JP2004039231A - 可調整電流モード差動増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】調整可能な電流モード差動センスアンプ70は、選択されたメモリセルRM及び所定値を有する基準セルRRに連絡するように配置される。アンプ70は、選択されたメモリセルRMに関連する電流及び電圧の変化を検知して、それらを基準セルRRに関連する電流及び電圧の変化と比較する。アンプ70の動作ポイントは、アンプ内の選択されたトランジスタ72,73に印加されるバックゲート74のバイアスに関連する閾値電圧を変更することによって変えることができる。この調整機能により、アンプ70の感度が最大化されるように、アンプ70の電流または電圧を設定することが可能になる。感度が向上することにより、アンプ70のダイナミックレンジを、メモリ回路のパラメータに悪影響を与える可能性のあるコンポーネントを導入せずに大幅に拡大することができる。
【選択図】図6
Description
(1)VBG「マスター」=VDDから開始する。
(2)(VBG=VDDにおける)Isenは、(VRがVSに等しくなるようなVBGにおける)Isenを超えるので、IsenはIrefを超える。
(3)VBG=VDDのセットアップによりVRがVSを超えることになり、これにより、論理1であるVDDにほぼ等しいVOを生じることになる。
(4)VO=論理1が加えられると、伝送ゲートがオンになる。伝送ゲートがオンになると、VBG=Vrampになる。
(5)バック・ゲート電圧が、VDDから第2のより低い電圧まで線形に低下する(VDDが3.3ボルトの場合、この第2のより低い電圧は3.0ボルトとすることが可能である)。
(6)Vrampの印加中のある時点において、バック・ゲート電圧は、VS=VRになるポイントに達する。その時点において、演算増幅器76は、その出力を論理1から論理0にスイッチする。伝送ゲート77がオフになり、バック・ゲート電圧VBGがVrampから分離され、コンデンサ79により、検知機能の実施中、マスター・トランジスタ73のバック・ゲート・ノード74にVrampの値(VR=VSの場合の)が蓄積される。
(7)この時点において、セットアップは完了する。検知ステップの期間中、バック・ゲート電圧VBGが蓄積される。この働きによって、検知機能の実施中、VRとVSがほぼ等しく保たれるので、Isen及びIrefは、それぞれ、メモリ・セル及び基準セルの検知によって変動することになる。
1.あらかじめ選択された論理状態を有する基準セルRRに対する抵抗性メモリデバイスにおけるメモリ・セルRMの論理状態を判定するための検知回路(センス回路。以下同じ)であって、
(a)第1のバイアス電圧(V1)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)を求め、第2のバイアス電圧(V2)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)を求めるように構成されたメモリ・セル検知回路(70、80)と、
(b)前記第1のバイアス電圧(V1)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第1の基準セル・パラメータ(VR)を求め、前記第2のバイアス電圧(V2)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第2の基準セル・パラメータ(VR)を求めるように構成された基準セル検知回路(70、80)と、
(c)前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)及び/または前記第1の基準セル・パラメータ(VR)を変更して、前記第1のバイアス電圧(V1)において、前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第1の基準セル・パラメータ(VR)がほぼ等しくなるようにするための調整回路(76、77、78、79)と、
(d)前記第2のバイアス電圧(V2)における前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するために、前記第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第2の基準セル・パラメータ(VR)との差を求めるための状態判定回路(76、80)
を備える、検知回路。
2.前記メモリ・セル検知回路(70、80)が、第1のバイアス電圧(V1)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連したメモリ・セルのノードにおける第1のメモリ・セル電圧(VS)を求め、第2のバイアス電圧(V2)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セルのノードにおける第2のメモリ・セル電圧(VS)を求めるように構成されることからなる、上項1に記載の検知回路。
3.前記基準セル検知回路が、第1のバイアス電圧(V1)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した基準・セルのノードにおける第1の基準セル電圧(VR)を求め、第2のバイアス電圧(V2)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セルのノードにおける第2の基準セル電圧(VR)を求めるように構成されることからなる、上項2に記載の検知回路。
4.前記状態判定回路(76、80)に、(i)前記メモリ・セル・パラメータ(VS)と前記基準セル・パラメータ(VR)との差を(ii)あるしきい値とを比較して、前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するための装置(またはデバイス)(76)が含まれる、上項1に記載の検知回路。
5.前記メモリ・セル検知回路(70、80)に、検知トランジスタ(73)が含まれ、前記基準セル検知回路(70、80)に、前記検知トランジスタ(73)のゲートと共通であるゲートを有する基準トランジスタ(72)が含まれる、上項3に記載の検知回路。
6.前記調整回路(76、77、78、79)に、前記検知トランジスタ(73)及び/または前記基準トランジスタ(72)のバック・ゲート(74)に接続され、前記検知トランジスタ(73)及び/または前記基準トランジスタ(72)のバック・ゲート(74)における電圧を選択的に変更して、前記第1の基準セル電圧(VR)が前記第1のメモリ・セル電圧(VS)にほぼ等しい均衡点に至るようにする電圧調整装置(またはデバイス)(77、78)が含まれる、上項5に記載の検知回路。
7.あらかじめ選択された論理状態を有する基準セル(RR)に対する抵抗性メモリデバイスにおけるメモリ・セル(RM)の論理状態を判定する方法であって、
(a)第1のバイアス電圧(V1)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)を検知し、第2のバイアス電圧(V2)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)を検知するステップと、
(b)前記第1のバイアス電圧(V1)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第1の基準セル・パラメータ(VR)を検知し、前記第2のバイアス電圧(V2)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第2の基準セル・パラメータ(VR)を検知するステップと、
(c)前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)及び/または前記第1の基準セル・パラメータ(VR)を変更して、前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第1の基準セル・パラメータ(VR)がほぼ等しくなるようにするステップと、
