 冷陰極電子源、22 カソード電極、23 電子放出部、24 絶縁層、25 電子引出電極、26 抵抗膜、27 貫通孔、28 抵抗層、3 前面パネル、4 蛍光体、5 アノード電極、6 スペーサ、71 ホルダ、72 化成槽、73 背面パネル、74 アルミニウム層、75 電源、76 対向電極。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界の作用によって電子を放出する冷陰極電子源に関するものである。さらに、その冷陰極電子源を用いたフラットパネル型の表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電界の作用によって電子を放出する電界電子放出とは、金属または半導体などの表面の印加電界を109V/m程度にするとトンネル効果により障壁を通過して常温でも真空中に電子放出が行われる現象である。この電界電子放出の電子源を冷陰極電子源といい、熱エネルギーを利用して熱電子を放出する電子源(熱陰極電子源)に比べ、省エネルギーであるとともに長寿命化できるなど多くの優れた点を有している。
【0003】
冷陰極電子源の電子放出部に適用される電子放出材料としてカーボンナノチューブ(以下CNTと略す)が知られている。CNTは直径4〜50nm、長さ10μm以上と非常にアスペクト比の高い材料であり、外部電界を効率よくCNTの先端部に集中することが可能となる。これは、外部から印加する電界がマクロ的に低くてもCNTの近傍では非常に大きく増幅され、電子を取り出すのに十分な電界強度を発生できることを示している。その結果、電極に加える引出電極電位が比較的小さくても電子放出が可能であり、電界印加用の制御電源に必要とされる電圧を低減できるメリットがある。
【0004】
従来の冷陰極電子源を用いた表示装置は、電子引出電極に正電位、カソード電極に負電位を印加して電子放出部に電界を付与すると、CNTで構成された電子放出部から電子が放出される。この電子は、電子放出部と電子引出電極の間の空間を移動し、電子引出電極の開口部を通過して発光部に到達し、発光部の蛍光体に電子が衝突すると発光が起きる。この発光を利用して表示面に画像が表示される(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−155666号公報(段落0006−0021、図1)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術では、表示面における発光度合の偏りに伴なって画質が不均一となる問題があった。これは、電子放出部の表面状態の微妙な凹凸に依存して電子放出領域が不均一となってしまい、電子放出電流が不安定となるためである。
【0007】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、電子放出電流の安定を図った冷陰極電子源を提供する。さらに、その冷陰極電子源を用いて高画質化を図ったフラットパネル型の表示装置を提供する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明における冷陰極電子源は、電界の作用によって電子を放出する電子放出部と、電子放出部を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極及び電子引出電極と、電子引出電極より電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部とを備えるものである。
【0009】
また、この発明における表示装置は、アノード電極及び蛍光体を搭載する前面パネルと、冷陰極電子源を搭載し前面パネルに対向する背面パネルとを備え、冷陰極電子源から放出された電子と蛍光体との衝突による発光を利用して画像を表示する表示装置において、冷陰極電子源が、電界の作用によって電子を放出するカーボンナノチューブを含有する電子放出部と、電子放出部を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極及び電子引出電極と、カソード電極と電子引出電極との間に複数の貫通孔を有する絶縁性部材と、電子引出電極より電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されているとともに絶縁性部材によって保持されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部とを備えるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、本発明が適用される表示装置の実施の形態1を説明するための要部断面図である。背面パネル1の片面に冷陰極電子源2が配置されている。前面パネル3の片面に蛍光体4が配置され、さらに蛍光体4を覆うようにアノード電極5が配置されている。背面パネル1と前面パネル3との間にはスペーサ6があり、表示装置内部の真空を維持している。
