JP2004091821A - 薄膜デバイス用製造装置および薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents

薄膜デバイス用製造装置および薄膜デバイスの製造方法 Download PDF

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007150135A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Ulvac Japan Ltd 触媒線化学気相成長装置、この装置を用いた化学気相成長方法及びこの装置のセルフクリーニング方法
JP2008303078A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Japan Atomic Energy Agency シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法
WO2011034751A3 (en) * 2009-09-18 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Hot wire chemical vapor deposition (cvd) inline coating tool
WO2012142992A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-26 Forschungszentrum Jülich GmbH Heissdrahtverfahren zur abscheidung von halbleiter-material auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuhrung des verfahrens
WO2016129685A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 新日鐵住金株式会社 炭化珪素のエピタキシャル成長方法
JP2017504950A (ja) * 2013-12-09 2017-02-09 サンパワー コーポレイション イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域製造
WO2021008057A1 (zh) * 2019-07-18 2021-01-21 中国科学院金属研究所 金刚石薄膜连续制备使用的hfcvd设备及其镀膜方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007150135A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Ulvac Japan Ltd 触媒線化学気相成長装置、この装置を用いた化学気相成長方法及びこの装置のセルフクリーニング方法
JP2008303078A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Japan Atomic Energy Agency シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法
WO2011034751A3 (en) * 2009-09-18 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Hot wire chemical vapor deposition (cvd) inline coating tool
US8117987B2 (en) 2009-09-18 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Hot wire chemical vapor deposition (CVD) inline coating tool
US9589794B2 (en) 2011-04-20 2017-03-07 Forschungszentrum Juelich Gmbh Hot-wire method for depositing semiconductor material on a substrate and device for performing the method
WO2012142992A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-26 Forschungszentrum Jülich GmbH Heissdrahtverfahren zur abscheidung von halbleiter-material auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuhrung des verfahrens
JP2014518591A (ja) * 2011-04-20 2014-07-31 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 基板に半導体材料を蒸着させる熱線方法及びその方法を実施するための装置
JP2017504950A (ja) * 2013-12-09 2017-02-09 サンパワー コーポレイション イオン注入を使用した太陽電池エミッタ領域製造
WO2016129685A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 新日鐵住金株式会社 炭化珪素のエピタキシャル成長方法
CN107075728A (zh) * 2015-02-12 2017-08-18 新日铁住金株式会社 碳化硅的外延生长方法
JPWO2016129685A1 (ja) * 2015-02-12 2017-10-19 新日鐵住金株式会社 炭化珪素のエピタキシャル成長方法
EP3257974A4 (en) * 2015-02-12 2018-08-15 Showa Denko K.K. Epitaxial growth method for silicon carbide
US10435813B2 (en) 2015-02-12 2019-10-08 Showa Denko K.K. Epitaxial growth method for silicon carbide
WO2021008057A1 (zh) * 2019-07-18 2021-01-21 中国科学院金属研究所 金刚石薄膜连续制备使用的hfcvd设备及其镀膜方法

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