JP2004063426A - 除電装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】除電能力を向上させることができる高電圧発生装置を提供する。
【解決手段】高電圧発生回路3には第1の整流回路32と第2の整流回路33の直列回路が備えられており、入力端子31aと第1の整流回路32と第2の整流回路33との直列回路の共通接続点との間には第1のコンデンサ34が接続され、第1の整流回路32及び第2の整流回路33の両端には第2のコンデンサ35が接続されると共に、出力端子31bにも接続されている。そして、両整流回路32,33には、整流制御回路36の出力信号線が接続され、出力された制御信号に応じて整流方向が切り替えられるようになっている。
【選択図】 図1
【解決手段】高電圧発生回路3には第1の整流回路32と第2の整流回路33の直列回路が備えられており、入力端子31aと第1の整流回路32と第2の整流回路33との直列回路の共通接続点との間には第1のコンデンサ34が接続され、第1の整流回路32及び第2の整流回路33の両端には第2のコンデンサ35が接続されると共に、出力端子31bにも接続されている。そして、両整流回路32,33には、整流制御回路36の出力信号線が接続され、出力された制御信号に応じて整流方向が切り替えられるようになっている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、除電装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
除電装置には、従来から特開2000−58290公報に開示されているものが挙げられる。これは、図3に示すように、電源71からの出力電圧を、正極性及び負極性の高電圧発生回路73,74に交互に供給して、これら高電圧発生回路73,74からの正負の高電圧を放電電極77に印加するものである。
【0003】
具体的には、スイッチ72a,72bを介して電源71と両高電圧発生回路73,74とが接続され、これらスイッチ72a,72bは、スイッチ制御回路75からの制御信号により交互にオンされるようになっている。両高電圧発生回路73,74の出力端子の間には、互いに直列接続された2つの抵抗76a,76bが接続されており、この共通接続点に放電電極77が接続された構成とされている。まず、スイッチ制御回路75により、スイッチ72aがオンされると、正極性の高電圧発生回路73のコンデンサ群73aが充電されることによって正の高電圧が生成される。そして、その出力電圧が抵抗76a,76bに印加され、負極性の高電圧発生回路74側に接続された抵抗76bの分担電圧が放電電極77に印加される。放電電極77では、印加電圧がコロナ放電の放電開始電圧に達するとコロナ放電が起こり正のイオンが発生する。
【0004】
一方、スイッチ72bがオンされると、負極性の高電圧発生回路74のコンデンサ群74aが充電されることによって負の高電圧が生成される。そして、その出力電圧が抵抗76a,76bに印加され、正極性の高電圧発生回路に接続された抵抗76aの分担電圧が放電電極77に印加される。放電電極77では、印加電圧がコロナ放電の放電開始電圧に達するとコロナ放電が起こり負のイオンが発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、放電電極77には、高電圧発生回路73,74の出力電圧よりも低い電圧しか印加されないため、放電開始電圧に相当する電圧を放電電極に印加するには、この放電開始電圧よりも高い電圧を出力しなければならない。これによって、高電圧発生回路73,74の出力電圧を無用に高くしなければならないという欠点がある。
【0006】
ところで、スイッチ72a,72bがオフされた側の高電発生回路73,74は電源71からの電圧供給が絶たれて、コンデンサ群73a,74aが放電されるのであるが、放電が完了するまでは電源が接続された側の高電圧発生回路73,74の電圧出力による抵抗76a,76bへの印加電圧とは逆極性の電圧が印加されるため、結果として、放電電極への印加電圧の上昇が抑制されてしまう。ここで、コンデンサ群73a,74aの放電時間は電荷の通る抵抗76a,76bの抵抗値とコンデンサの静電容量との積で表される時定数に依存することから、電荷の通る抵抗76a、76bの抵抗値は、できれば低いほうが望ましい。
【0007】
