JP2004039666A - 半導体ベアチップ用汎用パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は半導体ベアチップ用汎用パッケージに関し、カスタムメイド半導体装置の製造コストを安価とすることを課題とする。
【解決手段】合成樹脂製であり、金属板２０と一体的に成形されており、底板部とこの底板部の周囲の枠部１３とよりなり、底板部の上面に金属板２０が露出してある本体部１１と、本体部１１の枠部１３を貫通して固定してあるリード３０とを有する。金属板２０は、半導体ベアチップ５０，６０，７０の何れもが搭載される大きさである。搭載された半導体ベアチップのパッドとインナーリード部３１との間がワイヤボンディングされてワイヤによって接続される。
【選択図】 図２
【解決手段】合成樹脂製であり、金属板２０と一体的に成形されており、底板部とこの底板部の周囲の枠部１３とよりなり、底板部の上面に金属板２０が露出してある本体部１１と、本体部１１の枠部１３を貫通して固定してあるリード３０とを有する。金属板２０は、半導体ベアチップ５０，６０，７０の何れもが搭載される大きさである。搭載された半導体ベアチップのパッドとインナーリード部３１との間がワイヤボンディングされてワイヤによって接続される。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ベアチップ用汎用パッケージに係り、特に半導体装置又はハイブリッドＩＣ装置のパッケージに関する。
【０００２】
半導体ベアチップとパッケージとによってプリント基板上に実装される半導体装置が構成される。パッケージとは、半導体部品を配置、接続、保護するための容器であり、外部導線を有する容器をいう。
【０００３】
【従来の技術】
図１は従来の表面実装タイプの半導体装置１を示す。半導体装置１は、構造的には、ベアチップ２とパッケージ３とよりなる。パッケージ３は、ベアチップ２が搭載されたリードフレーム４と、ベアチップ２を封止する熱硬化性の合成樹脂部５とよりなる構成である。リードフレーム４は、中央のアイランド４ａと、左右に延びているリード４ｂとを有する。
【０００４】
この半導体装置１は、アイランド４ａ上にベアチップ２を搭載し、ワイヤボンディングを行ってベアチップ２とリード４ｂとの間をワイヤ６でもって接続し、金型を使用して熱硬化性の合成樹脂をベアチップ２を封止するように成形し、最後に、リード４ｂを切断し曲げることによって製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この構造の半導体装置１は、ベアチップ２のサイズが相違すれば、ベアチップ２のサイズに合ったリードフレームが新たに必要となり、且つベアチップ２のサイズに合った合成樹脂成形金型が新たに必要となる構成である。
【０００６】
また、最近では、システムＬＳＩのようなカスタムメイドの半導体装置を製造する場合が多くなってきている。カスタムメイドの半導体装置は生産量が一般的に少ないため、カスタムメイドの半導体装置の受注の都度、リードフレームのプレス金型を製作し、樹脂成形金型を製作していると、カスタムメイドの半導体装置の製造コストが高くなってしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記課題を解決した半導体ベアチップ用汎用パッケージを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、半導体ベアチップが樹脂で封止された半導体装置を製造するときに汎用的に使用される半導体ベアチップ用汎用パッケージであって、
合成樹脂製であり、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなり、該底板部上に半導体ベアチップが搭載される半導体ベアチップ搭載部を有する本体部と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたものである。
【０００９】
半導体ベアチップ用汎用パッケージはサイズの異なる複数の種類の半導体ベアチップに対して共通に使用可能である汎用性を有するため、複数の種類の半導体ベアチップに対して同じパッケージを使用することが出来、よって、半導体装置の製造のコストを抑えることが出来、特にシステムＬＳＩのようなカスタムメイドの半導体装置の製造に適用して有効である。
【００１０】
請求項２の発明は、半導体ベアチップが樹脂で封止された半導体装置を製造するときに汎用的に使用される半導体ベアチップ用汎用パッケージであって、
上面に半導体ベアチップが搭載される半導体ベアチップ搭載部を有する金属板と、
合成樹脂製であり、上記金属板と一体的に成形されており、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなり、該底板部の上面に上記金属板が露出してある本体部と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたものである。
【００１１】
半導体ベアチップ搭載部を有する金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列している半導体装置を実現することが出来る。
【００１２】
請求項３の発明は、ＩＣ部品及び電子部品が樹脂で封止されたハイブリッドＩＣ装置を製造するときに使用されるハイブリッドＩＣ用パッケージであって、
合成樹脂製であり、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなる本体部と、
上面に配線パターン、実装用パッド及びワイヤがボンディング用パッドを有し、
該本体部と一体であり、該底板部の上面に露出している配線パターン付き金属板と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたものである。
【００１３】
ＩＣ部品及び電子部品が搭載される配線パターン付き金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列しているハイブリッドＩＣ装置を実現することが出来る。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１又は請求項２記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージに半導体ベアチップが搭載してあり、
