JP2008303078A - シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜する。
【選択図】なし
Description
素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜することを特徴とする。
即ち、Si結晶に中性子を照射すると、30Si→31Pの核変換により結晶中にドナ
ーが生成される(中性子ドーピング)。これを応用することにより、30Siを濃縮した材料を用いたナノ構造体に中性子ドーピングを施すことにより、特定のナノ領域を選択的にドープすることが可能となる。また、膜厚を制御することにより数原子層程度のドーピング領域の作製も可能となり、従来までのイオン注入法では得られなかった高精度なドーピング技術が可能となる。
即ち、図1は、予め質量分析計により測定した各原材料ガスSiF4(質量数28,29,30のSiの同位体比がそれぞれ(a)30.8%,(b)6.9%,(c)3.1%のもの)を用いて成膜して得られた薄膜の二次イオン質量スペクトルを示しているが、例えば、薄膜中のシリコン30の同位体比は、(a)30.8%の原料ガスを用いて成膜した例の場合、
質量数28のピーク強度:約0.65、
質量数29のピーク強度:約0.065、
質量数30のピーク強度:約0.25、
であることから、0.25/(0.65+0.065+0.25)=0.26
となる。従って、薄膜中のシリコン30の同位体比は約26%となり、原料ガスの30.8%にほぼ近い値が得られている。
質量数28のピーク強度:約0.75、
質量数29のピーク強度:約0.07、
質量数30のピーク強度:約0.07、
であることから、0.75/(0.75+0.07+0.07)=0.079
となる。従って、薄膜中のシリコン30の同位体比は約7.9%となり、原料ガスの6.9%にほぼ近い値が得られている。
した結果を示す。これより、得られたシリコン薄膜の膜厚は均一であり、基板が露出している部分や膜厚の著しく変化する部分は認められないことが確認できた。さらに、シリコン基板と同位体濃縮シリコン薄膜の界面は極めて急峻であり、遷移層や不純物層が認められないことも確認できた。
Claims (4)
- ハロゲン化シリコンあるいはシリコンの同位体を濃縮したハロゲン化シリコンを原料として用い、水素と反応させることにより、基板上に、シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜を成膜することを特徴とするシリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法。
- 原料ガスを供給したチャンバー内において、高周波プラズマにより前記原料ガスをイオン化し、成膜させることを特徴とする請求項1記載のシリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法。
- 原料ガスを供給したチャンバー内において、フィラメント通電により前記原料ガスをイオン化し、成膜させることを特徴とする請求項1記載のシリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法。
- 前記薄膜に中性子を照射し、核変換によりドーピングを行うことを特徴とする請求項1記載のシリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法。
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