しかしながら、上記構成では、2つの抵抗素子76a,76bを介してコンデンサ群73a,74aが放電されるので、その放電時間が長時間に亘り、電源が接続された側の高電圧発生回路73,74による放電電極27への印加電圧の上昇を大きく妨げてしまう。この結果、放電電極77の印加電圧が放電開始電圧に到達するまで長時間を要するから、イオンの生成時間が制限される、即ち、イオン生成量が減少してしまい、結局、除電能力を低下させている。
【0008】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、除電能力を向上させることができる除電装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、整流方向を互いに同じくして直列接続された一対の整流手段を備え、両整流手段の共通接続点が第1のコンデンサを介して交流電源の一端に接続されると共に、前記両整流手段の直列回路の両端には第2のコンデンサが接続され、この第2のコンデンサの一端が共通ラインとした前記交流電源の他端に接続されるとともに、第2のコンデンサの他端を出力端子とした倍電圧整流回路が備えられ、前記出力端子に連なる放電電極と前記共通ラインとの間にコロナ放電を生じさせて正負のイオンを発生させるようにした除電装置において、前記整流手段は双方向に整流方向を切り替え可能とされており、これら整流手段の整流方向が互いに同一方向とされるように所定周期で同期させてその整流方向を切り替える整流制御手段が設けられているところに特徴を有する。
【0010】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記高電圧発生回路は複数設けられ、コッククロフト型に接続されているところに特徴を有する。
【0011】
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記整流手段はダイオードと整流用スイッチとの直列回路を2つ備え、それぞれのダイオードの整流方向が互いに逆となるように並列接続されて構成され、前記整流制御手段は前記整流用スイッチを互い違いにオンするようにオン・オフ作動させるものであるところに特徴を有する。
【0012】
【発明の作用及び効果】
従来の除電装置では、高電圧発生回路からの出力電圧が抵抗により分担され、この分担電圧が放電電極に印加されるため、放電電極に印加すべき電圧よりも高い電圧を出力しなければならない。また、高電圧発生回路のコンデンサの放電は、その静電容量と蓄えられた電荷が通る抵抗の抵抗値との積で表される時定数に基づいた放電時間で放電が完了する。従って、従来の構成では2つの抵抗を介して放電されるので、時定数が大きくなり放電時間が長時間に亘る。ここで、コンデンサが放電中であるときには、このコンデンサにより、抵抗には電源が供給されている側の高電圧発生回路による印加電圧とは逆極性の電圧印加が生じ、結果として、この高電圧発生回路による抵抗への印加電圧の電圧上昇が大きく妨げられてしまう。これによって、放電電極への印加電圧の電圧上昇が遅れて、放電開始電圧に至るまでの時間が長引き、イオン生成時間が短くなることによりイオン生成量が減少するという問題がある。
【0013】
この点、請求項1の発明では、第2のコンデンサの充電電圧が出力され、これが放電電極間に印加されるから、無用に高電圧発生回路の出力電圧を高くする必要がない。また、整流制御手段により整流手段の整流方向を交互に切り替える構成としているから、第2のコンデンサの充電電圧の極性が瞬時に切り替わり、所定の電圧をより短い時間で得ることができる。また、抵抗による電力消費がないので、消費電力を低く抑えることもできる。
さらには、高電圧発生回路を複数設け、これら高電圧発生回路をコッククロフト型に接続すれば、より高い電圧が得られる。また、各第2のコンデンサの極性は整流手段により瞬時に切り替えられるから、所定の電圧を得るまでの時間を、高電圧発生回路を単体で用いた場合と同等にできる。
【0014】
【発明の実施の形態】
<第1実施形態>
本発明に係る除電装置の一実施形態について図1を参照して説明する。
本実施形態の除電装置は、交流電源1からの電圧をトランス2により昇圧し、さらに高電圧発生回路3にて高電圧を発生させ、ここの高電圧を放電電極4に印加することにより、コロナ放電を起こしてイオンを生成するものである。
【0015】