該半導体ベアチップと上記インナーリード部との間にワイヤボンディングによってワイヤが張ってあり、
該本体部内にポッティングされた合成樹脂によって、上記半導体ベアチップ、上記インナーリード部及びワイヤが封止されている構成としたものである。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項３記載のハイブリッドＩＣ用パッケージの配線パターン付き金属板上にＩＣ部品及び電子部品が搭載してあり、
上記ワイヤがボンディング用パッドと上記インナーリード部との間にワイヤボンディングによってワイヤが張ってあり、
該本体部内にポッティングされた合成樹脂によって、上記ＩＣ部品及び電子部品、上記インナーリード部及びワイヤが封止されている構成としたものである。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項２記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージを製造する方法であって、
上記本体部は、上記金属板が並んでいる金属板フレームに対して、アウトサート成形して形成してなるものである。
【００１７】
請求項７の発明は、請求項３記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージを製造する方法であって、
上記本体部は、上記配線パターン付き金属板が並んでいる配線パターン付き金属板フレームに対して、アウトサート成形して形成してなるものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施例］
図２、図３及び図４は本発明の第１実施例の半導体ベアチップ用汎用パッケージ１０を示す。汎用パッケージ１０は、本体部１１と、金属板２０と、複数のリード３０とよりなり、パッケージの主要部を構成し、サイズのことなる複数のＩＣベアチップ５０、６０，７０の何れもが搭載可能である汎用性を有する構成である。この汎用パッケージ１０は、後述する半導体装置を製造するときに使用され、半導体装置のパッケージの大部分を構成するものである。また、この汎用パッケージ１０は、ＩＣベアチップを支持すると共に、ＩＣベアチップを半導体装置が実装されるプリント基板とを電気的に接続する役割を有するものである。半導体装置の低背化が要求されているため、汎用パッケージ１０は高さｈが低い低背の構造となっている。
【００１９】
本体部１１は、熱可塑性の合成樹脂製であり、薄い厚さの底板部１２とこの底板部１２の周囲の正方形の枠部１３とよりなり、上方が開口である偏平の箱形状であり、枠部１３の内側に偏平な凹状空間部１４を有し、搭載が予定されている最大のサイズのＩＣベアチップ７０よりも大きいサイズである。
【００２０】
枠部１３の上面の内周には全周に亘って凹段部１３ａが形成してある。枠部１３は４つの枠辺部１３−１〜１３−４よりなり、このうち一対の対向する枠辺部１３−１、１３−２には、リード挿入用スリット１５が並んで形成してある。
【００２１】
金属板２０は、正方形の金属製の板であり、底板部１２の大きさと略同じ大きさであり、搭載が予定されている最大のサイズのＩＣベアチップ７０よりも十分に大きいサイズである。この金属板２０は、アウトサート成形された本体部１１の底板部１２と一体的に設けてあり、その上面２０ａが底板部１２の上面に露出している。金属板２０の上面２０ａはＩＣベアチップの搭載部となる。
【００２２】
リード３０は、インナーリード部３１とアウターリード部３２とよりなり、枠辺部１３−１、１３−２のスリット１５に圧入されて固定されて整列してあり、インナーリード部３１が凹状空間部１４内に突き出しており、アウターリード部３２が枠辺部１３−１、１３−２より外部に突き出ている。アウターリード部３２は表面実装に適した形状を有する。
【００２３】
上記の本体部１１は、ＩＣベアチップが搭載される部分を提供する。枠部１３は、ＩＣベアチップが収まる空間を形成する役割、後述するポッティングされた樹脂が流れ出るのをせき止めるダムとしての役割、及び、後述する蓋部材が固定される部分を提供する役割を有する。
【００２４】
金属板２０は、第１には、その高い熱伝導率によって、搭載されたＩＣベアチップから発生する熱を半導体装置の外部に逃がす放熱板としての役割を有し、第２には、その高い剛性によって、成形された本体部１１に反り、歪みが発生することを抑える役割を有する。底板部１２の厚さを薄くすると本体部１１を成形したときに反り、歪みが発生し易くなるけれども、本体部１１が金属板２０に対してアウトサート成形することによって成形された本体部１１に反り、歪みが発生することが抑えられる。本体部１１の反り、歪みが抑えられていることによって、汎用パッケージ１０はアウターリード部３２の整列性（コプラナリー）が良好となる。
【００２５】
凹状空間部１４内に突き出ているインナーリード部３１の上面３１ａは、ワイヤボンディングをする場所を提供する。アウターリード部３２は半導体装置の表面実装を可能とする。
【００２６】
上記汎用パッケージ１０は本体部１１が金属板２０に対してアウトサート成形されていることによって、平面上のサイズが大型であって且つ厚さが薄くても、反り、歪みが抑えられており、高い精度を有する。
【００２７】
次に、上記汎用パッケージ１０の製造方法について説明する。
【００２８】
先ず、プレス加工によって図５（Ａ）に示す金属板フレーム１００を準備する。この金属板フレーム１００は、上記の金属板２０がサポートバー１０１、１０２によって両側のクレドール１０３，１０４に支持されて並んでいるリボン状のものである。サポートバー１０１、１０２は、金属板２０の辺毎に三つ有する。
【００２９】
この金属板フレーム１００を射出成形機にセットして、図５（Ｂ）、図６に示すように、金属板フレーム１００に対してポリエチレン等の熱可塑性樹脂でアウトサート成形して本体部１１を成形する。本体部１１は、サポートバー１０１のうち金属板２０寄りの部分を包み込むようにして、且つ、金属板２０が底板部１２の上面に露出するようにして成形される。３つのサポートバー１０１が枠辺部１３−３を貫通しており、３つのサポートバー１０２が枠辺部１３−４を貫通している。サポートバー１０１、１０２に形成されている開口１０１ａ、１０２ａによって、サポートバー１０１、１０２の上面側の樹脂と下面側の樹脂とが繋がっており、本体部１１と金属板２０との一体化は強固である。図５（Ｂ）、図６中、１１０、１１１は、サポートバー１０１、１０２を包み込んでいる熱可塑性樹脂部である。枠辺部１３−１、１３−２には、リード挿入用スリット１５が並んで形成される。ここで、金属板２０及びサポートバー１０１、１０２が剛体として機能することによって、成形された本体部１１に反り、歪みは発生しない。