【0011】
続いて動作について説明する。冷陰極電子源2から放出された電子は、正電位を印加されたアノード電極5に向かって移動する。アノード電極5に到達した電子は、アノード電極5を突き抜けて蛍光体4に衝突する。この衝突の際に発光が起き、この発光を利用して表示面に画像が表示される。
【0012】
図2は、この表示装置に用いられる冷陰極電子源の断面図である。冷陰極電子源2は、電界の作用によって電子を放出する電子放出部23と、電子放出部23に電界を付与するカソード電極22及び電子引出電極25と、両電極の間に複数の貫通孔27を有する絶縁性部材としての絶縁層24とを備える。電子放出部23に含有される電子放出材料は、電子放出特性にすぐれたCNTである。絶縁層24は抵抗部としての抵抗膜26を貫通孔壁に保持し、抵抗膜26の電気抵抗率は後述する負の帰還効果の観点から106〜108Ωcmが好ましい。ここで、抵抗膜26は電子引出電極25に電気的接続されている。また、絶縁層24には酸化珪素を主成分とするガラス層が一般的に用いられるが、これに限定するものではない。貫通孔27の直径は2μm程度である。
【0013】
図3はこの実施の形態における冷陰極電子源を形成する工程図である。まず図3(a)のように背面パネル1上にカソード電極22を配置し、その上に電子放出部23を配置する。カソード電極22は、印刷あるいは蒸着後のパターニングなど種種の方法によって形成でき、材料的にも種種のものを用いることができる。ここでは、ITO(インジウム酸化錫)を蒸着後にエッチングによりパターニングを行っている。カソード電極22上の電子放出部23の形成方法については、例えばCVD法、CNTを含んだペーストを用いたスクリーン印刷法やコート法もしくはインクジェット法などの方式が考えられるが、いずれの方式であってもかまわない。
【0014】
次に図3(b)のように、電子放出部23の上に絶縁層24と電子引出電極25の層を積層する。絶縁層24の積層方法は、例えばガラスペーストの印刷、酸化珪素のCVD法による成膜などが考えられ、いずれの方式であってもかまわない。電子引出電極25の層の積層方法は、印刷法、インクジェト法、コート法、蒸着法、スパッター法などの方式が考えられ、いずれの方式であってもかまわない。
【0015】
続いて図3(c)のように、電子引出電極25をエッチングによってパターニングする。これは、例えばレジストを用いた露光現像方式によって容易にできる。
【0016】
続いて図3(d)のように、電子引出電極25のパターン孔を基準として、絶縁層24にエッチングによってカソード電極22表面までの貫通孔27を形成する。これは、例えばフッ素系エッチング剤を用いたRIEエッチング方式によって容易にできる。
【0017】
最後に図3(e)のように、例えば電気抵抗率107Ωcm程度のアモルファスシリコンを斜め蒸着することにより、抵抗膜26を貫通孔27の内壁に形成する。このように、抵抗膜26が絶縁層24の貫通孔27の孔壁面によって保持されている構造であれば、容易に形成できる。このとき、抵抗膜26の少なくとも一部が電子引出電極25より電子放出部23寄りにあればよく、図3(e)のように抵抗膜26が電子引出電極25を被覆していてもかまわない。
【0018】
