JP2004030891A - 初期化不要超解像光学媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】初期化不要の超解像光学媒体を提供する。
【解決手段】光学媒体は、順に、基板と、基板上の第一誘電層と、レーザー光を吸収する第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、第二誘電層上の初期化不要記録層と、初期化不要記録層上の第三誘電層と、からなる。
【選択図】　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学記憶媒体（ｏｐｔｉｃａｌ　ｓｔｏｒａｇｅ　ｍｅｄｉｕｍ）に関するもので、特に、初期化不要層を用いた超解像光学媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光学記憶媒体（ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ等）は、対物レンズにより記録層に照射されるレーザー光を用いて、光学的な読み書きをする。記録点の大きさ（ｍａｒｋ　ｓｉｚｅ）は、レーザー光の波長（λ）とレンズの開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌａｐｅｒｔｕｒｅ、ＮＡ）によって決まる回折限界（ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　ｌｉｍｉｔ）、即ち、０．６１λ／ＮＡにより制限を受ける。これにより、記録点の大きさを効果的に縮小し、光学記憶媒体の記録密度を増加させるため、短波長の光源を使用するか、或いは、レンズのＮＡを大きくする。しかし、光学ヘッドがＤＶＤ−Ｒ（ｄｉｇｉｔａｌ　ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　ｄｉｓｃ　ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）媒体（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５）にまで発展した後、レーザー光の波長は、更に短くすることができず、レンズのＮＡも大きくすることができない。
【０００３】
光学記憶媒体の記録密度を更に増加させるため、近接場光学記録技術（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）が提案され、例えば、近接場固体液浸レンズ（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ　ｓｏｌｉｄ　ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　ｌｅｎｄｓ、ＳＩＬ）法や、走査型近接場光学顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＮＯＭ）法などがある。しかし、上述の近接場光学プレーヤーは製作が困難で、データの読み取り速度が遅く、携帯に不便で、実用的ではない。
【０００４】
上述の困難に関し、富永淳二、中野隆志、阿刀田伸史らが１９９８年に非特許文献１を発表し、２０００年には、富永淳二、藤寛、佐藤彰、深谷俊夫らが、非特許文献２を発表している。これらの研究は、近接場光学記録技術において、現状を突破している。
【０００５】
図１は、酸化銀（ＡｇＯ）を用いた、公知の超解像光学近接場構造（ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ）を示す図である。超解像光学媒体は、順に、予め溝を設けたポリカーボネート（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅｄ　ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）基板１０、厚さ約１３０ｎｍの硫化亜鉛−二酸化ケイ素誘電層１２、厚さ約１５ｎｍのＡｇＯ活性層１４、厚さ約４０ｎｍの硫化亜鉛−二酸化ケイ素誘電層１６、厚さ約２０ｎｍのアモルファスＧｅ２　Ｓｂ２−Ｔｅ５合金記録層１８、厚さ約２０ｎｍの硫化亜鉛−二酸化ケイ素誘電層２０、からなる。読み取りの時、活性層１４はレーザー光を吸収して、近接場光学効果を生じ、表面プラズマを形成し、つまり、超解像光学構造を形成する。
【０００６】
超解像の原理は、活性層を用い、レーザー光を吸収する。レーザー光が活性層を通過する時、光学近接場強度は、活性層の表面プラズマにより増強される。よって、光学解析限界より小さい記録点が得られる。更に、光学特性上の非線形変化も用いられる。レーザー光が活性層に集光する時、エネルギー分布はガウス分布（ｇａｕｓｓ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）で、回転式基板は、活性層上で温度分布にむらが出てしまう。また、活性層の伝送は、非線形関係の温度によるので、異なる温度下で入射するレーザービームは異なる透過率を備えている。これにより、活性層と記録層の光強度分布は異なる。透過率が光強度分布によって変化する特性を利用し、記録層の露出領域を減少させ、超解像を達成する。
【０００７】
搬送波対雑音比（ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　ｎｏｉｓｅ　ｒａｔｉｏ、ＣＮＲ）を改善するため、いわゆる初期化工程というものが実行されなければならない。記録層１８は、熱エネルギーにより、非結晶態から結晶状態にする。しかし、公知の超解像光学媒体は初期化工程に問題があり、例えば、２００℃の高温は超解像近接場光学媒体の活性層１４にダメージを与える。更に、初期化設備は高価で、初期化工程は時間がかかる。
【０００８】
【非特許文献１】
