JP2004112277A - 圧電薄膜フィルタ、分波器、通信機 - Google Patents
圧電薄膜フィルタ、分波器、通信機 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】通過帯域幅を維持したまま、低域のある周波数帯で高減衰量のみを実現することができる圧電薄膜フィルタを提供する。
【解決手段】複数の直列共振子111a〜111cと、複数の並列共振子112a〜と112dが梯子型に接続されている基板を備える圧電薄膜フィルタである。上記直列共振子111a〜111cおよび並列共振子112a〜と112dは、圧電材料からなる薄膜と、電極とを備える圧電共振子である。上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部116を介して直接接続され、該共通接続部116がインダクタンス成分を有するボンディングワイヤ113bを介して接地端子115bに接続されている。
【選択図】 図1
【解決手段】複数の直列共振子111a〜111cと、複数の並列共振子112a〜と112dが梯子型に接続されている基板を備える圧電薄膜フィルタである。上記直列共振子111a〜111cおよび並列共振子112a〜と112dは、圧電材料からなる薄膜と、電極とを備える圧電共振子である。上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部116を介して直接接続され、該共通接続部116がインダクタンス成分を有するボンディングワイヤ113bを介して接地端子115bに接続されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯域フィルタとして用いられる圧電薄膜フィルタに関し、より詳細には、複数の圧電薄膜共振子を、梯子(ラダー)型に配置してなる圧電薄膜フィルタ、分波器、通信機に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話等の通信機の高周波数(RF、特にGHz帯以上)段に使用されるフィルタに、圧電薄膜フィルタが開発されてきた。上記圧電薄膜フィルタは、小型かつ軽量であり、耐振性や耐衝撃性に優れ、製品のバラツキが少なく信頼性に富んでおり、回路の無調整化が図れるため、実装の自動化、簡略化が図れ、その上、高周波化を図っても、製造が容易という優れた各特性を有している。
【0003】
前記のような圧電薄膜フィルタとしては、圧電薄膜共振子を直列腕、並列腕と交互に配置されてなる、梯子(ラダー)型のバントパスフィルタがある、
例えば、従来の圧電薄膜フィルタとしては、薄膜共振子を備えるラダー型のフィルタがある(例えば、特許文献1参照)。開示されている。このラダー型のフィルタは、直列共振子と、並列共振子とが1つのチップ上に形成されており、並列共振子の接地側電極がそれぞれ独立して(パッケージ等の)外部接地電極につながるパスを有している。
【0004】
ここで、良好な圧電薄膜フィルタとして重要なことは、通過域での減衰量が小さいことと、通過帯域外での減衰量が大きいことである。上記のようなラダー型の圧電薄膜フィルタは、もともと通過帯域近傍に高い減衰量を持つ領域が形成される。通過帯域外の低域のある周波数帯で高減衰量が必要であれば、このラダー型の圧電薄膜フィルタにおける本来の通過帯域近傍に形成されている高減衰領域を、低域側の所望の点に移動させることが行われている。
【0005】
そのための手段の1つとして、ラダー型の圧電薄膜フィルタにおいて、並列共振子と接地との間にインダクタンス成分を挿入することが考えられる。このような圧電薄膜フィルタとしては、図13に示すパッケージされた圧電薄膜フィルタ210が挙げられる。ここでは、1.93GHz〜1.99GHzの通過帯域を有するフィルタについて示す。上記圧電薄膜フィルタでは、直列共振子211a〜211cおよび並列共振子212a〜212dを備え、上記共振子211a・212b・212d・211c・212c・212aが、この順でそれぞれボンディングワイヤ213a〜213fによって、パッケージ214の端子215a〜215fに接続されている。ここで、上記ボンディングワイヤ213a〜213fには所定のインダクタンスを付与されている。上記端子215b・215c・215e・215fは接地されている。上記端子215aは入力端子となり、215dは出力端子となる。また、図14に、上記圧電薄膜フィルタ210の回路図を示す。
【0006】
上記フィルタの通過帯域における減衰について、図14の回路のシミュレーション値を図15のグラフに示す。図15から分かるように、通信装置等に用いられるフィルタとしては、帯域外の減衰量をさらに確保する必要がある。
【0007】
【特許文献1】
米国特許第6,323,744号明細書
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
特にデュプレクサにおいて、送受信の通過域が近接している場合、高周波数側に通過域をもつフィルタの低周波数側の通過帯域外減衰量が十分でないと、低周波数側に通過位置をもつフィルタに影響してしまい特性が悪化してしまう。このように、隣接する通信チャンネルを使用している通信装置等では、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がある。従って、通過帯域を変化させることなく、隣接する通信チャンネルにおける減衰を図ることが望まれる。
【0009】
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、通過帯域幅を維持したまま、低域のある周波数帯で高減衰量のみを実現することができる圧電薄膜フィルタを提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電薄膜フィルタは、上記の課題を解決するために、複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている基板を備える圧電薄膜フィルタにおいて、上記直列共振子および並列共振子は、圧電材料からなる薄膜と、電極とを備える圧電共振子であり、上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることを特徴としている。
【0011】
上記の構成によれば、共通接続部により接続された並列共振子の1つからの電流が、上記インダクタンス成分を通じて、他の並列共振子に影響を及ぼす。この影響により、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【0012】
上記圧電薄膜フィルタは、共通接続部を介して直接接続されている上記並列共振子は、上記圧電薄膜フィルタの出入力端子に直接接続されていない共振子であることが好ましい。
【0013】
また、共通接続部を介して直接接続されている上記並列共振子は、上記圧電薄膜フィルタの出力端子若しくは入力端子に直接接続されている共振子と、出入力端子に直接接続されていない共振子であることが好ましい。
【0014】
また、上記基板をパッケージに収納する場合には、このパッケージに上記共通接続部を形成することができる。また、上記共通接続部は、上記基板上に形成してもよい。
