JP2004101223A - 半導体回路のパッケージ評価用ウエーハ及びそれを用いたチップ評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単一のチップ21A、21B・・・内及びチップ外の隣接するワイヤーボンディングパッド22A1、22A2・・・を半導体ウエーハ20上でデイジーチェーンが構成されるように接続すると共に、各対角線状で向合う単一のチップとのワイヤーボンディングパッドともデイジーチェーンが構成されるように接続し、前記半導体ウエーハ20から量産に使用するチップとほぼ同じ大きさおよび形状のテストチップ25を切出し形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は混成集積回路のパッケージを評価するに用いられる半導体回路のパッケージ評価用ウエーハ及びそれを用いたチップ評価装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる半導体回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピュータ等に採用されるため、小型化、薄型化及び軽量化が一段と求められている。前述した半導体回路装置として、従来半導体基板に半導体素子を取付け、その半導体基板を通常のトランスファーモールドで封止したパッケージ型半導体装置がある。
【0003】
図9は従来のパッケージ型半導体装置である。パッケージ型半導体装置1は半導体基板Kに半導体素子のベアチップ2を取付け、そのベアチップ2のリード端子3、3をプリント基板PSに印刷したプリント配線4、4にハンダ付して取付ける。そして半導体基板2の周囲を絶縁性樹脂層5で被覆している。プリント基板PSのプリント配線4、7にはこの他チップ抵抗6等が取付けられている。このパッケージ型半導体装置1は、リード端子3、3が絶縁性樹脂層5から外部に露出されているため、全体のサイズが大きく、小型化、薄型化および軽量化に難点がある。
【0004】
図7及び図8は前述したパッケージ型半導体装置1を改良した混成集積回路装置の一部分の平面図及び断面図である。
【0005】
ICあるいはLSIの回路素子のベアチップ10を導電パターン11に取付ける。ベアチップ10の導電パッド13A1、13A2・・・は導電パターン14A1、14A2・・・に設けられたワイヤーボンデイングパッド15A1、15A2・・・にボンディングされた金属細線16A1、162A2・・・でもって接続されている。
【0006】
図8(A)に示すように、前述の状態では導電パターン11、14A1、14A2・・・は分離溝12、12で上部は電気的に分離されているが、下部はまだ連続されている。
【0007】
導電パターン11と導電パターン14A1、14A2・・・、導電パターン11に取付けられた回路素子10および金属細線16A1、16A2・・・を絶縁性樹脂19でモールドし全体を被覆すると共に一体に固定する。然る後導電パターン11と導電パターン14A1、14A2の下部の連続する部分を絶縁性樹脂19と共に点線で示すように切断し、導電パターン11と導電パターン14A1、14A2は完全の電気的に分離する。
【0008】
図8(B)のごとく、導電パターン11、14A1、14A2・・・の下面に於いては、絶縁性樹脂19から露出する形になる。導電パターン11、14A1、14A2・・・の露出部分は外部との電気的・熱的な接続を行うために、半田等を設けて外部電極17A1、17A2・・・及び電極18が形成される。さらに、導電パターン11、14A1、14A2の外部電極を設けない個所は、導電パターンの保護等を目的としてレジスト20により被覆し、混成集積回路装置を形成している。
【0009】
前述のようにして形成した混成集積回路は外部電極17A1、17A2・・・、18を印刷基板に必要な配線を施された印刷配線に直接接合し、容易に電源回路を構成する。
【0010】
【特許文献1】
特開平02−240940号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
前述した混成集積回路装置(以下本集積回路と称する)は回路素子を支持する基板を用いず、回路素子と電極を形成する導電パターンおよびこれらを接続する金属細線を絶縁性樹脂でモールドし被覆すると共に固定するので、薄型化および小型化ができる。
【0012】
しかしこのように基板を用いず回路素子と導電パターンなどを絶縁性樹脂でモールドし形成した本混成集積回路装置では、特に、電極とパッドが形成された導電パターンを絶縁性樹脂でモールドし形成したパッケージの信頼性評価が重要である。
【0013】
パッケージの信頼性評価はモールドした絶縁性樹脂により回路素子の電極、導電パターンあるいは前記回路素子の電極と導電パターンのワイヤーボンディングパッドにボンディングした金属細線等が外部からのストレス等により断線されないかの検査を行う。また絶縁性樹脂でモールドした本混成集積回路装置の外部電極と印刷基板の印刷配線とが良好に接触されていることの確認を行う。
【0014】
このパッケージの信頼性評価は内蔵されるチップサイズや、モールドした絶縁性樹脂、ベース基板の構造、ワイヤーボンディング等の構成に関わる材料すべてが組み合わさるため、評価サンプル数が多数必要になると共に、評価時間も多大なものとなる。
【0015】
前述した本混成集積回路を始め、絶縁性樹脂でパッケージした半導体装置の信頼性評価は、試作の混成集積回路を用いず、回路素子を実装していないが量産に使用されるチップと同形で且つ電極となる外側および内側のワイヤーボンディングパッドがデイジーチェーンに接続されるような評価用のテストチップを使用し、印刷基板と組み合わせ一筆書きパターンを形成して、テストチップの導電パターン等が設計通り接続されているか等の信頼性評価を行う。
【0016】
この時、テストチップは当然実際に量産に使用するチップとほぼ同じ形状であることが望ましいわけであるが、量産に使用するチップごとに半導体ウエーハを新たに作成することは非常に効率が悪く、コストも掛かる。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明は半導体回路を絶縁性樹脂でモールドする混成集積回路装置等のパッケージ評価に用いられる種々の大きさのテストチップを一枚の半導体ウエーハから作成が出来るようにしたもので、周囲に複数のワイヤーボンディングパッドが形成され回路素子を形成するに必要なサイズを有する単一のチップを複数個形成した半導体ウエーハであって、前記単一のチップ内及びチップ外の隣接するワイヤーボンディングパッドを半導体ウエーハ内でデイジーチェーンが構成されるように接続すると共に、各対角線状で向合う単一のチップとのワイヤーボンディングパッドともデイジーチェーンが構成されるように接続し、前記半導体ウエーハから量産に使用するチップとほぼ同じ大きさおよび形状のテストチップを切出し形成した半導体回路のパッケージ評価用ウエーハを提供するものである。
【0018】
また本発明はテストチップを実際にパッケージの評価をするチップ評価装置で、半導体ウエーハから切り出された量産に使用するチップとほぼ同じ大きさおよび形状で複数のワイヤーボンディングパッドを有するテストチップと、前記テストチップが取り付けられるダイボンディングパッドと、該テストチップのワイヤーボンディングパッドに接続される導電パッド及び前記ダイボンディングパッドに取り付けられたテストチップと導電パッドとをこれら導電パッドの荷担下端が外部に露出するように被覆すると共に固定する絶縁性樹脂とを有するテスト用の混成集積回路と、前記導電パッド間を接続する印刷配線が施された印刷基板とよりなり、混成集積回路を前記印刷基板に載置することにより、テストチップの電極となるワイヤーボンディングパッドのデイジーチェーンを完成し、テストチップの外側のワイヤーボンディングパッドの検査を行うと共に、テストチップの内側のワイヤーボンディングパッドもデイジーチェーン接続し、前記デイジーチェーンにテスト電流を加え、内側のワイヤーボンディングパッドの検査を行うチップ評価装置を提供する。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の混成集積回路装置のパッケージ評価用テスト基板を図1〜図5に従って説明する。
【0020】
図1は本発明のパッケージ評価用ウエーハの平面図である。
【0021】
半導体ウエーハ20はシリコンで形成されており、LSI或いはICを構成するに必要な複数個のトランジスタあるいは抵抗等の回路素子を作り込むに必要なサイズを有する単一のチップ21A、21B、21C、21D・・・に区分けして複数個形成する。そして単一のチップ21A、21B、21C、21D・・・単位で必要とする任意の大きさのテストチップが切出されるようにしている。
【0022】
図2は半導体ウエーハ20を構成する単一のチップを拡大した平面図であり、図3は単一のチップ21Aの断面図である。
【0023】
単一のチップ21Aの外周には半導体ウエーハ20の上にAl等で電極となるワイヤーボンディングパッド22A1、22A2、22A3・・・を複数個形成している。他の単一基板21B、21C、21D・・・も全く同一の構成をなし、半導体ウエーハ20にこれら単一のチップ21A、21B、21C、21D・・・が複数個形成されている。
【0024】