(d)前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するために、前記第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第2の基準セル・パラメータ(VR)との差を求めるステップ
を含む、方法。
8.前記第1及び第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)が、前記メモリ・セル(RM)に関連したメモリ・セルのノードにおける第1及び第2の電圧(VS)であり、前記第1及び第2の基準セル・パラメータ(VR)が、前記基準セル(RR)に関連した第1及び第2の電圧(VR)である、上項7に記載の方法。
9.前記第1及び第2のメモリ・セル・パラメータが、前記メモリ・セル(RM)に関連した第1及び第2の電流(Isen)であり、前記第1及び第2の基準セル・パラメータが、前記基準セル(RR)に関連した第1及び第2の電流(Iref)である、上項7に記載の方法。
10.前記比較するステップに、前記第1のメモリ・セル電圧(VS)と前記第1の基準セル電圧(VR)との差をあるしきい値と比較して、前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するステップが含まれる、上項7に記載の方法。
72 基準(スレーブ)トランジスタ
73 検知(マスター)トランジスタ
74 バック・ゲート
76、77、78、79 調整回路
80 検知回路
RM (選択された)メモリ・セル(の抵抗)
RR 基準セル(の抵抗)
Claims (10)
- あらかじめ選択された論理状態を有する基準セルRRに対する抵抗性メモリデバイスにおけるメモリ・セルRMの論理状態を判定するための検知回路であって、
(a)第1のバイアス電圧(V1)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)を求め、第2のバイアス電圧(V2)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)を求めるように構成されたメモリ・セル検知回路(70、80)と、
(b)前記第1のバイアス電圧(V1)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第1の基準セル・パラメータ(VR)を求め、前記第2のバイアス電圧(V2)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第2の基準セル・パラメータ(VR)を求めるように構成された基準セル検知回路(70、80)と、
(c)前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)及び/または前記第1の基準セル・パラメータ(VR)を変更して、前記第1のバイアス電圧(V1)において、前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第1の基準セル・パラメータ(VR)がほぼ等しくなるようにするための調整回路(76、77、78、79)と、
(d)前記第2のバイアス電圧(V2)における前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するために、前記第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第2の基準セル・パラメータ(VR)との差を求めるための状態判定回路(76、80)
を備える、検知回路。 - 前記メモリ・セル検知回路(70、80)が、第1のバイアス電圧(V1)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連したメモリ・セルのノードにおける第1のメモリ・セル電圧(VS)を求め、第2のバイアス電圧(V2)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セルのノードにおける第2のメモリ・セル電圧(VS)を求めるように構成されることからなる、請求項1に記載の検知回路。
- 前記基準セル検知回路が、第1のバイアス電圧(V1)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した基準・セルのノードにおける第1の基準セル電圧(VR)を求め、第2のバイアス電圧(V2)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セルのノードにおける第2の基準セル電圧(VR)を求めるように構成されることからなる、請求項2に記載の検知回路。
- 前記状態判定回路(76、80)に、(i)前記メモリ・セル・パラメータ(VS)と前記基準セル・パラメータ(VR)との差を(ii)あるしきい値とを比較して、前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するための装置(またはデバイス)(76)が含まれる、請求項1に記載の検知回路。
- 前記メモリ・セル検知回路(70、80)に、検知トランジスタ(73)が含まれ、前記基準セル検知回路(70、80)に、前記検知トランジスタ(73)のゲートと共通であるゲートを有する基準トランジスタ(72)が含まれる、請求項3に記載の検知回路。
- 前記調整回路(76、77、78、79)に、前記検知トランジスタ(73)及び/または前記基準トランジスタ(72)のバック・ゲート(74)に接続され、前記検知トランジスタ(73)及び/または前記基準トランジスタ(72)のバック・ゲート(74)における電圧を選択的に変更して、前記第1の基準セル電圧(VR)が前記第1のメモリ・セル電圧(VS)にほぼ等しい均衡点に至るようにする電圧調整装置(またはデバイス)(77、78)が含まれる、請求項5に記載の検知回路。
- あらかじめ選択された論理状態を有する基準セル(RR)に対する抵抗性メモリデバイスにおけるメモリ・セル(RM)の論理状態を判定する方法であって、
(a)第1のバイアス電圧(V1)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)を検知し、第2のバイアス電圧(V2)が前記メモリ・セル(RM)に印加されたときに、前記メモリ・セル(RM)に関連した第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)を検知するステップと、
(b)前記第1のバイアス電圧(V1)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第1の基準セル・パラメータ(VR)を検知し、前記第2のバイアス電圧(V2)が前記基準セル(RR)に印加されたときに、前記基準セル(RR)に関連した第2の基準セル・パラメータ(VR)を検知するステップと、
(c)前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)及び/または前記第1の基準セル・パラメータ(VR)を変更して、前記第1のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第1の基準セル・パラメータ(VR)がほぼ等しくなるようにするステップと、
(d)前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するために、前記第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)と前記第2の基準セル・パラメータ(VR)との差を求めるステップ
を含む、方法。 - 前記第1及び第2のメモリ・セル・パラメータ(VS)が、前記メモリ・セル(RM)に関連したメモリ・セルのノードにおける第1及び第2の電圧(VS)であり、前記第1及び第2の基準セル・パラメータ(VR)が、前記基準セル(RR)に関連した第1及び第2の電圧(VR)である、請求項7に記載の方法。
- 前記第1及び第2のメモリ・セル・パラメータが、前記メモリ・セル(RM)に関連した第1及び第2の電流(Isen)であり、前記第1及び第2の基準セル・パラメータが、前記基準セル(RR)に関連した第1及び第2の電流(Iref)である、請求項7に記載の方法。
