JP2017216115A - 磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 - Google Patents
磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017216115A JP2017216115A JP2016108692A JP2016108692A JP2017216115A JP 2017216115 A JP2017216115 A JP 2017216115A JP 2016108692 A JP2016108692 A JP 2016108692A JP 2016108692 A JP2016108692 A JP 2016108692A JP 2017216115 A JP2017216115 A JP 2017216115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- magnetic field
- sample
- electron beam
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
- H01J2237/1514—Prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24495—Signal processing, e.g. mixing of two or more signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2614—Holography or phase contrast, phase related imaging in general, e.g. phase plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2802—Transmission microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
【解決手段】電子源1、電子銃偏向コイル3、収束レンズ4a、4b、照射系非点補正コイル5、照射系偏向コイル6、磁場印加コイル8、対物レンズ11、結像系非点補正コイル12、結像系偏向コイル13a、13b、拡大レンズ17、電子検出器18、制御解析装置20等から構成され、制御解析試料10に第一の磁場を印加した後に、第一の電子線制御を行ない電子検出器の出力信号で第一の電磁場情報を計測し、次に第二の磁場を印加した後に、第二の電子線制御を行い、同様に第二の電磁場情報を計測することを複数回繰り返し、得られた第一と第二の電磁場情報から高精度に試料の電場分布と磁場分布を分離して計測する。
【選択図】図5A
Description
FA=FE+FM ・・・(2)
FB=FE-FM ・・・(3)
ここでFEは電場情報、FMは磁場情報である。試料の表裏を反転させると電子線に対して磁場の方向が反転するため、電子線の変化方向が逆転することにより式(2)と式(3)ではFMの符号が反転している。この性質を利用しこれら二つの計測結果を用い、電場情報と磁場情報を以下の計算式により分離(S105)して得ることが出来る。
FE=(FA+FB)/2 ・・・(4)
FM=(FA-FB)/2 ・・・(5)
二つ目の方法は図2に記載の手順に従い、試料の電磁場情報FAを計測した後に、試料に磁場を印加し試料の磁化を反転(S106)させて磁場情報FBを計測する。このFAとFBからFEとFMを求める方法は図1に記載の方法と同じで、式(4)、式(5)を用いる。
FB2=FE ・・・(6)
式(2)と式(6)式から以下の計算式で磁場情報を得ることが出来る。
FM=FA−FB2 ・・・(7)
これまでの電子顕微鏡における磁場を観察する際の空間分解能は、加速電圧300kVの透過型電子顕微鏡で約2nmであった。しかし、近年、電子顕微鏡のレンズの収差を補正する技術が開発され、電磁場計測装置の空間分解能は飛躍的に向上した。しかし、電子顕微鏡像の空間分解能は向上したものの、位相検出感度に関して課題が残っていた。それは電子顕微鏡の分解能が高くなり高分解能観察を行う場合、計測する二点間における電磁場情報の変化量が小さくなり、より高い位相計測精度が求められることである。従って、高分解能電磁場観察におけるボトルネックは計測精度が十分でないことにある。
2 加速管
3 電子銃偏向コイル
4a、4b 収束レンズ
5 照射系非点補正コイル
6a 照射系上段偏向コイル
6b 照射系下段偏向コイル
7a 照射系上段スキャンコイル
7b 照射系下段スキャンコイル
8 磁場印加コイル
8a X方向磁場印加コイル
8b Y方向磁場印加コイル
9 照射電子線
10 試料
11 対物レンズ
12 結像系非点補正コイル
13a 結像系上段偏向コイル
13b 結像系下段偏向コイル
14a 結像系上段スキャンコイル
14b 結像系下段スキャンコイル
15a、25a フィラメント電極
15b、25b 平板電極
16 拡大像
17 拡大レンズ
18 電子検出器
19 電源
20 制御解析装置
21 モニタ
22 試料面
23 像面
24 拡大レンズの偏向コイル
25 第二の電子線バイプリズム
26 第二の像面
91、92 計測処理
Claims (15)
- 磁場計測用電子顕微鏡であって、
電子源から発せられた電子線を加速し、収束レンズで試料への電子線照射領域を調整し、前記試料を透過した電子線を少なくとも一つ以上の拡大レンズで投影倍率を調整して電子検出器へ投影して検出した信号を解析し、試料の電磁場を解析する制御解析装置と、
前記試料に磁場を印加する磁場印加コイルと、
前記試料に照射される前記電子線の非点を制御するコイルと、
前記試料に照射される前記電子線の傾斜と位置を制御する照射系偏向コイルと、
前記試料を透過した電子線が前記電子検出器に到達する際の非点を制御するコイルと、
前記試料を透過した電子線が前記電子検出器に到達する際の傾斜と位置を制御する結像系偏向コイルと、を備え、
前記制御解析装置は、
前記試料に第一の磁場を印加した後に、電磁場情報を計測することと、前記試料に第二の磁場を印加した後に、電磁場情報を計測することを複数回繰り返して計測し、計測した前記電磁場情報から磁場印加により変化した磁場情報を算出する、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項1記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記制御解析装置は、