【0015】
また、前記インダクタンス部材は、ボンディングワイヤや導電部材が充填されているスルーホールであることが好ましい。このボンディングワイヤおよびスルーホールは、接地電極に接続するために用いられるものであり、インダクタンス成分を有していることにより、新たにインダクタンス成分を付与する手間を省くことができる。
【0016】
さらに、前記インダクタンス成分は、1nH以下であることが好ましい。
【0017】
さらに、本発明の圧電薄膜フィルタは、前記複数の直列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されていると共に、前記複数の並列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されており、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記並列共振子のうち少なくとも2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されている構成であってもよい。特に、上記の構成に加えて、前記複数の並列共振子のうち、出力端子若しくは入力端子に直接接続されている並列共振子と出入力端子に直接接続されている並列共振子が直線状に配置され、残余の並列共振子のうち少なくとも2つが前記直線状に配置され、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記残余の並列共振子のうち2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることが好ましい。
【0018】
上記圧電薄膜フィルタにおける弾性バルク波は、圧電信号が厚み方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性がほぼなく、上記複数の並列共振子を直線状に配置して接続することができる。したがって、各共振子のレイアウトを比較的自由に行うことができる。これにより、圧電薄膜フィルタでは、小型でコンパクトな構成にすることができる。
【0019】
本発明の分波器は、上記のいずれかに記載の圧電薄膜フィルタを搭載したことを特徴としている。
【0020】
本発明の通信機は、上記いずれかに記載の圧電薄膜フィルタを搭載したことを特徴としている。
【0021】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕
本発明の実施の一形態について、図1ないし図4に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0022】
本実施の形態では、圧電薄膜フィルタとして、梯子型フィルタを適用した、−2dB〜−3dBの減衰で、1.93GHz〜1.99GHzの通過帯域を有するフィルタについて示す。上記圧電薄膜フィルタは、図1の回路図、および図2の概略構成図に示すように、基板110上に、各直列共振子111a〜111cと、各並列共振子112a〜112dとを梯子型に配置して有している。さらに、上記並列共振子112bと112cとは、共通接続部116により接続されている。
【0023】
ここで、上記直列共振子、および並列共振子としての圧電薄膜共振子の構造の一例について図3を参照して説明する。圧電薄膜共振子10は、シリコン(Si)からなる支持基板2、その支持基板2の両面に形成されているSiO2からなる絶縁膜1a・1bを備えている。さらに、支持基板2および一方の絶縁膜1bは、絶縁膜1bおよび支持基板2を厚さ方向に貫通し、他方の絶縁膜1aまで達する開口部(空洞部)を備えている。また、この絶縁膜1a上には、順に、Al2O3からなる絶縁膜3、Alからなる下部電極4、ZnOからなる圧電薄膜5、およびAlからなる上部電極6を備えている。
【0024】
上記SiO2からなる絶縁膜1aおよびAl2O3からなる絶縁膜3はダイヤフラムを形成している。このダイヤフラムは、上記開口部(空洞部)に面している。
【0025】
上記ダイヤフラムでは、SiO2からなる絶縁膜1aが、正の共振周波数温度特性を有し、かつ、圧縮応力を発生するものである一方、Al2O3からなる絶縁膜3が、負の共振周波数温度特性を備え、かつ、引っ張り応力を発生するものである。
【0026】
このような圧電薄膜共振子10では、絶縁膜1a、絶縁膜3、下部電極4、圧電薄膜5、並びに上部電極6から構成される振動部分の全体の厚みで共振周波数が決まる。
【0027】
なお、ラダー型フィルタにおいては、ダイヤフラム構造が空洞部2aに面する例を挙げたが、上記ダイヤフラム構造は、空気等の気体に面していればよく、上記空洞部2aに代えて、図16に示すようにシリコン基板2に設けた凹部2bを設けたものであってもよい。さらに、上記空洞部2aに代えて、シリコン基板2との間に形成した空隙部に面するように設定してもよく、また圧電共振子を方持ばり構造や、オーバーハング構造に設定してもよい。
【0028】
また、圧電薄膜共振子10は、電極(Ni、Alなど)、圧電薄膜(ZnOなど)、ダイヤフラム構成膜(Al2 O3 、SiO2 など)から構成され、好ましくは厚み縦振動モードで振動するが、材料はこれらに限ることなく、圧電薄膜として、AlNやPZTやCdSなど、ダイヤフラム構成膜として、SiNなどでもよい。さらに、振動モードは、厚みすべり振動、広がり振動、屈曲振動でもよい。
【0029】
上部電極6の他の例としては、Ta、Nb、Mo、Pt、W、ステンレス系の合金、Al合金、Alに添加物(例えば、Cu、Mg、Si、Zn)、エリンバ等の恒弾性材料でもよい。上記エリンバとは、Fe−Ni−Cr系の合金で、磁気相転移点付近で熱処理することにより膨張係数をコントロールできるものである。
【0030】
また、下部電極4にも上記材料を用いても同等の効果が得られるが、好ましくは、圧電薄膜5(この場合はZnO)の振動波が伝わる方向に垂直な方向の格子定数と電極材料の振動波が伝わる方向に垂直な方向の格子定数のミスフィットが5%程度以下であることが望ましい。この場合、下部電極4上に形成される圧電薄膜5の結晶性が向上し、圧電性がさらに向上する。
【0031】
なお、図3で示した基板2は、図2の基板110に相当するものである。また、本発明にかかる圧電薄膜フィルタでは、同一の基板上に上記圧電共振子がラダー(梯子)型に形成されているものである。
【0032】
また、上記基板110に備えられた各共振子111a・111c・112a〜112dは、パッケージ117の端子115a〜115eにボンディングワイヤ113a〜113eを介して接続されている。但し、並列共振子112b・112cは、共通接続部116を介して端子115bに接続されている。ここで、直列共振子111aが接続されている端子115aは、入力端子であり、直列共振子111cが接続されている端子115cは出力端子である。それ以外の端子115b・115d・115eは接地端子である。この接地端子は、外部接地電極に接続される。
【0033】
また、上記ボンディングワイヤ113a〜113eには、インダクタンス成分をもたせている。また、ボンディングワイヤ(インダクタンス部材)113bにもたせたインダクタンスは、共通インダクタンスと呼ぶことにする。
