JP2004071359A - 酸化物超電導線材 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストでかつ高い臨界電流密度を有する超電導線材を提供すること。
【解決手段】金属基板、該金属基板上にイオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により蒸着した中間層、該中間層上にＰＬＤ法等により蒸着したＣｅＯ_２からなるキャップ層及び該キャップ層上に形成した酸化物超電導体膜からなる酸化物超電導線材において、該中間層の厚さが２０００ｎｍ以下とし、かつ、該キャップ層の厚さを５０ｎｍ以上とする。上記のようにＩＢＡＤ法で製造する中間膜の厚さを薄くすると共にキャップ層を厚くすることにより、ＩＢＡＤ法による成膜時間を短縮し、得られる超電導膜の配向性を良好なものとすることができる。
【選択図】　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物超電導線材に係るものであり、特に、基板と酸化物超電導体膜との間に中間層を有する酸化物超電導線材に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
ＲＥ−１２３系酸化物超電導体（ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ：ＲＥはＹを含む希土類元素）は、液体窒素温度以上で超電導性を示すことから実用上極めて有望な素材とされており、これを線材に加工して電力供給用の導体として用いることが強く要望されている。
【０００３】
そして、酸化物超電導体を線材に加工するための方法としては、強度が高く、耐熱性もあり、線材に加工することが容易な金属を長尺のテープ状に加工し、この金属テープ基板上に酸化物超電導体を薄膜状に形成する方法が検討されている。
【０００４】
ところで、酸化物超電導体はその結晶自体は結晶軸のａ軸方向とｂ軸方向には電気を流し易いが、ｃ軸方向には電気を流しにくいという電気的異方性を有している。従って、基板上に酸化物超電導体を形成する場合には、電気を流す方向にａ軸あるいはｂ軸を配向させ、ｃ軸をその他の方向に配向させる必要がある。
【０００５】
しかしながら、金属テープ基板自体は非結晶もしくは多結晶体であり、その結晶構造も酸化物超電導体と大きく異なるために、基板上に上記のような結晶配向性の良好な酸化物超電導体膜を形成することは困難である。また、基板と超電導体との間には熱膨張率及び格子定数の差があるため、超電導臨界温度までの冷却の過程で、超電導体に歪みが生じたり、酸化物超電導体膜が基板から剥離する等の問題もある。
【０００６】
そこで、上記のような問題を解決するために、まず金属テープ基板上に熱膨張率や格子定数等の物理的な特性値が基板と超電導体との中間的な値を示すＭｇＯ、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニウム）、ＳｒＴｉＯ_３等の材料から成る中間層（バッファー層）を形成し、この中間層の上に酸化物超電導体膜を形成することが行われている。
【０００７】
しかしながら、上記のような中間層を形成した場合においても、得られる酸化物超電導体膜は臨界電流密度が低く、実用には供し得ないものである。これは、得られる酸化物超電導体膜が、多くの単結晶粒が基板の平面方向に結合して多結晶膜を形成した状態となっており、個々の結晶粒のｃ軸は基板表面に対して垂直に配向してはいるが、ａ軸とｂ軸の向きは図１（Ａ）に示すように未だ無秩序な方向を向いているため、結晶の配向性が悪くなっていることに起因している。
【０００８】
そこで、この結晶の配向性を良くするための方法が提案された（特許第２７２１５９５号公報参照）。この方法は、一般にＩＢＡＤ（Ｉｏｎ−Ｂｅａｍ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ばれているものであり、この方法の概略を図２に基づいて説明する。
【０００９】
図２に示されるように、超電導薄膜が形成される金属基板１、この金属基板１の表面に斜めに向いて対向配置されたターゲット２、前記ターゲット２の構成粒子をスパッタするスパッタビーム照射装置３及び前記基板の表面に対して斜め方向から希ガスのイオンを照射するイオン源４を真空容器内に配置する。
【００１０】
容器の内部を真空引きして減圧雰囲気とし、イオン源４とスパッタビーム照射装置３を作動させる。スパッタビーム照射装置３からターゲット２にイオンを照射して、ターゲット２の構成粒子をスパッタして金属基板１上に、ターゲットの構成粒子を堆積させると同時に、イオン源４から希ガスイオンと酸素イオンとの混合イオンを基板表面に対して所定の照射角度（θ）で照射する。
このように、所定の照射角度でイオン照射を行いながらスパッタリングすることによって、中間層の多結晶薄膜の結晶軸のａ軸とｂ軸とを配向させることができる。
【００１１】
このようにして形成された中間層の上に酸化物超電導体膜をスパッタリング法やレーザー蒸着法によって成膜すると、得られる超電導体膜も中間層の結晶配向に整合するように堆積して超電導体膜の結晶が成長するので、臨界電流密度の大きなものとなる。この状態を図１（Ｂ）に示す。
【００１２】
ところが、上記のようにして、ＩＢＡＤ法によって形成されたＹＳＺ層上に、例えばＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_{７− ｙ}（以下、「ＹＢＣＯ」ともいう。）を形成すると、ＹＢＣＯ層からＹＳＺ層にＢａが拡散してＹＳＺ層上にＢａＺｒＯ_３が形成され、臨界温度（Ｔｃ）及び臨界電流密度（Ｊｃ）が低下するという問題が生じる。
【００１３】
また、酸化物超電導体膜を低コストで製造する方法として、酸化物超電導体を構成する金属元素のトリフルオロ酢酸塩（ＴＦＡ）を化学量論量で含む溶液を基板表面にコーティングして、これを加熱分解することによって酸化物超電導体膜とする方法（ＴＦＡ−ＭＯＤ法）があるが、この方法によってＹＳＺ層の上にＹＢＣＯ膜を形成する場合、加熱分解の過程でフッ化水素ガスが生成し、これがＹＳＺと反応するため、良好な超電導特性が得られないという問題がある。
【００１４】
そこで、上記のような問題を解決するために、ＹＢＣＯ層からＹＳＺ層へのＢａ拡散あるいは、ＹＳＺとフッ化水素との反応を抑制し、しかもＹＢＣＯと熱膨張率が近似し、ＹＢＣＯとの反応性の小さい化合物であるＣｅＯ_２の層を形成し、この上にＹＢＣＯ膜を形成するという方法が提案されている。このＣｅＯ_２　層を本明細書においては、中間層と区別するためにキャップ層という。このキャップ層を設けた例を以下に挙げる。
【００１５】
ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＩＶＩＴＹ．ＶＯＬ．１１．ＮＯ．１，（ＭＡＲＣＨ　２００１）２９２７−２９３０には、ＣｅＯ_２／ＹＳＺ／ＣｅＯ_２／Ｎｉ基板上に金属トリフルオロアセテートからなるＹＢＣＯ前駆体の溶液を塗布した後、溶液を熱分解することによってＹＢＣＯ膜を得たこと及びこのＣｅＯ_２の膜厚を２０ｎｍとしたことが記載されている。
【００１６】
ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＩＶＩＴＹ．ＶＯＬ．１１．ＮＯ．１，（ＭＡＲＣＨ　２００１）３４８９−３４９２には、多結晶イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ）を基板としたものであり、超電導線材に関するものではないが、ＹＩＧ基板の上にＩＢＡＤ法によって成膜したＹＳＺ層とレーザー蒸着法（Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法：以下「ＰＬＤ法」という。）によって成膜したＣｅＯ_２層との２層からなるバッファー層を形成し、この上にＹＢＣＯ膜を形成したこと、及び、ＹＳＺ層の厚みは８００±１００ｎｍであり、ＣｅＯ_２層の厚みは２０ｎｍ程度であったことが記載されている。
【００１７】
Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．，Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．５，Ｍａｙ　２０００には、Ｎｉ基合金を基板とし、この上にＩＢＡＤ法によってＹＳＺ層を形成し、次いでこの上にＣｅＯ_２層及びＹＢＣＯ層をＰＬＤ法によって形成したこと、前記ＣｅＯ_２層の膜厚は３０ｎｍであり、ＹＳＺ層の膜厚は８００ｎｍであったことが記載されている。
【００１８】
ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＳＵＰＥＲＣＯＮＤＵＣＴＩＶＩＴＹ．ＶＯＬ．１１．ＮＯ．１，（ＭＡＲＣＨ　２００１）３３５９−３３６４には、Ｎｉ基合金を基板とし、この上にＩＢＡＤ法によってＹＳＺ層を形成し、次いでこの上にＰＬＤ法によってＣｅＯ_２層及びＹＢＣＯ層を順次形成したこと、ＹＳＺ層の膜厚を５００ｎｍとし、ＣｅＯ_２層を３０ｎｍとしたことが示されている。
【００１９】
Ｐｈｙｓｉｃａ　Ｃ　３５７−３６０（２００１）１００３−１００６には、ハステロイテープを基板とし、この上にＩＢＡＤ法によってＹＳＺ層を形成し、この上にＰＬＤ法によってＣｅＯ_２層を形成し、次いで、ＴＦＡ−ＭＯＤ法によってＹＢＣＯ膜を形成したこと及びＣｅＯ_２層の膜厚を１００〜２０００ｎｍとしたことが記載されている。（但し、ＹＳＺ層の厚みについては記載がない。）