前記試料に第一の磁場を印加した後に、前記電子源から前記電子検出器に到達する電子線に対して第一の電子線制御を与えて前記電磁場情報を計測し、前記試料に第二の磁場を印加した後に、前記電子源から前記電子検出器に到達する電子線に対して第二の電子線制御を与えて前記電磁場情報を計測する、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項1記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記磁場印加コイルは、当該磁場計測用電子顕微鏡の光軸をZ方向とした時にX、Y方向に磁場をそれぞれ印加するX方向磁場印加コイルと、Y方向磁場印加コイルで構成される、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項1記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記試料と前記拡大レンズの間に対物レンズと、前記試料から前記電子検出器までの間に電子線バイプリズムと、を備え、
前記電子線バイプリズムにより前記試料を透過した物体波ともう一方の参照領域を通過した参照波に対して電子線進行方向と垂直方向に偏向を与え、
前記電子検出器において前記物体波と前記参照波の干渉縞を取得し、
前記制御解析装置により前記干渉縞を解析して前記試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項1記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記試料と前記拡大レンズの間に対物レンズと、前記試料から前記電子検出器までの間に二つの電子線バイプリズム、とを備え、
上段の前記電子線バイプリズムのフィラメント電極が結像系の像面に位置し、
下段の前記電子線バイプリズムのフィラメント電極が上段の前記電子線バイプリズムのつくる影の位置に配置され、
二つの前記電子線バイプリズムにより前記試料を透過した物体波ともう一方の参照領域を通過した参照波に対して電子線進行方向と垂直方向に偏向を与え、前記電子検出器において前記物体波と前記参照波の干渉縞を取得し、前記制御解析装置により前記干渉縞を解析し試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項1記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記試料と前記拡大レンズの間に対物レンズを備え、
前記電子検出器に投影される焦点を変化させて透過型電子顕微鏡像を取得し、
前記制御解析装置により前記透過型電子顕微鏡像を解析して前記試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項1記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記収束レンズと前記試料の間に対物レンズと、前記電子源と前記試料の間に照射系スキャンコイルと、前記試料と前記電子検出器の間に結像系スキャンコイルと、を備え、
前記制御解析装置は、
前記照射系スキャンコイルにより前記試料を照射する前記電子線を走査し、
前記電子線が前記電子検出器に到達するように前記照射系スキャンコイルと連動して前記結像系スキャンコイルが前記電子線の走査を行ない、
前記電子検出器で検出される前記電子線の位置変化を解析して試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項2記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記磁場印加コイルは、当該磁場計測用電子顕微鏡の光軸をZ方向とした時にX、Y方向に磁場をそれぞれ印加するX方向磁場印加コイルと、Y方向磁場印加コイルで構成される、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項2記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記試料と前記拡大レンズの間に対物レンズと、前記試料から前記電子検出器までの間に電子線バイプリズムと、を備え、
前記電子線バイプリズムにより前記試料を透過した物体波ともう一方の参照領域を通過した参照波に対して電子線進行方向と垂直方向に偏向を与え、
前記電子検出器において前記物体波と前記参照波の干渉縞を取得し、
前記制御解析装置により前記干渉縞を解析して前記試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項2記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記試料と前記拡大レンズの間に対物レンズと、前記試料から前記電子検出器までの間に二つの電子線バイプリズムと、を備え、
上段の前記電子線バイプリズムのフィラメント電極が結像系の像面に位置し、
下段の前記電子線バイプリズムのフィラメント電極が上段の前記電子線バイプリズムのつくる影の位置に配置され、
二つの前記電子線バイプリズムにより前記試料を透過した物体波ともう一方の参照領域を通過した参照波に対して電子線進行方向と垂直方向に偏向を与え、前記電子検出器において前記物体波と前記参照波の干渉縞を取得し、前記制御解析装置により前記干渉縞を解析し試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項2記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記試料と前記拡大レンズの間に対物レンズを備え、
前記電子検出器に投影される焦点を変化させて透過型電子顕微鏡像を取得し、
前記制御解析装置により前記透過型電子顕微鏡像を解析して前記試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 請求項2記載の磁場計測用電子顕微鏡であって、
前記収束レンズと前記試料の間に対物レンズと、前記電子源と前記試料の間に照射系スキャンコイルと、前記試料と前記電子検出器の間に結像系スキャンコイルと、を備え、
前記制御解析装置は、
前記照射系スキャンコイルにより前記試料を照射する前記電子線を走査し、
前記電子線が前記電子検出器に到達するように前記照射系スキャンコイルと連動して前記結像系スキャンコイルが前記電子線の走査を行ない、
前記電子検出器で検出される前記電子線の位置変化を解析して試料の電磁場情報を得る、
ことを特徴とする磁場計測用電子顕微鏡。 - 電子顕微鏡による磁場計測法であって、