さて、高電圧発生回路3は図1に示す通りの構成とされている。即ち、高電圧発生回路3には、第1の整流回路32と第2の整流回路33との直列回路が備えられ、入力端子31aと、この直列回路の共通接続点との間には第1のコンデンサ34が接続され、第1の整流回路32及び第2の整流回路33の両端には第2のコンデンサ35が接続されており、このコンデンサ35の一端が出力端子31bに接続されている。そして、両整流回路32,33には、整流制御回路36の出力信号線が接続され、出力された制御信号に応じて整流方向が切り替えられるようになっている。また、出力端子31bには放電電極4が接続されている。
【0016】
第1の整流回路32は第1のダイオード32aのアノードに第1のFET32bのソースを接続した直列回路と、第2のダイオード32cのカソードに第2のFET32dのドレインを接続した直列回路とが設けられ、ダイオード32a,32cの整流方向が互いに逆となるように両直列回路が並列接続されている。また、それぞれのFET32b,32dのゲート・ソース間には、例えば発光ダイオードDとフォトダイオードPDとからなるフォトカプラ32e,32fが介されており、フォトダイオードPDがFET32b、32dのゲート・ソース間に接続されている。第2の整流回路33は、第1の整流回路32と同一の回路構成であり、第1の整流回路の構成と区別するために符号を33として、添え字を共通としている。
尚、各FET32c,32d,33c,33dは、例えばエンハンスメント型のN−MOSFETとされている。また、高電圧発生回路3を複数設けてコッククロフト型に接続してもよく、このようにすれば、さらに高い電圧を取り出すことができる。
【0017】
フォトカプラ32e,32f,33e,33fの発光ダイオードDは整流制御回路36の出力信号線に接続されており、ここから出力されるハイレベル「H」・ロウレベル「L」が交互に続くパルス状の制御信号を受けるようになっている。このうち、フォトカプラ32f,33fのダイオードDはNOT回路37を介して整流制御回路36の信号線に接続されている。
【0018】
以下、本実施形態の作用について説明する。
交流電源1からの電圧はトランス2により所定の電圧に昇圧され、ダイオード32a,32c,33a,33c及びFET32b,32d,33b,33dを介して、コンデンサ34,35が充電される。このとき、コンデンサ35の充電電圧はトランス2の二次電圧の2倍の電圧とされる。尚、第2のコンデンサの充電電圧は放電電極4にてコロナ放電を起こすための放電開始電圧よりも所定電圧だけ高い電圧である。
まず、整流制御回路36からの制御信号が「H」のときには、フォトカプラ32e,33eの発光ダイオードDが発光することによってフォトダイオードPDに電流が流れて電位差が生ずる。すると、FET32b,33bがオンするから、コンデンサ35には出力端子31bが正の電圧となるように充電される。従って、出力端子31bが負となるようにコンデンサ35が充電されているときには、ダイオード32a,33a,32b,33bを介して電荷が移動して、出力端子31bが正の電圧となるように極性が反転する。
【0019】
逆に、整流制御回路36からの制御信号が「L」のときには、フォトカプラ32f,33fの発光ダイオードDが発光することによってフォトダイオードPDに電流が流れる。すると、FET32d,33dがオンするから、コンデンサ35には出力端子31bが負の電圧となるように充電される。従って、出力端子31bが正となるようにコンデンサ35が充電されているときには、ダイオード32c,33c,32d,33dを介して電荷が移動して、出力端子31bが負となるように極性が反転する。これによって、放電電極4には、正負の電圧が交互に印加され、放電開始電圧に到達すると正負のイオンが生成される。
【0020】
本実施形態の除電装置によれば、高電圧発生回路の出力電圧が放電電極に印加されるから、この高電圧発生回路の出力電圧を無用に高くする必要がない。
また、FET32b,32d,33b,33dのスイッチングにより、充電されたコンデンサ35の極性を反転するようにしているから、極めて短い時間で極性を反転することができる。これによって、放電電極4に印加される正負の電圧の放電開始電圧に到達するまでの時間を極めて短くすることができるから、放電開始電圧以上の電圧に維持される時間を長くできる。この結果、正負イオンの生成時間が長くなり、もって、イオン生成量を増加させて除電能力を向上させることができるのである。
【0021】
<第2実施形態>
本発明に係る高電圧発生装置を除電装置に適用した一実施形態について図1を参照して説明する。尚、第1実施形態と同一の部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
本実施形態の除電装置は直流電源5が用いられており、トランス2と直流電源5との間にトランジスタ6を接続して、スイッチング動作させることにより直流電源5からの直流電圧を交流電圧に変換してトランス2に供給する構成とされている。このような構成としても第1実施形態と同様の効果が得られる。
【0022】
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態では、発光ダイオードDとフォトダイオードPDからなるフォトカプラを用いた構成を示したが、例えば、発光ダイオードDとフォトトランジスタとからなるフォトカプラを用いても良い。
【0023】
(2)また、1つの高電圧発生回路により構成される除電装置を示したが、この高電圧発生回路を多段に重ねた構成としても良い。
【0024】
(3)上記実施形態では、スイッチとしてNチャネル型のMOSFETを用いたが、例えば、Pチャネル型のMOSFETであっても良い。
【0025】
(4)また、ダイオード32a,32c,33a,33cの代わりにダイオード接続(NPN型のトランジスタの場合にはベース・コレクタ間を接続し、PNP型トランジスタの場合にはベース・エミッタ間を接続することをいう)されたトランジスタを用いる構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る除電装置の回路図
【図2】第2実施形態に係る除電装置の回路図
【図3】従来の除電装置の回路図
【符号の説明】
1…電源
3…高電圧発生回路
4…放電電極
32a,32c,33a,33c…ダイオード
32b,32d,33b,33d…FET
32e,32f,33e,33f…フォトカプラ
34,35…コンデンサ
36…整流制御回路
【発明の属する技術分野】
本発明は、除電装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
除電装置には、従来から特開2000−58290公報に開示されているものが挙げられる。これは、図3に示すように、電源71からの出力電圧を、正極性及び負極性の高電圧発生回路73,74に交互に供給して、これら高電圧発生回路73,74からの正負の高電圧を放電電極77に印加するものである。
【0003】
具体的には、スイッチ72a,72bを介して電源71と両高電圧発生回路73,74とが接続され、これらスイッチ72a,72bは、スイッチ制御回路75からの制御信号により交互にオンされるようになっている。両高電圧発生回路73,74の出力端子の間には、互いに直列接続された2つの抵抗76a,76bが接続されており、この共通接続点に放電電極77が接続された構成とされている。まず、スイッチ制御回路75により、スイッチ72aがオンされると、正極性の高電圧発生回路73のコンデンサ群73aが充電されることによって正の高電圧が生成される。そして、その出力電圧が抵抗76a,76bに印加され、負極性の高電圧発生回路74側に接続された抵抗76bの分担電圧が放電電極77に印加される。放電電極77では、印加電圧がコロナ放電の放電開始電圧に達するとコロナ放電が起こり正のイオンが発生する。
【0004】
一方、スイッチ72bがオンされると、負極性の高電圧発生回路74のコンデンサ群74aが充電されることによって負の高電圧が生成される。そして、その出力電圧が抵抗76a,76bに印加され、正極性の高電圧発生回路に接続された抵抗76aの分担電圧が放電電極77に印加される。放電電極77では、印加電圧がコロナ放電の放電開始電圧に達するとコロナ放電が起こり負のイオンが発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、放電電極77には、高電圧発生回路73,74の出力電圧よりも低い電圧しか印加されないため、放電開始電圧に相当する電圧を放電電極に印加するには、この放電開始電圧よりも高い電圧を出力しなければならない。これによって、高電圧発生回路73,74の出力電圧を無用に高くしなければならないという欠点がある。
【0006】
ところで、スイッチ72a,72bがオフされた側の高電発生回路73,74は電源71からの電圧供給が絶たれて、コンデンサ群73a,74aが放電されるのであるが、放電が完了するまでは電源が接続された側の高電圧発生回路73,74の電圧出力による抵抗76a,76bへの印加電圧とは逆極性の電圧が印加されるため、結果として、放電電極への印加電圧の上昇が抑制されてしまう。ここで、コンデンサ群73a,74aの放電時間は電荷の通る抵抗76a,76bの抵抗値とコンデンサの静電容量との積で表される時定数に依存することから、電荷の通る抵抗76a、76bの抵抗値は、できれば低いほうが望ましい。
【0007】
しかしながら、上記構成では、2つの抵抗素子76a,76bを介してコンデンサ群73a,74aが放電されるので、その放電時間が長時間に亘り、電源が接続された側の高電圧発生回路73,74による放電電極27への印加電圧の上昇を大きく妨げてしまう。この結果、放電電極77の印加電圧が放電開始電圧に到達するまで長時間を要するから、イオンの生成時間が制限される、即ち、イオン生成量が減少してしまい、結局、除電能力を低下させている。
【0008】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、除電能力を向上させることができる除電装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、整流方向を互いに同じくして直列接続された一対の整流手段を備え、両整流手段の共通接続点が第1のコンデンサを介して交流電源の一端に接続されると共に、前記両整流手段の直列回路の両端には第2のコンデンサが接続され、この第2のコンデンサの一端が共通ラインとした前記交流電源の他端に接続されるとともに、第2のコンデンサの他端を出力端子とした倍電圧整流回路が備えられ、前記出力端子に連なる放電電極と前記共通ラインとの間にコロナ放電を生じさせて正負のイオンを発生させるようにした除電装置において、前記整流手段は双方向に整流方向を切り替え可能とされており、これら整流手段の整流方向が互いに同一方向とされるように所定周期で同期させてその整流方向を切り替える整流制御手段が設けられているところに特徴を有する。
【0010】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記高電圧発生回路は複数設けられ、コッククロフト型に接続されているところに特徴を有する。
【0011】
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記整流手段はダイオードと整流用スイッチとの直列回路を2つ備え、それぞれのダイオードの整流方向が互いに逆となるように並列接続されて構成され、前記整流制御手段は前記整流用スイッチを互い違いにオンするようにオン・オフ作動させるものであるところに特徴を有する。
【0012】
【発明の作用及び効果】
従来の除電装置では、高電圧発生回路からの出力電圧が抵抗により分担され、この分担電圧が放電電極に印加されるため、放電電極に印加すべき電圧よりも高い電圧を出力しなければならない。また、高電圧発生回路のコンデンサの放電は、その静電容量と蓄えられた電荷が通る抵抗の抵抗値との積で表される時定数に基づいた放電時間で放電が完了する。従って、従来の構成では2つの抵抗を介して放電されるので、時定数が大きくなり放電時間が長時間に亘る。ここで、コンデンサが放電中であるときには、このコンデンサにより、抵抗には電源が供給されている側の高電圧発生回路による印加電圧とは逆極性の電圧印加が生じ、結果として、この高電圧発生回路による抵抗への印加電圧の電圧上昇が大きく妨げられてしまう。これによって、放電電極への印加電圧の電圧上昇が遅れて、放電開始電圧に至るまでの時間が長引き、イオン生成時間が短くなることによりイオン生成量が減少するという問題がある。
【0013】
この点、請求項1の発明では、第2のコンデンサの充電電圧が出力され、これが放電電極間に印加されるから、無用に高電圧発生回路の出力電圧を高くする必要がない。また、整流制御手段により整流手段の整流方向を交互に切り替える構成としているから、第2のコンデンサの充電電圧の極性が瞬時に切り替わり、所定の電圧をより短い時間で得ることができる。また、抵抗による電力消費がないので、消費電力を低く抑えることもできる。
さらには、高電圧発生回路を複数設け、これら高電圧発生回路をコッククロフト型に接続すれば、より高い電圧が得られる。また、各第2のコンデンサの極性は整流手段により瞬時に切り替えられるから、所定の電圧を得るまでの時間を、高電圧発生回路を単体で用いた場合と同等にできる。