【0034】
上記フィルタの通過帯域外における減衰について、図4にボンディングワイヤ113a〜113eにインダクタンス成分を1nH挿入した場合(i)、共通インダクタンスを用いない(図14の回路)場合(ii)を示す。図4から分かるように、共通インダクタンスを用いた場合の方が通過帯域外において減衰が大きく良好であった。
【0035】
以上のように、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、2つの並列共振子を共通接続し、その共通接続と接地との間にインダクタンス成分をもたせている構成である。すなわち、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている圧電薄膜フィルタであって、上記並列共振子のうちの少なくとも2つが共通接続部により接続されており、さらにこの共通接続部がインダクタンスを介して接地されている構成となっている。また、共通接続部で接続されている上記並列共振子は、入出力端子に直接接続されていない並列共振子であることが好ましい。言い換えれば、共通接続部で接続されている上記並列共振子は、上記直列共振子間に並列に備えられていることが好ましい。
【0036】
これより、共通接続された並列共振子の1つからの電流が、共通インダクタンスを通して、他の並列共振子に影響を及ぼす。この影響により、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【0037】
上記のように、本実施の形態にかかる圧電薄膜フィルタでは、基板(チップ)上に設けられた共通接続部により複数の並列共振子が接続されている。このとき、基板上に共通接続部を設けるためには、上記複数の並列共振子を直線配線で接続可能な位置に配置する必要がある。上記圧電薄膜フィルタにおける弾性バルク波は、圧電信号が厚み方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性がほぼなく、共振子のレイアウトを比較的自由に行うことができる。これにより、圧電薄膜フィルタでは、小型でコンパクトな構成にすることができる。例えば、弾性表面波フィルタでは、弾性表面波が基板の平面方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性があり、共振子を上記圧電薄膜フィルタと同様の構成にすることは困難になる場合がある。
【0038】
さらに、本発明の圧電薄膜フィルタは、前記複数の直列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されていると共に、前記複数の並列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されており、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記並列共振子のうち少なくとも2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されている構成であってもよい。特に、上記の構成に加えて、前記複数の並列共振子のうち、出力端子若しくは入力端子に直接接続されている並列共振子と出入力端子に直接接続されている並列共振子が直線状に配置され、残余の並列共振子のうち少なくとも2つが前記直線状に配置され、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記残余の並列共振子のうち2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることが好ましい。
【0039】
上記圧電薄膜フィルタにおける弾性バルク波は、圧電信号が厚み方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性がほぼなく、上記複数の並列共振子を直線状に配置して接続することができる。したがって、各共振子のレイアウトを比較的自由に行うことができる。これにより、圧電薄膜フィルタでは、小型でコンパクトな構成にすることができる。
【0040】
〔実施の形態2〕
本発明の実施の他の形態について、図3、図5ないし図8に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0041】
本実施の形態では、圧電薄膜フィルタとして、梯子型フィルタを適用した、1.93GHz〜1.99GHzの通過帯域を有するフィルタについて示す。上記圧電薄膜フィルタは、図5の回路図、図6および図7の概略構成図に示すように、基板120上に、各直列共振子121a〜121cと、各並列共振子122a〜122dとを梯子型に配置して有している。上記各共振子は、実施の形態1で示した、図3の圧電薄膜共振子と同様である。
【0042】
また、上記基板120に備えられた各共振子121a・121c・112a〜112dは、パッケージ127の端子125a〜125fにボンディングワイヤ123a〜123fを介して接続されている。さらに、このパッケージ127には、端子125bと端子125eとを接続する共通接続部126が設けられている。ここで、直列共振子121aが接続されている端子125aは、入力端子であり、直列共振子121cが接続されている端子125dは出力端子である。それ以外の端子125b・125c・125e・125fは接地端子である。但し、端子125b・125dは、図7に示すように、プリント基板130に形成されているスルーホール131を介して、上記プリント基板130に設けられている接地金属(外部接地電極)132に接続されることにより接地されている。また、共通接続部126がスルーホール131を介して接地金属に接続されていてもよい。このとき、上記ボンディングワイヤ123a〜123fには、インダクタンス成分が発生している。また、上記スルーホール(インダクタンス部材)131には、導電性材料が充填されており、このスルーホールには寄生的にインダクタンス成分が生じる。このスルーホール131におけるインダクタンス成分を共通インダクタンス成分と呼ぶこととする。この共通インダクタンス成分は、約1nH以下の大きさで生じる。
【0043】
上記フィルタの通過帯域外における減衰について、図8にボンディングワイヤ123a〜123fにインダクタンス成分を挿入し、共通インダクタンス成分が1nHである場合(共通インダクタンス成分を挿入した場合)、および共通インダクタンス成分を挿入しない場合を示す。図8から分かるように、共通インダクタンス成分を挿入した場合は、1.88GHz以下の周波数で減衰量が確保されており、共通インダクタンス成分を挿入しない場合よりも通過帯域外において減衰が大きく良好であった。これより、上記のように共通インダクタンス成分を挿入することが好ましいことが分かった。
【0044】
これに対して、図9に示すように、比較例として、プリント基板130に配線133を施し、チップコイル134によりさらに1nH以上のインダクタンスを挿入して、共通インダクタンスを2nHとした。このときの通過帯域外の減衰は、図10に示すように、共通インダクタンスを大きくすることにより、特に1.88GHz付近で減衰特性が劣化していることが分かる。
【0045】
さらに、スルーホール131におけるインダクタンス成分(共通インダクタンス成分)は、0.1nH〜1.0nHであることが好ましい。
【0046】
以上のように、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、2つの並列共振子を共通接続し、その共通接続と接地との間にインダクタンス成分をもたせている構成である。すなわち、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている圧電薄膜フィルタであって、上記並列共振のうちの少なくとも2つが、共通接続部で接続され、さらにインダクタンスを介して接地されている構成となっている。
【0047】
これより、共通接続された並列共振子の1つからの電流が、インダクタンスを通して、他の並列共振子に影響を及ぼす。この影響により、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【0048】
本発明にかかるDPX(デュプレクサ)は、図11に示すように、ANT(アンテナ)に接続された整合回路52と、整合回路52と送信側端子(Tx)との間に設けられた送信側フィルタ53と、整合回路52と受信側端子(Rx)との間に設けられた受信側フィルタ54とを有している。送信側フィルタ53および受信側フィルタ54は、通過帯域が互いに相違するように設定されている。
【0049】
上記送信側フィルタ53および受信側フィルタ54には、上記実施の形態に記載のラダー型フィルタを用いることができる。
【0050】
次に、上記実施の形態に記載の圧電薄膜フィルタを用いた通信装置について図12に基づき説明する。上記通信装置600は、受信を行うレシーバ側(Rx側)として、アンテナ601、アンテナ共用部/RFTopフィルタ602、アンプ603、Rx段間フィルタ604、ミキサ605、1stIFフィルタ606、ミキサ607、2ndIFフィルタ608、1st+2ndローカルシンセサイザ611、TCXO(temperature compensated crystal oscillator(温度補償型水晶発振器))612、デバイダ613、ローカルフィルタ614を備えて構成されている。
【0051】
Rx段間フィルタ604からミキサ605へは、図12に二本線で示したように、バランス性を確保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。
【0052】
また、上記通信装置600は、送信を行うトランシーバ側(Tx側)として、上記アンテナ601及び上記アンテナ共用部/RFTopフィルタ602を共用するとともに、TxIFフィルタ621、ミキサ622、Tx段間フィルタ623、アンプ624、カプラ625、アイソレータ626、APC(automatic power control (自動出力制御))627を備えて構成されている。
【0053】
そして、上記のRx段間フィルタ604、1stIFフィルタ606、TxIFフィルタ621、Tx段間フィルタ623には、上述した本実施の形態に記載の圧電薄膜フィルタが好適に利用できる。
【0054】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【0055】
【発明の効果】
以上のように、本発明の圧電薄膜フィルタは、直列共振子と、並列共振子とが梯子型に接続されている圧電薄膜フィルタにおいて、上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されている。
【0056】
これにより、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態に係る圧電薄膜フィルタの回路図である。
【図2】パッケージに収納された上記圧電薄膜フィルタの概略構成図である。
【図3】上記圧電薄膜フィルタにおける圧電薄膜共振子の構造を示す断面図である。
【図4】上記圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図5】本発明の実施の他の形態に係る圧電薄膜フィルタの回路図である。
【図6】パッケージに収納された上記圧電薄膜フィルタの概略構成図である。
【図7】プリント基板に実装され、上記パッケージに収納された圧電薄膜フィルタの概略断面図である。
【図8】上記圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図9】本発明の実施の形態の比較例に係る、パッケージに収納され、プリント基板に実装された圧電薄膜フィルタの概略断面図である。
【図10】上記圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図11】本発明の圧電薄膜フィルタを搭載した分波器の回路ブロック図である。
【図12】本発明の圧電薄膜フィルタを搭載した通信機の回路ブロック図である。
【図13】従来のパッケージに収納された圧電薄膜フィルタの概略構成図である。
【図14】従来の圧電薄膜フィルタの回路図である。
【図15】従来の圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図16】上記圧電薄膜フィルタの変形例における圧電薄膜共振子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
111a〜111c 直列共振子
112a〜112d 並列共振子
113b ボンディングワイヤ(インダクタンス部材)
116 共通接続部
121a〜121c 直列共振子
122a〜122f 並列共振子
131 スルーホール(インダクタンス部材)
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯域フィルタとして用いられる圧電薄膜フィルタに関し、より詳細には、複数の圧電薄膜共振子を、梯子(ラダー)型に配置してなる圧電薄膜フィルタ、分波器、通信機に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話等の通信機の高周波数(RF、特にGHz帯以上)段に使用されるフィルタに、圧電薄膜フィルタが開発されてきた。上記圧電薄膜フィルタは、小型かつ軽量であり、耐振性や耐衝撃性に優れ、製品のバラツキが少なく信頼性に富んでおり、回路の無調整化が図れるため、実装の自動化、簡略化が図れ、その上、高周波化を図っても、製造が容易という優れた各特性を有している。
【0003】
前記のような圧電薄膜フィルタとしては、圧電薄膜共振子を直列腕、並列腕と交互に配置されてなる、梯子(ラダー)型のバントパスフィルタがある、
例えば、従来の圧電薄膜フィルタとしては、薄膜共振子を備えるラダー型のフィルタがある(例えば、特許文献1参照)。開示されている。このラダー型のフィルタは、直列共振子と、並列共振子とが1つのチップ上に形成されており、並列共振子の接地側電極がそれぞれ独立して(パッケージ等の)外部接地電極につながるパスを有している。
【0004】
ここで、良好な圧電薄膜フィルタとして重要なことは、通過域での減衰量が小さいことと、通過帯域外での減衰量が大きいことである。上記のようなラダー型の圧電薄膜フィルタは、もともと通過帯域近傍に高い減衰量を持つ領域が形成される。通過帯域外の低域のある周波数帯で高減衰量が必要であれば、このラダー型の圧電薄膜フィルタにおける本来の通過帯域近傍に形成されている高減衰領域を、低域側の所望の点に移動させることが行われている。
【0005】
そのための手段の1つとして、ラダー型の圧電薄膜フィルタにおいて、並列共振子と接地との間にインダクタンス成分を挿入することが考えられる。このような圧電薄膜フィルタとしては、図13に示すパッケージされた圧電薄膜フィルタ210が挙げられる。ここでは、1.93GHz〜1.99GHzの通過帯域を有するフィルタについて示す。上記圧電薄膜フィルタでは、直列共振子211a〜211cおよび並列共振子212a〜212dを備え、上記共振子211a・212b・212d・211c・212c・212aが、この順でそれぞれボンディングワイヤ213a〜213fによって、パッケージ214の端子215a〜215fに接続されている。ここで、上記ボンディングワイヤ213a〜213fには所定のインダクタンスを付与されている。上記端子215b・215c・215e・215fは接地されている。上記端子215aは入力端子となり、215dは出力端子となる。また、図14に、上記圧電薄膜フィルタ210の回路図を示す。
【0006】
上記フィルタの通過帯域における減衰について、図14の回路のシミュレーション値を図15のグラフに示す。図15から分かるように、通信装置等に用いられるフィルタとしては、帯域外の減衰量をさらに確保する必要がある。
【0007】
【特許文献1】
米国特許第6,323,744号明細書
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
特にデュプレクサにおいて、送受信の通過域が近接している場合、高周波数側に通過域をもつフィルタの低周波数側の通過帯域外減衰量が十分でないと、低周波数側に通過位置をもつフィルタに影響してしまい特性が悪化してしまう。このように、隣接する通信チャンネルを使用している通信装置等では、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がある。従って、通過帯域を変化させることなく、隣接する通信チャンネルにおける減衰を図ることが望まれる。
【0009】
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、通過帯域幅を維持したまま、低域のある周波数帯で高減衰量のみを実現することができる圧電薄膜フィルタを提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電薄膜フィルタは、上記の課題を解決するために、複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている基板を備える圧電薄膜フィルタにおいて、上記直列共振子および並列共振子は、圧電材料からなる薄膜と、電極とを備える圧電共振子であり、上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることを特徴としている。
【0011】
上記の構成によれば、共通接続部により接続された並列共振子の1つからの電流が、上記インダクタンス成分を通じて、他の並列共振子に影響を及ぼす。この影響により、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【0012】
上記圧電薄膜フィルタは、共通接続部を介して直接接続されている上記並列共振子は、上記圧電薄膜フィルタの出入力端子に直接接続されていない共振子であることが好ましい。
【0013】
また、共通接続部を介して直接接続されている上記並列共振子は、上記圧電薄膜フィルタの出力端子若しくは入力端子に直接接続されている共振子と、出入力端子に直接接続されていない共振子であることが好ましい。
【0014】
また、上記基板をパッケージに収納する場合には、このパッケージに上記共通接続部を形成することができる。また、上記共通接続部は、上記基板上に形成してもよい。
【0015】
また、前記インダクタンス部材は、ボンディングワイヤや導電部材が充填されているスルーホールであることが好ましい。このボンディングワイヤおよびスルーホールは、接地電極に接続するために用いられるものであり、インダクタンス成分を有していることにより、新たにインダクタンス成分を付与する手間を省くことができる。
【0016】
さらに、前記インダクタンス成分は、1nH以下であることが好ましい。
【0017】
さらに、本発明の圧電薄膜フィルタは、前記複数の直列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されていると共に、前記複数の並列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されており、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記並列共振子のうち少なくとも2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されている構成であってもよい。特に、上記の構成に加えて、前記複数の並列共振子のうち、出力端子若しくは入力端子に直接接続されている並列共振子と出入力端子に直接接続されている並列共振子が直線状に配置され、残余の並列共振子のうち少なくとも2つが前記直線状に配置され、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記残余の並列共振子のうち2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることが好ましい。
【0018】
上記圧電薄膜フィルタにおける弾性バルク波は、圧電信号が厚み方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性がほぼなく、上記複数の並列共振子を直線状に配置して接続することができる。したがって、各共振子のレイアウトを比較的自由に行うことができる。これにより、圧電薄膜フィルタでは、小型でコンパクトな構成にすることができる。
【0019】
本発明の分波器は、上記のいずれかに記載の圧電薄膜フィルタを搭載したことを特徴としている。
【0020】
本発明の通信機は、上記いずれかに記載の圧電薄膜フィルタを搭載したことを特徴としている。
【0021】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態1〕
本発明の実施の一形態について、図1ないし図4に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0022】
本実施の形態では、圧電薄膜フィルタとして、梯子型フィルタを適用した、−2dB〜−3dBの減衰で、1.93GHz〜1.99GHzの通過帯域を有するフィルタについて示す。上記圧電薄膜フィルタは、図1の回路図、および図2の概略構成図に示すように、基板110上に、各直列共振子111a〜111cと、各並列共振子112a〜112dとを梯子型に配置して有している。さらに、上記並列共振子112bと112cとは、共通接続部116により接続されている。
【0023】
ここで、上記直列共振子、および並列共振子としての圧電薄膜共振子の構造の一例について図3を参照して説明する。圧電薄膜共振子10は、シリコン(Si)からなる支持基板2、その支持基板2の両面に形成されているSiO2からなる絶縁膜1a・1bを備えている。さらに、支持基板2および一方の絶縁膜1bは、絶縁膜1bおよび支持基板2を厚さ方向に貫通し、他方の絶縁膜1aまで達する開口部(空洞部)を備えている。また、この絶縁膜1a上には、順に、Al2O3からなる絶縁膜3、Alからなる下部電極4、ZnOからなる圧電薄膜5、およびAlからなる上部電極6を備えている。
【0024】
上記SiO2からなる絶縁膜1aおよびAl2O3からなる絶縁膜3はダイヤフラムを形成している。このダイヤフラムは、上記開口部(空洞部)に面している。
【0025】
上記ダイヤフラムでは、SiO2からなる絶縁膜1aが、正の共振周波数温度特性を有し、かつ、圧縮応力を発生するものである一方、Al2O3からなる絶縁膜3が、負の共振周波数温度特性を備え、かつ、引っ張り応力を発生するものである。
【0026】
このような圧電薄膜共振子10では、絶縁膜1a、絶縁膜3、下部電極4、圧電薄膜5、並びに上部電極6から構成される振動部分の全体の厚みで共振周波数が決まる。
【0027】
なお、ラダー型フィルタにおいては、ダイヤフラム構造が空洞部2aに面する例を挙げたが、上記ダイヤフラム構造は、空気等の気体に面していればよく、上記空洞部2aに代えて、図16に示すようにシリコン基板2に設けた凹部2bを設けたものであってもよい。さらに、上記空洞部2aに代えて、シリコン基板2との間に形成した空隙部に面するように設定してもよく、また圧電共振子を方持ばり構造や、オーバーハング構造に設定してもよい。
【0028】
また、圧電薄膜共振子10は、電極(Ni、Alなど)、圧電薄膜(ZnOなど)、ダイヤフラム構成膜(Al2 O3 、SiO2 など)から構成され、好ましくは厚み縦振動モードで振動するが、材料はこれらに限ることなく、圧電薄膜として、AlNやPZTやCdSなど、ダイヤフラム構成膜として、SiNなどでもよい。さらに、振動モードは、厚みすべり振動、広がり振動、屈曲振動でもよい。
【0029】
上部電極6の他の例としては、Ta、Nb、Mo、Pt、W、ステンレス系の合金、Al合金、Alに添加物(例えば、Cu、Mg、Si、Zn)、エリンバ等の恒弾性材料でもよい。上記エリンバとは、Fe−Ni−Cr系の合金で、磁気相転移点付近で熱処理することにより膨張係数をコントロールできるものである。
【0030】
また、下部電極4にも上記材料を用いても同等の効果が得られるが、好ましくは、圧電薄膜5(この場合はZnO)の振動波が伝わる方向に垂直な方向の格子定数と電極材料の振動波が伝わる方向に垂直な方向の格子定数のミスフィットが5%程度以下であることが望ましい。この場合、下部電極4上に形成される圧電薄膜5の結晶性が向上し、圧電性がさらに向上する。
【0031】
なお、図3で示した基板2は、図2の基板110に相当するものである。また、本発明にかかる圧電薄膜フィルタでは、同一の基板上に上記圧電共振子がラダー(梯子)型に形成されているものである。
【0032】
また、上記基板110に備えられた各共振子111a・111c・112a〜112dは、パッケージ117の端子115a〜115eにボンディングワイヤ113a〜113eを介して接続されている。但し、並列共振子112b・112cは、共通接続部116を介して端子115bに接続されている。ここで、直列共振子111aが接続されている端子115aは、入力端子であり、直列共振子111cが接続されている端子115cは出力端子である。それ以外の端子115b・115d・115eは接地端子である。この接地端子は、外部接地電極に接続される。
【0033】
また、上記ボンディングワイヤ113a〜113eには、インダクタンス成分をもたせている。また、ボンディングワイヤ(インダクタンス部材)113bにもたせたインダクタンスは、共通インダクタンスと呼ぶことにする。
【0034】
上記フィルタの通過帯域外における減衰について、図4にボンディングワイヤ113a〜113eにインダクタンス成分を1nH挿入した場合(i)、共通インダクタンスを用いない(図14の回路)場合(ii)を示す。図4から分かるように、共通インダクタンスを用いた場合の方が通過帯域外において減衰が大きく良好であった。
【0035】
以上のように、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、2つの並列共振子を共通接続し、その共通接続と接地との間にインダクタンス成分をもたせている構成である。すなわち、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている圧電薄膜フィルタであって、上記並列共振子のうちの少なくとも2つが共通接続部により接続されており、さらにこの共通接続部がインダクタンスを介して接地されている構成となっている。また、共通接続部で接続されている上記並列共振子は、入出力端子に直接接続されていない並列共振子であることが好ましい。言い換えれば、共通接続部で接続されている上記並列共振子は、上記直列共振子間に並列に備えられていることが好ましい。
【0036】
これより、共通接続された並列共振子の1つからの電流が、共通インダクタンスを通して、他の並列共振子に影響を及ぼす。この影響により、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【0037】
上記のように、本実施の形態にかかる圧電薄膜フィルタでは、基板(チップ)上に設けられた共通接続部により複数の並列共振子が接続されている。このとき、基板上に共通接続部を設けるためには、上記複数の並列共振子を直線配線で接続可能な位置に配置する必要がある。上記圧電薄膜フィルタにおける弾性バルク波は、圧電信号が厚み方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性がほぼなく、共振子のレイアウトを比較的自由に行うことができる。これにより、圧電薄膜フィルタでは、小型でコンパクトな構成にすることができる。例えば、弾性表面波フィルタでは、弾性表面波が基板の平面方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性があり、共振子を上記圧電薄膜フィルタと同様の構成にすることは困難になる場合がある。
【0038】
さらに、本発明の圧電薄膜フィルタは、前記複数の直列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されていると共に、前記複数の並列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されており、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記並列共振子のうち少なくとも2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されている構成であってもよい。特に、上記の構成に加えて、前記複数の並列共振子のうち、出力端子若しくは入力端子に直接接続されている並列共振子と出入力端子に直接接続されている並列共振子が直線状に配置され、残余の並列共振子のうち少なくとも2つが前記直線状に配置され、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、上記残余の並列共振子のうち2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることが好ましい。
【0039】
上記圧電薄膜フィルタにおける弾性バルク波は、圧電信号が厚み方向に伝搬するため、共振子同士が干渉する可能性がほぼなく、上記複数の並列共振子を直線状に配置して接続することができる。したがって、各共振子のレイアウトを比較的自由に行うことができる。これにより、圧電薄膜フィルタでは、小型でコンパクトな構成にすることができる。
【0040】
〔実施の形態2〕
本発明の実施の他の形態について、図3、図5ないし図8に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0041】
本実施の形態では、圧電薄膜フィルタとして、梯子型フィルタを適用した、1.93GHz〜1.99GHzの通過帯域を有するフィルタについて示す。上記圧電薄膜フィルタは、図5の回路図、図6および図7の概略構成図に示すように、基板120上に、各直列共振子121a〜121cと、各並列共振子122a〜122dとを梯子型に配置して有している。上記各共振子は、実施の形態1で示した、図3の圧電薄膜共振子と同様である。
【0042】
また、上記基板120に備えられた各共振子121a・121c・112a〜112dは、パッケージ127の端子125a〜125fにボンディングワイヤ123a〜123fを介して接続されている。さらに、このパッケージ127には、端子125bと端子125eとを接続する共通接続部126が設けられている。ここで、直列共振子121aが接続されている端子125aは、入力端子であり、直列共振子121cが接続されている端子125dは出力端子である。それ以外の端子125b・125c・125e・125fは接地端子である。但し、端子125b・125dは、図7に示すように、プリント基板130に形成されているスルーホール131を介して、上記プリント基板130に設けられている接地金属(外部接地電極)132に接続されることにより接地されている。また、共通接続部126がスルーホール131を介して接地金属に接続されていてもよい。このとき、上記ボンディングワイヤ123a〜123fには、インダクタンス成分が発生している。また、上記スルーホール(インダクタンス部材)131には、導電性材料が充填されており、このスルーホールには寄生的にインダクタンス成分が生じる。このスルーホール131におけるインダクタンス成分を共通インダクタンス成分と呼ぶこととする。この共通インダクタンス成分は、約1nH以下の大きさで生じる。
【0043】
上記フィルタの通過帯域外における減衰について、図8にボンディングワイヤ123a〜123fにインダクタンス成分を挿入し、共通インダクタンス成分が1nHである場合(共通インダクタンス成分を挿入した場合)、および共通インダクタンス成分を挿入しない場合を示す。図8から分かるように、共通インダクタンス成分を挿入した場合は、1.88GHz以下の周波数で減衰量が確保されており、共通インダクタンス成分を挿入しない場合よりも通過帯域外において減衰が大きく良好であった。これより、上記のように共通インダクタンス成分を挿入することが好ましいことが分かった。
【0044】
これに対して、図9に示すように、比較例として、プリント基板130に配線133を施し、チップコイル134によりさらに1nH以上のインダクタンスを挿入して、共通インダクタンスを2nHとした。このときの通過帯域外の減衰は、図10に示すように、共通インダクタンスを大きくすることにより、特に1.88GHz付近で減衰特性が劣化していることが分かる。
【0045】
さらに、スルーホール131におけるインダクタンス成分(共通インダクタンス成分)は、0.1nH〜1.0nHであることが好ましい。
【0046】
以上のように、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、2つの並列共振子を共通接続し、その共通接続と接地との間にインダクタンス成分をもたせている構成である。すなわち、本実施の形態に係る圧電薄膜フィルタは、複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている圧電薄膜フィルタであって、上記並列共振のうちの少なくとも2つが、共通接続部で接続され、さらにインダクタンスを介して接地されている構成となっている。
【0047】
これより、共通接続された並列共振子の1つからの電流が、インダクタンスを通して、他の並列共振子に影響を及ぼす。この影響により、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【0048】
本発明にかかるDPX(デュプレクサ)は、図11に示すように、ANT(アンテナ)に接続された整合回路52と、整合回路52と送信側端子(Tx)との間に設けられた送信側フィルタ53と、整合回路52と受信側端子(Rx)との間に設けられた受信側フィルタ54とを有している。送信側フィルタ53および受信側フィルタ54は、通過帯域が互いに相違するように設定されている。
【0049】
上記送信側フィルタ53および受信側フィルタ54には、上記実施の形態に記載のラダー型フィルタを用いることができる。
【0050】
次に、上記実施の形態に記載の圧電薄膜フィルタを用いた通信装置について図12に基づき説明する。上記通信装置600は、受信を行うレシーバ側(Rx側)として、アンテナ601、アンテナ共用部/RFTopフィルタ602、アンプ603、Rx段間フィルタ604、ミキサ605、1stIFフィルタ606、ミキサ607、2ndIFフィルタ608、1st+2ndローカルシンセサイザ611、TCXO(temperature compensated crystal oscillator(温度補償型水晶発振器))612、デバイダ613、ローカルフィルタ614を備えて構成されている。
【0051】
Rx段間フィルタ604からミキサ605へは、図12に二本線で示したように、バランス性を確保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。
【0052】
また、上記通信装置600は、送信を行うトランシーバ側(Tx側)として、上記アンテナ601及び上記アンテナ共用部/RFTopフィルタ602を共用するとともに、TxIFフィルタ621、ミキサ622、Tx段間フィルタ623、アンプ624、カプラ625、アイソレータ626、APC(automatic power control (自動出力制御))627を備えて構成されている。
【0053】