前記電子顕微鏡は、
電子源から発せられた電子線を加速し、試料への電子線照射領域を調整し、前記試料を透過した電子線を少なくとも一つ以上の拡大レンズで投影倍率を調整して電子検出器へ投影して検出した信号を解析し、試料の電磁場を解析する制御解析装置と、前記試料に磁場を印加する磁場印加コイルと、前記試料に照射される前記電子線の非点を制御するコイルと、前記試料に照射される前記電子線の傾斜と位置を制御する照射系偏向コイルと、前記試料を透過した電子線が前記電子検出器に到達する際の非点を制御するコイルと、前記試料を透過した電子線が前記電子検出器に到達する際の傾斜と位置を制御する結像系偏向コイルと、を備え、
前記制御解析装置は、
前記試料に第一の磁場を印加した後に、電磁場情報を計測することと、前記試料に第二の磁場を印加した後に、電磁場情報を計測することを複数回繰り返して計測し、計測した前記電磁場情報から磁場印加により変化した磁場情報を算出する、
ことを特徴とする電子顕微鏡による磁場計測法。 - 請求項13記載の磁場計測法であって、
前記制御解析装置は、
前記試料に第一の磁場を印加した後に、前記電子源から前記電子検出器に到達する電子線に対して第一の電子線制御を与えて前記電磁場情報を計測し、前記試料に第二の磁場を印加した後に、前記電子源から前記電子検出器に到達する電子線に対して第二の電子線制御を与えて前記電磁場情報を計測する、
ことを特徴とする磁場計測法。 - 請求項13記載の磁場計測法であって、
前記制御解析装置は、
前記磁場印加コイルに磁場パルスを印加して前記第一の磁場を前記試料に印加し、前記磁場パルスとは逆極性の磁場パルスを印加して前記第二の磁化を前記試料に印加するよう制御する、
ことを特徴とする磁場計測法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016108692A JP6554066B2 (ja) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 |
US16/302,854 US10629410B2 (en) | 2016-05-31 | 2017-03-13 | Electron microscope for magnetic field measurement and magnetic field measurement method |
PCT/JP2017/009982 WO2017208560A1 (ja) | 2016-05-31 | 2017-03-13 | 磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016108692A JP6554066B2 (ja) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017216115A true JP2017216115A (ja) | 2017-12-07 |
JP2017216115A5 JP2017216115A5 (ja) | 2018-12-20 |
JP6554066B2 JP6554066B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=60479268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016108692A Active JP6554066B2 (ja) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10629410B2 (ja) |
JP (1) | JP6554066B2 (ja) |
WO (1) | WO2017208560A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022020199A (ja) * | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 日本電子株式会社 | 画像処理方法および画像処理装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110278372B (zh) * | 2019-06-26 | 2021-03-30 | Oppo广东移动通信有限公司 | 防抖方法和装置、电子设备、计算机可读存储介质 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS597183B2 (ja) * | 1979-10-26 | 1984-02-16 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡 |
US4376249A (en) * | 1980-11-06 | 1983-03-08 | International Business Machines Corporation | Variable axis electron beam projection system |
FR2575597B1 (fr) * | 1984-12-28 | 1987-03-20 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil pour la micro-analyse ionique a tres haute resolution d'un echantillon solide |
US5546319A (en) * | 1994-01-28 | 1996-08-13 | Fujitsu Limited | Method of and system for charged particle beam exposure |
JP3392550B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2003-03-31 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線の偏向角測定方法及び荷電粒子線装置 |
JP3469213B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2003-11-25 | 株式会社日立製作所 | 磁場印加試料観察システム |
JP4512180B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-28 | 独立行政法人理化学研究所 | 干渉装置 |
JP5241353B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2013-07-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡の調整方法、及び走査電子顕微鏡 |
JP2012129137A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Hitachi Ltd | 磁場印加試料保持装置およびそれを用いた荷電粒子線装置 |
JP6061771B2 (ja) | 2013-04-25 | 2017-01-18 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダおよびそれを用いた荷電粒子線装置 |
WO2015045468A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2018174016A (ja) * | 2015-07-29 | 2018-11-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
-
2016
- 2016-05-31 JP JP2016108692A patent/JP6554066B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-13 US US16/302,854 patent/US10629410B2/en active Active
- 2017-03-13 WO PCT/JP2017/009982 patent/WO2017208560A1/ja active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022020199A (ja) * | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 日本電子株式会社 | 画像処理方法および画像処理装置 |
JP7083869B2 (ja) | 2020-07-20 | 2022-06-13 | 日本電子株式会社 | 画像処理方法および画像処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10629410B2 (en) | 2020-04-21 |
WO2017208560A1 (ja) | 2017-12-07 |
US20190295817A1 (en) | 2019-09-26 |
JP6554066B2 (ja) | 2019-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4464857B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
TWI592976B (zh) | Charged particle beam device and inspection method using the device | |
JP7228558B2 (ja) | 透過菊池回折パターンの改良方法 | |
WO2015015985A1 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における収差測定法 | |
US20140197312A1 (en) | Electron microscope and sample observation method | |
WO2017208560A1 (ja) | 磁場計測用電子顕微鏡、及び磁場計測法 | |
JP6449526B2 (ja) | 電子顕微鏡および観察方法 | |
Wu et al. | Correlative micro-diffraction and differential phase contrast study of mean inner potential and subtle beam-specimen interaction | |
JP5663591B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP6163063B2 (ja) | 走査透過電子顕微鏡及びその収差測定方法 | |
JPWO2019058440A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US10636622B2 (en) | Scanning transmission electron microscope | |
JP5397060B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡及び解析方法 | |
Scholl et al. | Hartmann characterization of the PEEM-3 aberration-corrected X-ray photoemission electron microscope | |
CN118103941A (zh) | 在多束系统中对成像分辨率进行全局与区域优化的方法 | |
JP2017216115A5 (ja) | ||
JP2009129799A (ja) | 走査透過型電子顕微鏡 | |
JP2010182895A (ja) | パターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置 | |
JP2005294085A (ja) | 走査電子線干渉装置 | |
US20240192152A1 (en) | Information processing system and phase analysis system | |
KR20190111730A (ko) | 전자빔 장치 | |
JP6595856B2 (ja) | 荷電粒子装置および測定方法 | |
JP7381432B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US20230207258A1 (en) | Interference scanning transmission electron microscope | |
JP5174483B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190705 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6554066 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |