JP2004084547A - 真空ポンプ - Google Patents
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Abstract
【課題】停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプを提供する。
【解決手段】商用電源250に電源オフや停電が発生した場合、制御装置400には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、充放電回路420内のコンデンサに所定の電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、一定期間は、半導体メモリ142、205及びデータ書き込み回路204に直流電圧を供給し続けることができる。また、一定期間経過後は、データ書き込み回路204から半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することで、この期間後に、書き込み動作が行われないように制御される。
【選択図】 図1
【解決手段】商用電源250に電源オフや停電が発生した場合、制御装置400には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、充放電回路420内のコンデンサに所定の電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、一定期間は、半導体メモリ142、205及びデータ書き込み回路204に直流電圧を供給し続けることができる。また、一定期間経過後は、データ書き込み回路204から半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することで、この期間後に、書き込み動作が行われないように制御される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空ポンプに関わり、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年のエレクトロニクスの発展に伴い、集積回路を備えた半導体の需要が急激に増大している。
これらの半導体は、極めて純度の高い半導体基板に不純物をドープして電気的性質を与えたり、エッチングにより半導体基板上に微細な回路を形成したりなどして製造される。
【0003】
そして、これらの作業は空気中の塵等による影響を避けるため高真空状態のチャンバ内で行われる必要がある。このチャンバの排気には、一般に真空ポンプが用いられているが、特に残留ガスが少なく、保守が容易等の点から真空ポンプの中の1つであるターボ分子ポンプが多用されている。
【0004】
また、半導体の製造工程では、さまざまなプロセスガスを半導体の基板に作用させる工程が数多くあり、ターボ分子ポンプはチャンバ内を真空にするのみならず、これらのプロセスガスをチャンバ内から排気するのにも使用される。
このターボ分子ポンプは、プロセスガスを吸引排気するターボ分子ポンプ本体と、このターボ分子ポンプ本体を制御する制御装置とから構成されている。
【0005】
このターボ分子ポンプ本体の縦断面図を図2に、制御装置のブロック図を図3に示す。
図2において、ターボ分子ポンプ本体100は、円筒状の外筒127の上端に吸気口101が形成されている。外筒127の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードによる複数の回転翼102a、102b、102c・・・を周部に放射状かつ多段に形成した回転体103を備える。
この回転体103の中心にはロータ軸113が取り付けられており、このロータ軸113は、例えば、いわゆる5軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。
【0006】
上側径方向電磁石104は、4個の電磁石がX軸とY軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石104に近接かつ対応されて4個の電磁石からなる上側径方向センサ107が備えられている。この上側径方向センサ107は回転体103の径方向変位を検出し、その信号を図3に示す制御装置200に送るように構成されている。
【0007】
制御装置200においては、上側径方向センサ107が検出した変位信号に基づき、PID調節機能を有する補償回路201を介したアンプ202の出力により、上側径方向電磁石104の励磁を制御し、ロータ軸113の上側の径方向位置を調整する。
【0008】
ロータ軸113は、高透磁率材(鉄など)などにより形成され、上側径方向電磁石104の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、X軸方向とY軸方向とにそれぞれ独立して行われる。
また、下側径方向電磁石105及び下側径方向センサ108が、上側径方向電磁石104及び上側径方向センサ107と同様に配置され、ロータ軸113の下側の径方向位置が、上側の径方向位置と同様に、制御装置200において調整されている。
【0009】
さらに、軸方向電磁石106A、106Bが、ロータ軸113の下部に備えた円板状の金属ディスク111を上下に挟んで配置されている。金属ディスク111は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸113の軸方向変位を検出するために軸方向センサ109が備えられ、その軸方向変位信号が制御装置200に送られるように構成されている。
【0010】
そして、軸方向電磁石106A、106Bは、この軸方向変位信号に基づき制御装置200のPID調節機能を有する補償回路201を介したアンプ202の出力により、励磁制御されるようになっている。軸方向電磁石106Aは、磁力により金属ディスク111を上方に吸引し、軸方向電磁石106Bは、金属ディスク111を下方に吸引する。
【0011】
このように、制御装置200では、この軸方向電磁石106A、106Bが金属ディスク111に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸113を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持する。
【0012】
モータ121は、ロータ軸113を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。これら各磁極は、制御装置200の駆動回路203から出力される動力信号により、モータ121を回転駆動するよう制御されている。
また、モータ121には、図示しない回転数センサ及びモータ温度センサが取り付けられており、これらの回転数センサ及びモータ温度センサの検出信号を受けて、制御装置200においてロータ軸113の回転が制御されている。
【0013】
回転翼102a、102b、102c・・・とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼123a、123b、123c・・・が配設されている。回転翼102a、102b、102c・・・は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。
【0014】