- 前記比較するステップに、前記第1のメモリ・セル電圧(VS)と前記第1の基準セル電圧(VR)との差をあるしきい値と比較して、前記メモリ・セル(RM)の論理状態を判定するステップが含まれる、請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/198,278 US6590804B1 (en) | 2002-07-16 | 2002-07-16 | Adjustable current mode differential amplifier |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004039231A true JP2004039231A (ja) | 2004-02-05 |
JP2004039231A5 JP2004039231A5 (ja) | 2005-05-26 |
JP3965373B2 JP3965373B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=22732698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003272462A Expired - Fee Related JP3965373B2 (ja) | 2002-07-16 | 2003-07-09 | 可調整電流モード差動増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6590804B1 (ja) |
EP (1) | EP1383132A1 (ja) |
JP (1) | JP3965373B2 (ja) |
CN (1) | CN100481249C (ja) |
TW (1) | TW200402068A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7479818B2 (en) | 2006-02-03 | 2009-01-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sense amplifier flip flop |
US8045360B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-10-25 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having single-ended sensing amplifier |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6577525B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Sensing method and apparatus for resistance memory device |
US6650562B2 (en) * | 2002-01-23 | 2003-11-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device |
US6674679B1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-01-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Adjustable current mode differential amplifier for multiple bias point sensing of MRAM having equi-potential isolation |
US6891768B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-05-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Power-saving reading of magnetic memory devices |
JP2004164766A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
US6781906B2 (en) * | 2002-11-19 | 2004-08-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory cell sensing integrator |
TWI223259B (en) * | 2003-01-07 | 2004-11-01 | Ind Tech Res Inst | A reference mid-point current generator for a magnetic random access memory |
FR2853444B1 (fr) * | 2003-04-02 | 2005-07-15 | St Microelectronics Sa | Amplificateur de lecture a double etage de lecture |
US7027318B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and system for adjusting offset voltage |
EP1484764B1 (en) * | 2003-06-04 | 2006-08-16 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for generating a reference current for sense amplifiers connected to cells of a memory matrix, particularly in big-sized flash memories, and corresponding generator |
US6839280B1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Variable gate bias for a reference transistor in a non-volatile memory |
US7023753B2 (en) * | 2003-11-30 | 2006-04-04 | Union Semiconductor Technology Corporation | Current controlled word and sense source |
US7054185B2 (en) * | 2003-11-30 | 2006-05-30 | Union Semiconductor Technology Corporation | Optimized MRAM current sources |
US7082050B2 (en) * | 2003-11-30 | 2006-07-25 | Union Semiconductor Technology Corporation | Method to equalize word current circuitry |
US7126844B2 (en) * | 2003-11-30 | 2006-10-24 | Union Semiconductor Technology Corporation | Apparatus to improve stability of an MRAM over process and operational variations |
US7113422B2 (en) | 2003-11-30 | 2006-09-26 | Union Semiconductor Technology Corporation | Method for optimizing MRAM circuit performance |
US6862206B1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory module hybridizing an atomic resolution storage (ARS) memory and a magnetic memory |