【００３０】
次いで、図６中、線１２０，１２１に沿って、サポートバー１０１、１０２を切断し、金属板フレーム１００から本体部１１を切り出す。
【００３１】
最後に、図５（Ｃ）に示すように、切り出した本体部１１のリード挿入用スリット１５にリード３０を挿入して、汎用パッケージ１０が完成する。
【００３２】
ここで、本体部１１は熱可塑性樹脂製であるため、熱硬化性樹脂製である場合に比べて、成形サイクルが短くて済み、汎用パッケージ１０は効率良く製造される。
【００３３】
リード３０は、図７（Ａ）に示すように、１３０はリード板であり、リード３０が帯板１３１に所定のピッチｐで並んでいる。このピッチｐは、金属板フレーム１００から切り出した本体部１１を積み重ねたときの本体部１１の積み重ね方向（Ｙ方向）のリード挿入用スリット１５のピッチｐと等しい。リード板１２０は、帯状の板をプレス加工して製造される。リード３０のリード挿入用スリット１５への挿入は、図７（Ａ）に示すように、金属板フレーム１００から切り出した本体部１１を積み重ねて並べ、リード板１３０をそのリード３０を各本体部１１のスリット１５に合わせて、押し込み、その後に、各リード３０の帯板１２１への付け根部で切断することによって、Ｙ方向上一列づつ、順次Ｘ方向にずらして行う。
【００３４】
なお、帯状の板を打ち抜きプレス加工したときに、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、インナーリード部３１となる部分及びアウターリード部３２となる部分の破断面を型１３５で叩いてＹ方向に面押しする。図７（Ｂ）は打ち抜きプレス加工直後の状態を示す。３１Ｘは打ち抜きプレス加工直後のインナーリード部、３２Ｘ１は打ち抜きプレス加工直後のアウターリード部である。図７（Ｃ）は面押しした後の状態を示す。インナーリード部３１の面３１ａは打ち抜きプレス加工直後の状態に比べて平坦となっており、ワイヤボンディングをするのに適した面となっている。アウターリード部３２の面３２ａも打ち抜きプレス加工直後の状態に比べて平坦となっており、表面実装をするのに適した面となっている。
【００３５】
次に、上記の汎用パッケージ１０を使用して、例えばＩＣベアチップ６０を封止してなる半導体装置を製造する方法について説明する。
【００３６】
先ず、図８（Ａ）に示すように、ＩＣベアチップ６０を、そのパッド６１がインナーリード部３１に対向する向きとして、汎用パッケージ１０の金属板２０の上面に接着剤によってボンディングして搭載する。
【００３７】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、ボンディングされたＩＣベアチップ６０のパッド６１とインナーリード部３１とにワイヤボンディングを行い、ワイヤ１４０をパッド６１とインナーリード部３１との間に張り、リード３０とＩＣベアチップ６０との間を電気的に接続する。ここで、インナーリード部３１の面３１ａは面押しによって平坦とされており、面３１ａに対するワイヤボンディングは正常になされる。
【００３８】
次に、図９（Ａ）に示すように、ディスペンサー１５０を使用して例えばエポキシ樹脂１５１を汎用パッケージ１０上にポッティグして、ＩＣベアチップ６０、ワイヤ１４０、インナーリード部３１を封止する。
【００３９】
ポッティグされたエポキシ樹脂は枠部１３によって汎用パッケージ１０の外に流れ出るのをせき止められ、凹状空間部１４内に溜まって、ＩＣベアチップ６０、ワイヤ１４０、インナーリード部３１を覆って、エポキシ樹脂部１５２となる。
【００４０】
最後に、図９（Ｂ）に示すように、正方形のキャップ１６０を、エポキシ樹脂部１５２を覆うように固定する。キャップ１６０は枠部１３の凹段部１３ａに嵌合されて全周に亘って接着される。
【００４１】
これによって、半導体装置１７０が完成する。半導体装置１７０は、図９（Ｂ）、図１０、図１１に示す構造を有する。ＩＣベアチップ６０、ワイヤ１４０、インナーリード部３１はエポキシ樹脂部１５２によって覆われて保護されている。半導体装置１７０は、汎用パッケージ１０の高さと同じ高さであり、低背である。
【００４２】
この半導体装置１７０は、アウターリード部３２を利用してプリント基板上に表面実装される。
【００４３】
半導体装置１７０を製造する過程でも汎用パッケージ１０は反り及び歪みを起こさず、アウターリード部３２の整列性（コプラナリー）が良好であり、半導体装置１７０のサイズが大型であるにも拘わらず、全部のアウターリード部３２がプリント基板上のパッドに正常に半田付けされ、実装したのちにいくつかのアウターリード部３２がプリント基板上のパッドから浮いてしまうパッド浮きの問題は発生しない。
【００４４】
半導体装置１７０がプリント基板上に実装されて動作しているときに、ＩＣベアチップ６０で発生する熱は、金属板２０に伝導して、金属板２０内を伝導して平面的に広げられて、汎用パッケージ１０の外部に逃がされる。よって、半導体装置１７０は良好な放熱性を有する。
【００４５】
また、図２中、ＩＣベアチップ５０を汎用パッケージ１０に実装することによって、ＩＣベアチップ５０が封止された半導体装置が製造される。また、ＩＣベアチップ７０を汎用パッケージ１０に実装することによって、ＩＣベアチップ７０が封止された半導体装置が製造される。このように、汎用パッケージ１０が複数種類のＩＣベアチップ５０、６０，７０に共通に使用されるため、半導体装置の製造コストは従来に比べて安価となる。
【００４６】
なお、アウターリード部３２の電源、信号、アース等の割り当ては、内蔵しているＩＣベアチップ５０、６０，７０によって相違する。
【００４７】
また、汎用パッケージ１０は、金属板２０を有しない構成でもよい。
【００４８】
［第２実施例］
図１２は本発明の第２実施例のハイブリッドＩＣ用パッケージ１０Ａを示す。パッケージ本体１０Ａは、図２に示すパッケージ本体１０とは金属板２０に代えて、配線パターン付き金属板２０Ａが熱可塑性の合成樹脂製の本体部１１と一体成形されている構造である。このパッケージ本体１０Ａは、ハイブリッドＩＣ装置を製造するのに使用される構成である。
