JP2004079571A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004079571A5
JP2004079571A5 JP2002233686A JP2002233686A JP2004079571A5 JP 2004079571 A5 JP2004079571 A5 JP 2004079571A5 JP 2002233686 A JP2002233686 A JP 2002233686A JP 2002233686 A JP2002233686 A JP 2002233686A JP 2004079571 A5 JP2004079571 A5 JP 2004079571A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
repair data
address
chip
fuse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002233686A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004079571A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002233686A priority Critical patent/JP2004079571A/ja
Priority claimed from JP2002233686A external-priority patent/JP2004079571A/ja
Publication of JP2004079571A publication Critical patent/JP2004079571A/ja
Publication of JP2004079571A5 publication Critical patent/JP2004079571A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (8)

  1. 不良アドレスに対応するリペアデータを記録するヒューズ回路と、
    読み出しまたは書き込みアドレスを出力するロジック回路と、
    上記ロジック回路から出力されたアドレスと上記ヒューズ回路に記録されたリペアデータに対応する不良アドレスとを比較し、それらが一致しない場合は、上記アドレスにアクセスされ、それらが一致する場合は、スペア回路のアドレスにアクセスされるように制御されるメモリ回路とを備え、
    上記ヒューズ回路を第1のチップに搭載し、上記ロジック回路および上記メモリ回路を第1のチップとは異なる第2のチップに搭載して、それら第1のチップおよび第2のチップを1つのパッケージに収納したことを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 第1のチップと第2のチップとをワイヤボンディングにより接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  3. 第1のチップと第2のチップとをバンプボンディングにより接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  4. ヒューズ回路は、一端が第1のパッドに接続され、他端が電源あるいはグランドに接続されたヒューズからなり、
    メモリ回路は、
    上記第1のパッドに接続された第2のパッドと、
    上記第2のパッドの電位から上記ヒューズのカットまたは非カットを判定し、リペアデータを読み出すヒューズ判定回路とを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  5. メモリ回路は、リセット直後に、ヒューズ回路に記録されたリペアデータをシリアルに読み出すと共に、シリアルに保存し、ロジック回路から出力されるアドレスとシリアルに保存したリペアデータに対応する不良アドレスとを比較して、その比較結果に応じてアクセス場所を制御することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
  6. メモリ回路は、
    制御信号に同期して、ヒューズ回路に記録されたリペアデータをシリアルに読み出すヒューズ判定回路と、
    制御信号に同期して、上記ヒューズ判定回路により読み出されたリペアデータを受け取るリペアデータロード回路と、
    制御信号に同期して、上記リペアデータロード回路により受け取られたリペアデータをシリアルに保存するリペアデータラッチ回路と、
    上記ヒューズ判定回路、上記リペアデータロード回路、および上記リペアデータラッチ回路に、各種制御信号を供給するリペアデータロード制御回路と、
    ロジック回路から出力されるアドレスと上記リペアデータラッチ回路にシリアルに保存されたリペアデータに対応する不良アドレスとを比較して、その比較結果に応じてアクセス場所を制御する比較回路とを備えたことを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路装置。
  7. 不良アドレスに対応するリペアデータを記録する不揮発性メモリと、
    読み出しまたは書き込みアドレス、および上記不揮発性メモリに不揮発性メモリアドレスを出力するロジック回路と、
    上記ロジック回路から出力されたアドレスと上記不揮発性メモリの不揮発性メモリアドレスに記録されたリペアデータに対応する不良アドレスとを比較し、それらが一致しない場合は、上記アドレスにアクセスされ、それらが一致する場合は、スペア回路のアドレスにアクセスされるように制御されるメモリ回路とを備え、
    上記不揮発性メモリを第1のチップに搭載し、上記ロジック回路および上記メモリ回路を第1のチップとは異なる第2のチップに搭載して、それら第1のチップおよび第2のチップを1つのパッケージに収納したことを特徴とする半導体集積回路装置。
  8. ロジック回路は、
    メモリ回路に書き込んだデータと同一アドレスから読み出したデータとを比較して、一致しない場合には、そのアドレスに対応するリペアデータを不揮発性メモリに記録するセルフテスト回路を備えたことを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路装置。
JP2002233686A 2002-08-09 2002-08-09 半導体集積回路装置 Pending JP2004079571A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002233686A JP2004079571A (ja) 2002-08-09 2002-08-09 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002233686A JP2004079571A (ja) 2002-08-09 2002-08-09 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004079571A JP2004079571A (ja) 2004-03-11
JP2004079571A5 true JP2004079571A5 (ja) 2005-09-29

Family

ID=32018760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002233686A Pending JP2004079571A (ja) 2002-08-09 2002-08-09 半導体集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004079571A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4219340B2 (ja) 2004-09-01 2009-02-04 昌和 牛嶋 放電管用の並列点灯用モジュール及びバランサコイル
JP5315405B2 (ja) * 2011-12-16 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8987735B2 (en) Semiconductor device
US6711042B2 (en) Semiconductor device whereon memory chip and logic chip are mounted, making testing of memory chip possible
US7937631B2 (en) Method for self-test and self-repair in a multi-chip package environment
US7746719B2 (en) Multi-chip package reducing power-up peak current
TW588371B (en) System-in-package type semiconductor device
JP4900661B2 (ja) 不揮発性記憶装置
US20010015905A1 (en) System having memory devices operable in a common interface
US8208325B2 (en) Semiconductor device, semiconductor package and memory repair method
US20060156093A1 (en) Synchronous memory interface with test code input
US6622197B1 (en) Dynamic random access memory device capable of programming a refresh period and a bit organization
US10984886B2 (en) Reduced footprint fuse circuit
KR100598097B1 (ko) 듀얼 칩 패키지
US9471420B2 (en) Nonvolatile memory and semiconductor device including the same
US7492036B2 (en) Semiconductor chip and semiconductor device including the same
US6940776B2 (en) Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation
JP2004079571A5 (ja)
JP2006186247A (ja) 半導体装置
US7679984B2 (en) Configurable memory data path
CN113362883B (zh) 可配置软封装后修复(sppr)方案
KR100368315B1 (ko) 플래시 메모리의 어드레스 버퍼
JP2008107897A (ja) 半導体記憶装置
CN108511026B (zh) 检查电路、半导体存储元件、半导体装置以及连接检查方法
TWI737819B (zh) 半導體裝置、測試方法和包括其的系統
JP3898390B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2000194598A (ja) 半導体集積回路装置