US7130235B2 (en) * | 2004-09-03 | 2006-10-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus for a sense amplifier |
US7333383B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-02-19 | Infineon Technologies Ag | Fuse resistance read-out circuit |
US8395199B2 (en) | 2006-03-25 | 2013-03-12 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
US8645793B2 (en) | 2008-06-03 | 2014-02-04 | Marvell International Ltd. | Statistical tracking for flash memory |
US7649793B1 (en) | 2006-05-04 | 2010-01-19 | Marvell International Ltd. | Channel estimation for multi-level memories using pilot signals |
US7932548B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-04-26 | 4D-S Pty Ltd. | Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell |
US7307911B1 (en) * | 2006-07-27 | 2007-12-11 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for improving sensing margin of electrically programmable fuses |
US20090126129A1 (en) * | 2007-03-21 | 2009-05-21 | D Agostino Michael J | Precast Arch-Shaped Overfilled Structure |
US7808834B1 (en) | 2007-04-13 | 2010-10-05 | Marvell International Ltd. | Incremental memory refresh |
TWI336079B (en) * | 2007-07-02 | 2011-01-11 | Ind Tech Res Inst | Magnetic random access memory and data reading circuit therefor |
US8031526B1 (en) | 2007-08-23 | 2011-10-04 | Marvell International Ltd. | Write pre-compensation for nonvolatile memory |
US8189381B1 (en) | 2007-08-28 | 2012-05-29 | Marvell International Ltd. | System and method for reading flash memory cells |
US8085605B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-12-27 | Marvell World Trade Ltd. | Sequence detection for flash memory with inter-cell interference |
US9823090B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object |
US7719884B2 (en) * | 2008-05-19 | 2010-05-18 | Qimonda Ag | Integrated circuit, cell arrangement, method of manufacturing an integrated circuit, method of operating an integrated circuit, and memory module |
JP5529450B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-06-25 | スパンション エルエルシー | ボディバイアス制御回路及びボディバイアス制御方法 |
CN102467967B (zh) * | 2010-11-12 | 2015-05-20 | 上海复旦微电子集团股份有限公司 | 用于电可擦写只读存储器的读出电路和读出方法 |
GB2487723A (en) | 2011-01-26 | 2012-08-08 | Nds Ltd | Protection device for stored data values comprising a switching circuit |
US10495699B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-12-03 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target |
US9810519B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors |
US9720054B2 (en) * | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element |
US9972387B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-05-15 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Sensing circuit for resistive memory |
US9823092B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor providing a movement detector |
US9719806B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-08-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object |
KR102354350B1 (ko) | 2015-05-18 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN105049007B (zh) * | 2015-06-19 | 2019-05-14 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 高精度抗干扰比较器及方法和应用该比较器的存储结构 |
US9728253B2 (en) * | 2015-11-30 | 2017-08-08 | Windbond Electronics Corp. | Sense circuit for RRAM |
WO2017176217A1 (en) * | 2016-04-07 | 2017-10-12 | Agency For Science, Technology And Research | Circuit arrangement, memory column, memory array, and method of forming the same |
US10260905B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations |
US10041810B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-08-07 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors |
CN109410997B (zh) * | 2017-08-16 | 2021-04-30 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式存储器存储装置及其写入方法 |
CN110111821A (zh) * | 2018-02-01 | 2019-08-09 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种使用分布式参考单元的磁性随机存储器 |
US10866117B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-12-15 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field influence during rotation movement of magnetic target |
US11255700B2 (en) | 2018-08-06 | 2022-02-22 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor |
US11309005B2 (en) * | 2018-10-31 | 2022-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Current steering in reading magnetic tunnel junction |
US10823586B2 (en) | 2018-12-26 | 2020-11-03 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements |
US11280637B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-03-22 | Allegro Microsystems, Llc | High performance magnetic angle sensor |
US11237020B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-02-01 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet |
US11574678B2 (en) * | 2020-09-17 | 2023-02-07 | Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited | Resistive random access memory, and method for manufacturing resistive random access memory |
CN112579002B (zh) * | 2020-12-14 | 2024-02-13 | 北京北大众志微系统科技有限责任公司 | 一种在位线结构中设置有传输门的sram及存取提升方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2694119B1 (fr) * | 1992-07-24 | 1994-08-26 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de lecture pour mémoire, avec recharge et équilibrage avant lecture. |
JP2800740B2 (ja) * | 1995-09-28 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6169686B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-01-02 | Hewlett-Packard Company | Solid-state memory with magnetic storage cells |
US6262625B1 (en) | 1999-10-29 | 2001-07-17 | Hewlett-Packard Co | Operational amplifier with digital offset calibration |
FR2801719B1 (fr) * | 1999-11-30 | 2002-03-01 | St Microelectronics Sa | Dispositif de lecture pour memoire en circuit integre |
US6191989B1 (en) * | 2000-03-07 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Current sensing amplifier |
JP3920565B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
TW520501B (en) * | 2000-12-29 | 2003-02-11 | Amic Technology Taiwan Inc | Bias device for a magneto-resistive random access memory |
US6501697B1 (en) * | 2001-10-11 | 2002-12-31 | Hewlett-Packard Company | High density memory sense amplifier |
-
2002
- 2002-07-16 US US10/198,278 patent/US6590804B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-18 TW TW092103303A patent/TW200402068A/zh unknown
- 2003-05-16 CN CNB031238203A patent/CN100481249C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-09 JP JP2003272462A patent/JP3965373B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-15 EP EP03254450A patent/EP1383132A1/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7479818B2 (en) | 2006-02-03 | 2009-01-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sense amplifier flip flop |
US8045360B2 (en) | 2008-03-17 | 2011-10-25 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having single-ended sensing amplifier |
US8310887B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-11-13 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having single-ended sensing amplifier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1501401A (zh) | 2004-06-02 |
EP1383132A1 (en) | 2004-01-21 |
US6590804B1 (en) | 2003-07-08 |
CN100481249C (zh) | 2009-04-22 |
JP3965373B2 (ja) | 2007-08-29 |
TW200402068A (en) | 2004-02-01 |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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