【００４９】
パッケージ本体１０Ａは図１３（Ａ）に示す金属板フレーム１００Ａに熱可塑性樹脂でアウトサート成形して図１３（Ｃ）に示すように本体部１１を成形し、同じく図１３（Ｃ）に示すように本体部１１のリード挿入用スリット１５にリード３０を挿入して完成する。
【００５０】
金属板フレーム１００Ａは、金属板２０に代えて配線パターン付き金属板２０Ａを有する構成である。配線パターン付き金属板２０Ａは、図１３（Ｂ）に併せて示すように、金属板２０の上面に絶縁膜１８０を有し、この絶縁膜１８０上に配線パターン１８１、部品実装用パッド１８２、及びワイヤボンディング用パッド１８３を有する構成である。ワイヤボンディング用パッド１８３は配線パターン付き金属板２０Ａの両側の辺２０Ａｂ，２０Ａｃに沿っている
ハイブリッドＩＣ装置２００は、図１４に示すように、配線パターン付き金属板２０Ａ上に樹脂モールド封止してある半導体部品１９０及び電子部品１９１，１９２を実装するともに、ワイヤボンディング用パッド１８３とインナーリード部３１とにワイヤボンディングして、ワイヤ１４０をワイヤボンディング用パッド１８３とインナーリード部３１との間に張って、その後、エポキシ樹脂（図示せず）をポッティグし、キャップ（図示せず）を固定して完成する。
【００５１】
このハイブリッドＩＣ装置２００も前記の半導体装置１９０と同じく、良好な放熱性を有し、且つ、アウターリード部３２の整列性は良好であり、高い信頼性で実装される。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、合成樹脂の本体部とこの本体部に固定してあるリードとよりなる構成である半導体ベアチップ用のパッケージがサイズの異なる複数の種類の半導体ベアチップに対して共通に使用可能である汎用性を有するため、複数の種類の半導体ベアチップに対して同じパッケージを使用することが出来、よって、半導体装置の製造のコストを抑えることが出来、特にシステムＬＳＩのようなカスタムメイドの半導体装置の製造に適用して有効である。
【００５３】
また、半導体ベアチップ搭載部を有する金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列している半導体装置を実現することが出来る。
【００５４】
また、ＩＣ部品及び電子部品が搭載される配線パターン付き金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列しているハイブリッドＩＣ装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例の半導体ベアチップ用汎用パッケージを示す図である。
【図３】図２中、ＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う拡大断面図である。
【図４】図２の半導体ベアチップ用汎用パッケージを示す図である。
【図５】図２の汎用パッケージの製造工程を説明するための図である。
【図６】図５（Ｂ）の状態の平面図である。
【図７】図５（Ｃ）のリードの挿入を説明する図である。
【図８】半導体装置の製造工程を示す図である。
【図９】図８に続く製造工程を示す図である。
【図１０】図９（Ｂ）中、Ｘ−Ｘ線に沿う拡大断面図である。
【図１１】図９（Ｂ）の半導体装置の分解斜視図である。
【図１２】本発明の第２実施例のハイブリッドＩＣ用パッケージを示す図である。
【図１３】図１２のハイブリッドＩＣ用パッケージの製造方法を説明するための図である。
【図１４】ハイブリッドＩＣ装置を示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ベアチップ用汎用パッケージ
１０Ａ ハイブリッドＩＣ用パッケージ
１１ 本体部
１２ 底板部
１３ 枠部
１４ 偏平な凹状空間部
１５ リード挿入用スリット
２０ 金属板
２０Ａ 配線パターン付き金属板
３０ リード
３１ インナーリード部
３２ アウターリード部
５０、６０，７０ ＩＣベアチップ
１００ 金属板フレーム
１００Ａ 配線パターン付き金属板フレーム
１０１，１０２ サポートバー
１０３，１０４ クレドール
１４０ ワイヤ
１５０ ディスペンサー
１５２ エポキシ樹脂部
１６０ キャップ
１８０ 絶縁膜
１８１ 配線パターン
１８２ 部品実装用パッド
１８３ ワイヤボンディング用パッド
１９０ 半導体部品
１９１，１９２ 電子部品
２００ ハイブリッドＩＣ装置
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ベアチップ用汎用パッケージに係り、特に半導体装置又はハイブリッドＩＣ装置のパッケージに関する。
【０００２】
半導体ベアチップとパッケージとによってプリント基板上に実装される半導体装置が構成される。パッケージとは、半導体部品を配置、接続、保護するための容器であり、外部導線を有する容器をいう。
【０００３】
【従来の技術】
図１は従来の表面実装タイプの半導体装置１を示す。半導体装置１は、構造的には、ベアチップ２とパッケージ３とよりなる。パッケージ３は、ベアチップ２が搭載されたリードフレーム４と、ベアチップ２を封止する熱硬化性の合成樹脂部５とよりなる構成である。リードフレーム４は、中央のアイランド４ａと、左右に延びているリード４ｂとを有する。
【０００４】
この半導体装置１は、アイランド４ａ上にベアチップ２を搭載し、ワイヤボンディングを行ってベアチップ２とリード４ｂとの間をワイヤ６でもって接続し、金型を使用して熱硬化性の合成樹脂をベアチップ２を封止するように成形し、最後に、リード４ｂを切断し曲げることによって製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この構造の半導体装置１は、ベアチップ２のサイズが相違すれば、ベアチップ２のサイズに合ったリードフレームが新たに必要となり、且つベアチップ２のサイズに合った合成樹脂成形金型が新たに必要となる構成である。
【０００６】