“Ｓｕｐｅｒ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｆｏｒ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄａｔａ　ｓｔｏｒａｇｅ　ｂｙ　ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ　ｏｐｔｉｃｓ”（写真・光学計測技術者協会ＳＰＩＥ　３４６７、２８２）
【非特許文献２】
“Ｔｈｅ　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ａｎｄ　ｔｈｅ　Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　ｏｆ　Ｓｕｐｅｒ　Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　Ｎｅａｒ−Ｆｉｅｌｄ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ”（Ｊｐｎ．　Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｖｏｌ．３９（２０００）９５７−９６１）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、初期化不要の超解像書き換え可能型光学媒体を提供することを目的とし、初期化不要の記録層により、公知の記録層を代替する。信号対雑音比（ｓｉｇｎａｌ　ｔｏ　ｎｏｉｓｅ　ｒａｔｉｏ、ＳＮ比）は効果的に上昇し、媒体の寿命が延長できる。本発明は、製造コストを低減できる、初期化不要の超解像書き換え可能型光学媒体を提供することをもう一つの目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明は、第一発明として、初期化不要の超解像光学媒体を提供し、該媒体は、基板と、基板上の第一誘電層と、第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、第二誘電層上の初期化不要記録層と、初期化不要記録層上の第三誘電層と、からなる。
【００１１】
本発明によると、信号を読み取る時、初期化不要の超解像光学媒体はナノスケールの活性層を用いて、レーザー光を吸収し、これにより、表面プラズマ、近接場光学効果を生成するか、或いは、光学非線形変化を生成する。よって、超高記録密度の再読み取り、再書き込みが可能な光学媒体が得られる。更に、初期化不要記録層は、初期化工程で、例えば、高温により活性層の特性が破壊されるなどの、公知の超解像光学媒体が生じる問題を回避する。更に、超解像光学媒体のＳＮ比が改善される。
【００１２】
初期化不要の超解像光学媒体は、第三誘電層上に形成された反射層と、反射層上に形成された樹脂保護層と、を更に備えている。該反射層は、銀、金、或いは、アルミニウム−チタン合金からなる。
第一誘電層は、厚さ１０〜２００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなる。
【００１３】
活性層は厚さ１〜１００ｎｍで、酸化銀、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化砒素、酸化セレン、酸化インジウム、酸化テルル、酸化アンチモン、酸化白金、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、或いは、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀から２つ以上が選択されてなる合金、からなる。
第二誘電層は、厚さ１〜１００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなる。
【００１４】
初期化不要記録層は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いは、それらの混合物、からなる。更に、セレン、亜鉛、モリブテン、スズ、ビスマス、バナジウム、或いはそれらの混合物によりドープされている。
【００１５】
初期化不要超解像光学媒体は、初期化不要記録層の上表面に、第一結晶補助層と、初期化不要記録層の下表面に、第二結晶補助層と、を更に備えている。第一及び第二結晶補助層は厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、ビスマス、インジウム、銀、或いは、それらの混合物、からなる。また、第一及び第二結晶補助層は、テルル、すなわち、テルル化物から形成されている場合は、該テルル化物は、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３共晶組成物、或いは、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３共晶組成物である。或いは、第一及び第二結晶補助層は厚さが１〜６０ｎｍで、ハロゲン化物から形成され、ハロゲン化物は、ＺｎＦ２ＡＷＦ３、ＫＦ、ＣａＦ２、ＮａＦ、ＢａＦ２、ＭｇＦ２、ＬａＦ３、或いはＬｉＦである。
【００１６】
第一及び第二結晶補助層は、高結晶速度、低結晶温度、初期化不要記録層と同様の結晶構造、格子定数（ｌａｔｔｉｃｅ　ｃｏｎｓｔａｎｔ）、及び初期化不要記録層に対する高い密着性を備えていなければならない。
第三誘電層は、厚さ２〜８０ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなる。
【００１７】
初期化不要の超解像光学媒体は、更に、熱制御層を備えている。熱制御層は、第一、第二、第三誘電層の上、或いは下に形成される。或いは、熱制御層はいずれかの誘電層間に形成されている。つまり、第一、第二、第三誘電層の間に形成されている。熱制御層は、金、銀、炭化ケイ素、ケイ素、酸化アルミニウム、からなる。初期化不要記録層はスパッタリングにより形成された結晶合金層である。
【００１８】