【００２０】
しかしながら、この中間層を形成するために用いられるＩＢＡＤ法は、成膜速度が遅いという欠点を有している。そしてＩＢＡＤ法によってＹＳＺ層を基板に堆積させた場合、膜厚が薄いときはその配向性は充分ではなく、所望の配向性を有するには１０００ｎｍ程度の膜厚が必要である。そして、ＩＢＡＤ法によって１０００ｎｍの膜厚を得るためにはかなりの時間を要し、このため、生産性の点で問題があった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、基板−中間層−キャップ層−酸化物超電導体膜からなる超電導線材を製造するに際し、ＩＢＡＤ法に要する時間を短縮して、超電導線材の生産性を上げることを目的とする。
また、本発明は、酸化物超電導体膜が形成されるキャップ層の配向度を高めると共に表面粗さを小さくすることにより酸化物超電導線材の臨界電流密度を大きくすることを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、ＩＢＡＤ法によって形成された中間層の上にキャップ層としてＣｅＯ_２層を設ける場合において、中間層を薄くしても、キャップ層を厚くすることにより、配向度の高い超電導体膜が得られることを見出して本発明を完成したものである。
すなわち、課題を解決するための本発明の具体的構成は次の通りである。
【００２３】
（１）金属基板、該金属基板上にイオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により蒸着した中間層、該中間層上に蒸着したＣｅＯ_２のキャップ層及び該キャップ層上に形成した酸化物超電導体膜からなる酸化物超電導線材において、該中間層の厚さが２０００ｎｍ以下であり、かつ、該キャップ層の厚さが５０ｎｍ以上であることを特徴とする酸化物超電導線材。
（２）前記酸化物超電導体膜がＲＥ−１２３系酸化物超電導体（ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ：ＲＥはＹを含む希土類元素）からなることを特徴とする上記（１）に記載の酸化物超電導線材。
【００２４】
（３）前記中間層がＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニウム）及びＭｇＯから選ばれた一種であることを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の酸化物超電導線材。
（４）前記中間層の厚さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする上記（１）〜（３）に記載の酸化物超電導線材。
（５）前記中間層の配向度（ΔΦ）が１０度以上であることを特徴とする上記（１）〜（４）に記載の酸化物超電導線材。
（６）前記キャップ層の配向度（ΔΦ）が前記中間層の配向度（ΔΦ）よりも良いことを特徴とする上記（１）〜（５）に記載の酸化物超電導線材。
【００２５】
（７）前記キャップ層の厚さが５０００ｎｍ以下であることを特徴とする上記（１）〜（６）に記載の酸化物超電導線材。
（８）前記キャップ層の配向度（ΔΦ）が１０度以下であることを特徴とする上記（１）〜（７）に記載の酸化物超電導線材。
【００２６】
（９）前記キャップ層が、レーザー蒸着法（ＰＬＤ法）により成膜されたものであることを特徴とする上記（１）〜（８）に記載の酸化物超電導線材。
（１０）前記キャップ層が中間層の成膜速度よりも速い成膜速度で成膜されたものであることを特徴とする上記（１）〜（９）に記載の酸化物超電導線材。
（１１）前記キャップ層が、１〜５０００ｎｍ／ｍｉｎの成膜速度で成膜されたものであることを特徴とする上記（１）〜（１０）に記載の酸化物超電導線材。
（１２）前記キャップ層が、ＰＬＤ法のレーザーのエネルギー密度が１〜５Ｊ／ｃｍ^２で成膜されたものであることを特徴とする上記（１）〜（１１）に記載の酸化物超電導線材。
【００２７】
（１３）前記酸化物超電導体膜がＹ１２３相、Ｓｍ１２３相またはＮｄ１２３相であることを特徴とする上記（１）〜（１２）に記載の酸化物超電導線材。
（１４）前記酸化物超電導体膜が、レーザー蒸着法（ＰＬＤ法）または塗布熱分解法（ＭＯＤ法）により成膜されたものであることを特徴とする（１）〜（１３）に記載の酸化物超電導線材。
（１５）前記金属基板がハステロイ、ステンレス、Ｎｉ系合金、Ａｇ及びＡｇ系合金から選ばれた一種であることを特徴とする（１）〜（１４）に記載の酸化物超電導線材。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、以下説明する。