また、最近では、システムＬＳＩのようなカスタムメイドの半導体装置を製造する場合が多くなってきている。カスタムメイドの半導体装置は生産量が一般的に少ないため、カスタムメイドの半導体装置の受注の都度、リードフレームのプレス金型を製作し、樹脂成形金型を製作していると、カスタムメイドの半導体装置の製造コストが高くなってしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記課題を解決した半導体ベアチップ用汎用パッケージを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、半導体ベアチップが樹脂で封止された半導体装置を製造するときに汎用的に使用される半導体ベアチップ用汎用パッケージであって、
合成樹脂製であり、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなり、該底板部上に半導体ベアチップが搭載される半導体ベアチップ搭載部を有する本体部と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたものである。
【０００９】
半導体ベアチップ用汎用パッケージはサイズの異なる複数の種類の半導体ベアチップに対して共通に使用可能である汎用性を有するため、複数の種類の半導体ベアチップに対して同じパッケージを使用することが出来、よって、半導体装置の製造のコストを抑えることが出来、特にシステムＬＳＩのようなカスタムメイドの半導体装置の製造に適用して有効である。
【００１０】
請求項２の発明は、半導体ベアチップが樹脂で封止された半導体装置を製造するときに汎用的に使用される半導体ベアチップ用汎用パッケージであって、
上面に半導体ベアチップが搭載される半導体ベアチップ搭載部を有する金属板と、
合成樹脂製であり、上記金属板と一体的に成形されており、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなり、該底板部の上面に上記金属板が露出してある本体部と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたものである。
【００１１】
半導体ベアチップ搭載部を有する金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列している半導体装置を実現することが出来る。
【００１２】
請求項３の発明は、ＩＣ部品及び電子部品が樹脂で封止されたハイブリッドＩＣ装置を製造するときに使用されるハイブリッドＩＣ用パッケージであって、
合成樹脂製であり、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなる本体部と、
上面に配線パターン、実装用パッド及びワイヤがボンディング用パッドを有し、
該本体部と一体であり、該底板部の上面に露出している配線パターン付き金属板と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたものである。
【００１３】
ＩＣ部品及び電子部品が搭載される配線パターン付き金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列しているハイブリッドＩＣ装置を実現することが出来る。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１又は請求項２記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージに半導体ベアチップが搭載してあり、
該半導体ベアチップと上記インナーリード部との間にワイヤボンディングによってワイヤが張ってあり、
該本体部内にポッティングされた合成樹脂によって、上記半導体ベアチップ、上記インナーリード部及びワイヤが封止されている構成としたものである。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項３記載のハイブリッドＩＣ用パッケージの配線パターン付き金属板上にＩＣ部品及び電子部品が搭載してあり、
上記ワイヤがボンディング用パッドと上記インナーリード部との間にワイヤボンディングによってワイヤが張ってあり、
該本体部内にポッティングされた合成樹脂によって、上記ＩＣ部品及び電子部品、上記インナーリード部及びワイヤが封止されている構成としたものである。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項２記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージを製造する方法であって、
上記本体部は、上記金属板が並んでいる金属板フレームに対して、アウトサート成形して形成してなるものである。
【００１７】
請求項７の発明は、請求項３記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージを製造する方法であって、
上記本体部は、上記配線パターン付き金属板が並んでいる配線パターン付き金属板フレームに対して、アウトサート成形して形成してなるものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施例］
図２、図３及び図４は本発明の第１実施例の半導体ベアチップ用汎用パッケージ１０を示す。汎用パッケージ１０は、本体部１１と、金属板２０と、複数のリード３０とよりなり、パッケージの主要部を構成し、サイズのことなる複数のＩＣベアチップ５０、６０，７０の何れもが搭載可能である汎用性を有する構成である。この汎用パッケージ１０は、後述する半導体装置を製造するときに使用され、半導体装置のパッケージの大部分を構成するものである。また、この汎用パッケージ１０は、ＩＣベアチップを支持すると共に、ＩＣベアチップを半導体装置が実装されるプリント基板とを電気的に接続する役割を有するものである。半導体装置の低背化が要求されているため、汎用パッケージ１０は高さｈが低い低背の構造となっている。
【００１９】
本体部１１は、熱可塑性の合成樹脂製であり、薄い厚さの底板部１２とこの底板部１２の周囲の正方形の枠部１３とよりなり、上方が開口である偏平の箱形状であり、枠部１３の内側に偏平な凹状空間部１４を有し、搭載が予定されている最大のサイズのＩＣベアチップ７０よりも大きいサイズである。
【００２０】
枠部１３の上面の内周には全周に亘って凹段部１３ａが形成してある。枠部１３は４つの枠辺部１３−１〜１３−４よりなり、このうち一対の対向する枠辺部１３−１、１３−２には、リード挿入用スリット１５が並んで形成してある。
【００２１】
金属板２０は、正方形の金属製の板であり、底板部１２の大きさと略同じ大きさであり、搭載が予定されている最大のサイズのＩＣベアチップ７０よりも十分に大きいサイズである。この金属板２０は、アウトサート成形された本体部１１の底板部１２と一体的に設けてあり、その上面２０ａが底板部１２の上面に露出している。金属板２０の上面２０ａはＩＣベアチップの搭載部となる。
【００２２】
リード３０は、インナーリード部３１とアウターリード部３２とよりなり、枠辺部１３−１、１３−２のスリット１５に圧入されて固定されて整列してあり、インナーリード部３１が凹状空間部１４内に突き出しており、アウターリード部３２が枠辺部１３−１、１３−２より外部に突き出ている。アウターリード部３２は表面実装に適した形状を有する。
【００２３】
上記の本体部１１は、ＩＣベアチップが搭載される部分を提供する。枠部１３は、ＩＣベアチップが収まる空間を形成する役割、後述するポッティングされた樹脂が流れ出るのをせき止めるダムとしての役割、及び、後述する蓋部材が固定される部分を提供する役割を有する。
【００２４】
金属板２０は、第１には、その高い熱伝導率によって、搭載されたＩＣベアチップから発生する熱を半導体装置の外部に逃がす放熱板としての役割を有し、第２には、その高い剛性によって、成形された本体部１１に反り、歪みが発生することを抑える役割を有する。底板部１２の厚さを薄くすると本体部１１を成形したときに反り、歪みが発生し易くなるけれども、本体部１１が金属板２０に対してアウトサート成形することによって成形された本体部１１に反り、歪みが発生することが抑えられる。本体部１１の反り、歪みが抑えられていることによって、汎用パッケージ１０はアウターリード部３２の整列性（コプラナリー）が良好となる。
【００２５】
凹状空間部１４内に突き出ているインナーリード部３１の上面３１ａは、ワイヤボンディングをする場所を提供する。アウターリード部３２は半導体装置の表面実装を可能とする。
【００２６】
上記汎用パッケージ１０は本体部１１が金属板２０に対してアウトサート成形されていることによって、平面上のサイズが大型であって且つ厚さが薄くても、反り、歪みが抑えられており、高い精度を有する。
【００２７】
次に、上記汎用パッケージ１０の製造方法について説明する。
【００２８】
先ず、プレス加工によって図５（Ａ）に示す金属板フレーム１００を準備する。この金属板フレーム１００は、上記の金属板２０がサポートバー１０１、１０２によって両側のクレドール１０３，１０４に支持されて並んでいるリボン状のものである。サポートバー１０１、１０２は、金属板２０の辺毎に三つ有する。
【００２９】
この金属板フレーム１００を射出成形機にセットして、図５（Ｂ）、図６に示すように、金属板フレーム１００に対してポリエチレン等の熱可塑性樹脂でアウトサート成形して本体部１１を成形する。本体部１１は、サポートバー１０１のうち金属板２０寄りの部分を包み込むようにして、且つ、金属板２０が底板部１２の上面に露出するようにして成形される。３つのサポートバー１０１が枠辺部１３−３を貫通しており、３つのサポートバー１０２が枠辺部１３−４を貫通している。サポートバー１０１、１０２に形成されている開口１０１ａ、１０２ａによって、サポートバー１０１、１０２の上面側の樹脂と下面側の樹脂とが繋がっており、本体部１１と金属板２０との一体化は強固である。図５（Ｂ）、図６中、１１０、１１１は、サポートバー１０１、１０２を包み込んでいる熱可塑性樹脂部である。枠辺部１３−１、１３−２には、リード挿入用スリット１５が並んで形成される。ここで、金属板２０及びサポートバー１０１、１０２が剛体として機能することによって、成形された本体部１１に反り、歪みは発生しない。
【００３０】
次いで、図６中、線１２０，１２１に沿って、サポートバー１０１、１０２を切断し、金属板フレーム１００から本体部１１を切り出す。
【００３１】
最後に、図５（Ｃ）に示すように、切り出した本体部１１のリード挿入用スリット１５にリード３０を挿入して、汎用パッケージ１０が完成する。
【００３２】
ここで、本体部１１は熱可塑性樹脂製であるため、熱硬化性樹脂製である場合に比べて、成形サイクルが短くて済み、汎用パッケージ１０は効率良く製造される。
【００３３】
リード３０は、図７（Ａ）に示すように、１３０はリード板であり、リード３０が帯板１３１に所定のピッチｐで並んでいる。このピッチｐは、金属板フレーム１００から切り出した本体部１１を積み重ねたときの本体部１１の積み重ね方向（Ｙ方向）のリード挿入用スリット１５のピッチｐと等しい。リード板１２０は、帯状の板をプレス加工して製造される。リード３０のリード挿入用スリット１５への挿入は、図７（Ａ）に示すように、金属板フレーム１００から切り出した本体部１１を積み重ねて並べ、リード板１３０をそのリード３０を各本体部１１のスリット１５に合わせて、押し込み、その後に、各リード３０の帯板１２１への付け根部で切断することによって、Ｙ方向上一列づつ、順次Ｘ方向にずらして行う。
【００３４】
なお、帯状の板を打ち抜きプレス加工したときに、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、インナーリード部３１となる部分及びアウターリード部３２となる部分の破断面を型１３５で叩いてＹ方向に面押しする。図７（Ｂ）は打ち抜きプレス加工直後の状態を示す。３１Ｘは打ち抜きプレス加工直後のインナーリード部、３２Ｘ１は打ち抜きプレス加工直後のアウターリード部である。図７（Ｃ）は面押しした後の状態を示す。インナーリード部３１の面３１ａは打ち抜きプレス加工直後の状態に比べて平坦となっており、ワイヤボンディングをするのに適した面となっている。アウターリード部３２の面３２ａも打ち抜きプレス加工直後の状態に比べて平坦となっており、表面実装をするのに適した面となっている。
【００３５】
次に、上記の汎用パッケージ１０を使用して、例えばＩＣベアチップ６０を封止してなる半導体装置を製造する方法について説明する。
【００３６】
先ず、図８（Ａ）に示すように、ＩＣベアチップ６０を、そのパッド６１がインナーリード部３１に対向する向きとして、汎用パッケージ１０の金属板２０の上面に接着剤によってボンディングして搭載する。
【００３７】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、ボンディングされたＩＣベアチップ６０のパッド６１とインナーリード部３１とにワイヤボンディングを行い、ワイヤ１４０をパッド６１とインナーリード部３１との間に張り、リード３０とＩＣベアチップ６０との間を電気的に接続する。ここで、インナーリード部３１の面３１ａは面押しによって平坦とされており、面３１ａに対するワイヤボンディングは正常になされる。
【００３８】
次に、図９（Ａ）に示すように、ディスペンサー１５０を使用して例えばエポキシ樹脂１５１を汎用パッケージ１０上にポッティグして、ＩＣベアチップ６０、ワイヤ１４０、インナーリード部３１を封止する。
【００３９】
ポッティグされたエポキシ樹脂は枠部１３によって汎用パッケージ１０の外に流れ出るのをせき止められ、凹状空間部１４内に溜まって、ＩＣベアチップ６０、ワイヤ１４０、インナーリード部３１を覆って、エポキシ樹脂部１５２となる。
【００４０】
最後に、図９（Ｂ）に示すように、正方形のキャップ１６０を、エポキシ樹脂部１５２を覆うように固定する。キャップ１６０は枠部１３の凹段部１３ａに嵌合されて全周に亘って接着される。
【００４１】
これによって、半導体装置１７０が完成する。半導体装置１７０は、図９（Ｂ）、図１０、図１１に示す構造を有する。ＩＣベアチップ６０、ワイヤ１４０、インナーリード部３１はエポキシ樹脂部１５２によって覆われて保護されている。半導体装置１７０は、汎用パッケージ１０の高さと同じ高さであり、低背である。
【００４２】
この半導体装置１７０は、アウターリード部３２を利用してプリント基板上に表面実装される。
【００４３】
半導体装置１７０を製造する過程でも汎用パッケージ１０は反り及び歪みを起こさず、アウターリード部３２の整列性（コプラナリー）が良好であり、半導体装置１７０のサイズが大型であるにも拘わらず、全部のアウターリード部３２がプリント基板上のパッドに正常に半田付けされ、実装したのちにいくつかのアウターリード部３２がプリント基板上のパッドから浮いてしまうパッド浮きの問題は発生しない。
【００４４】
半導体装置１７０がプリント基板上に実装されて動作しているときに、ＩＣベアチップ６０で発生する熱は、金属板２０に伝導して、金属板２０内を伝導して平面的に広げられて、汎用パッケージ１０の外部に逃がされる。よって、半導体装置１７０は良好な放熱性を有する。
【００４５】
また、図２中、ＩＣベアチップ５０を汎用パッケージ１０に実装することによって、ＩＣベアチップ５０が封止された半導体装置が製造される。また、ＩＣベアチップ７０を汎用パッケージ１０に実装することによって、ＩＣベアチップ７０が封止された半導体装置が製造される。このように、汎用パッケージ１０が複数種類のＩＣベアチップ５０、６０，７０に共通に使用されるため、半導体装置の製造コストは従来に比べて安価となる。
【００４６】
なお、アウターリード部３２の電源、信号、アース等の割り当ては、内蔵しているＩＣベアチップ５０、６０，７０によって相違する。
【００４７】
また、汎用パッケージ１０は、金属板２０を有しない構成でもよい。
【００４８】
［第２実施例］
図１２は本発明の第２実施例のハイブリッドＩＣ用パッケージ１０Ａを示す。パッケージ本体１０Ａは、図２に示すパッケージ本体１０とは金属板２０に代えて、配線パターン付き金属板２０Ａが熱可塑性の合成樹脂製の本体部１１と一体成形されている構造である。このパッケージ本体１０Ａは、ハイブリッドＩＣ装置を製造するのに使用される構成である。
【００４９】
パッケージ本体１０Ａは図１３（Ａ）に示す金属板フレーム１００Ａに熱可塑性樹脂でアウトサート成形して図１３（Ｃ）に示すように本体部１１を成形し、同じく図１３（Ｃ）に示すように本体部１１のリード挿入用スリット１５にリード３０を挿入して完成する。
【００５０】
金属板フレーム１００Ａは、金属板２０に代えて配線パターン付き金属板２０Ａを有する構成である。配線パターン付き金属板２０Ａは、図１３（Ｂ）に併せて示すように、金属板２０の上面に絶縁膜１８０を有し、この絶縁膜１８０上に配線パターン１８１、部品実装用パッド１８２、及びワイヤボンディング用パッド１８３を有する構成である。ワイヤボンディング用パッド１８３は配線パターン付き金属板２０Ａの両側の辺２０Ａｂ，２０Ａｃに沿っている
ハイブリッドＩＣ装置２００は、図１４に示すように、配線パターン付き金属板２０Ａ上に樹脂モールド封止してある半導体部品１９０及び電子部品１９１，１９２を実装するともに、ワイヤボンディング用パッド１８３とインナーリード部３１とにワイヤボンディングして、ワイヤ１４０をワイヤボンディング用パッド１８３とインナーリード部３１との間に張って、その後、エポキシ樹脂（図示せず）をポッティグし、キャップ（図示せず）を固定して完成する。
【００５１】
このハイブリッドＩＣ装置２００も前記の半導体装置１９０と同じく、良好な放熱性を有し、且つ、アウターリード部３２の整列性は良好であり、高い信頼性で実装される。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、合成樹脂の本体部とこの本体部に固定してあるリードとよりなる構成である半導体ベアチップ用のパッケージがサイズの異なる複数の種類の半導体ベアチップに対して共通に使用可能である汎用性を有するため、複数の種類の半導体ベアチップに対して同じパッケージを使用することが出来、よって、半導体装置の製造のコストを抑えることが出来、特にシステムＬＳＩのようなカスタムメイドの半導体装置の製造に適用して有効である。
【００５３】
また、半導体ベアチップ搭載部を有する金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列している半導体装置を実現することが出来る。
【００５４】
また、ＩＣ部品及び電子部品が搭載される配線パターン付き金属板を合成樹脂の本体部と一体的に設けたことによって、本体部の樹脂成形に伴もなう反り及び歪みが抑えられ、大型で且つ低背で、しかも、リードが精度良く整列しているハイブリッドＩＣ装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例の半導体ベアチップ用汎用パッケージを示す図である。
【図３】図２中、ＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う拡大断面図である。
【図４】図２の半導体ベアチップ用汎用パッケージを示す図である。
【図５】図２の汎用パッケージの製造工程を説明するための図である。
【図６】図５（Ｂ）の状態の平面図である。
【図７】図５（Ｃ）のリードの挿入を説明する図である。
【図８】半導体装置の製造工程を示す図である。
【図９】図８に続く製造工程を示す図である。
【図１０】図９（Ｂ）中、Ｘ−Ｘ線に沿う拡大断面図である。
【図１１】図９（Ｂ）の半導体装置の分解斜視図である。
【図１２】本発明の第２実施例のハイブリッドＩＣ用パッケージを示す図である。
【図１３】図１２のハイブリッドＩＣ用パッケージの製造方法を説明するための図である。
【図１４】ハイブリッドＩＣ装置を示す図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ベアチップ用汎用パッケージ
１０Ａ ハイブリッドＩＣ用パッケージ
１１ 本体部
１２ 底板部
１３ 枠部
１４ 偏平な凹状空間部
１５ リード挿入用スリット
２０ 金属板
２０Ａ 配線パターン付き金属板
３０ リード
３１ インナーリード部
３２ アウターリード部
５０、６０，７０ ＩＣベアチップ
１００ 金属板フレーム
１００Ａ 配線パターン付き金属板フレーム
１０１，１０２ サポートバー
１０３，１０４ クレドール
１４０ ワイヤ
１５０ ディスペンサー
１５２ エポキシ樹脂部
１６０ キャップ
１８０ 絶縁膜
１８１ 配線パターン
１８２ 部品実装用パッド
１８３ ワイヤボンディング用パッド
１９０ 半導体部品
１９１，１９２ 電子部品
２００ ハイブリッドＩＣ装置
Claims (7)
- 半導体ベアチップが樹脂で封止された半導体装置を製造するときに汎用的に使用される半導体ベアチップ用汎用パッケージであって、
合成樹脂製であり、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなり、該底板部上に半導体ベアチップが搭載される半導体ベアチップ搭載部を有する本体部と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたことを特徴とする半導体ベアチップ用汎用パッケージ。 - 半導体ベアチップが樹脂で封止された半導体装置を製造するときに汎用的に使用される半導体ベアチップ用汎用パッケージであって、
上面に半導体ベアチップが搭載される半導体ベアチップ搭載部を有する金属板と、
合成樹脂製であり、上記金属板と一体的に成形されており、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなり、該底板部の上面に上記金属板が露出してある本体部と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたことを特徴とする半導体ベアチップ用汎用パッケージ。 - ＩＣ部品及び電子部品が樹脂で封止されたハイブリッドＩＣ装置を製造するときに使用されるハイブリッドＩＣ用パッケージであって、
合成樹脂製であり、底板部とこの底板部の周囲の枠部とよりなる本体部と、
上面に配線パターン、実装用パッド及びワイヤがボンディング用パッドを有し、
該本体部と一体であり、該底板部の上面に露出している配線パターン付き金属板と、
該本体部の枠部を貫通して固定してあり、且つ、該枠部に沿って並んでおり、該枠部の内側に突き出ているインナーリード部と、該枠部の外部に突き出ているアウターリード部とを有するリードとよりなる構成としたことを特徴とするハイブリッドＩＣ用パッケージ。 - 請求項１又は請求項２記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージに半導体ベアチップが搭載してあり、
該半導体ベアチップと上記インナーリード部との間にワイヤボンディングによってワイヤが張ってあり、
該本体部内にポッティングされた合成樹脂によって、上記半導体ベアチップ、上記インナーリード部及びワイヤが封止されている構成としたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項３記載のハイブリッドＩＣ用パッケージの配線パターン付き金属板上にＩＣ部品及び電子部品が搭載してあり、
上記ワイヤがボンディング用パッドと上記インナーリード部との間にワイヤボンディングによってワイヤが張ってあり、
該本体部内にポッティングされた合成樹脂によって、上記ＩＣ部品及び電子部品、上記インナーリード部及びワイヤが封止されている構成としたことを特徴とするハイブリッドＩＣ装置。 - 請求項２記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージを製造する方法であって、
上記本体部は、上記金属板が並んでいる金属板フレームに対して、アウトサート成形して形成してなることを特徴とする半導体ベアチップ用汎用パッケージの製造方法。 - 請求項３記載の半導体ベアチップ用汎用パッケージを製造する方法であって、
上記本体部は、上記配線パターン付き金属板が並んでいる配線パターン付き金属板フレームに対して、アウトサート成形して形成してなることを特徴とするハイブリッドＩＣ用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004039666A true JP2004039666A (ja) | 2004-02-05 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2009206529A (ja) * | 2004-12-16 | 2009-09-10 | Seoul Semiconductor Co Ltd | ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ |
| JP2010145285A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出装置及びその製造方法 |
| CN109192689A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-11 | 江苏七维测试技术有限公司 | 芯片多工位卡脚装置 |
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