前述の目的を達成するため、本発明は、又、第二発明として、初期化不要記録層と超解像光学構造を備えている光学情報記録媒体を提供する。この超解像光学構造はレーザー光源に近接する初期化不要記録層の一方の側に位置し、光学情報記録媒体は、超解像により、光学情報を読み書きすることができ、前記記録層は結晶記録層である。
【００１９】
前記超解像光学構造は、第一誘電層と、前記第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、からなる。前記第一誘電層は、厚さ１０〜２００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなる。
前記活性層は、厚さ１〜１００ｎｍで、酸化銀、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化砒素、酸化セレン、酸化インジウム、酸化テルル、酸化アンチモン、酸化白金、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、或いは、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀から２つ以上が選択されてなる合金、からなる。
【００２０】
前記第二誘電層は、厚さ１〜１００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなる。
前記初期化不要記録層は、更に、結晶補助層を備えている。前記初期化不要記録層は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いはそれらの混合物、からなる。その他、初期化不要記録層、結晶保護層などの構成は、前記第一の発明と同様である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【００２２】
図２は、本発明の初期化不要の超解像光学媒体を示す図であって、図３は、超解像光学媒体からの読み、或いはそれへの書きこみを示す図である。
図２及び図３を参照すると、超解像光学媒体は、順に、基板１００と、基板１００上の厚さ１０〜２００ｎｍの第一誘電層１０２と、第一誘電層１０２上の厚さ１〜１００ｎｍの活性層１０４と、前記活性層１０４上の厚さ１〜１００ｎｍの第二誘電層１０６と、第二誘電層１０６上の厚さ１〜６０ｎｍの初期化不要記録層１０８と、初期化不要記録層１０８上の厚さ２〜８０ｎｍの第三誘電層１１０と、銀、金、或いは、アルミニウム−チタン合金からなる反射層１１２と、樹脂保護層１１４と、からなる。図３において、符号１２０はレンズ、１３０は２００〜８５０ｎｍの波長を備えているレーザー光を示す。
【００２３】
基板１００は予め溝を設けた透明のポリカーボネート材からなる。第一誘電層１０２は基板１００上に形成され、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなる。活性層１０４は、第一誘電層１０２上に形成され、酸化銀、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化砒素、酸化セレン、酸化インジウム、酸化テルル、酸化アンチモン、酸化白金、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、或いは、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀から２つ以上が選択されてなる合金、からなる。活性層１０４は、書き込み（或いは読み取り）の間、レーザー光を吸収し、近接場光学効果、或いは光学非線形変化を生じ、表面プラズマを形成し、つまり、超解像近接場光学効果を生じる。更に、第二誘電層１０６は活性層１０４上に形成され、第一誘電層１０２と同じ材料からなる。
【００２４】
初期化不要記録層１０８は、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム及び銀、或いは、それらの混合物である。好ましくは、初期化不要記録層は、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いはそれらの混合物で、セレン、亜鉛、モリブテン、スズ、ビスマス、バナジウム、或いはそれらの混合物のドープ金属により、ドープされている。初期化不要記録層１０８は、第二誘電層１０６上にスパッタリングされることにより形成され、結晶状態である。つまり、余分な熱エネルギーにより、初期化不要記録層１０８を初期化する必要がない。
【００２５】
初期化不要効果を増強するため、図４に示すように、第一結晶補助層１０９が初期化不要記録層１０８の上表面に形成され、第二結晶補助層１０７が初期化不要記録層１０８の下表面に形成されている。第一及び第二結晶補助層１０９及び１０７は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、ビスマス、インジウム、銀、或いはそれらの混合物である。第一及び第二結晶補助層がテルル、すなわち、テルル化物で形成されている場合は、該テルル化物は、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３共晶組成物、或いは、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３共晶組成物である。或いは、第一及び第二結晶補助層は厚さ１〜６０ｎｍで、ハロゲン化物から形成され、ハロゲン化物は、ＺｎＦ２ＡＷＦ３、ＫＦ、ＣａＦ２、ＮａＦ、ＢａＦ２、ＭｇＦ２、ＬａＦ３、或いはＬｉＦである。第一及び第二結晶補助層の代表的な例としては、Ｓｂ２Ｔｅ３層である。Ｓｂ２Ｔｅ３層は、結晶化のスピードが速く、結晶化温度が低い。また、スパッタリング間のイオン照射工程において、初期化不要記録層を、うまく結晶化することができる。第三誘電層１１０は初期化不要記録層１０８上に形成され、第一誘電層１０２と同じ材料からなる。
【００２６】