本発明の超電導線材は、図３に示すように酸化物超電導体膜／キャップ層（ＣｅＯ_２層）／ＩＢＡＤ中間層／金属基板という層構成を有している。
以下では、上記各層を形成する材料について詳述する。
【００２９】
＜基板材料について＞
本発明の酸化物超電導線材に用いる金属基板としては、強度及び耐熱性に優れた、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｇ等の金属又はこれらの合金を用いることができる。特に好ましいのは、耐食性及び耐熱性の点で優れているステンレス、ハステロイ、その他のニッケル系合金である。
【００３０】
＜中間層について＞
［材料］
中間層はＩＢＡＤ法によって形成する。
この中間層を形成する材料としては、ＹＳＺ、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ_３、Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７等を挙げることができ、その他、パイロクロア構造、希土類−Ｃ構造、ペロブスカイト型構造又は蛍石型構造を有する適宜の化合物を用いることができるが、中でもＹＳＺ又はＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７を用いることが好ましい。特にＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７はＩＢＡＤ成膜速度がＹＳＺよりも速いだけでなく、配向度を表す指標であるΔΦ（ＦＷＨＭ：半値全幅）の値もより小さくなるため、中間層材料としては特に適している。図４にＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７　とＹＳＺをそれぞれ成膜した場合の膜厚とΔΦとの関係を示す。この図は、ＹＳＺに比べてＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７の方が配向速度が速く、しかもΔΦが小さいことを示している。
【００３１】
［膜厚］
従来、ＩＢＡＤ法によって成膜された中間層（以下、「ＩＢＡＤ膜」ともいう。）は、１０００ｎｍ程度の膜厚がないと良好な配向性が得られないとされていた。一方、ＩＢＡＤ法は蒸着速度が３ｎｍ／分程度と遅いため成膜に時間が掛かり、生産性の点で問題があった。
【００３２】
しかしながら、ＩＢＡＤ層の上に所定厚さ以上のＣｅＯ_２層を形成すると、ＩＢＡＤ膜が１０００ｎｍ以下であっても良好な配向性を有するＣｅＯ_２層が得られ、このＣｅＯ_２層の上に酸化物超電導体膜を形成すると、この酸化物超電導体膜は高い臨界電流密度を示す。そして、このＣｅＯ_２層はＰＬＤ法によって成膜することができ、ＰＬＤ法は高速成膜（例えば５０００ｎｍ／分）が可能であるので、ＩＢＡＤ膜の膜厚を薄くして、ＣｅＯ_２層の膜厚を厚くしても、トータルの成膜速度は大幅に向上し、生産性を上げることができる。
【００３３】
本発明においては、上記の理由から、中間層の膜厚は１０００ｎｍ以下が良い。１０００ｎｍを超えてもよいが、前記のように、ＩＢＡＤ法は成膜時間がかかるため１０００ｎｍを超える膜厚とすることは生産性の点で望ましくない。更に２０００ｎｍを超えると表面粗さが大きくなり、臨界電流密度が低下するので好ましくない。
【００３４】
また、中間層の膜厚の下限値は、その上に形成されるＣｅＯ_２層の膜厚にも依存し、１０ｎｍ以上あればよいが、好ましくは５０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上である。１０ｎｍ未満であるとこの上にＣｅＯ_２層を蒸着しても、配向度が１０度以上となり、十分な臨界電流が流れない。
【００３５】
＜キャップ層について＞
キャップ層はＣｅＯ_２層で構成する。また、このＣｅＯ_２層は、全てがＣｅＯ_２からなる必要はなく、Ｃｅの一部が他の金属原子又は金属イオンで一部置換されたＣｅ−Ｍ−Ｏ系酸化物を含んでいてもよい。このＣｅＯ_２層は、ＰＬＤ法、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でＰＬＤ法を用いることが望ましい。ＰＬＤ法によるＣｅＯ_２層の成膜条件としては、基板温度約５００〜８００℃、約０．６〜４０Ｐａの酸素ガス雰囲気中で、レーザーエネルギー密度が１〜５Ｊ／ｃｍ^２で行うことができる。
【００３６】
ＣｅＯ_２層の膜厚は、５０ｎｍ以上であればよいが、十分な配向性を得るには１００ｎｍ以上が好ましく、５００ｎｍ以上であれば更に好ましい。但し、５０００ｎｍを超えると結晶配向性が悪くなるので、５０００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３７】
＜酸化物超電導体膜について＞
酸化物超電導体膜の材料としては、ＲＥ−１２３系酸化物超電導体（ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ：ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ等の希土類元素）を用いることができる．
ＲＥ−１２３系酸化物として好ましいのは、Ｙ１２３（ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ：以下では「ＹＢＣＯ」という。）又はＳｍ１２３（ＳｍＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ、以下では「ＳｍＢＣＯ」という。）である。
酸化物超電導体膜は、通常の成膜法によって成膜することが出来るが、生産性の点から、ＴＦＡ−ＭＯＤ法又はＰＬＤ法を用いることが好ましい。
【００３８】
【実施例】
以下に、本件発明の実施例を比較例と共に示すが、本願発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３９】
【実施例１】
ハステロイ金属基板上にＩＢＡＤ法によりＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７膜を種々の膜厚で蒸着した基板（以下、「ＩＢＡＤ基板」という。）を用意した。この上に通常のＰＬＤ法により、ＣｅＯ_２層を厚さ５００ｎｍ蒸着した。
【００４０】
ＰＬＤ法によるＣｅＯ_２層の蒸着は、温度約６５０℃、約４ＰａのＯ_２ガス雰囲気中で、レーザー密度３Ｊ／ｃｍ^２、レーザー周波数１７Ｈｚの条件で行った。まず、ＣｅＯ_２の直径３ｃｍのペレットを真空チャンバーに取り付け、これを真空排気し、その後、上記Ｏ_２ガスを流し、圧力を調整した。ＫｒＦエキシマレーザーをペレット上に照射し、それにより、ペレットに対向して設置されたＩＢＡＤ基板上にＣｅＯ_２層を蒸着した。ＹＢＣＯ超電導体膜は、ＴＦＡ−ＭＯＤ法（トリフルオロ酢酸塩を用いた有機金属堆積法、塗布熱分解法）により厚さ２５０ｎｍで成膜した。
【００４１】
これらの試料について、面内配向度（ΔΦ）をＸ線回折法により調べた。図５に種々の膜厚のＩＢＡＤ−Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７膜の上につけた厚さ５００ｎｍのＣｅＯ_２層の配向度を測定した結果を示す。比較のためにＣｅＯ_２層なし、すなわちＩＢＡＤ−Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７層のみの配向度も示した。図５（Ａ）はＩＢＡＤ膜の厚さとΔΦとの関係を示した図であり、図５（Ｂ）はＩＢＡＤ厚１００〜１０００ｎｍのデータを詳細に示した図である。
【００４２】
図５に示された結果によれば、ＣｅＯ_２層を蒸着したものでは配向度が向上していることがわかる。特に、ＩＢＡＤ層の厚みが１０００ｎｍ以下の所ではその効果が著しい。１０００〜２０００ｎｍの厚さのＩＡＢＤ−Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７膜上にＣｅＯ_２層を厚さ５００ｎｍ蒸着した場合には、ＩＢＡＤ単独では困難な配向度４度が得られた。この試料の上に超電導層のＹＢＣＯ（ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｘ）をＴＦＡ−ＭＯＤ法で成膜し、臨界電流を測定したところ、７７Ｋ、０Ｔで３ＭＡ／ｃｍ^２の高い臨界電流密度が得られた。
図６に、本実験により得られた各試料の臨界電流密度を示す。図６から明らかなように、配向度の優れたものが高い臨界電流密度を示し、実用上有利である。
【００４３】
また、膜厚が２５００，３０００ｎｍのＩＢＡＤ−Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７層上にも同様に厚さ５００ｎｍのＣｅＯ_２酸化物層を蒸着した。厚みが２０００ｎｍ以上であると表面粗さＲａをＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ　ｆｏｒｃｅ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて「０．１ｍｍ×０．１ｍｍ」の範囲で測定すると、１００ｎｍ以上の粗さになり実用的でなかった。すなわち、２０００ｎｍ以下の膜厚では、上記と同様１ＭＡ／ｃｍ^２以上の臨界電流密度であったが、２０００ｎｍを超えると図６に示したように表面粗さが増大するために臨界電流密度が０．７ＭＡ／ｃｍ^２と大幅に落ちた。
【００４４】
他方、ＩＢＡＤ層の厚みが１０ｎｍ以下になると、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層を蒸着しても、配向度が１０度以上であり、十分な臨界電流が流れない。これは配向度が１０度以上であると、各ＹＢＣＯ結晶同士の電気的つながりが不十分（弱結合）になるためである。しかし、ＣｅＯ_２層が７０ｎｍを超えるとＣｅＯ_２層の配向度が１０度以下になり十分な電流が流れる。ＩＢＡＤ法は蒸着速度が３ｎｍ／分程度と遅く、製造に時間が掛かるが、本発明のようにＩＢＡＤ膜を薄くし、ＣｅＯ_２層をＰＬＤ法により厚めに形成することによって蒸着製造時間を短縮できる。
【００４５】
この観点からすると、図５、６に示された結果から、上記ＩＢＡＤ膜厚としては、２０００ｎｍ以下が好ましく、製造速度向上の観点からみると効果が著しい。すなわち、ＩＢＡＤ層の厚みが２０００ｎｍ以下の場合に、本ＰＬＤ―ＣｅＯ_２層の効果があるが、ＩＢＡＤ層の厚みは好ましくは１０００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５００ｎｍ以下であることが望ましい。また、最終到達配向度、臨界電流密度の点でＩＢＡＤ層の厚みは１００ｎｍ以上であることが望ましい。
【００４６】
【実施例２】
実施例１と同様に、ハステロイ金属基板上にＩＢＡＤ法によりＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７膜を５００ｎｍ蒸着したＩＢＡＤ基板を複数本用意した。ＰＬＤ法により、ＣｅＯ_２酸化物層を種々の厚さで蒸着した。また、同様にＹＢＣＯはＴＦＡ‐ＭＯＤ法により成膜した。
【００４７】
図７は、９種類のＣｅＯ_２膜の厚さ２０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、３００ｎｍ、６００ｎｍ、１０００ｎｍ、３００ｎｍ、５０００ｎｍ、７０００ｎｍに対しての各ＣｅＯ_２膜のΔΦの値を示したものである。ΔΦの値は小さいほど結晶配向性が良いことを示すが、図７に示された結果によると、７０００ｎｍでは（すなわち５０００ｎｍを超えると）、結晶配向性がやや悪くなる。厚さ１００〜５０００ｎｍの間ではΔΦは１０度より小さくなる。この試料の上に超電導層のＹＢＣＯを実施例１と同様にＴＦＡ−ＭＯＤ法で成膜し、臨界電流を測定したところ、７７Ｋ、０Ｔで、ＣｅＯ_２膜の厚さ５０ｎｍ〜７０００ｎｍで１ＭＡ／ｃｍ^２以上のＪｃが得られ、特に１００ｎｍ〜５０００ｎｍの間では２ＭＡ／ｃｍ^２以上のＪｃが得られ、最高で３ＭＡ／ｃｍ^２の高い臨界電流密度が得られた。
【００４８】
以上の結果から、ＣｅＯ_２層を５０ｎｍ以上の厚みでつけると効果が大きいことがわかる。さらに好ましくは十分な配向度をとるために、１００ｎｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上の膜厚のＣｅＯ_２層をつけると高い配向度と十分大きな臨界電流密度が得られることがわかる。
また、上記ＩＢＡＤ中間層としてＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７に代えて、ＹＳＺ及びＭｇＯを採用した場合についても同様の試験を行ったところ、ＣｅＯ_２層のΔΦ及びＹＢＣＯ膜のＪｃについては同様な結果が得られた。
【００４９】
【実施例３】
実施例１において、超電導体膜としてＹＢＣＯ膜に代えてＳｍＢＣＯ（ＳｍＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｘ）膜を成膜した以外は実施例１と同様にして試験を行ったところ、実施例１と同様な結果が得られた。但し、ＪｃはＹＢＣＯ膜を形成した場合よりも少し低く、最高で２ＭＡ／ｃｍ^２の値であった。
【００５０】
【実施例４】
実施例１において、超電導体膜としてＹＢＣＯ膜に代えてＮｄＢＣＯ（ＮｄＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｘ）膜を成膜した以外は実施例１と同様にして試験を行ったところ、実施例１と同様な結果が得られた。但し、ＪｃはＹＢＣＯ膜を形成した場合よりも少し低く、最高で２ＭＡ／ｃｍ^２の値であった。
【００５１】
【実施例５】
実施例１において、ＣｅＯ_２層の厚みを５０００ｎｍとして実施例１と同様な試験を行った。この結果、実施例１と同様に、ＣｅＯ_２層を蒸着したものでは配向度が向上した。特に、ＩＢＡＤ層の厚みが１０００ｎｍ以下の所ではその効果が著しかった。１０００〜２０００ｎｍの厚さのＩＡＢＤ−Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７膜上にＣｅＯ_２層を厚さ５０００ｎｍ蒸着した場合にも、ＩＢＡＤ単独では困難な配向度４度（ΔΦ）が得られた。この試料の上に超電導層のＹＢＣＯをＴＦＡ−ＭＯＤ法で成膜し、臨界電流を測定したところ、７７Ｋ、０Ｔで最高で約３ＭＡ／ｃｍ^２の高い臨界電流密度が得られた。本結果でも、実施例１と同様に配向度が優れたものが高い臨界電流密度を示し、実用上有利である。
【００５２】
【実施例６】
実施例１において、金属基板としてハステロイに代えて、ステンレス及びＮｉ系合金を用いた以外は実施例１と同様にして試験を行った。この場合にも、ＣｅＯ_２層のΔΦ及びＹＢＣＯ膜のＪｃについては同様な結果が得られた。
【００５３】
【実施例７】
実施例１において、ＹＢＣＯ膜の製造方法をＴＦＡ−ＭＯＤ法に代えてＰＬＤ法とした以外は実施例１と同様にして試験を行ったところ、ＣｅＯ_２層のΔΦ及びＹＢＣＯ膜のＪｃ共に実施例１と同様な結果が得られた。
【００５４】
【実施例８】
実施例１で用いたＩＢＡＤ基板（Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７：膜厚３００ｎｍ）の上に、ＰＬＤ法を用いて、５００ｎｍ厚のＣｅＯ_２層を、その成膜速度が厚さ基準で０．５〜１０，０００ｎｍ／分となるようにして成膜した。図８は各成膜速度によって成膜して得られたＣｅＯ_２層の表面粗さ（Ｒａ）を測定した結果を示す図である。
【００５５】
成膜速度が０．５ｎｍ／分および１００００ｎｍ／分では、Ｒａが大きくなるため実用的でない。一方、１ｎｍ／分〜５０００ｎｍ／分の間ではＲａが２０ｎｍ以下であり、良好な表面状態が得られた。この試料の上にＹＢＣＯ膜を実施例１と同様にＴＦＡ−ＭＯＤ法で成膜し、臨界電流を測定したところ、１ｎｍ／分〜５０００ｎｍ／分の成膜速度のＣｅＯ_２層上で、７７Ｋ、０Ｔで１．５ＭＡ／ｃｍ^２以上のＪｃが得られた。特に１０ｎｍ／分のＣｅＯ_２層上のＹＢＣＯ膜では、３ＭＡ／ｃｍ^２のＪｃが得られた。
【００５６】
本発明の特徴は従来のＩＢＡＤ膜の成膜法に比べて成膜速度が格段に速くなることにある。すなわち、ＩＢＡＤ膜の成膜速度を３ｎｍ／分、ＣｅＯ_２層の成膜速度を５０ｎｍ／分とすると、従来法では、２０００ｎｍの厚さのＩＢＡＤ膜の上に１００ｎｍの厚さのＣｅＯ_２層を形成する場合、トータル時間は、６６８分である（２０００［ｎｍ］÷３［ｎｍ／分］＋１００［ｎｍ］÷５０［ｎｍ／分］＝６６８分）。これに対して、本発明によると、３００ｎｍの厚さのＩＢＡＤ膜の上に５００ｎｍのＣｅＯ_２層を形成する場合、トータル時間は、１１０分である（３００［ｎｍ］÷３［ｎｍ／分］＋５００［ｎｍ］÷５０［ｎｍ／分］＝１１０分）。
上記のように、本発明の酸化物超電導線材は、従来のものに比べると短時間で製造できることに加えて、図５及び図７に示されているようにその配向度は従来のものと同程度以上のものが得られるという大きなメリットを有している。
【００５７】
【実施例９】
実施例１で用いたＩＢＡＤ基板（Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７膜厚３００ｎｍ）の上に、ＰＬＤ法を用いて、ＣｅＯ_２層をレーザーのエネルギー密度０．７〜６Ｊ／ｃｍ^２で成膜した。ＣｅＯ_２層の膜厚は５００ｎｍとした。図９はレーザーの各エネルギー密度に対する結晶配向度ΔΦの測定結果である。０．７Ｊ／ｃｍ^２および６Ｊ／ｃｍ^２とのきのΔΦが１０度以上になるため、実施例１で述べた理由から実用的でない。一方、１〜５Ｊ／ｃｍ^２では１０度以下のΔΦが得られた。
【００５８】
この試料の上に超電導層のＹＢＣＯを実施例１と同様にＴＦＡ−ＭＯＤ法で成膜し、臨界電流を測定したところ、１〜５Ｊ／ｃｍ^２のＣｅＯ_２層上で、７７Ｋ、０Ｔで１ＭＡ／ｃｍ^２以上のＪｃが得られた。特に１．５〜４Ｊ／ｃｍ^２のＣｅＯ_２層上のＹＢＣＯ膜では、２ＭＡ／ｃｍ^２以上Ｊｃが得られ、１．５Ｊ／ｃｍ　^２で成膜したＣｅＯ_２層上のＹＢＣＯ膜で、実施例１と同様に最高で３ＭＡ／ｃｍ^２のＪｃが得られた。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、中間層のＩＢＡＤ膜の膜厚を薄くできるので、ＩＢＡＤ法に要する時間を短縮して、超電導線材の生産性を上げることができる。また、キャップ層として設けるＣｅＯ_２層の厚みを厚くすることによりＣｅＯ_２層の表面粗さが小さく、配向度の高い表面が得られるため、この上に酸化物超電導膜を形成すると高い臨界電流密度の超電導膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、酸化物超電導体膜を構成する個々の結晶粒のａ軸が配向していない様子を示す図であり、（Ｂ）は結晶粒のａ軸が配向している図を示す。
【図２】ＩＢＡＤ法による成膜プロセスを示す概略図である。
【図３】本発明の超電導線材の層構成を示す図である。
【図４】Ｇｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７とＹＳＺの膜厚とΔΦとの関係及び成膜速度を示す図である。
【図５】ＩＢＡＤ膜厚とこの上に形成されたＣｅＯ_２層のΔΦとの関係を示した図である。
【図６】ＩＢＡＤ膜の厚さと得られた超電導体膜の臨界電流密度の関係を示す図である。
【図７】ＣｅＯ_２膜の厚さに対するＣｅＯ_２膜のΔΦの値を示した図である。
【図８】ＣｅＯ_２膜の成膜速度と得られたＣｅＯ_２層の表面粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
【図９】レーザーのエネルギー密度と得られたＣｅＯ_２層の結晶配向度ΔΦとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１　基板
２　ターゲット
３　スパッタビーム照射装置
４　イオン源４

Claims (15)

1. 金属基板、該金属基板上にイオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により蒸着した中間層、該中間層上に蒸着したＣｅＯ_２のキャップ層及び該キャップ層上に形成した酸化物超電導体膜からなる酸化物超電導線材において、該中間層の厚さが２０００ｎｍ以下であり、かつ、該キャップ層の厚さが５０ｎｍ以上であることを特徴とする酸化物超電導線材。
2. 前記酸化物超電導体膜がＲＥ−１２３系酸化物超電導体（ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ：ＲＥはＹを含む希土類元素）からなることを特徴とする請求項１記載の酸化物超電導線材。
3. 前記中間層がＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニウム）及びＭｇＯから選ばれた一種であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の酸化物超電導線材。
4. 前記中間層の厚さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
5. 前記中間層の配向度（ΔΦ）が１０度以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
6. 前記キャップ層の配向度（ΔΦ）が前記中間層の配向度（ΔΦ）よりも良いことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
7. 前記キャップ層の厚さが５０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
8. 前記キャップ層の配向度（ΔΦ）が１０度以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
9. 前記キャップ層が、レーザー蒸着法（ＰＬＤ法）により成膜されたものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
10. 前記キャップ層が中間層の成膜速度よりも速い成膜速度で成膜されたものであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
11. 前記キャップ層が、１〜５０００ｎｍ／ｍｉｎの成膜速度で成膜されたものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
12. 前記キャップ層が、ＰＬＤ法のレーザーのエネルギー密度が１〜５Ｊ／ｃｍ^２で成膜されたものであることを特徴とする請求項１〜１１記載の酸化物超電導線材。
13. 前記酸化物超電導体膜がＹ１２３相、Ｓｍ１２３相またはＮｄ１２３相であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
14. 前記酸化物超電導体膜が、レーザー蒸着法（ＰＬＤ法）または塗布熱分解法（ＭＯＤ法）により成膜されたものであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の酸化物超電導線材。
15. 前記金属基板がハステロイ、ステンレス、Ｎｉ系合金、Ａｇ又はＡｇ系合金から選ばれた一種であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の酸化物超電導線材。

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