単一のチップ21A、21B、21C、21D・・・はLSIあるいはICを形成する実際に使用される多くのチップサイズに適用させるため、極力小さく構成している。そのため前述したワイヤーボンディングパッド22A1、22A2、22A3・・・はワイヤーをボンディングするに可能な範囲で最小なパッドとしている。
【0025】
図1に示すように、隣接するワイヤーボンディングパッド22A1、22A2、22A3・・・、22B1、22C1、22D1・・・は各単一のチップ21A、21B、21C、21D・・・内で一部を外部で接続すればデイジーチェーンが構成されるように一組づつ接続されていると共に、隣接する単一のチップのワイヤーボンディングパッド22A1、22A2、22A3・・・、22B1、22C1、22D1・・・ともデイジーチェーンが構成されるように一組づつ接続されている。
【0026】
一例を挙げて説明する。単一のチップ21Aの隣接するワイヤーボンディングパッド22A2と22A3及びワイヤーボンディングパッド22A4と22A5・・・は半導体ウエーハ20にAlを選択的に蒸着した導電パターン23A1、23A2・・・で1組づつ接続されている。
【0027】
また単一のチップ21Aのワイヤーボンディングパッド22A2は隣接する単一のチップ21Bのワイヤーボンディングパッド22B2と導電パターン23B1で半導体ウエーハ20上で接続されている。同様に単一のチップ21Aのワイヤーボンディングパッド22A11は隣接する単一のチップ21Dのワイヤーボンディングパッド22D2と導電パターン23D1で半導体ウエーハ20上で接続されている。
【0028】
図3(A)に示すように、本願発明はさらに対角線上で向合う単一のチップ21Aのワイヤボンディングパッド22A10とチップ21Cのワイヤボンディングパッド22C1は導電パターン23C1で接続し、又対角線上で向合う単一のチップ21Bのワイヤボンディングパッド22B10とチップ21Dのワイヤボンディングパッド22D1は導電パターン23C1と二層となっている導電パターン23B1で接続している。
【0029】
図3(B)に示すように、対角線上で向合う単一のチップ21Aのワイヤボンディングパッド22A10とチップ21Cのワイヤボンディングパッド22C1は前述と同様に導電パターン23C1で接続するが、対角線上で向合う単一のチップ21Bのワイヤボンディングパッド22B10とチップ21Dのワイヤボンディングパッド22D1は金属細線23B11で接続すれば導電パターンを二層にする必要がない。
【0030】
図4は半導体ウエーハ20を携帯電話の出力回路等として量産で使用する混成集積回路装置等で使用するLSIのチップサイズに近い大きさに単一のチップ単位で切出して作り出したテストチップ25である。混成集積回路装置に使用されるLSI等のチップサイズに合わせ、単一基板21A、21B、21Cおよび21Dの4つを図1の点線で示した位置でダイシングし、パッケージ評価用のテストチップを形成する。一例として4つの単一基板を切出したが、LSIに使用するチップのサイズに応じて任意数の単一のチップを切出せばよい。
【0031】
図5、図6は前述のように半導体ウエーハ20から切出し形成したテストチップを評価するチップ評価装置の平面図及び断面図である。
【0032】
先ずテストチップ25を絶縁性樹脂でモールドしテスト用の混成集積回路を形成する。そのため半導体ウエーハ20から切出し形成したテストチップ25を導電パターン30に有するダイボンディングパッド30Aに取付ける。またテストチップ25のワイヤーボンディングパッド22X1、22X2、22X3・・・と導電パッド31A、31B、31C・・・とをワイヤーボンディングされた金属細線32A、32B、32C・・・で電気的に接続する。
【0033】
図6(A)(B)に示すように、この状態では導電パターン30と導電パッド31A、31B、31C・・・の上部は分離溝35、35で分離されているが、下部は接続されている。ダイボンディングパッド30Aにテストチップ25を取付け、ワイヤーボンディングパッド22X1、22X2、22X3・・・と導電パッド31A、31B、31C・・・とを金属細線32A、32B、32C・・・で電気的に接続した後、テストチップ25、導電パターン30、導電パッド31A、31B、31C・・・及び金属細線32A、32B、32C・・・の全てを絶縁性樹脂36で被覆するとともに、これらを一体的に支持する。
【0034】
然る後導電パターン30と導電パッド31A、31B、31C・・・の接続されている下部を絶縁性樹脂36と共に点線で示すように切断し、これら導電パターン30と導電パッド31A、31B、31C・・・を完全に分離する。係る状態では導電パッド31A、31B、31C・・・の下端は絶縁性樹脂36に覆われず露出している。
【0035】
図6(C)(D)に示すように、露出している部分にハンダ等で外部電極38A、38B、38C・・・を形成し、テスト用の混成集積回路37を完成する。
混成集積回路37をさらに印刷基板40に載置する。図5に示すように印刷基板40にはワイヤーボンディングパッド22X1、22X2、22X3・・・がデイジーチェーンを完成するように印刷配線41A、41B、41C・・・が印刷されている。混成集積回路37を印刷基板40に載置すると、例えば導電パッド31D、31Eの外部電極38D、38Eは印刷配線41Dに接触し接続される。従って接続されていないワイヤーボンディングパッド22X5と22X6とは接続される。
【0036】
このように半導体ウエーハ20上では接続されていないワイヤーボンディングパッドが半導体ウエーハ上の導電パターン23A1、23A2・・・と印刷配線41A、41B・・・等で全てデイジーチェーン接続される。
【0037】
次にテスト端子T1、T2間に試験電圧を加える。それによりテストチップ25のワイヤーボンディングパッド22X1、22X2、22X3・・・には半導体ウエーハ上の導電パターンと印刷配線等を通って電流が流れることにより、テストチップが絶縁性樹脂36でモールドしたときに導電パターンあるいは金属細線等が熱あるいはストレス等で断線することなく正常に電流を流すことができるか評価できる。また電極38A、38B・・・と印刷基板40の印刷配線41A1、41B・・・との接触状態もテストできる。
【0038】
もし温度試験あるいはストレージ試験等で導電パターン、電極あるいは金属細線等が断線していればテスト端子T1、T2間に電流が流れない。また外部電極38A、38B・・・と印刷配線41A、41B・・・との接触不良等でテスト端子T1、T2間に電流が流れない。
【0039】
かかる場合、印刷配線41A、41B・・・で接続されていない外部電極間、例えば外部電極31Aと31B間等に順次テスターをあてて繋ぐことにより切断個所を発見できるので、断線等の原因を解析できる。
【0040】
前述においてテストチップ25の外周に設けたワイヤーボンディングパッド等の断線の検査をした。しかし図4に示すように単一のチップ21A、21B、21C、21Dを切出したテストチイプ25では対角線上で向合う単一のチップ21Aのワイヤボンディングパッド22A10とチップ21Cのワイヤボンディングパッド22C1が接続されているので、中央横方向に位置するワイヤーボンディングパッド22B1、22B2、22A2、22A3・・・22B10、22D1・・・22C10、22D11はデイジーチェーンが完成されている。
【0041】
従ってテスト端子T3とT4間にテスト電流を加えると、前述と同様にこの間に接続されているワイヤーボンディングパッド及び導電パターン等の断線テストができる。
【0042】
又単一のチップ21Bのワイヤボンディングパッド22B10とチップ21Dのワイヤボンディングパッド22D1は導電パターン23C1と二層となっている導電パターン23B1で接続しているので、中央縦方向に位置するワイヤーボンディングパッド22C10、22C9、22B19・・・22B11、22C2、22C1、22A10、22A11、22D2・・・22D9、22A19、22A20はデイジーチェーンが完成されている。
【0043】
従ってテスト端子T5とT6間にテスト電流を加えると、前述と同様にこの間に接続されているワイヤーボンディングパッド及び導電パターン等の断線テストができる。このようにしてテストチップ25の内側にあるワイヤーボンディングパッド、導電パターン等の断線検査ができる。
【0044】
パッケージ評価用のテストチップを用いて電気的評価等を行い、パッケージ評価用のテストチップが量産に適していることが確認されたとき、量産用のチップとして使用する。
【0045】
尚、前述においてチップで形成されたLSI等を混成集積回路に組み込み利用する場合を述べたが、これに限らずLSI等を樹脂でモールドして使用するものにも使用できる。
【0046】
【発明の効果】
本発明の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハは1つの半導体ウエーハから様々なサイズの量産に使用するチップとほぼ同じサイズおよび形状に切出し、パッケージ評価用のテストチップをできる。従って必要とするテスト用の混成集積回路装置ごとにテストチップを作成する必要がないので、半導体ウエーハを作るイニシャルコストを削減できる。
【0047】
しかも隣接するワイヤーボンディングパッドをデイジーチェーンが構成できるように半導体ウエーハ上で接続したので、接続されていない外側のワイヤーボンディングパッドを電気的に接続することにより、デイジーチェーンが完成し、パッケージの信頼性評価のテストが出来る他、テストチップ内部のワイヤーボンディングパッドもデイジーチェーンが完成されているので、これらワイヤーボンディングパッドの信頼性評価のテストもできる。
【0048】
またワイヤーボンディングパッドは金属細線をボンディングするに可能な範囲で最小のパッドとしたので、量産に使用するチップとほぼ同じ大きさおよび形状のテスチップを切出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハの平面図である。
【図2】本発明の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハの単一のチップの平面図である。
【図3】本発明の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハを構成する単一のチップの断面図で、図3(A)は対角線上で向合うワイヤボンディングパッドを導電パターンで接続した断面図、図3(B)は対角線上で向合うワイヤボンディングパッドを金属細線で接続した断面図である。
【図4】本発明の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハから切出されたテストチップの平面図である。
【図5】本発明のチップ評価装置の平面図である。
【図6】本発明のチップ評価装置の断面図で、図6(A)(B)はチップ評価装置に用いたテスト用の混成集積回路部分で、図5のA−A及びB−B断面図、図6(C)は図5のA−A断面図、図6(D)は図5のB−B断面図である。
【図7】本発明を説明するための混成集積回路の平面図である。
【図8】図7の断面図で、図8(A)は混成集積回路の製造過程を示す図、図8(B)は混成集積回路が完成された図である。
【図9】従来の回路装置の断面図である。
【符号の説明】
20 半導体ウエーハ
21A、21B、21C・・ 単一のウエーハ
22A1、22A2・・・ ワイヤーボンディングパッド
23A1、23A2・・・ 導電パターン
25 テストチップ
Claims (5)
- 周囲に複数のワイヤーボンディングパッドが形成され、且つ回路素子を形成するに必要なサイズを有する単一のチップを複数個形成した半導体ウエーハであって、
前記単一のチップ内及びチップ外の隣接するワイヤーボンディングパッドを半導体ウエーハ内でデイジーチェーンが構成されるように接続すると共に、各対角線状で向合う単一のチップとのワイヤーボンディングパッドともデイジーチェーンが構成されるように接続し、
前記半導体ウエーハから量産に使用するチップとほぼ同じ大きさおよび形状のテストチップを切出し形成することを特徴とする半導体回路のパッケージ評価用ウエーハ。 - 前記各対角線状で向合う単一のチップとのワイヤーボンディングパッドを二層の導電パターンで接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハ。
- 前記各対角線状で向合う単一のチップとのワイヤーボンディングパッドを金属細線で接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハ。
- 前記対角線状で向合う単一のチップとの一方の組のワイヤーボンディングパッドを導電パターンで接続し、対角線状で向合う単一のチップの他方の組のワイヤーボンディングパッドを導電パターンで接続したたことを特徴とする請求項1記載の半導体回路のパッケージ評価用ウエーハ。
- 半導体ウエーハから切り出され量産に使用するチップとほぼ同じサイズおよび形状で、且つ複数のワイヤーボンディングパッドを有するテストチップと、
前記テストチップが取付けられるダイボンディングパッドを有する導電パターンと、前記テストチップのワイヤーボンディングパッドに接続される導電パッド及び前記ダイボンディングパッドに取付けられたテストチップと導電パッドとを前記導電パッドの下端が外部に露出するように被覆すると共に固定する絶縁性樹脂とよりなるテスト用の混成集積回路と、
前記導電パッド間を接続する印刷配線が施された印刷基板とよりなり、
テスト用の混成集積回路を前記印刷基板に載置することにより、テストチップの外側のワイヤーボンディングパッドをデイジーチェーンが完成するように接続し、前記デイジーチェーンにテスト電流を加えて、テストチップの外側のワイヤーボンディングパッドの検査を行うと共に、テストチップの内側のワイヤーボンディングパッドもデイジーチェーン接続し、前記デイジーチェーンにテスト電流を加え、内側のワイヤーボンディングパッドの検査を行うことを特徴とするチップ評価装置。
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