JP2004088100A - 垂直デバイス・アレイおよび境界付きビット線コンタクトを有する組込みdramの構造およびdramを作成する方法 - Google Patents
垂直デバイス・アレイおよび境界付きビット線コンタクトを有する組込みdramの構造およびdramを作成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004088100A JP2004088100A JP2003287161A JP2003287161A JP2004088100A JP 2004088100 A JP2004088100 A JP 2004088100A JP 2003287161 A JP2003287161 A JP 2003287161A JP 2003287161 A JP2003287161 A JP 2003287161A JP 2004088100 A JP2004088100 A JP 2004088100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- dram
- bit line
- active region
- deep trench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 13
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-RNFDNDRNSA-N silicon-32 atom Chemical compound [32Si] XUIMIQQOPSSXEZ-RNFDNDRNSA-N 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
- H10B12/0383—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate wherein the transistor is vertical
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/488—Word lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本明細書では、動的ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)アレイを含む集積回路であって、DRAMセルが、深いトレンチ内の蓄積コンデンサと、深いトレンチの側壁に沿って延びるチャネルおよび深いトレンチ内のゲート導体を有するトランジスタと、ゲート導体に対して上から接触するワード線とを含み、該ワード線が、ゲート導体の中心線からずれた中心線を有する集積回路を開示する。このDRAMセルは、トランジスタのチャネルから延びる活性領域と、ワード線の側壁の絶縁スペーサによって境界を付けられた、活性領域へのビット線コンタクトとをさらに含む。
【選択図】図1
Description
基板にエッチング形成された深いトレンチ内に形成された蓄積コンデンサと、
前記深いトレンチの側壁に沿って延びる長さを有するチャネル、および前記深いトレンチ内の前記蓄積コンデンサを覆うゲート導体を有する第1のトランジスタと、
前記ゲート導体に対して上から導電的に接触し、その中心線が前記ゲート導体の中心線からずれており、さらに絶縁側壁スペーサを含むワード線と、
前記第1のトランジスタの前記チャネルから延びる第1の活性領域と、
前記ワード線の前記絶縁側壁スペーサによって境界を付けられた、前記活性領域へのビット線コンタクトとを含む、集積回路。
(2)前記ビット線コンタクトがさらに、前記絶縁側壁スペーサの反対側でも境界を付けられる、上記(1)に記載の集積回路。
(3)前記DRAMアレイが、前記第1のDRAMセルと前記活性領域および前記ビット線コンタクトによってアクセスされる第2のDRAMセルとを含む一対のDRAMセルを含む、上記(1)に記載の集積回路。
(4)前記活性領域を覆うアレイ上部酸化物をさらに含み、前記ビット線コンタクトが前記アレイ上部酸化物中の開口中に形成される、上記(3)に記載の集積回路。
(5)前記ビット線コンタクトが、前記第1のDRAMセルの反対側に前記アレイ上部酸化物を覆うように形成された通過導体の側壁に形成されたスペーサによってさらに境界を付けられる、上記(4)に記載の集積回路。
(6)前記ワード線が、前記第1の活性領域と交差する箇所で前記ビット線コンタクトから離れる方向に蛇行する、上記(1)に記載の集積回路。
(7)前記深いトレンチ内で前記垂直トランジスタの上に位置する絶縁スペーサをさらに含む、上記(1)に記載の集積回路。
(8)前記深いトレンチの側壁に沿って延びる長さを有するチャネルを有する第2のトランジスタと、前記第1の活性領域とは異なる向きに前記第2のトランジスタから延びる第2の活性領域とをさらに含む、上記(1)に記載の集積回路。
(9)前記ビット線コンタクトが金属ケイ化物で構成される、上記(1)に記載の集積回路。
(10)前記ケイ化物が自己整合(サリサイド)プロセスで形成される、上記(9)に記載の集積回路。
(11)前記ワード線が、前記ゲート導体まで延びるケイ化物を含む、上記(1)に記載の集積回路。
(12)前記ケイ化物が自己整合(サリサイド)プロセスで形成される、上記(11)に記載の集積回路。
(13)前記通過導体が、前記アレイ上部酸化物まで延びる金属ケイ化物を含む、上記(4)に記載の集積回路。
(14)前記ケイ化物が自己整合(サリサイド)プロセスで形成される、上記(13)に記載の集積回路。
(15)論理部分をさらに含み、前記論理部分が、基板の単結晶半導体領域まで延びる金属ケイ化物から構成されるシリコンへのコンタクトを含む、上記(1)に記載の集積回路。
(16)前記深いトレンチの幅が前記第1の活性領域の長さ方向に最小グラウンドルールFより長い、上記(1)に記載の集積回路。
(17)動的ランダム・アクセル・メモリ・アレイを作製する方法であって、
深いトレンチを基板にエッチング形成するステップと、
前記深いトレンチ内に蓄積コンデンサおよびトランジスタを形成するステップと、
前記深いトレンチから延びる活性領域を形成するステップと、
前記活性領域の上に上部酸化物層を形成するステップと、
前記垂直トランジスタのゲート導体に対して上から接触し、前記上部酸化物層に対して上から接触し、前記ゲート導体の中心線から水平方向にずれた中心線を有するワード線を形成するステップと、
前記上部酸化物層にエッチング形成された開口中に前記活性領域へのビット線コンタクトを形成するステップとを含む方法。
(18)前記ワード線が、前記ビット線コンタクトから離れる方向に蛇行する、上記(17)に記載の方法。
(19)ワード線が、前記ゲート導体まで延びる自動整合された金属ケイ化物を含む、上記(17)に記載の方法。
(20)前記ワード線が、最小グラウンドルールFより小さいハードマスク開口を介してエッチングによって形成される、上記(17)に記載の方法。
(21)前記ビット線コンタクトが、前記ワード線の側壁に形成された絶縁スペーサによって境界を付けられる、上記(17)に記載の方法。
12 支持部分
14 蓄積コンデンサ
16 第1の深いトレンチ
18 第2の深いトレンチ
20 チャネル
21 チャネル
22 ゲート導体
23 絶縁スペーサ
32 第1の活性領域
33 第2の活性領域
38 アレイ上部酸化物
Claims (21)
- 動的ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)アレイを含む集積回路であって、前記DRAMアレイが少なくとも1つの第1のDRAMセルを含み、前記少なくとも1つの第1のDRAMセルが、
基板にエッチング形成された深いトレンチ内に形成された蓄積コンデンサと、
前記深いトレンチの側壁に沿って延びる長さを有するチャネル、および前記深いトレンチ内の前記蓄積コンデンサを覆うゲート導体を有する第1のトランジスタと、
前記ゲート導体に対して上から導電的に接触し、その中心線が前記ゲート導体の中心線からずれており、さらに絶縁側壁スペーサを含むワード線と、
