JP2004056152A - 薄膜の形成方法および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
薄膜の形成方法および半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 SiH4、NH3、H2および希ガスの混合ガスが供給された反応容器内の圧力をほぼ大気圧に調整し、混合ガス中のNH3のSiH4に対する割合(NH3/SiH4比)を2以上20以下、かつ、混合ガス中のH2の割合を5%以上(好ましくは10%以上)にした原料ガスを用いたプラズマCVD法によりSiNxの薄膜を形成する。
【選択図】 図5
Description
Si−N結合の平均結合密度=Σ(Ni・ti)/Σti
Ni:計測位置iにおけるSi−N結合の結合密度
ti:計測位置iにおける膜厚
さらに、膜中水素量は、Si−N結合の平均結合密度と同様の方法でSi−H結合の平均結合密度およびN−H結合の平均結合密度を算出し、両者を加算することにより求められる。
4 基板ステージ
6 基板
13 プラズマ空間
20 TFT(半導体デバイス)
21 ゲート電極
22 SiNxの薄膜(ゲート絶縁膜)
23 アモルファスシリコン膜
24 アモルファスシリコン(n+)膜
25 ドレイン電極
26 ソース電極
Claims (10)
- 反応容器内の基板ステージ上に載置された基板上にSiNxの薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
該反応容器内に原料ガスを供給する工程と、
該反応容器内に供給した該原料ガスの全ガス圧が10Torr〜5気圧になるように調節する工程と、
該基板ステージの上方に設けられた電極に電力を印加して、該電極と該基板ステージとの間に電場を発生させ、該電極と該基板ステージに載置された基板との間の原料ガスをプラズマ状態にする工程と、
を包含し、
該原料ガスがSiH4、NH3、H2、希ガスを含み、NH3のSiH4に対する割合(NH3/SiH4比)が2以上20以下であることを特徴とする、薄膜形成方法。 - 前記原料ガス中のNH3のSiH4に対する割合(NH3/SiH4比)が4以上10以下である、請求項1に記載の薄膜形成方法。
- 反応容器内の基板ステージ上に載置された基板上にSiNxの薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
該反応容器内に原料ガスを供給する工程と、
該反応容器内に供給した該原料ガスの全ガス圧が10Torr〜5気圧になるように調節する工程と、
該基板ステージの上方に設けられた電極に電力を印加して、該電極と該基板ステージとの間に電場を発生させ、該電極と該基板ステージに載置された基板との間の原料ガスをプラズマ状態にする工程と、
を包含し、
該原料ガスがSiH4、NH3、H2、希ガスを含み、該原料ガス中のH2の割合が5%以上30%以下であることを特徴とする、薄膜形成方法。 - 前記原料ガス中のH2の割合は10%以上25%以下である、請求項3に記載の薄膜の形成方法。
- 前記原料ガス中のNH3のSiH4に対する割合(NH3/SiH4比)が2以上20以下である、請求項3に記載の薄膜の形成方法。
- 前記原料ガス中のNH3のSiH4に対する割合(NH3/SiH4比)が4以上10以下である、請求項3に記載の薄膜形成方法。
- 前記電極が、前記基板ステージに回転軸が平行になるように、該基板ステージ上方に設けられた円筒型回転電極である、請求項1または3に記載の薄膜形成方法。
- 前記基板ステージが反応容器の底面に対して平行にスライド可能である、請求項1または3に記載の薄膜形成方法。
- 前記10Torr〜5気圧は100Torr〜2気圧である、請求項1または3に記載の薄膜形成方法。
- 請求項1〜9の何れかに記載の薄膜形成方法を製造工程の一部に用いた半導体デバイスの製造方法。
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JP2011258918A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
JP2012146909A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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