このようにして形成された冷陰極電子源の動作について説明を行う。図4は、この実施の形態における放出電子の軌道を説明するための冷陰極電子源の一部拡大断面図である。図4において、放出電子の軌道は点線で示されている。電子引出電極25とカソード電極22の間に電界が印加され、電子放出部23表面上の電界強度が所定の値以上になった時点でCNTから電子が放出される。図4のように、放出電子の多くは電子引出電極25の開口部を通過してアノード電極に到達するが、放出電子の一部は抵抗膜26に衝突する。抵抗膜26に衝突した電子は、電子引出電極25に伝わり、電子引出電極25とカソード電極22の間に電界を印加するための制御電源に吸収される。この抵抗膜26と制御電源との間の電流によって、抵抗膜26の電位が降下する。電子放出領域が偏在して放出電子が過剰な場合、抵抗膜26と制御電源との間の電流は大きくなり、これに比例して抵抗膜26の電位降下も大きくなる。したがって、CNTの表面電界強度は低減するため、過剰な電子放出を抑制できる。すなわち、放出電子が過剰となりやすい電子放出領域では、他の電子放出領域よりもCNTの表面電界強度が低くできるため、電子放出部23からの電子放出電流が安定する。
【0019】
このように、電子放出電流に対して負の帰還効果が作用するために、電子放出部23の電子放出特性の不均一を緩和する効果がある。それとともに、時間的な電子放出電流の変動を低減する効果もある。そのため、この冷陰極電子源をフラットパネル型の表示装置に用いれば、発光の均一性や画像の滑らかさ等の高画質化が図られる。
【0020】
さらに負の帰還効果の観点から、抵抗膜26は貫通孔27の孔壁面積の半分以上を占めることが望ましい。図5は、貫通孔壁における抵抗膜の面積比と放出電子のアノード電極到達率との関係を示す冷陰極電子源の特性図である。図6は、同様に抵抗膜の面積比と電子放出電流のバラツキとの関係を相対的に示す冷陰極電子源の特性図である。図5において縦軸はアノード電極到達率であり、アノード到達電流値/カソード放出電流値で定義する。アノード電極到達率が1とは、電子放出部からの放出電子がすべてアノード電極に到達することを意味する。横軸は貫通孔壁における抵抗膜の面積比であり、貫通孔壁における抵抗膜の面積/貫通孔壁の面積で定義する。この抵抗膜の面積比が0とは抵抗膜が全くないことを意味し、これが1とは貫通孔壁全体を抵抗膜が被覆していることを意味する。ここでは、絶縁層厚1〜2μm、貫通孔径2μmの場合を例示する。このように、抵抗膜の面積比が増すにしたがってアノード電極到達率は低下する。とくに抵抗膜の面積比が0.5を超えると、アノード電極到達率の低下が顕著となり、十分な負の帰還効果が得られる。このとき、絶縁層厚と貫通孔径の好ましいアスペクト比は1/2〜1である。
【0021】
また図6に示すように、抵抗膜の面積比が増すにしたがって電子放出電流のバラツキも低減しており、負の帰還効果によって電子放出電流が安定化する。この実施の形態では、電子放出電流の安定化に伴なって制御電源に必要とされる電圧も高まるが、電子放出材料にCNTを用いているためにわずかな電圧上昇にとどまる。したがって、低電圧で駆動し電子放出特性の均一化を図った冷陰極電子源が得られる。なお、この実施の形態における負の帰還効果はCNT以外の電子放出材料を用いても得られる。
【0022】
実施の形態2.
図7は、実施の形態2を説明するための冷陰極電子源を形成する工程図である。まず図7(d)に基づいてこの冷陰極電子源の構成を説明する。背面パネル1上に配置された冷陰極電子源は、カソード電極22、電子放出部23、絶縁層24、抵抗層28、電子引出電極25が順次積層されている。絶縁層24と抵抗層28は互いに連続した複数の貫通孔27bを有しており、この貫通孔27は電子引出電極25の開口部に対応している。電子放出部23は電子放出材料としてCNTを含有している。
【0023】
形成工程について説明する。図7(a)のように背面パネル1上にカソード電極22を配置し、その上に電子放出部23を配置する。次に図7(b)のように、電子放出部23の上に絶縁層24、抵抗層28及び電子引出電極25の層を積層する。ここで、絶縁層28は酸化珪素からなり、抵抗層28はアモルファスシリコンからなる。
【0024】
続いて図7(c)のように、電子引出電極25をエッチングによってパターニングする。最後に図7(d)のように、抵抗層28と絶縁層24とをフッ素系エッチング剤を用いて一括してエッチングし、カソード電極22表面までの貫通孔27bを形成する。とくにRIEエッチング方式を用いれば、容易に貫通孔27bを形成できる。
【0025】
このように形成された冷陰極電子源は、実施の形態1と同様に電子放出部23からの電子放出電流が安定する。さらに、この冷陰極電子源をフラットパネル型の表示装置に用いれば、発光の均一性や画像の滑らかさ等の高画質化が図られる。
【0026】
実施の形態3.