前記第1のトランジスタの前記チャネルから延びる第1の活性領域と、
前記ワード線の前記絶縁側壁スペーサによって境界を付けられた、前記活性領域へのビット線コンタクトとを含む、集積回路。 - 前記ビット線コンタクトがさらに、前記絶縁側壁スペーサの反対側でも境界を付けられる、請求項1に記載の集積回路。
- 前記DRAMアレイが、前記第1のDRAMセルと前記活性領域および前記ビット線コンタクトによってアクセスされる第2のDRAMセルとを含む一対のDRAMセルを含む、請求項1に記載の集積回路。
- 前記活性領域を覆うアレイ上部酸化物をさらに含み、前記ビット線コンタクトが前記アレイ上部酸化物中の開口中に形成される、請求項3に記載の集積回路。
- 前記ビット線コンタクトが、前記第1のDRAMセルの反対側に前記アレイ上部酸化物を覆うように形成された通過導体の側壁に形成されたスペーサによってさらに境界を付けられる、請求項4に記載の集積回路。
- 前記ワード線が、前記第1の活性領域と交差する箇所で前記ビット線コンタクトから離れる方向に蛇行する、請求項1に記載の集積回路。
- 前記深いトレンチ内で前記垂直トランジスタの上に位置する絶縁スペーサをさらに含む、請求項1に記載の集積回路。
- 前記深いトレンチの側壁に沿って延びる長さを有するチャネルを有する第2のトランジスタと、前記第1の活性領域とは異なる向きに前記第2のトランジスタから延びる第2の活性領域とをさらに含む、請求項1に記載の集積回路。
- 前記ビット線コンタクトが金属ケイ化物で構成される、請求項1に記載の集積回路。
- 前記ケイ化物が自己整合(サリサイド)プロセスで形成される、請求項9に記載の集積回路。
- 前記ワード線が、前記ゲート導体まで延びるケイ化物を含む、請求項1に記載の集積回路。
- 前記ケイ化物が自己整合(サリサイド)プロセスで形成される、請求項11に記載の集積回路。
- 前記通過導体が、前記アレイ上部酸化物まで延びる金属ケイ化物を含む、請求項4に記載の集積回路。
- 前記ケイ化物が自己整合(サリサイド)プロセスで形成される、請求項13に記載の集積回路。
- 論理部分をさらに含み、前記論理部分が、基板の単結晶半導体領域まで延びる金属ケイ化物から構成されるシリコンへのコンタクトを含む、請求項1に記載の集積回路。
- 前記深いトレンチの幅が前記第1の活性領域の長さ方向に最小グラウンドルールFより長い、請求項1に記載の集積回路。
- 動的ランダム・アクセル・メモリ・アレイを作製する方法であって、
深いトレンチを基板にエッチング形成するステップと、
前記深いトレンチ内に蓄積コンデンサおよびトランジスタを形成するステップと、
前記深いトレンチから延びる活性領域を形成するステップと、
前記活性領域の上に上部酸化物層を形成するステップと、
前記垂直トランジスタのゲート導体に対して上から接触し、前記上部酸化物層に対して上から接触し、前記ゲート導体の中心線から水平方向にずれた中心線を有するワード線を形成するステップと、
前記上部酸化物層にエッチング形成された開口中に前記活性領域へのビット線コンタクトを形成するステップとを含む方法。 - 前記ワード線が、前記ビット線コンタクトから離れる方向に蛇行する、請求項17に記載の方法。
- ワード線が、前記ゲート導体まで延びる自動整合された金属ケイ化物を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記ワード線が、最小グラウンドルールFより小さいハードマスク開口を介してエッチングによって形成される、請求項17に記載の方法。
- 前記ビット線コンタクトが、前記ワード線の側壁に形成された絶縁スペーサによって境界を付けられる、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/227,404 US6727540B2 (en) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | Structure and method of fabricating embedded DRAM having a vertical device array and a bordered bitline contact |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004088100A true JP2004088100A (ja) | 2004-03-18 |
JP4233953B2 JP4233953B2 (ja) | 2009-03-04 |
Family
ID=31887460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003287161A Expired - Fee Related JP4233953B2 (ja) | 2002-08-23 | 2003-08-05 | 垂直型動的ランダム・アクセス・メモリ(dram)・アレイと論理回路部を含む複合型集積回路を作製する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6727540B2 (ja) |
JP (1) | JP4233953B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10109218A1 (de) * | 2001-02-26 | 2002-06-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Speicherkondensators |
US6773984B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-08-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing noble metals and methods of forming capacitor constructions |
US6936512B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-08-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor method and structure for simultaneously forming a trench capacitor dielectric and trench sidewall device dielectric |
KR100487640B1 (ko) * | 2002-12-14 | 2005-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US20040132245A1 (en) * | 2003-01-06 | 2004-07-08 | Pi-Chun Juan | Method of fabricating a dram cell |
US6887768B1 (en) * | 2003-05-15 | 2005-05-03 | Lovoltech, Inc. | Method and structure for composite trench fill |
US6897108B2 (en) * | 2003-07-14 | 2005-05-24 | Nanya Technology Corp. | Process for planarizing array top oxide in vertical MOSFET DRAM arrays |
US7132333B2 (en) * | 2004-09-10 | 2006-11-07 | Infineon Technologies Ag | Transistor, memory cell array and method of manufacturing a transistor |
DE102004043902B9 (de) * | 2004-09-10 | 2008-03-06 | Qimonda Ag | Feldeffekttransistor mit einem Anschlussdielektrikum und DRAM-Speicherzelle |
