JP2004047492A - 荷電粒子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子ビームを対物偏向器により試料上に走査して得られる二次電子信号を、検出器により検出して画像表示する荷電粒子顕微鏡において、検出器158は対物偏向器より電子ビーム142の上流に設置され、対物偏向器は電磁偏向器144と電磁偏向器と同期して働く静電偏向器161とを含み、静電偏向器161の電場は、電磁偏向器144とほぼ同方向に電子ビーム142を偏向する。
【選択図】図8
Description
また、インレンズ方式の対物レンズを用いる走査型電子顕微鏡において、検出器の下流に偏向器を設けた場合には、電子ビームの偏向領域を広くすることは困難であった。
あるいは、前記静電偏向器による偏向電場の強さと、前記電磁偏向器による偏向磁場の強さとの割合を可変としてもよい。
また、静電偏向器の各電極に共通の静電位を与える手段をさらに設けても良い。
上記の様に構成された走査型電子顕微鏡においては、二次電子の軌道は偏向器によって曲げられることがないので、効率よく検出することができる。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる荷電粒子顕微鏡の模式的な断面図である。電子光学鏡筒101より、集束された電子ビームがウェハ103上の点113(点Aと称する)を中心として照射される。ウェハ103はステージ109上に固定されている。ステージ109は、水平移動機構104、垂直微小移動機構105の上に載置され、これら機構ににより水平方向(x−y方向)の移動および上下方向の微小距離(Δz)の移動が可能となっている。
次に、ステージを水平方向に移動させて、ステージを傾斜させたとき注目点の移動が最小になる位置まで移動させる。このときの注目点の位置は、ほぼ回転軸上にある。以後、ビームの照射位置はこの点に来るように、電子光学顕微鏡を設定する。また、このときのビーム照射位置の高さをz軸センサで測定しておき、この高さを基準位置として、ステージコントローラ112に記憶する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係る荷電粒子顕微鏡(走査型電子顕微鏡)の全体構成図、図3は対物レンズ周辺の概略構成を拡大して示したものである。図2において、125は電界放出型の電子銃で、非常に輝度の高い電子ビーム128を発生する。なお、電子銃の周辺部の詳細は、発明の本質に関係が無いので記載を省略している。この電子ビーム128はコンデンサレンズ126および対物レンズ127によって更に縮小され、試料137の表面に照射される。この時、試料表面から放出される二次電子138を検出器133で検出する。なお、136はアパーチャーである。
図4は、本発明の第3の実施形態に係わる荷電粒子顕微鏡の概略構成を示す図である。本実施形態は第2の実施形態の変形例で、同一箇所には同一番号を付してあるので重複する説明を省略する。
図6は、本発明の第4の実施形態に係わる荷電粒子顕微鏡の概略構成図である。本実施形態は第2の実施形態(若しくは第3の実施形態)の変形例であり、同一箇所には同一番号を付して、重複する説明を省略する。
(erf(1.3dy /a)−erf(0.3dy /a))×(erf(1.2dx /a)+erf(0.2dx /a):
(erf(0.3dy /a)+erf(0.7dy /a))×(erf(0.8dx /a)+erf(0.2dx /a):
(erf(0.3dy /a)+erf(0.7dy /a))×(erf(1.2dx /a)−erf(0.2dx /a)
容易に分かるように、これ以外の領域にも割当てられる。例えば、(1、2)の領域には、(erf(2.3dy /a)−erf(1.3dy /a))×(erf(0.8dx /a)+erf(0.2dx /a)に比例して配分される。
図8は、本発明の第5の実施形態に係わる荷電粒子顕微鏡(走査型電子顕微鏡)の対物レンズ周辺の模式的な断面図である。本実施形態は、インレンズあるいはセミインレンズ方式の電子顕微鏡に関するもので、電子銃、コンデンサレンズ、対物レンズの配列は図14と同様であるが、二次電子検出器の位置と、偏向器の位置と構成に特徴がある。
磁場による分が eBL/(2mU1 )1/2
電流による分が eEL/2U1
合計 eBL/(2mU1 )1/2 +eEL/2U1
で与えられる。
で与えられる。ここで、電場、磁場の作用長さは一次電子と同じであると近似している。
102…匡体
103…ウェハ(試料)
104…水平移動機構
105…垂直微小移動機構
106…第1の支持体
107…傾斜機構
108…第2の支持体
109…試料ステージ
110…垂直移動機構駆動装置
111…回転軸(傾斜軸)
112…ステージコントローラ
113…ビーム照射位置
114…発光部
115…受光部
116…高さ演算回路
117…光線
119…垂直移動機構
Claims (3)
- 電子ビームを対物偏向器により試料上に走査して得られる二次電子信号を、検出器により検出して画像表示する荷電粒子顕微鏡において、
前記検出器は、前記対物偏向器より前記電子ビームの上流に設置され、前記対物偏向器は、電磁偏向器と、前記電磁偏向器と同期して働く静電偏向器とを含み、前記静電偏向器の電場は、前記電磁偏向器とほぼ同方向に前記電子ビームを偏向することを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 前記静電偏向器は、前記二次電子の前記電磁偏向器による偏向をほぼ打ち消す電場の強さで動作することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子顕微鏡。
- 前記静電偏向器による偏向電場の強さと、前記電磁偏向器による偏向磁場の強さとの割合を可変とすることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の荷電粒子顕微鏡。
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