更に、光学媒体の熱安定性を改善するため、熱制御層（図示しない）が第一誘電層１０２と第二誘電層１０６との間、或いは第二誘電層１０６と第三誘電層１１０との間、或いは第三誘電層１１０と反射層１１２との間、に形成されている。熱制御層は金、銀、炭化ケイ素、ケイ素、或いは酸化アルミニウム、からなる。
反射層１１２は、熱を吸収、拡散し、光学媒体の好ましい反射を提供する。樹脂保護層１１４はＵＶ樹脂保護層で、初期化不要超解像光学多層構造を外部のダメージから保護する。
【００２７】
図３を参照すると、本発明の初期化不要超解像光学媒体の作業メカニズムが記述される。例えば、レーザー光１３０はレンズ１２０を通じて焦点し、その後、第一誘電層１０２と活性層１０４を通じて伝送され、初期化不要記録層１０８上に集中する。レーザー光１３０により照射された初期化不要記録層１０８の一部分は、温度が上昇する。活性層１０４はレーザー光１３０を吸収し、表面プラズマ近接場効果、或いは光学非線形効果を生じる。更に、初期化不要記録層１０８により読み書きされるマークサイズは、回折限界より小さい。
結論として、本発明は超解像と初期化不要記録層を組み合わせて、初期化不要超解像光学媒体を形成する。公知の記録層は初期化不要記録層により代替される。ＳＮ比は効果的に改善され、光学媒体製造コストは減少する。
【００２８】
本発明では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【００２９】
【発明の効果】
信号対雑音比は効果的に上昇し、媒体の寿命延長、及び製造コストの低減が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】公知の超解像光学近接場構造の断面図である。
【図２】本発明による初期化不要超解像光学媒体の断面図である。
【図３】本発明の初期化不要超解像光学媒体の読み書きを示す図である。
【図４】本発明の初期化不要記録層の断面図である。
【符号の説明】
１０、１００：基板
１２、１６、２０、１０２、１０６、１１０：誘電層
１４、１０４：活性層
１８：記録層
１１２：反射層
１１４：樹脂保護層
１０８：初期化不要記録層
１０７、１０９：結晶補助層
１２０：レンズ
１３０：レーザー光

Claims (34)

  1. 初期化不要超解像光学媒体であって、順に、
    基板と、
    前記基板上の第一誘電層と、
    前記第一誘電層上の活性層と、
    前記活性層上の第二誘電層と、
    前記第二誘電層上の初期化不要記録層と、
    前記初期化不要記録層上の第三誘電層と、
    からなることを特徴とする初期化不要超解像光学媒体。
  2. 前記第三誘電層上に反射層を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  3. 前記反射層は、銀、金、或いは、アルミニウム−チタン合金からなることを特徴とする請求項２に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  4. 前記反射層上に樹脂保護層を更に備えていることを特徴とする請求項２に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  5. 前記第一誘電層は、厚さ１０〜２００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  6. 前記活性層は、厚さ１〜１００ｎｍで、酸化銀、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化砒素、酸化セレン、酸化インジウム、酸化テルル、酸化アンチモン、酸化白金、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、或いは、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀から２つ以上が選択されてなる合金、からなることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  7. 前記第二誘電層は、厚さ１〜１００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  8. 前記初期化不要記録層は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いは、それらの混合物、からなることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  9. 前記初期化不要記録層は、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いは、それらの混合物からなり、更に、セレン、亜鉛、モリブテン、スズ、ビスマス、バナジウム、或いはそれらの混合物によりドープされていることを特徴とする請求項８に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  10. 前記初期化不要記録層は、上表面及び下表面を備え、前記初期化不要超解像光学媒体は更に、
    前記初期化不要記録層の前記上表面の第一結晶補助層と、
    前記初期化不要記録層の前記下表面の第二結晶補助層と、
    を更に備えていることを特徴とする請求項８に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  11. 前記第一及び第二結晶補助層は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、ビスマス、インジウム、銀、或いは、それらの混合物からなることを特徴とする請求項１０に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  12. 前記第一及び第二結晶補助層は、テルル化物からなることを特徴とする請求項１１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  13. 前記テルル化物は、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３共晶組成物、或いは、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３共晶組成物であることを特徴とする請求項１２に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  14. 前記第一及び第二結晶補助層は、厚さが１〜６０ｎｍで、ハロゲン化物からなることを特徴とする請求項１０に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  15. 前記ハロゲン化物は、ＺｎＦ２ＡＷＦ３、ＫＦ、ＣａＦ２、ＮａＦ、ＢａＦ２、ＭｇＦ２、ＬａＦ３、或いはＬｉＦであることを特徴とする請求項１４に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  16. 前記第三誘電層は、厚さ２〜８０ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  17. 更に、第一誘電層、第二誘電層、或いは第三誘電層の上、或いは、下、或いは、それら間に形成されている熱制御層を備えていることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  18. 前記熱制御層は、金、銀、炭化ケイ素、ケイ素、或いは酸化アルミニウム、からなることを特徴とする請求項１７に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  19. 前記初期化不要記録層はスパッタリングにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  20. 前記初期化不要記録層は結晶合金層であることを特徴とする請求項１に記載の初期化不要超解像光学媒体。
  21. 光学情報記録媒体であって、初期化不要記録層と超解像光学構造からなり、前記超解像光学構造は、レーザー光源に近接する前記初期化不要記録層の一方の側に位置し、前記光学情報記録媒体は超解像により、光学情報を読み書きすることができ、前記記録層は結晶記録層であることを特徴とする光学情報記録媒体。
  22. 前記超解像光学構造は、
    第一誘電層と、
    前記第一誘電層上の活性層と、
    前記活性層上の第二誘電層と、
    からなることを特徴とする請求項２１に記載の光学情報記録媒体。
  23. 前記第一誘電層は、厚さ１０〜２００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなることを特徴とする請求項２２に記載の光学情報記録媒体。
  24. 前記活性層は、厚さ１〜１００ｎｍで、酸化銀、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化砒素、酸化セレン、酸化インジウム、酸化テルル、酸化アンチモン、酸化白金、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、或いは、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀から２つ以上が選択されてなる合金、からなることを特徴とする請求項２２に記載の光学情報記録媒体。
  25. 前記第二誘電層は、厚さ１〜１００ｎｍで、窒化ケイ素、硫化亜鉛−二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ゲルマニウム、窒化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、或いは酸化イットリウム、からなることを特徴とする請求項２２に記載の光学情報記録媒体。
  26. 前記初期化不要記録層は、更に、結晶補助層を備えていることを特徴とする請求項２１に記載の光学情報記録媒体。
  27. 前記初期化不要記録層は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いは、それらの混合物、からなることを特徴とする請求項２１に記載の光学情報記録媒体。
  28. 前記初期化不要記録層は、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、インジウム、銀、或いはそれらの混合物、からなり、更に、セレン、亜鉛、モリブテン、スズ、ビスマス、バナジウム、或いはそれらの混合物によりドープされていることを特徴とする請求項２７に記載の光学情報記録媒体。
  29. 前記結晶補助層は、厚さ１〜６０ｎｍで、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、ビスマス、インジウム、銀、或いは、それらの混合物からなることを特徴とする請求項２６に記載の光学情報記録媒体。
  30. 前記結晶補助層は、テルル化物からなることを特徴とする請求項２６に記載の光学情報記録媒体。
  31. 前記テルル化物は、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３共晶組成物、或いは、ＧｅＴｅ−Ｂｉ２Ｔｅ３共晶組成物であることを特徴とする請求項３０に記載の光学情報記録媒体。
  32. 前記第一及び第二結晶補助層は、厚さが１〜６０ｎｍで、ハロゲン化物からなることを特徴とする請求項２６に記載の光学情報記録媒体。
  33. 前記ハロゲン化物は、ＺｎＦ２ＡＷＦ３、ＫＦ、ＣａＦ２、ＮａＦ、ＢａＦ２、ＭｇＦ２、ＬａＦ３、或いはＬｉＦであることを特徴とする請求項３２に記載の光学情報記録媒体。
  34. 前記初期化不要記録層はスパッタリングにより形成されていることを特徴とする請求項２１に記載の光学情報記録媒体。
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