US7633110B2 (en) * | 2004-09-21 | 2009-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory cell |
US7485910B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Simplified vertical array device DRAM/eDRAM integration: method and structure |
US7316953B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-01-08 | Nanya Technology Corporation | Method for forming a recessed gate with word lines |
US7316952B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-01-08 | Nanya Technology Corporation | Method for forming a memory device with a recessed gate |
US7429509B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-09-30 | Nanya Technology Corporation | Method for forming a semiconductor device |
KR100816148B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자 및 이의 독출 방법 |
US7923373B2 (en) | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
US20090159947A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | International Business Machines Corporation | SIMPLIFIED VERTICAL ARRAY DEVICE DRAM/eDRAM INTEGRATION |
US7759193B2 (en) * | 2008-07-09 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a plurality of capacitors |
US9076680B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-07-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry, methods of forming capacitors, and methods of forming integrated circuitry comprising an array of capacitors and circuitry peripheral to the array |
US10546811B2 (en) * | 2017-05-10 | 2020-01-28 | Micron Technology, Inc. | Assemblies which include wordlines over gate electrodes |
CN108493188B (zh) * | 2018-05-09 | 2023-10-13 | 长鑫存储技术有限公司 | 集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件 |
US10340261B1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-07-02 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor memory device having plural chips connected by hybrid bonding method |
US11818877B2 (en) | 2020-11-02 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Three-dimensional dynamic random access memory (DRAM) and methods of forming the same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816884A (en) | 1987-07-20 | 1989-03-28 | International Business Machines Corporation | High density vertical trench transistor and capacitor memory cell structure and fabrication method therefor |
US5027172A (en) * | 1989-05-19 | 1991-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dynamic random access memory cell and method of making thereof |
US5184549A (en) * | 1990-12-29 | 1993-02-09 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Stamp device with a printing element, movable ink supplying device, and plate making device employing an elongate heat sensitive stencil paper |
JP3322936B2 (ja) | 1992-03-19 | 2002-09-09 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US5692281A (en) | 1995-10-19 | 1997-12-02 | International Business Machines Corporation | Method for making a dual trench capacitor structure |
US5937296A (en) | 1996-12-20 | 1999-08-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Memory cell that includes a vertical transistor and a trench capacitor |
US5831301A (en) | 1998-01-28 | 1998-11-03 | International Business Machines Corp. | Trench storage dram cell including a step transfer device |
US6225158B1 (en) | 1998-05-28 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Trench storage dynamic random access memory cell with vertical transfer device |
US6137128A (en) | 1998-06-09 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | Self-isolated and self-aligned 4F-square vertical fet-trench dram cells |