【0014】
【発明の実施の形態】
<第1実施形態>
本発明に係る除電装置の一実施形態について図1を参照して説明する。
本実施形態の除電装置は、交流電源1からの電圧をトランス2により昇圧し、さらに高電圧発生回路3にて高電圧を発生させ、ここの高電圧を放電電極4に印加することにより、コロナ放電を起こしてイオンを生成するものである。
【0015】
さて、高電圧発生回路3は図1に示す通りの構成とされている。即ち、高電圧発生回路3には、第1の整流回路32と第2の整流回路33との直列回路が備えられ、入力端子31aと、この直列回路の共通接続点との間には第1のコンデンサ34が接続され、第1の整流回路32及び第2の整流回路33の両端には第2のコンデンサ35が接続されており、このコンデンサ35の一端が出力端子31bに接続されている。そして、両整流回路32,33には、整流制御回路36の出力信号線が接続され、出力された制御信号に応じて整流方向が切り替えられるようになっている。また、出力端子31bには放電電極4が接続されている。
【0016】
第1の整流回路32は第1のダイオード32aのアノードに第1のFET32bのソースを接続した直列回路と、第2のダイオード32cのカソードに第2のFET32dのドレインを接続した直列回路とが設けられ、ダイオード32a,32cの整流方向が互いに逆となるように両直列回路が並列接続されている。また、それぞれのFET32b,32dのゲート・ソース間には、例えば発光ダイオードDとフォトダイオードPDとからなるフォトカプラ32e,32fが介されており、フォトダイオードPDがFET32b、32dのゲート・ソース間に接続されている。第2の整流回路33は、第1の整流回路32と同一の回路構成であり、第1の整流回路の構成と区別するために符号を33として、添え字を共通としている。
尚、各FET32c,32d,33c,33dは、例えばエンハンスメント型のN−MOSFETとされている。また、高電圧発生回路3を複数設けてコッククロフト型に接続してもよく、このようにすれば、さらに高い電圧を取り出すことができる。
【0017】
フォトカプラ32e,32f,33e,33fの発光ダイオードDは整流制御回路36の出力信号線に接続されており、ここから出力されるハイレベル「H」・ロウレベル「L」が交互に続くパルス状の制御信号を受けるようになっている。このうち、フォトカプラ32f,33fのダイオードDはNOT回路37を介して整流制御回路36の信号線に接続されている。
【0018】
以下、本実施形態の作用について説明する。
交流電源1からの電圧はトランス2により所定の電圧に昇圧され、ダイオード32a,32c,33a,33c及びFET32b,32d,33b,33dを介して、コンデンサ34,35が充電される。このとき、コンデンサ35の充電電圧はトランス2の二次電圧の2倍の電圧とされる。尚、第2のコンデンサの充電電圧は放電電極4にてコロナ放電を起こすための放電開始電圧よりも所定電圧だけ高い電圧である。
まず、整流制御回路36からの制御信号が「H」のときには、フォトカプラ32e,33eの発光ダイオードDが発光することによってフォトダイオードPDに電流が流れて電位差が生ずる。すると、FET32b,33bがオンするから、コンデンサ35には出力端子31bが正の電圧となるように充電される。従って、出力端子31bが負となるようにコンデンサ35が充電されているときには、ダイオード32a,33a,32b,33bを介して電荷が移動して、出力端子31bが正の電圧となるように極性が反転する。
【0019】
逆に、整流制御回路36からの制御信号が「L」のときには、フォトカプラ32f,33fの発光ダイオードDが発光することによってフォトダイオードPDに電流が流れる。すると、FET32d,33dがオンするから、コンデンサ35には出力端子31bが負の電圧となるように充電される。従って、出力端子31bが正となるようにコンデンサ35が充電されているときには、ダイオード32c,33c,32d,33dを介して電荷が移動して、出力端子31bが負となるように極性が反転する。これによって、放電電極4には、正負の電圧が交互に印加され、放電開始電圧に到達すると正負のイオンが生成される。
【0020】
本実施形態の除電装置によれば、高電圧発生回路の出力電圧が放電電極に印加されるから、この高電圧発生回路の出力電圧を無用に高くする必要がない。