また、固定翼123も、同様にロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒127の内方に向けて回転翼102の段と互い違いに配設されている。
【0015】
そして、固定翼123の一端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ125a、125b、125c・・・の間に嵌挿された状態で支持されている。
固定翼スペーサ125はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
【0016】
固定翼スペーサ125の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒127が固定されている。外筒127の底部にはベース部129が配設され、固定翼スペーサ125の下部とベース部129の間にはネジ付きスペーサ131が配設されている。そして、ベース部129中のネジ付きスペーサ131の下部には排気口133が形成され、外部に連通されている。
【0017】
ネジ付きスペーサ131は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝131aが複数条刻設されている。
ネジ溝131aの螺旋の方向は、回転体103の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口133の方へ移送される方向である。
【0018】
回転体103の回転翼102a、102b、102c・・・に続く最下部には回転翼102dが垂下されている。この回転翼102dの外周面は、円筒状で、かつネジ付きスペーサ131の内周面に向かって張り出されており、このネジ付きスペーサ131の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。
【0019】
ベース部129は、ターボ分子ポンプ本体100の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。
ベース部129はターボ分子ポンプ本体100を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
【0020】
また、ベース部129には、コネクタ160が配設されており、このコネクタ160は、ターボ分子ポンプ本体100と制御装置200との間の信号線の出口になっている。
【0021】
かかる構成において、ロータ軸113がモータ121により駆動されて回転翼102と共に回転すると、回転翼102と固定翼123の作用により、吸気口101を通じてチャンバからの排気ガスが吸気される。
吸気口101から吸気された排気ガスは、回転翼102と固定翼123の間を通り、ベース部129へ移送される。そして、ベース部129に移送されてきた排気ガスは、ネジ付きスペーサ131のネジ溝131aに案内されつつ排気口133へと送られる。
【0022】
さらに、ターボ分子ポンプ本体100は、個々に調整された固有データに基づいた制御を要する。この固有データを格納するために、ターボ分子ポンプ本体100は、その本体内に電子回路部141を備えている。
【0023】
電子回路部141は、ターボ分子ポンプ本体100の固有データを保存するための図3に示す不揮発性の半導体メモリ142(例えば、シリアルEEP−ROM等)や、それらのアクセスのための半導体素子等の電子部品、それら実装用の基板143等から構成されており、この電子回路部141は、ターボ分子ポンプ本体100の下部を構成するベース部129の中央付近の軸方向センサ109の下部に収容され、機密性の底蓋145によって閉じられている。
【0024】
半導体メモリ142は、電気的にそのデータが書き換え可能であるとともに、停電時にもデータの保存ができるため、この半導体メモリ142には、ターボ分子ポンプ本体100が動作する上で極めて重要なデータが保存されている。
【0025】
例えば、半導体メモリ142には、各ターボ分子ポンプ本体100を正常に運転するためのポンプ機種識別情報、回転数等の運転設定情報、可動範囲の中央にポンプを浮上させるためのチューニング情報等の固有データが保存されている。そして、この固有データは、例えばターボ分子ポンプ本体100と制御装置200との間の接続ケーブルを交換したときや、ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200が故障により交換されたとき等に、再度設定されるとともに、その情報が半導体メモリ142に書き込まれる。
また、半導体メモリ142には、ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200に異常が発生した場合等に、その異常発生の内容が書き込まれる。
【0026】
さらに、この種の半導体メモリは、制御装置200内にも備えられており、ターボ分子ポンプ本体100内の半導体メモリ142と同じ内容のデータが、半導体メモリ205に書き込まれている。ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200だけに半導体メモリ142が配設されていると、ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200を交換した際に、交換したターボ分子ポンプ本体100あるいは制御装置200の正常な識別ができなくなってしまうからである。
【0027】
半導体メモリ142、205への書き込み動作は、制御装置200のデータ書き込み回路204によって、以下のように制御されている。
半導体メモリ142、205が、シリアル型のメモリの場合、メモリへの送信データ(1あるいは0のビット列)として、書き込み動作を指定するコマンド、所要アドレス、所要データの順で送信データを構成させた後、これらの送信データを一度にメモリへ送信して、所要アドレスに所要データを書き込む(以下、書き込み動作という。)。
【0028】
また、メモリセルの欠陥やノイズ等によって誤書き込みが発生していないか、あるいは正常に書き込めたかどうかを確認するための読み込み動作を指定するコマンドと、所要アドレスからなる送信データをメモリに送信する。そして、この送信データに応じてメモリから出力された所要アドレスのデータが、最初に書き込み動作で送信した所要データと一致するかどうかを比較する必要がある(以下、ベリファイ動作という)。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなターボ分子ポンプ本体100及び制御装置200においては、作業者の誤動作による電源オフや、落雷による停電等が発生する場合がある。
【0030】
ここで、制御装置内の電源の接続関係を図3を用いて説明する。
図3において、制御装置200には、商用電源250が接続されている。この商用電源250は、制御装置200に交流電圧を供給するものである。
【0031】
そして、この商用電源250には、AC/DC変換器260が接続されている。このAC/DC変換器260は、交流電圧を直流電圧に変換し、モータ121を駆動する駆動回路203に直流電圧を供給している。
【0032】
また、AC/DC変換器260の出力には、DC/DC変換器270が分岐接続されている。このDC/DC変換器270は、AC/DC変換器260の出力電圧レベルを降圧するものであり、電磁石104、105、106A、106Bを励磁するアンプ202に直流電圧を供給している。
【0033】
さらに、DC/DC変換器270には、DC/DC変換器280が分岐接続されており、このDC/DC変換器280は、DC/DC変換器270の電圧レベルをさらに降圧するものである。この降圧された直流電圧は、補償回路201、データ書き込み回路204及び半導体メモリ205に供給されており、さらに、ターボ分子ポンプ本体100の半導体メモリ142にも供給されている。
【0034】
かかる構成において、商用電源250がオフしたり、停電した場合、制御装置200には、交流電圧が供給されなくなり、制御装置200内の全ての直流電圧がオフしてしまう。
そして、商用電源250の電源オフや停電が、半導体メモリ142、205への書き込み動作中に発生した場合には、以下のような問題点を生じるおそれがある。
【0035】
例えば、書き込み動作中に起これば、入力される書き込み動作を指定するコマンドを誤って認識したり、あるいは所要アドレスや所要データを誤って認識して、誤ったアドレス空間に、誤ったデータを書き込んでしまうおそれがある。
また、ベリファイ動作中に起これば、半導体メモリ142、205への書き込みが、正常に行われたかどうか確認できないで、終わってしまう可能性がある。
【0036】
そして、このような半導体メモリ142、205への誤書き込みは、ターボ分子ポンプ本体100の固有データの破壊に繋がるため、ターボ分子ポンプ本体100及び制御装置200の動作不良を引き起こすおそれがあった。
【0037】
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたものであり、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプを提供することを目的とする。
【0038】
【課題を解決するための手段】
このため本発明は、被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、前記ポンプ本体は、該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第1の半導体メモリとを備え、前記制御装置は、前記データが書き込まれる第2の半導体メモリと、前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、該データ書き込み回路が前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した後は、前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が制限されることを特徴とする。
【0039】
制御装置は電源オフや停電を検知するための停電検出回路と、停電等が発生した場合に、第1の半導体メモリ及び第2の半導体メモリに直流電圧を供給できる充放電回路とを備えて構成したことから、通常運転中に、充放電回路に電荷を蓄えることができ、停電時に、この電荷によって、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリ、データ書き込み回路に電圧を供給し続けることができる。
また、データ書き込み回路は、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行った後は、その後の書き込み動作を制限する。よって、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止して、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能である。
なお、所定データ長の書き込み動作は、1回の書き込み動作であっても良いし、一連のデータ列の書き込み動作であっても良い。
【0040】
また、本発明は、被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、前記ポンプ本体は、該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第1の半導体メモリとを備え、前記制御装置は、前記データが書き込まれる第2の半導体メモリと、前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、該データ書き込み回路が前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路より停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した時点で、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されているときは、その後の前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が制限され、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されていないときは、その後も前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が続行されることを特徴とする。
【0041】
商用電源に起きた停電が瞬間的なものであり、所定データ長の書き込み動作を終了した時点で商用電源が復旧している場合には、データ書き込み回路は、所定データ長だけ書き込んだ後も、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリへの書き込み動作を制限することなく、通常通り、書き込み動作を続行することができる。
【0042】
さらに、本発明は、前記制御装置は、前記交流電圧を第1の直流電圧に変換するAC/DC変換器と、前記第1の直流電圧を第2の直流電圧に降圧する少なくとも1つのDC/DC変換器とを備え、前記データ書き込み回路、前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリには、前記第2の直流電圧が供給され、前記充放電回路は、前記AC/DC変換器の出力及び/又は前記DC/DC変換器の出力に接続され、前記停電検出回路は、前記AC/DC変換器の入力、前記AC/DC変換器の出力及び前記DC/DC変換器の出力のうちのいずれかに接続されていることを特徴とする。
【0043】
商用電源に電源オフや停電が起きたとき、制御装置には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、AC/DC変換器の出力やDC/DC変換器の出力に接続された充放電回路に電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリ、データ書き込み回路に直流電圧を供給し続けることができる。
なお、停電検出回路は、AC/DC変換器の出力又はDC/DC変換器の出力の電圧レベルを検知しても良い。また、充放電回路も、AC/DC変換器の出力とDC/DC変換器の出力とに分散配置されていても良い。
【0044】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。図1に、本発明の実施形態である制御装置のブロック図を示す。なお、図3と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図1において、制御装置400は、AC/DC変換器260の出力に、充放電回路420が接続されている。そして、この充放電回路420は、例えば、AC/DC変換器260から供給される直流電圧の電荷を所定容量だけ蓄えることができるコンデンサである。
【0045】
また、制御装置400は、AC/DC変換器260の入力に接続された停電検出回路410を備えている。この停電検出回路410は、フォトカプラー等の光半導体素子を備えて構成されており、商用電源250の交流電圧が、所定電圧よりも低いときに、停電検出信号を出力するようになっている。そして、この停電検出信号は、データ書き込み回路204に出力されるようになっている。
【0046】
かかる構成において、商用電源250に電源オフや停電が発生した場合、制御装置400には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、充放電回路420内のコンデンサに所定の電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、一定期間は、半導体メモリ142、205及びデータ書き込み回路204に直流電圧を供給し続けることができる。
よって、この期間(以下、電圧維持可能期間という。)中は、通常運転中と同様に、データ書き込み回路204は、半導体メモリ142、205への書き込み動作を続けることができる。
【0047】
しかしながら、電圧維持可能期間の経過後も、半導体メモリ142、205への書き込み動作を続行させると、結局は半導体メモリ142、205及びデータ書き込み回路204に直流電圧が供給できなくなるので、従来と同様に、半導体メモリ142、205への誤書き込みを発生するおそれがある。そのため、電圧維持可能期間の経過後は、半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限する必要がある。
【0048】
停電検出回路410が商用電源250の電源オフや停電を検出すると、停電検出回路410は、データ書き込み回路204へ停電検出信号を出力する。この停電検出信号を受けたデータ書き込み回路204は、それ以降、所定データ長の書き込み動作のみを行い、その書き込み動作を通常通り終了させるよう動作する。そして、その後は、電圧維持可能期間の経過前であっても、データ書き込み回路204から半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することで、電圧維持可能期間の経過後に、書き込み動作が行われないよう保証する。
【0049】
そのため、電圧維持可能期間は、少なくとも前述した所定データ長の書き込み動作を行うことができる時間だけ必要である。
なお、商用電源250に起きた停電が瞬間的なもので、データ書き込み回路204が所定データ長書き込む前に商用電源250が復旧した場合には、データ書き込み回路204は、半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することなく、通常通り、書き込み動作を続行する。
【0050】
以上により、商用電源250が電源オフや停電しても、一定期間、半導体メモリ142、205の書き込み動作を保証し、かつ、その期間経過後、半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することで、半導体メモリ142、205への誤書き込みを防止することができ、商用電源250の復旧後のターボ分子ポンプ本体100及び制御装置400の動作不良を無くして、その信頼性を高めることが可能である。
【0051】
なお、本実施形態においては、停電検出回路410はAC/DC変換器260の入力に接続され、かつ充放電回路420はAC/DC変換器260の出力に接続されているとして説明してきたが、これに限られるものではない。
すなわち、停電検出回路410は、AC/DC変換器260の出力、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力のいずれかに接続されていれば良い。AC/DC変換器260の出力、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力の電圧レベルを検知することによっても、商用電源250の電源オフや停電を検出することができるからである。
【0052】
また、充放電回路420も、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力のいずれかに接続されていても良いし、AC/DC変換器260の出力、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力のうち、2つ又は全てに分散配置されていても良い。すなわち、最終的には、充放電回路420から半導体メモリ142、205やデータ書き込み回路204に直流電圧を供給できるように接続されていれば良い。
【0053】
さらに、本実施形態においては、充放電回路420は、コンデンサとして説明してきたが、これに限られるものではない。すなわち、蓄電池(バッテリー)であっても良い。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、制御装置に電源オフや停電を検知するための停電検出回路と、かかる場合に半導体メモリとデータ書き込み回路に直流電圧を供給できる充放電回路とを備えて構成したことから、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止して、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態である制御装置のブロック図
【図2】ターボ分子ポンプ本体の縦断面図
【図3】従来の制御装置のブロック図
【符号の説明】
100 ターボ分子ポンプ本体
141 電子回路部
142、205 半導体メモリ
200、400 制御装置
204 データ書き込み回路
250 商用電源
260 AC/DC変換器
270、280 DC/DC変換器
410 停電検出回路
420 充放電回路
【発明の属する技術分野】
本発明は真空ポンプに関わり、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年のエレクトロニクスの発展に伴い、集積回路を備えた半導体の需要が急激に増大している。
これらの半導体は、極めて純度の高い半導体基板に不純物をドープして電気的性質を与えたり、エッチングにより半導体基板上に微細な回路を形成したりなどして製造される。
【0003】
そして、これらの作業は空気中の塵等による影響を避けるため高真空状態のチャンバ内で行われる必要がある。このチャンバの排気には、一般に真空ポンプが用いられているが、特に残留ガスが少なく、保守が容易等の点から真空ポンプの中の1つであるターボ分子ポンプが多用されている。
【0004】
また、半導体の製造工程では、さまざまなプロセスガスを半導体の基板に作用させる工程が数多くあり、ターボ分子ポンプはチャンバ内を真空にするのみならず、これらのプロセスガスをチャンバ内から排気するのにも使用される。
このターボ分子ポンプは、プロセスガスを吸引排気するターボ分子ポンプ本体と、このターボ分子ポンプ本体を制御する制御装置とから構成されている。
【0005】
このターボ分子ポンプ本体の縦断面図を図2に、制御装置のブロック図を図3に示す。
図2において、ターボ分子ポンプ本体100は、円筒状の外筒127の上端に吸気口101が形成されている。外筒127の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードによる複数の回転翼102a、102b、102c・・・を周部に放射状かつ多段に形成した回転体103を備える。
この回転体103の中心にはロータ軸113が取り付けられており、このロータ軸113は、例えば、いわゆる5軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。
【0006】
上側径方向電磁石104は、4個の電磁石がX軸とY軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石104に近接かつ対応されて4個の電磁石からなる上側径方向センサ107が備えられている。この上側径方向センサ107は回転体103の径方向変位を検出し、その信号を図3に示す制御装置200に送るように構成されている。
【0007】
制御装置200においては、上側径方向センサ107が検出した変位信号に基づき、PID調節機能を有する補償回路201を介したアンプ202の出力により、上側径方向電磁石104の励磁を制御し、ロータ軸113の上側の径方向位置を調整する。
【0008】
ロータ軸113は、高透磁率材(鉄など)などにより形成され、上側径方向電磁石104の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、X軸方向とY軸方向とにそれぞれ独立して行われる。
また、下側径方向電磁石105及び下側径方向センサ108が、上側径方向電磁石104及び上側径方向センサ107と同様に配置され、ロータ軸113の下側の径方向位置が、上側の径方向位置と同様に、制御装置200において調整されている。
【0009】
さらに、軸方向電磁石106A、106Bが、ロータ軸113の下部に備えた円板状の金属ディスク111を上下に挟んで配置されている。金属ディスク111は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸113の軸方向変位を検出するために軸方向センサ109が備えられ、その軸方向変位信号が制御装置200に送られるように構成されている。
【0010】
そして、軸方向電磁石106A、106Bは、この軸方向変位信号に基づき制御装置200のPID調節機能を有する補償回路201を介したアンプ202の出力により、励磁制御されるようになっている。軸方向電磁石106Aは、磁力により金属ディスク111を上方に吸引し、軸方向電磁石106Bは、金属ディスク111を下方に吸引する。
【0011】
このように、制御装置200では、この軸方向電磁石106A、106Bが金属ディスク111に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸113を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持する。
【0012】
モータ121は、ロータ軸113を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。これら各磁極は、制御装置200の駆動回路203から出力される動力信号により、モータ121を回転駆動するよう制御されている。
また、モータ121には、図示しない回転数センサ及びモータ温度センサが取り付けられており、これらの回転数センサ及びモータ温度センサの検出信号を受けて、制御装置200においてロータ軸113の回転が制御されている。
【0013】
回転翼102a、102b、102c・・・とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼123a、123b、123c・・・が配設されている。回転翼102a、102b、102c・・・は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。
【0014】
また、固定翼123も、同様にロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒127の内方に向けて回転翼102の段と互い違いに配設されている。
【0015】
そして、固定翼123の一端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ125a、125b、125c・・・の間に嵌挿された状態で支持されている。
固定翼スペーサ125はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
【0016】
固定翼スペーサ125の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒127が固定されている。外筒127の底部にはベース部129が配設され、固定翼スペーサ125の下部とベース部129の間にはネジ付きスペーサ131が配設されている。そして、ベース部129中のネジ付きスペーサ131の下部には排気口133が形成され、外部に連通されている。
【0017】
ネジ付きスペーサ131は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝131aが複数条刻設されている。
ネジ溝131aの螺旋の方向は、回転体103の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口133の方へ移送される方向である。
【0018】
回転体103の回転翼102a、102b、102c・・・に続く最下部には回転翼102dが垂下されている。この回転翼102dの外周面は、円筒状で、かつネジ付きスペーサ131の内周面に向かって張り出されており、このネジ付きスペーサ131の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。
【0019】
ベース部129は、ターボ分子ポンプ本体100の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。
ベース部129はターボ分子ポンプ本体100を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
【0020】
また、ベース部129には、コネクタ160が配設されており、このコネクタ160は、ターボ分子ポンプ本体100と制御装置200との間の信号線の出口になっている。
【0021】
かかる構成において、ロータ軸113がモータ121により駆動されて回転翼102と共に回転すると、回転翼102と固定翼123の作用により、吸気口101を通じてチャンバからの排気ガスが吸気される。
吸気口101から吸気された排気ガスは、回転翼102と固定翼123の間を通り、ベース部129へ移送される。そして、ベース部129に移送されてきた排気ガスは、ネジ付きスペーサ131のネジ溝131aに案内されつつ排気口133へと送られる。
【0022】
さらに、ターボ分子ポンプ本体100は、個々に調整された固有データに基づいた制御を要する。この固有データを格納するために、ターボ分子ポンプ本体100は、その本体内に電子回路部141を備えている。
【0023】
電子回路部141は、ターボ分子ポンプ本体100の固有データを保存するための図3に示す不揮発性の半導体メモリ142(例えば、シリアルEEP−ROM等)や、それらのアクセスのための半導体素子等の電子部品、それら実装用の基板143等から構成されており、この電子回路部141は、ターボ分子ポンプ本体100の下部を構成するベース部129の中央付近の軸方向センサ109の下部に収容され、機密性の底蓋145によって閉じられている。
【0024】
半導体メモリ142は、電気的にそのデータが書き換え可能であるとともに、停電時にもデータの保存ができるため、この半導体メモリ142には、ターボ分子ポンプ本体100が動作する上で極めて重要なデータが保存されている。
【0025】
例えば、半導体メモリ142には、各ターボ分子ポンプ本体100を正常に運転するためのポンプ機種識別情報、回転数等の運転設定情報、可動範囲の中央にポンプを浮上させるためのチューニング情報等の固有データが保存されている。そして、この固有データは、例えばターボ分子ポンプ本体100と制御装置200との間の接続ケーブルを交換したときや、ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200が故障により交換されたとき等に、再度設定されるとともに、その情報が半導体メモリ142に書き込まれる。
また、半導体メモリ142には、ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200に異常が発生した場合等に、その異常発生の内容が書き込まれる。
【0026】
さらに、この種の半導体メモリは、制御装置200内にも備えられており、ターボ分子ポンプ本体100内の半導体メモリ142と同じ内容のデータが、半導体メモリ205に書き込まれている。ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200だけに半導体メモリ142が配設されていると、ターボ分子ポンプ本体100や制御装置200を交換した際に、交換したターボ分子ポンプ本体100あるいは制御装置200の正常な識別ができなくなってしまうからである。
【0027】
半導体メモリ142、205への書き込み動作は、制御装置200のデータ書き込み回路204によって、以下のように制御されている。
半導体メモリ142、205が、シリアル型のメモリの場合、メモリへの送信データ(1あるいは0のビット列)として、書き込み動作を指定するコマンド、所要アドレス、所要データの順で送信データを構成させた後、これらの送信データを一度にメモリへ送信して、所要アドレスに所要データを書き込む(以下、書き込み動作という。)。
【0028】
また、メモリセルの欠陥やノイズ等によって誤書き込みが発生していないか、あるいは正常に書き込めたかどうかを確認するための読み込み動作を指定するコマンドと、所要アドレスからなる送信データをメモリに送信する。そして、この送信データに応じてメモリから出力された所要アドレスのデータが、最初に書き込み動作で送信した所要データと一致するかどうかを比較する必要がある(以下、ベリファイ動作という)。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなターボ分子ポンプ本体100及び制御装置200においては、作業者の誤動作による電源オフや、落雷による停電等が発生する場合がある。
【0030】
ここで、制御装置内の電源の接続関係を図3を用いて説明する。
図3において、制御装置200には、商用電源250が接続されている。この商用電源250は、制御装置200に交流電圧を供給するものである。
【0031】
そして、この商用電源250には、AC/DC変換器260が接続されている。このAC/DC変換器260は、交流電圧を直流電圧に変換し、モータ121を駆動する駆動回路203に直流電圧を供給している。
【0032】
また、AC/DC変換器260の出力には、DC/DC変換器270が分岐接続されている。このDC/DC変換器270は、AC/DC変換器260の出力電圧レベルを降圧するものであり、電磁石104、105、106A、106Bを励磁するアンプ202に直流電圧を供給している。
【0033】
さらに、DC/DC変換器270には、DC/DC変換器280が分岐接続されており、このDC/DC変換器280は、DC/DC変換器270の電圧レベルをさらに降圧するものである。この降圧された直流電圧は、補償回路201、データ書き込み回路204及び半導体メモリ205に供給されており、さらに、ターボ分子ポンプ本体100の半導体メモリ142にも供給されている。
【0034】
かかる構成において、商用電源250がオフしたり、停電した場合、制御装置200には、交流電圧が供給されなくなり、制御装置200内の全ての直流電圧がオフしてしまう。
そして、商用電源250の電源オフや停電が、半導体メモリ142、205への書き込み動作中に発生した場合には、以下のような問題点を生じるおそれがある。
【0035】
例えば、書き込み動作中に起これば、入力される書き込み動作を指定するコマンドを誤って認識したり、あるいは所要アドレスや所要データを誤って認識して、誤ったアドレス空間に、誤ったデータを書き込んでしまうおそれがある。
また、ベリファイ動作中に起これば、半導体メモリ142、205への書き込みが、正常に行われたかどうか確認できないで、終わってしまう可能性がある。
【0036】
そして、このような半導体メモリ142、205への誤書き込みは、ターボ分子ポンプ本体100の固有データの破壊に繋がるため、ターボ分子ポンプ本体100及び制御装置200の動作不良を引き起こすおそれがあった。
【0037】
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたものであり、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止することで、真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能な真空ポンプを提供することを目的とする。
【0038】
【課題を解決するための手段】
このため本発明は、被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、前記ポンプ本体は、該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第1の半導体メモリとを備え、前記制御装置は、前記データが書き込まれる第2の半導体メモリと、前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、該データ書き込み回路が前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した後は、前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が制限されることを特徴とする。
【0039】
制御装置は電源オフや停電を検知するための停電検出回路と、停電等が発生した場合に、第1の半導体メモリ及び第2の半導体メモリに直流電圧を供給できる充放電回路とを備えて構成したことから、通常運転中に、充放電回路に電荷を蓄えることができ、停電時に、この電荷によって、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリ、データ書き込み回路に電圧を供給し続けることができる。
また、データ書き込み回路は、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行った後は、その後の書き込み動作を制限する。よって、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止して、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能である。
なお、所定データ長の書き込み動作は、1回の書き込み動作であっても良いし、一連のデータ列の書き込み動作であっても良い。
【0040】
また、本発明は、被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、前記ポンプ本体は、該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第1の半導体メモリとを備え、前記制御装置は、前記データが書き込まれる第2の半導体メモリと、前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、該データ書き込み回路が前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路より停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した時点で、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されているときは、その後の前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が制限され、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されていないときは、その後も前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が続行されることを特徴とする。
【0041】
商用電源に起きた停電が瞬間的なものであり、所定データ長の書き込み動作を終了した時点で商用電源が復旧している場合には、データ書き込み回路は、所定データ長だけ書き込んだ後も、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリへの書き込み動作を制限することなく、通常通り、書き込み動作を続行することができる。
【0042】
さらに、本発明は、前記制御装置は、前記交流電圧を第1の直流電圧に変換するAC/DC変換器と、前記第1の直流電圧を第2の直流電圧に降圧する少なくとも1つのDC/DC変換器とを備え、前記データ書き込み回路、前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリには、前記第2の直流電圧が供給され、前記充放電回路は、前記AC/DC変換器の出力及び/又は前記DC/DC変換器の出力に接続され、前記停電検出回路は、前記AC/DC変換器の入力、前記AC/DC変換器の出力及び前記DC/DC変換器の出力のうちのいずれかに接続されていることを特徴とする。
【0043】
商用電源に電源オフや停電が起きたとき、制御装置には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、AC/DC変換器の出力やDC/DC変換器の出力に接続された充放電回路に電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、第1の半導体メモリ、第2の半導体メモリ、データ書き込み回路に直流電圧を供給し続けることができる。
なお、停電検出回路は、AC/DC変換器の出力又はDC/DC変換器の出力の電圧レベルを検知しても良い。また、充放電回路も、AC/DC変換器の出力とDC/DC変換器の出力とに分散配置されていても良い。
【0044】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。図1に、本発明の実施形態である制御装置のブロック図を示す。なお、図3と同一要素のものについては同一符号を付して説明は省略する。
図1において、制御装置400は、AC/DC変換器260の出力に、充放電回路420が接続されている。そして、この充放電回路420は、例えば、AC/DC変換器260から供給される直流電圧の電荷を所定容量だけ蓄えることができるコンデンサである。
【0045】
また、制御装置400は、AC/DC変換器260の入力に接続された停電検出回路410を備えている。この停電検出回路410は、フォトカプラー等の光半導体素子を備えて構成されており、商用電源250の交流電圧が、所定電圧よりも低いときに、停電検出信号を出力するようになっている。そして、この停電検出信号は、データ書き込み回路204に出力されるようになっている。
【0046】
かかる構成において、商用電源250に電源オフや停電が発生した場合、制御装置400には、交流電圧が供給されなくなるが、通常運転中に、充放電回路420内のコンデンサに所定の電荷が蓄えられているため、この蓄えられた電荷により、一定期間は、半導体メモリ142、205及びデータ書き込み回路204に直流電圧を供給し続けることができる。
よって、この期間(以下、電圧維持可能期間という。)中は、通常運転中と同様に、データ書き込み回路204は、半導体メモリ142、205への書き込み動作を続けることができる。
【0047】
しかしながら、電圧維持可能期間の経過後も、半導体メモリ142、205への書き込み動作を続行させると、結局は半導体メモリ142、205及びデータ書き込み回路204に直流電圧が供給できなくなるので、従来と同様に、半導体メモリ142、205への誤書き込みを発生するおそれがある。そのため、電圧維持可能期間の経過後は、半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限する必要がある。
【0048】
停電検出回路410が商用電源250の電源オフや停電を検出すると、停電検出回路410は、データ書き込み回路204へ停電検出信号を出力する。この停電検出信号を受けたデータ書き込み回路204は、それ以降、所定データ長の書き込み動作のみを行い、その書き込み動作を通常通り終了させるよう動作する。そして、その後は、電圧維持可能期間の経過前であっても、データ書き込み回路204から半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することで、電圧維持可能期間の経過後に、書き込み動作が行われないよう保証する。
【0049】
そのため、電圧維持可能期間は、少なくとも前述した所定データ長の書き込み動作を行うことができる時間だけ必要である。
なお、商用電源250に起きた停電が瞬間的なもので、データ書き込み回路204が所定データ長書き込む前に商用電源250が復旧した場合には、データ書き込み回路204は、半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することなく、通常通り、書き込み動作を続行する。
【0050】
以上により、商用電源250が電源オフや停電しても、一定期間、半導体メモリ142、205の書き込み動作を保証し、かつ、その期間経過後、半導体メモリ142、205への書き込み動作を制限することで、半導体メモリ142、205への誤書き込みを防止することができ、商用電源250の復旧後のターボ分子ポンプ本体100及び制御装置400の動作不良を無くして、その信頼性を高めることが可能である。
【0051】
なお、本実施形態においては、停電検出回路410はAC/DC変換器260の入力に接続され、かつ充放電回路420はAC/DC変換器260の出力に接続されているとして説明してきたが、これに限られるものではない。
すなわち、停電検出回路410は、AC/DC変換器260の出力、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力のいずれかに接続されていれば良い。AC/DC変換器260の出力、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力の電圧レベルを検知することによっても、商用電源250の電源オフや停電を検出することができるからである。
【0052】
また、充放電回路420も、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力のいずれかに接続されていても良いし、AC/DC変換器260の出力、DC/DC変換器270の出力、DC/DC変換器280の出力のうち、2つ又は全てに分散配置されていても良い。すなわち、最終的には、充放電回路420から半導体メモリ142、205やデータ書き込み回路204に直流電圧を供給できるように接続されていれば良い。
【0053】
さらに、本実施形態においては、充放電回路420は、コンデンサとして説明してきたが、これに限られるものではない。すなわち、蓄電池(バッテリー)であっても良い。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、制御装置に電源オフや停電を検知するための停電検出回路と、かかる場合に半導体メモリとデータ書き込み回路に直流電圧を供給できる充放電回路とを備えて構成したことから、停電等に伴う半導体メモリへの誤書き込みを防止して、この誤書き込みによる真空ポンプの動作不良を無くし、その信頼性を高めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態である制御装置のブロック図
【図2】ターボ分子ポンプ本体の縦断面図
【図3】従来の制御装置のブロック図
【符号の説明】
100 ターボ分子ポンプ本体
141 電子回路部
142、205 半導体メモリ
200、400 制御装置
204 データ書き込み回路
250 商用電源
260 AC/DC変換器
270、280 DC/DC変換器
410 停電検出回路
420 充放電回路
Claims (3)
- 被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、
該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、
該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、
前記ポンプ本体は、
該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第1の半導体メモリとを備え、
前記制御装置は、
前記データが書き込まれる第2の半導体メモリと、
前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、
該データ書き込み回路が前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、
前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、
前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路から停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した後は、前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が制限されることを特徴とする真空ポンプ。 - 被対象設備より所定のガスを吸引するポンプ本体と、
該ポンプ本体の制御を行う制御装置と、
該制御装置に交流電圧を供給する商用電源とを備えた真空ポンプであって、
前記ポンプ本体は、
該ポンプ本体を正常に運転するための固有データが書き込まれる第1の半導体メモリとを備え、
前記制御装置は、
前記データが書き込まれる第2の半導体メモリと、
前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリの書き込み動作を制御するデータ書き込み回路と、
該データ書き込み回路が前記第1の半導体メモリ及び前記第2の半導体メモリに所定データ長だけ書き込み動作を行うのに必要な電荷量を少なくとも蓄える充放電回路と、
前記商用電源の電源オフ又は停電を検出したときに停電検出信号を出力する停電検出回路とを備え、
前記データ書き込み回路は、前記停電検出回路より停電検出信号が出力されてから前記所定データ長の書き込み動作を終了した時点で、
前記停電検出回路から停電検出信号が出力されているときは、その後の前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が制限され、
前記停電検出回路から停電検出信号が出力されていないときは、その後も前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリへの書き込み動作が続行されることを特徴とする真空ポンプ。 - 前記制御装置は、
前記交流電圧を第1の直流電圧に変換するAC/DC変換器と、
前記第1の直流電圧を第2の直流電圧に降圧する少なくとも1つのDC/DC変換器とを備え、
前記データ書き込み回路、前記第1の半導体メモリ及び/又は前記第2の半導体メモリには、前記第2の直流電圧が供給され、
前記充放電回路は、前記AC/DC変換器の出力及び/又は前記DC/DC変換器の出力に接続され、
前記停電検出回路は、前記AC/DC変換器の入力、前記AC/DC変換器の出力及び前記DC/DC変換器の出力のうちのいずれかに接続されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の真空ポンプ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007083605A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Max Co., Ltd. | 電動装置システム |
EP1797336B2 (de) † | 2004-10-08 | 2017-06-21 | J. Schmalz GmbH | Ejektor |
-
2002
- 2002-08-27 JP JP2002246280A patent/JP2004084547A/ja active Pending
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EP1797336B2 (de) † | 2004-10-08 | 2017-06-21 | J. Schmalz GmbH | Ejektor |
WO2007083605A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Max Co., Ltd. | 電動装置システム |
JP2007195301A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Max Co Ltd | 電動装置システム |
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