US6091094A (en) | 1998-06-11 | 2000-07-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Vertical device formed adjacent to a wordline sidewall and method for semiconductor chips |
US6188095B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-02-13 | Siemens Aktiengesellschaft | 6¼ f2 DRAM cell structure with four nodes per bitline-stud and two topological wordline levels |
US6211544B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-04-03 | Infineon Technologies North America Corp. | Memory cell layout for reduced interaction between storage nodes and transistors |
US6281539B1 (en) | 2000-03-31 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Structure and process for 6F2 DT cell having vertical MOSFET and large storage capacitance |
US6391705B1 (en) * | 2000-04-12 | 2002-05-21 | Promos Technologies, Inc. | Fabrication method of high-density semiconductor memory cell structure having a trench |
-
2002
- 2002-08-23 US US10/227,404 patent/US6727540B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-08-05 JP JP2003287161A patent/JP4233953B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4233953B2 (ja) | 2009-03-04 |
US6727540B2 (en) | 2004-04-27 |
US20040036100A1 (en) | 2004-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4233953B2 (ja) | 垂直型動的ランダム・アクセス・メモリ(dram)・アレイと論理回路部を含む複合型集積回路を作製する方法 | |
EP1334517B1 (en) | Gate fabrication process for dram array and logic devices on same chip | |
US7952140B2 (en) | Methods of fabricating semiconductor devices having multiple channel transistors and semiconductor devices fabricated thereby | |
JP3703885B2 (ja) | 半導体記憶装置とその製造方法 | |
JP4036837B2 (ja) | Dramデバイスの縦型トランジスタに線成形マスタ・マスクを使用してビットライン・コンタクトを形成する方法 | |
KR100618819B1 (ko) | 오버레이 마진이 개선된 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR100950472B1 (ko) | 4f2 트랜지스터를 갖는 반도체 소자의 제조방법 | |
JP2004530300A (ja) | 窪み付きgatdramトランジスタおよび方法 | |
KR20070057223A (ko) | 연직의 유자형 트랜지스터를 구비하는 디램 셀 | |
US9048293B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US20200083356A1 (en) | Photomask layout, methods of forming fine patterns and method of manufacturing semiconductor devices | |
KR100673673B1 (ko) | Dram 셀 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20010050067A (ko) | Dram 디바이스 및 그의 제조 프로세스 | |
CN112992775A (zh) | 半导体存储器及其形成方法 | |
JP2004128395A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
EP1390977A2 (en) | Method for fabricating vertical transistor trench capacitor dram cells | |
US20070224756A1 (en) | Method for fabricating recessed gate mos transistor device | |
JP2004128188A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20070047572A (ko) | 반도체 장치 및 그 형성 방법 | |
US6909136B2 (en) | Trench-capacitor DRAM cell having a folded gate conductor | |
JP2003158206A (ja) | フラットセルメモリ素子のシリサイド膜製造方法 | |
KR100586553B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 및 이의 형성 방법 | |
JP2528608B2 (ja) | 記憶セルの埋込ビット線アレイを形成する方法 | |
US7700435B2 (en) | Method for fabricating deep trench DRAM array | |
JP2009060137A (ja) | 半導体集積回路デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070220 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20070220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081027 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081121 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20081121 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081121 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081210 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4233953 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |