JP2004128479A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コア基板の表面上方のみにビルドアップ層を有して反りにくく且つ無機繊維を含む裏面絶縁層に所定の内径の開口部を精度良く形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め無機繊維を含む接着性の樹脂からなる裏面絶縁層１１の所定の位置に貫通孔１５ａを形成する穿孔工程と、表面４および裏面５を有するコア基板２の裏面５に上記裏面絶縁層１１を接着し且つその厚み方向に沿ってプレスして、上記貫通孔１５ａであった位置に上記無機繊維を含まない樹脂部１１ｂを形成するプレス工程と、上記裏面絶縁層１１の樹脂部１１ｂにレーザＬの照射またはフォトグラフィ技術により開口部１５を形成する開口部形成工程と、を含む、配線基板の製造方法。
【選択図】　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、低コスト化の要請に応じるため、図７（Ａ）に示すように、コア基板３１の片面（表面）３２上方にのみ複数の絶縁層３５，３９，４１および複数の配線層３４，３７，４０を積層したビルドアップ層ＢＵなどを形成した配線基板３０が提案されている（例えば、特許文献１参照）。上記コア基板３１は、厚み約８００μｍの絶縁板であり、その表面３２上方に厚み約３０μｍの絶縁層３５，３９，４１と厚み約１５μｍの配線層３４，３７，４０とを交互に積層している。
また、図７（Ａ）に示すように、配線層３４，３７，４０間を導通するため、ビア導体３６，３８が絶縁層３５，３９に形成されている。更に、最上層の配線層４０上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）４１を貫通し且つ第１主面４３よりも高く突出するハンダバンプ４２が複数形成され、第１主面４３上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２９００３１号公報　（図１など）
【０００４】
以上のような配線基板３０おいては、コア基板３１の表面３２側に絶縁層３５，３９，４１と配線層３４，３７，４０とからなるビルドアップ層ＢＵなどを形成しているのに対し、コア基板３１の裏面３３側には何も形成されていない。
このため、コア基板３１と絶縁層３５，３９，４１との熱膨張率の差により、図７（Ａ）中の一点鎖線で示すように、配線基板３０全体が、当該配線基板３０の厚み方向と垂直方向の長さ３３０ｍｍに対し、厚み方向に約４〜５ｍｍ変形した反りを生じることがある。かかる反りにより、例えば配線層３４，３７，４０、ビア導体３６，３８、およびハンダバンプ４２相互間の接続が不十分になるため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。
また、ハンダバンプ４２にＩＣチップなどの電子部品を接続する際に、上記反りにより当該接続が不十分になる、という問題もあった。
【０００５】
以上の問題点を解決するため、図７（Ｂ）に示すような配線基板５０も検討されている。即ち、配線基板５０は、厚み約８００μｍの絶縁板であるコア基板５１と、その表面５２上方に厚み約３０μｍの絶縁層６０，６６，７２と厚み約１５μｍの配線層５８，６４，７０とを交互に積層したビルドアップ層ＢＵなどと、コア基板５１の裏面５３に形成した厚み約１５μｍの配線層５９および厚みが約４０μｍの裏面絶縁層（ソルダーレジスト層）６１と、を備えている。
コア基板５１には、その表面５２と裏面５３との間を貫通する複数のスルーホール５４が形成され、それらの内壁に沿ってスルーホール導体５６および充填樹脂５７が形成されている。各スルーホール導体５６は、上端と下端で配線層５８，５９と接続している。
【０００６】
図７（Ｂ）に示すように、上記配線層５８，６４，７０間を導通するため、ビア導体６２，６８が絶縁層６０，６６に形成されている。最上層の配線層７２上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）７２を貫通し且つ第１主面７４よりも高く突出するハンダバンプ７６が複数形成され、第１主面７４上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
一方、図７（Ｂ）に示すように、コア基板５１の裏面５３に形成した配線層５９から延び且つ絶縁層６１の開口部６５から第２主面６３側に露出する配線６７は、図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として用いられる。
以上の配線基板５０では、コア基板５１を挟んでビルドアップ層ＢＵなどと厚めの絶縁層（ソルダーレジスト層）６１とが配置されている。このため、コア基板５１と絶縁層６０，６６，７２との熱膨張率の差による反りは、図７（Ｂ）中の一点鎖線で示すように、第２主面６３寄りのある程度の変形に抑制される。
【０００７】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、図７（Ｂ）に示す反りによっても、配線層５８，６４，７０、ビア導体６２，６８、ハンダバンプ７６、スルーホール導体５６、および、配線層５９の相互間の接続が不十分になり得るため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。
また、ハンダバンプ７６にＩＣチップなどの電子部品を接続する際に、上記反りにより当該接続が不十分になる、という問題もあった。
上記配線基板５０の反りを解消するため、例えばコア基板５１の裏面５３にガラス繊維入りの樹脂からなる裏面絶縁層を形成することが検討されている。しかしながら、かかる裏面絶縁層に前記開口部６５をレーザ加工により形成すると、当該レーザのパワー不足により開口部６５の周縁に溶断されたガラス繊維の残滓が発生し、開口部６５の底面に露出する配線６７と図示しない接続端子との接続操作が行い難くなったり、外観を損ねる、という問題があった。
本発明は、以上において説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面上方のみにビルドアップ層を有して反りにくく且つ無機繊維を含む裏面絶縁層に所定の内径の開口部を精度良く形成できる配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、コア基板の裏面に形成する裏面絶縁層を前記反りを抑制し且つ無機繊維を含むものとし、この裏面絶縁層に形成する開口部に無機繊維が露出しないようにする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板の製造方法（請求項１）は、無機繊維を含む接着性の樹脂からなる裏面絶縁層の所定の位置に貫通孔を形成する穿孔工程と、表面および裏面を有するコア基板の裏面に上記裏面絶縁層を接着し且つその厚み方向に沿ってプレスして、上記貫通孔であった位置に上記無機繊維を含まない樹脂部を形成するプレス工程と、上記裏面絶縁層の上記樹脂部にレーザ照射またはフォトリソグラフィ技術により開口部を形成する開口部形成工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、予め裏面絶縁層に穿孔された貫通孔は、上記プレス工程においてかかる裏面絶縁層の樹脂が流動するレジンフローにより樹脂のみからなる樹脂部となるため、かかる樹脂部にレーザの照射またはフォトリソグラフィ技術にて開口部を形成することにより、当該開口部の内周面には上記無機繊維が露出しなくなる。この結果、かかる開口部の底面に位置する裏面配線層に対し、マザーボードの接続端子、あるいはピンやボールをハンダ付けなどによって容易に接続することができる。しかも、裏面絶縁層は、その平面方向に沿った熱膨張率が高いため、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を形成しても、配線基板全体が反り変形する事態を防止または抑制することができる。更に、上記貫通孔をレジンフロー（ガラス繊維などを含まず）で充填することにより、一対のコア基板を積層およびプレスする際に生じる中空スペースをなくすことができるため、ビルドアップ層やその表面を平坦に保つことができる。加えて、配線基板の裏面側における外観を損ねることもなくなる。従って、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
尚、裏面絶縁層には、無機繊維を含む半硬化性樹脂シートを硬化させたものが用いられる。尚また、無機繊維には、ガラス繊維の不織布などが含まれる。
尚更に、上記穿孔工程における上記所定の位置は、接続端子（マザーボードなどの他の基板と接続するための端子）に対応する位置である、上記配線基板の製造方法としても良い。
【００１０】
また、本発明は、前記穿孔工程は、前記裏面絶縁層の所定の位置にパンチング、ドリル、またはレーザ加工の何れかを施すものである、配線基板の製造方法を含むことも可能である。これによる場合、単層の裏面絶縁層に形成すべき開口部よりも若干大きな内径を有する貫通孔を確実に穿孔できる。
【００１１】
更に、本発明には、前記プレス工程は、一対の前記コア基板を、前記貫通孔を有する裏面絶縁層を離型シートを介して向かい合わせて積層し、これらを厚み方向に沿ってプレスするものである、配線基板の製造方法（請求項２）も含まれる。
これによれば、一対のコア基板の裏面に裏面絶縁層を個別に密着して形成し且つその熱膨張率によって隣接するコア基板が反る事態を防止できると共に、前記プレス時において、各裏面絶縁層の樹脂が流動するレジンフローにより樹脂のみからなる樹脂部を貫通孔であった位置に確実に形成することが可能となる。
【００１２】
また、本発明には、前記プレス工程の後に、前記コア基板の表面上方に複数の絶縁層と複数の配線層とを含むビルドアップ層を形成するビルドアップ工程を行う、配線基板の製造方法（請求項３）も含まれる。
これによれば、プレス工程で一対のコア基板を離型シートを介して対向させた状態のまま、かかる一対のコア基板のそれぞれの表面上方に上記ビルドアップ層を個別且つ平坦にして確実に形成することができる。従って、かかるとビルドアップ層と前記裏面絶縁層とのバランスにより、平坦で信頼性のある配線基板を確実に提供することができる。
加えて、本発明には、前記コア基板は、セラミックからなる、配線基板の製造方法（請求項４）も含まれる。これによれば、コア基板にセラミックを用いることで、コア基板自体が反りにくい材質であるため、前記各部が一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板を確実に提供することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１（Ａ）は、ガラス−エポキシ樹脂からなり厚みが約８００μｍのコア基板２の断面を示し、その表面４と裏面５とには、厚みが約１８μｍの銅箔４ａ，５ａが全面に貼り付けてある。かかるコア基板２における所定の位置に対し、その厚み方向に沿ってドリルの挿入またはレーザ（炭酸ガスレーザなど）の照射を行う。
その結果、図１（Ｂ）に示すように、コア基板２において、その表面４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍのスルーホール３が複数穿孔される。
【００１４】
次に、各スルーホール３の内壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着させた後、図１（Ｃ）に示すように、コア基板２の全面に対し無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。
その結果、図１（Ｃ）に示すように、各スルーホール３の内壁に沿ってスルーホール導体６が形成され、コア基板２の表面４と裏面５には、前記銅箔４ａ，５ａを含む銅メッキ膜４ｂ，５ｂが形成される。尚、図１（Ｃ）では、かかる銅メッキ膜４ｂ，５ｂの厚みは、前記銅箔４ａ，５ａと便宜上同じ厚みとして図示した。
【００１５】
次いで、図１（Ｄ）に示すように、各スルーホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる充填樹脂７を形成した後、かかる充填樹脂７を蓋メッキするため、コア基板２の表面４および裏面５の全面に図示しない銅メッキ層を形成する。この状態で、かかる銅メッキ層の上に所定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを形成した後、かかるレジストの隙間から露出する上記銅メッキ層４ｂ，５ｂなどをエッチングして除去する公知のサブトラクティブ法を施す。その結果、図１（Ｄ）に示すように、コア基板２の表面４および裏面５には、上記レジストのパターンに倣った所定パターンの表面配線層８と裏面配線層９とが個別に形成される。
【００１６】
次に、図２（Ａ）に示すように、ガラス繊維などの無機繊維を含む接着性の樹脂（プリプレグ）からなる裏面絶縁層１１の所定位置に例えば炭酸ガスレーザＬを照射する。その結果、図２（Ａ）の左右に示すように、裏面絶縁層１１における所定の位置に貫通孔１５ａが穿孔される（穿孔工程）。
尚、裏面絶縁層１１は、ガラス繊維を含み且つ接着性を有するエポキシ樹脂などの半硬化性樹脂シートであって硬化処理されたもので、（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上、（２）平面方向に沿った熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以上、（３）伸び率が４％以下（但し、０は含まず）、（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上、という特性を有する。
次いで、図３（Ａ）に示すように、スルーホール導体６、表面配線層８、および裏面配線層９を有するコア基板２の裏面５に、貫通孔１５ａを有する裏面絶縁層１１を接着して形成する。その結果、図３（Ａ）の左右に示すように、裏面絶縁層１１における貫通孔１５ａの底面に裏面配線層９が露出する。
【００１７】
更に、図３（Ｂ）に示すように、裏面配線層１１に複数の貫通孔１５ａを有する一対のコア基板２，２を、両者の裏面絶縁層１１を対向させ、クッション性を有する離型シート２７を介して積層する。そして、図３（Ｂ）中の矢印で示すように、上記一対のコア基板２，２、一対の裏面絶縁層１１，１１、および離型シート２７を厚み方向に沿ってホットプレスにて加圧しつつ加熱する（プレス工程）。
かかるプレス工程は、例えば２００℃に１００分間加熱し、約２．９４×１０^６Ｎ／ｍ^２に加圧して行われる。
【００１８】
ここで、プレス工程における裏面配線層１１の変化を図２（Ｂ）により説明する。前記プレス工程でプレスされると、裏面配線層１１は圧縮されると共に、そのガラス繊維を含む組織１１ａの樹脂が流動化して、図２（Ｂ）に示すように、前記貫通孔１５ａ内を埋め尽くして樹脂部１１ｂを形成する。かかる樹脂部１１ｂは、ガラス繊維を含んでいない。
【００１９】
次いで、図４に示すように、一対のコア基板２の外側に露出する表面４および表面配線層８の上方に、それぞれビルドアップ層ＢＵを形成する。
かかるビルドアップ工程は、図４に示すように、ビルドアップ層ＢＵを形成する絶縁層１０，１６、配線層１４，２０、ビア導体１２，１８、およびソルダーレジスト層（絶縁層）２２を、公知のビルトアップ技術（セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術）により形成する。最上層の配線層２０の適所には、絶縁層（ソルダーレジスト層）２２を貫通するハンダバンプ（ＩＣ接続端子）２６を第１主面２４よりも高く突出させて形成する。
以上の各工程は、製品単位である複数のコア基板２を有する多数個取り用の一対の基板（パネル）の状態で行っても良い。
【００２０】
更に、ビルドアップ層ＢＵが形成された一対のコア基板２，２を、離型シート２７を除去することにより分離する。そして、図２（Ｂ）中の矢印で示すように、個別に分離されたコア基板２の裏面側絶縁層１１の樹脂部１１ｂの中心部に、例えば炭酸ガスレーザＬの照射を行う（開口部形成工程）。
その結果、図２（Ｃ）に示すように、樹脂部１１ｂの中心部に所定の内径の開口部１５が形成される。かかる開口部１５の内周面は、上記樹脂部１１ｂからなるため、ガラス繊維が露出したり、突出したりせず、平滑な内周面となっている。
尚、上記レーザ加工は、炭酸ガスレーザＬを複数回に分けて照射することで、開口部１５を形成しても良い。また、上記レーザＬの照射に替えて、公知のフォトリソグラフィ技術Ｈによる穴明け加工を行っても良い。
また、図５に示すように、かかる開口部１５の底面には、裏面配線層９から延びた配線１７が露出する。かかる配線１７は、上記レーザＬがその銅メッキ膜に反射するため、溶損しない。そして、開口部１５の底面に露出する上記配線１７には、その表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが施され、追って図示しないマザーボード（他の基板）の端子と接続するための接続端子として活用される。
【００２１】
この結果、図５に示すように、コア基板２の表面４上方に平坦なビルドアップ層ＢＵを有し且つ裏面絶縁層１１に所定の内径（約０．５〜１ｍｍ）を有する開口部１５を精度良く形成した配線基板１を得ることができる。
尚、以上のような製造工程は、複数のコア基板２（製品単位）を平面方向に併有する多数個取りの基板（パネル）を用いて行っても良い。また、裏面絶縁層１１の前記各特性を保つため、平面視における開口部１５全体の面積率を１５％以下にすることが好ましい。更に、開口部１５の底面に露出する配線１７には、銅合金などからなるピンやボールをハンダなどの低融点合金により接続しても良い。
【００２２】
図６は、本発明によって製造される異なる形態の配線基板１ａの断面を示す。
配線基板１ａは、図６に示すように、多層基板のコア基板２と、コア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール導体６と、コア基板２の表面４や裏面５に形成した表面配線層８および裏面配線層９と、を備えている。
また、図６に示すように、コア基板２の表面４上方には、前記ビルドアップ工程により、複数の絶縁層１０，１６，２２と複数の配線層１４，２０とを、交互に積層したビルドアップ層ＢＵが形成される。加えて、表面配線層８、ビルドアップ配線層１４，２０間を導通するフィルドビア導体１２，１８や、最上層の上記配線層２０にはハンダバンプ２６も形成されている。
【００２３】
更に、コア基板２の裏面５の上方（図面下側）には、前記特性（１）〜（４）を併有する裏面絶縁層１１が形成されると共に、かかる裏面絶縁層１１の所定の位置には、前記と同様に前記炭酸ガスレーザＬを用いて開口される複数の開口部１５が形成され（前記図２（Ａ）〜（Ｃ）参照）、それらの底部には前記同様の配線１７が位置している。
コア基板２は、エポキシ系樹脂にガラス繊維などを含有させた厚みが約４００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ａと、同じ素材からなり厚みが約２００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ｂ，２ｃと、これらの間に位置する銅メッキからなる厚み約１５μｍの配線層２５，２７とからなる。
【００２４】
図６に示すように、多層基板のコア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍで複数のスルーホール３が複数貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚み数１０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成される。
各スルーホール導体６の内側には、シリカフィラなどの無機フィラを含む充填樹脂７が形成される。また、各スルーホール導体６は、その中間で配線層２５，２７と接続されている。
【００２５】
以上のような配線基板１ａは、予め別途に形成した多層構造のコア基板２，２に前記穿孔工程、プレス工程、ビルドアップ工程、および前記開口部形成工程を施すことによって確実に製造される。また、かかる配線基板１ａは、裏面絶縁層１１によりビルドアップ層ＢＵ側が凹形となる反りが防げると共に、コア基板２中の配線層２５，２７も、スルーホール導体６を介して表・裏面配線層８，９やビルドアップ配線層１４，２０と確実に導通する。このため、多くの配線層を高密度で有し且つ互いに安定した導通を得ることが可能となる。しかも、上記配線層８，９，１４，２０が平坦に形成され、コア基板２の裏面５下方の裏面絶縁層１１には、内周面が平滑な開口部１５が形成されるため、平坦性と接続容易性とを有すると共に、かかる開口部１５の外観も良好となる。
【００２６】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記開口部形成工程は、前記ビルドアップ工程の前において行っても良い。
前記裏面絶縁層の素材は、前記（１）〜（４）の特性を有するもの以外でも良く、前記形態のものに限るものではない。
前記穿孔工程は、前記裏面絶縁層に対してパンチングまたはドリルを施すことにより、貫通孔１５ａを穿孔しても良い。
また、前記プレス工程は、１つのコア基板２または１枚のパネルの裏面５に形成した裏面絶縁層１１に対して行っても良い。
更に、前記コア基板２などの材質は、前記ガラス繊維または炭素繊維を含むものであれば、エポキシ系樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良い。あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いることも可能である。
【００２７】
あるいは、前記コア基板２や多層基板のコア基板２における絶縁層２ａ〜２ｃなどの材質をセラミックとしても良い。かかるセラミックには、アルミナ、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成基板を用いることもできる。
かかるセラミックからなるコア基板２は、以下のようにして形成される。
未焼成のアルミナなどからなるセラミックグリーンシートにレーザ加工または金型加工などにて、スルーホール３を形成する。次に、かかるスルーホール３にＷなどの金属粉末を含む導電性ペーストを印刷して充填する。尚、この導電性ペーストは、追ってセラミックグリーンシートの焼成時に同時に燒結されて、前記スルーホール導体６となる。次いで、上記セラミックグリーンシート表面上の所定位置にも、導電性ペーストを所定パターンで印刷する。尚、この表面に印刷された導電性ペーストは、追ってセラミックグリーンシートの焼成時に同時に燒結されて、前記配線層２５，２７、表面配線層８、裏面配線層９などとなる。
更に、導電性ペーストが印刷された単層または複数の未焼成セラミックセラミックグリーンシート２ａ，２ｂ，２ｃをラミネートし熱圧着することで一体化し、未焼成のコア基板２とする。そして、かかる未焼成のコア基板２を約１３００℃にて焼成することで、焼成後のセラミックからなる単層または多層基板のコア基板２が得られる。尚、セラミックからなるコア基板２の場合、スルーホール３の内側には、前記充填樹脂７は形成せず、省略される。加えて、かかるコア基板２の表面４上には、樹脂フィルムからなる絶縁層１０などがラミネートされると共に、前述したビルドアップ工程によりビルドアップ層ＢＵが形成される。
【００２８】
尚、上記導電性ペーストは、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどの素材としても良い。
前記スルーホール導体６、表面配線層８、配線層１４，２０などの材質は、前記Ｃｕ（銅）の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
【００２９】
また、前記ビルドアップ層の絶縁層１０，１６などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、絶縁層に混入するガラス繊維またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
更に、ビア導体は、前記フィルドビア導体１２などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法（請求項１）によれば、予め裏面絶縁層に穿孔された貫通孔は、プレス工程において裏面絶縁層の樹脂が流動するレジンフローにより樹脂のみからなる樹脂部となり、これにレーザ照射などをして開口部を形成することにより、当該開口部の内周面には上記無機繊維が露出しなくなる。このため、かかる開口部の底面に位置する裏面配線層から延びた配線に対し、マザーボードの接続端子などを容易に接続することができる。しかも、裏面絶縁層は、その平面方向に沿った熱膨張率が高いため、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を形成しても、配線基板全体が反り上がる事態を防止または抑制できる。加えて、配線基板の裏面側における外観を損ねることもなくなる。
【００３１】
また、請求項２の配線基板の製造方法によれば、一対のコア基板の裏面に裏面絶縁層を個別に形成し且つその熱膨張率によって隣接するコア基板が反る事態を防止できると共に、プレス時に各裏面絶縁層の樹脂が流動するレジンフローにより前記樹脂部を貫通孔であった位置に確実に形成できる。
更に、請求項３の配線基板の製造方法によれば、プレス工程で一対のコア基板を離型剤を介して対向させたまま、かかる一対の項基板のそれぞれの表面上方に上記ビルドアップ層を個別且つ平坦にして確実に形成することができる。
加えて、請求項４の製造方法によれば、コア基板にセラミックを用いることでコア基板自体が反りにくい材質となるため、前記ビルドアップ層などが一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板を確実に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は裏面絶縁層の変化を示す概略底面図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は図１（Ｄ）に続く各工程を示す概略図。
【図４】図３（Ｂ）に続く工程を示す概略図。
【図５】本発明により得られた配線基板の断面を示す概略図。
【図６】本発明により得られる異なる形態の配線基板の断面を示す概略図。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は従来の配線基板における主要部を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ……配線基板、　　　　　　　　２……………コア基板、
４……………表面、　　　　　　　　　　５……………裏面、
１０，１６…絶縁層、　　　　　　　　　１１…………裏面絶縁層、
１１ｂ………樹脂部、　　　　　　　　　１４，２０…配線層、
１５…………開口部、　　　　　　　　　１５ａ………貫通孔
２７…………離型シート、　　　　　　　ＢＵ…………ビルドアップ層、
Ｌ……………炭酸ガスレーザ（レーザ）、　Ｈ………フォトリソグラフィ技術

Claims (4)

1. 無機繊維を含む接着性の樹脂からなる裏面絶縁層の所定の位置に貫通孔を形成する穿孔工程と、
   表面および裏面を有するコア基板の裏面に上記裏面絶縁層を接着し且つその厚み方向に沿ってプレスして、上記貫通孔であった位置に上記無機繊維を含まない樹脂部を形成するプレス工程と、
   上記裏面絶縁層の上記樹脂部にレーザ照射またはフォトリソグラフィ技術により開口部を形成する開口部形成工程と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記プレス工程は、一対の前記コア基板を、前記貫通孔を有する裏面絶縁層を離型シートを介して向かい合わせて積層し、これらを厚み方向に沿ってプレスするものである、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記プレス工程の後に、前記コア基板の表面上方に複数の絶縁層と複数の配線層とを含むビルドアップ層を形成するビルドアップ工程を行う、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記コア基板は、セラミックからなる、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。

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