この実施の形態では、貫通孔の形成に陽極酸化法を用いる。図8は実施の形態3を説明するための陽極酸化装置の概略構成図である。カソード電極及び電子放出部を形成した背面パネル73に、アルミニウム層74を蒸着しておく。この背面パネル73をホルダ71に固定し、カソード電極、電源75、対向電極76を相互に電気的接続する。ここで、電源75の陽極はカソード電極と、電源75の陰極は対向電極76に接続する。ホルダ71と対向電極76とを化成槽72内の電解液に浸漬させる。電解液としては、例えばシュウ酸が使用される。
【0027】
図9は、陽極酸化法によって形成された貫通孔を上方から観察したときの電子顕微鏡写真である。陽極酸化法では、実施の形態1で説明したRIEエッチングと比較して、大面積に対して一括に微細な貫通孔(例えば孔径0.2〜0.3μm程度)を形成できる。さらに、アルミニウム層74に形成された貫通孔の内壁表面はアルミナ膜に変質し、良好な絶縁膜として機能する。このアルミナ膜が形成されたアルミニウム層74に、斜め蒸着によって電子引出電極及び抵抗膜を形成すると、簡単な工程で容易に負の帰還効果を有する冷陰極電子源が得られる。
【0028】
図10は、このようにして形成された冷陰極電子源の冷陰極電子源の断面図である。背面パネル1上に配置された冷陰極電子源2cは、カソード電極22、電子放出部23、表面にアルミナ膜24bが形成された絶縁層としてのアルミニウム層24a、電子引出電極25c、抵抗膜26cから構成されている。絶縁層は陽極酸化法により形成された複数の貫通孔27cを有しており、この貫通孔27cは電子引出電極25cの開口部に対応している。電子放出部23は電子放出材料としてCNTを含有している。電子引出電極25c及び抵抗膜26cは、順次斜め蒸着によって形成されている。貫通孔27cの内壁において抵抗膜26cの図示下端は、電子引出電極25cの図示下端より電子放出部23寄りである。
【0029】
この冷陰極電子源は、実施の形態1と同様に電子放出部からの電子放出電流が安定する。さらに、この冷陰極電子源をフラットパネル型の表示装置に用いれば、発光の均一性や画像の滑らかさ等の高画質化が図られる。
【0030】
【発明の効果】
この発明によれば、電子引出電極より電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されている抵抗部を備えたため、負の帰還効果を利用して電子放出特性の均一化を図った冷陰極電子源を提供できる。さらに、このような冷陰極電子源を用いることにより、発光の均一性による高画質化を図った表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1を説明するための表示装置の要部断面図である。
【図2】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の断面図である。
【図3】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の形成工程図である。
【図4】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の一部拡大断面図である。
【図5】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源のアノード電極到達率に関する特性図である。
【図6】実施の形態1を説明するための冷陰極電子源の電子放出電流に関する特性図である。
【図7】実施の形態2を説明するための冷陰極電子源の形成工程図である。
【図8】実施の形態3を説明するための陽極酸化装置の概略構成図である。
【図9】実施の形態3を説明するための貫通孔の電子顕微鏡写真である。
【図10】実施の形態3を説明するための冷陰極電子源の断面図である。
【符号の説明】
1 背面パネル、2 冷陰極電子源、22 カソード電極、23 電子放出部、24 絶縁層、25 電子引出電極、26 抵抗膜、27 貫通孔、28 抵抗層、3 前面パネル、4 蛍光体、5 アノード電極、6 スペーサ、71 ホルダ、72 化成槽、73 背面パネル、74 アルミニウム層、75 電源、76 対向電極。
Claims (6)
- 電界の作用によって電子を放出する電子放出部と、前記電子放出部を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極及び電子引出電極と、前記電子引出電極より前記電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部とを備えることを特徴とする冷陰極電子源。
- 前記電子放出部はカーボンナノチューブを含有することを特徴とする請求項1記載の冷陰極電子源。
- 前記カソード電極と前記電子引出電極との間に複数の貫通孔を有する絶縁性部材を備え、前記抵抗部は前記絶縁性部材によって保持されていることを特徴とする請求項1または2記載の冷陰極電子源。
- 前記抵抗部は、前記貫通孔の孔壁面に形成されていることを特徴とする請求項3記載の冷陰極電子源。
- 前記絶縁性部材は酸化珪素からなる絶縁層であり、前記抵抗部は前記電子引出電極と前記絶縁層との間に配置され当該絶縁層の複数の貫通孔に連続した複数の貫通孔を有するアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項3記載の冷陰極電子源。
- アノード電極及び蛍光体を搭載する前面パネルと、冷陰極電子源を搭載し前記前面パネルに対向する背面パネルとを備え、前記冷陰極電子源から放出された電子と前記蛍光体との衝突による発光を利用して画像を表示する表示装置において、
前記冷陰極電子源は、電界の作用によって電子を放出するカーボンナノチューブを含有する電子放出部と、前記電子放出部を挟むように対向し当該電子放出部に電界を付与するカソード電極及び電子引出電極と、前記カソード電極と前記電子引出電極との間に複数の貫通孔を有する絶縁性部材と、前記電子引出電極より前記電子放出部寄りに配置され当該電子引出電極に電気的接続されているとともに前記絶縁性部材によって保持されている電気抵抗率106〜108Ωcmの抵抗部とを備えることを特徴とする表示装置。
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2002
- 2002-10-09 JP JP2002296163A patent/JP2004134173A/ja active Pending
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