そして、上記のRx段間フィルタ604、1stIFフィルタ606、TxIFフィルタ621、Tx段間フィルタ623には、上述した本実施の形態に記載の圧電薄膜フィルタが好適に利用できる。
【0054】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【0055】
【発明の効果】
以上のように、本発明の圧電薄膜フィルタは、直列共振子と、並列共振子とが梯子型に接続されている圧電薄膜フィルタにおいて、上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されている。
【0056】
これにより、上記圧電薄膜フィルタにおいて通過帯域を変化することなく、通過帯域外の減衰量のみを大きくすることができる。つまり、隣接する通信チャンネルに影響を及ぼす可能性がなく、良好な圧電薄膜フィルタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態に係る圧電薄膜フィルタの回路図である。
【図2】パッケージに収納された上記圧電薄膜フィルタの概略構成図である。
【図3】上記圧電薄膜フィルタにおける圧電薄膜共振子の構造を示す断面図である。
【図4】上記圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図5】本発明の実施の他の形態に係る圧電薄膜フィルタの回路図である。
【図6】パッケージに収納された上記圧電薄膜フィルタの概略構成図である。
【図7】プリント基板に実装され、上記パッケージに収納された圧電薄膜フィルタの概略断面図である。
【図8】上記圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図9】本発明の実施の形態の比較例に係る、パッケージに収納され、プリント基板に実装された圧電薄膜フィルタの概略断面図である。
【図10】上記圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図11】本発明の圧電薄膜フィルタを搭載した分波器の回路ブロック図である。
【図12】本発明の圧電薄膜フィルタを搭載した通信機の回路ブロック図である。
【図13】従来のパッケージに収納された圧電薄膜フィルタの概略構成図である。
【図14】従来の圧電薄膜フィルタの回路図である。
【図15】従来の圧電薄膜フィルタにおける、挿入損失の周波数特性を示すグラフである。
【図16】上記圧電薄膜フィルタの変形例における圧電薄膜共振子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
111a〜111c 直列共振子
112a〜112d 並列共振子
113b ボンディングワイヤ(インダクタンス部材)
116 共通接続部
121a〜121c 直列共振子
122a〜122f 並列共振子
131 スルーホール(インダクタンス部材)
Claims (12)
- 複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている基板を備える圧電薄膜フィルタにおいて、
上記直列共振子および並列共振子は、圧電材料からなる薄膜と、電極とを備える圧電共振子であり、
上記並列共振子のうちの2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、
該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることを特徴とする圧電薄膜フィルタ。 - 共通接続部を介して直接接続されている上記並列共振子は、上記圧電薄膜フィルタの出入力端子に直接接続されていない共振子であることを特徴とする請求項1に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 共通接続部を介して直接接続されている上記並列共振子は、上記圧電薄膜フィルタの出力端子若しくは入力端子に直接接続されている共振子と、出入力端子に直接接続されていない共振子であることを特徴とする請求項1に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 上記基板はパッケージに収納されており、このパッケージに上記共通接続部が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 上記共通接続部は、上記基板上に形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 前記インダクタンス部材は、ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 前記インダクタンス部材は、導電部材が充填されているスルーホールであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 前記インダクタンス成分が、1nH以下であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタ。
- 複数の直列共振子と、複数の並列共振子とが梯子型に接続されている基板を備える圧電薄膜フィルタにおいて、
上記直列共振子および並列共振子は、圧電材料からなる薄膜と、電極とを備える圧電共振子であり、
前記複数の直列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されていると共に、前記複数の並列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されており、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、
上記並列共振子のうち少なくとも2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、
該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることを特徴とする圧電薄膜フィルタ。 - 前記複数の直列共振子の少なくとも2つが直線状に配置されていると共に、前記複数の並列共振子のうち、出力端子若しくは入力端子に直接接続されている並列共振子と出入力端子に直接接続されている並列共振子が直線状に配置され、残余の並列共振子のうち少なくとも2つが前記直線状に配置され、且つ、少なくとも1つの直列共振子と少なくとも1つの並列共振子が直線状に配置されており、
上記残余の並列共振子のうち2つ以上が共通接続部を介して直接接続され、
該共通接続部がインダクタンス成分を有するインダクタンス部材を介して接地電極に接続されていることを特徴とする請求項9に記載の圧電薄膜フィルタ。 - 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタを搭載したことを特徴とする、分波器。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の圧電薄膜フィルタを搭載したことを特徴とする、通信機。
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