また、FET32b,32d,33b,33dのスイッチングにより、充電されたコンデンサ35の極性を反転するようにしているから、極めて短い時間で極性を反転することができる。これによって、放電電極4に印加される正負の電圧の放電開始電圧に到達するまでの時間を極めて短くすることができるから、放電開始電圧以上の電圧に維持される時間を長くできる。この結果、正負イオンの生成時間が長くなり、もって、イオン生成量を増加させて除電能力を向上させることができるのである。
【0021】
<第2実施形態>
本発明に係る高電圧発生装置を除電装置に適用した一実施形態について図1を参照して説明する。尚、第1実施形態と同一の部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
本実施形態の除電装置は直流電源5が用いられており、トランス2と直流電源5との間にトランジスタ6を接続して、スイッチング動作させることにより直流電源5からの直流電圧を交流電圧に変換してトランス2に供給する構成とされている。このような構成としても第1実施形態と同様の効果が得られる。
【0022】
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態では、発光ダイオードDとフォトダイオードPDからなるフォトカプラを用いた構成を示したが、例えば、発光ダイオードDとフォトトランジスタとからなるフォトカプラを用いても良い。
【0023】
(2)また、1つの高電圧発生回路により構成される除電装置を示したが、この高電圧発生回路を多段に重ねた構成としても良い。
【0024】
(3)上記実施形態では、スイッチとしてNチャネル型のMOSFETを用いたが、例えば、Pチャネル型のMOSFETであっても良い。
【0025】
(4)また、ダイオード32a,32c,33a,33cの代わりにダイオード接続(NPN型のトランジスタの場合にはベース・コレクタ間を接続し、PNP型トランジスタの場合にはベース・エミッタ間を接続することをいう)されたトランジスタを用いる構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る除電装置の回路図
【図2】第2実施形態に係る除電装置の回路図
【図3】従来の除電装置の回路図
【符号の説明】
1…電源
3…高電圧発生回路
4…放電電極
32a,32c,33a,33c…ダイオード
32b,32d,33b,33d…FET
32e,32f,33e,33f…フォトカプラ
34,35…コンデンサ
36…整流制御回路
Claims (3)
- 整流方向を互いに同じくして直列接続された一対の整流手段を備え、両整流手段の共通接続点が第1のコンデンサを介して交流電源の一端に接続されると共に、前記両整流手段の直列回路の両端には第2のコンデンサが接続され、この第2のコンデンサの一端が共通ラインとした前記交流電源の他端に接続されるとともに、第2のコンデンサの他端を出力端子とした倍電圧整流回路が備えられ、前記出力端子に連なる放電電極と前記共通ラインとの間にコロナ放電を生じさせて正負のイオンを発生させるようにした除電装置において、
前記整流手段は双方向に整流方向を切り替え可能とされており、これら整流手段の整流方向が互いに同一方向とされるように所定周期で同期させてその整流方向を切り替える整流制御手段が設けられていることを特徴とする除電装置。 - 前記高電圧発生回路は複数設けられ、コッククロフト型に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の除電装置。
- 前記整流手段はダイオードと整流用スイッチとの直列回路を2つ備え、それぞれのダイオードの整流方向が互いに逆となるように並列接続されて構成され、前記整流制御手段は前記整流用スイッチを互い違いにオンするようにオン・オフ作動させるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の除電装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-07-31 JP JP2002224139A patent/JP2004063426A/ja active Pending
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