WO2005004132A1 - 光記録ディスク - Google Patents

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WO2005004132A1
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layer
dielectric layer
optical recording
decomposition reaction
recording disk
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PCT/JP2004/009186
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Takashi Kikukawa
Narutoshi Fukuzawa
Tatsuhiro Kobayashi
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Tdk Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to an optical recording disk, and more particularly, to a case where the length of a recording mark or the length of a blank area between adjacent recording marks is less than the resolution limit. Data composed of these recording marks and a series of recording marks including a blank area can be recorded and reproduced, making it possible to greatly increase the recording capacity and improve the CZN ratio of the reproduced signal.
  • the present invention relates to an optical recording disk that can be operated. Background art
  • optical recording disks typified by CDs and DVDs have been widely used as recording media for recording digital data.
  • the development of optical recording discs having them is being actively pursued.
  • the recording capacity of the optical recording disk is increased by reducing ⁇ , increasing the numerical aperture ⁇ ⁇ of the objective lens, and reducing the beam spot diameter of the laser light to a small value. Disclosure of the invention
  • the length of a recording mark recorded on the optical recording disk and the length between adjacent recording marks, that is, an area where no recording mark is formed (hereinafter, referred to as " If the length of the “blank area” is less than the resolution limit, it becomes impossible to reproduce data from the optical recording disk.
  • the resolution limit is determined by the wavelength ⁇ of the laser light and the numerical aperture ⁇ of the objective lens for focusing the laser light, and the repetition frequency of the recording mark and the blank area, that is,
  • the lengths of the recording mark and the blank corresponding to the readable spatial frequency are each ⁇ / 4 ⁇ or more, and the laser beam having the wavelength ⁇ is supplied to the objective lens having the numerical aperture ⁇ .
  • the recording mark and blank area have a length of ⁇ / 4, and the shortest recording mark and blank area can be read.
  • the resolution limit is reduced by shortening the wavelength ⁇ of the laser beam used for data reproduction or increasing the numerical aperture ⁇ of the objective lens. Therefore, it is required to reduce the size of the data and make it possible to reproduce data consisting of shorter recording marks and blank areas.
  • an object of the present invention is to include a recording mark and a blank area even when the length of a recording mark and the length of a blank area between adjacent recording marks are less than the resolution limit.
  • An optical recording disc that can record and reproduce data consisting of a series of recording marks, greatly increasing the recording capacity and improving the C / N ratio of the reproduced signal. Is to provide.
  • the object of the present invention is to provide a laser light having a wavelength ⁇ of 390 nm and a wavelength ⁇ of 420 nm.
  • An optical recording disk configured to be read and reproduced, comprising: a substrate; a third dielectric layer provided on the substrate and having a thickness of 10 nm to 140 nm; and the third dielectric layer.
  • a light absorbing layer provided on the light absorbing layer and having a thickness of 5 nm to 100 nm, a second dielectric layer provided on the light absorbing layer and having a thickness of 20 nm to 100 nm, and the second dielectric layer A decomposition reaction layer having a thickness of 2 nm to 50 nm and containing a noble metal oxide as a main component, a first dielectric layer provided on the decomposition reaction layer, and the first dielectric A light-transmitting layer provided on the layer and having a thickness of 10 ⁇ m to 200 ⁇ m, wherein when the laser light is irradiated through the light-transmitting layer, the decomposition reaction layer has a main component.
  • the noble metal oxide contained as is decomposed into noble metal and oxygen and generated oxygen gas And a recording mark is formed in the decomposition reaction layer by forming a cavity and depositing the fine particles of the noble metal into the cavity, thereby achieving an optical recording disk.
  • an optical recording disk provided with a decomposition reaction layer containing a noble metal oxide as a main component is provided with an objective lens having a numerical aperture NA of 0.7 to 0.9 by an optical lens.
  • the noble metal oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer is decomposed into noble metal and oxygen, and the generated oxygen gas causes A cavity was formed in the decomposition reaction layer, and fine particles of the noble metal precipitated in the cavity, a recording mark was formed in the decomposition reaction layer, data was recorded, and thus the data was recorded on the optical recording disk.
  • the noble metal oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer is decomposed into noble metal and oxygen, and the generated oxygen gas forms a cavity in the decomposition reaction layer, and the fine particles of the noble metal fall into the cavity.
  • the recording marks are formed on the decomposition reaction layer and the data is recorded, the length of the recording marks constituting the recording mark row and the length of the blank area between adjacent recording marks are resolved. Data can be played even when it is below the limit The reason for this is not necessarily clear, but is that the near-field light was generated by irradiating the noble metal particles deposited in the cavity with laser light for regeneration, and the resolution limit was eliminated. It is presumed that the resolution limit was reduced due to the interaction between the fine particles of the noble metal deposited in the cavity and the irradiated laser light.
  • the thickness of the second dielectric layer and the CZN ratio when the recorded data is reproduced by forming a recording mark on the decomposition reaction layer are closely related to each other.
  • the second dielectric layer has a thickness of 20 nm to 100 nm, it is possible to further improve the CZN ratio when reproducing the recording mark formed on the decomposition reaction layer.
  • the second dielectric layer has a thickness of 20 nm and a thickness of 100 nm, so that a cavity is formed in the decomposition reaction layer.
  • a cavity is formed in the decomposition reaction layer, and fine particles of noble metal are precipitated in the cavity to form a recording mark in the decomposition reaction layer, thereby forming a recording mark row.
  • the length of a recording mark to be configured or the length of a blank area between adjacent recording marks is less than the resolution limit, data can be reproduced. Since data can be recorded, the storage capacity of the optical recording disk can be greatly increased, and further, since the second dielectric layer has a thickness of 20 nm or 100 nm, By forming a cavity in the decomposition reaction layer, a recording mark is formed, and a reproduced signal having a high C / N ratio can be obtained when the recorded data is reproduced.
  • the noble metal oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer is not particularly limited, but from the viewpoint of easy formation of the oxide and generation efficiency of near-field light, silver An oxide containing one kind of noble metal selected from the group consisting of platinum and palladium is particularly preferred, and platinum oxide PtOx is more preferred because of its high decomposition temperature.
  • Platinum oxide PtOx has a higher decomposition temperature than other noble metal oxides. Therefore, when irradiating a laser beam set to the power for recording to form a recording mark, the platinum oxide PtOx has a higher recording temperature. Even if heat diffuses from the area irradiated with the light to the surrounding decomposition reaction layer, the laser light Since the decomposition reaction of platinum oxide PtOx is prevented from occurring in the area other than the irradiated area, it is possible to form a cavity and form a recording mark in a desired area of the decomposition reaction layer .
  • platinum oxide PtOx has a higher decomposition temperature than other noble metal oxides. Since the oxide is not likely to be decomposed into platinum and oxygen, a cavity is formed that does not change the shape of the recording mark even if the data recorded on the optical recording disk is reproduced repeatedly. No new cavities are formed in areas other than the areas where the recording marks are formed, so that the reproduction durability of the optical recording disk can be improved.
  • X is preferably 0.5 or more and 4.0 or less, more preferably 1.0 or more and less than 3.
  • y is preferably 0.5 or more and 1.5 or less, more preferably 0.5 or more and 1.0 or less. Is more preferable.
  • the platinum fine particles formed by decomposition of platinum oxide have a particle size smaller than the size of a cavity to be formed in the decomposition reaction layer,
  • the particle size of the platinum fine particles is defined as the diameter when the platinum fine particles are spherical.
  • the second dielectric layer is formed so as to have a thickness of 20 to 100 nm, preferably to have a thickness of 40 nm to 100 nm, and more preferably 50 nm. It is formed to have a thickness of 100 nm.
  • the material for forming the second dielectric layer is not particularly limited.
  • oxide, nitride, sulfide, fluoride, or a combination thereof is used.
  • the second dielectric layer can be formed by a dielectric material as a main component.
  • the second dielectric layer is made of Si, Zn, Al, Ta, Ti, Co, Zr, Pb, Ag, It can be formed by oxides, nitrides, sulfides, fluorides or composites containing at least one metal selected from the group consisting of Zn, Sn, Ca, Ce, V, Cu, Fe and Mg. It is more preferable to be formed by a mixture of ZnS and SiO.
  • the optical recording disk includes a light absorbing layer having a thickness of 5 nm to 100 nm below the second dielectric layer.
  • the light absorbing layer is configured to absorb the laser light and generate heat when irradiated with the laser light via the light transmitting layer.
  • the light absorbing layer is configured to absorb the laser light and generate heat when irradiated with the laser light via the light transmitting layer, the laser light is irradiated when the laser light is irradiated.
  • the heat transferred from the light absorption layer can decompose the noble metal oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer into noble metal and oxygen, Therefore, even if the decomposition reaction layer is made thinner so that the decomposition reaction layer is easily deformed, or if the decomposition reaction layer contains a noble metal oxide having high laser light transmission property, By irradiating the optical recording disk with a laser beam, it becomes possible to decompose the noble metal oxide and form a recording mark as desired.
  • the light absorbing layer preferably contains a material having a high absorptivity for laser light and a low thermal conductivity, and preferably contains at least one of Sb and Te. I like it
  • the alloy containing at least one of Sb and Te contained in the light absorbing layer includes (a) a composition represented by (SbTe) M or ⁇ (GeTe) (SbTe) ⁇ M. -a 1-bbc 2 3 1— Those with cd 1-d are particularly preferred.
  • M represents an element excluding Sb, Te and Ge.
  • the alloy containing at least one of Sb and Te contained in the light absorption layer is (Sb Te) a 1—a 1 b
  • a and b are 0 ⁇ a ⁇ l, and 0 ⁇ b ⁇ 0.2 b
  • the light absorption coefficient is lower than the value required for the light absorbing layer, and the thermal conductivity is lower than the value required for the light absorbing layer. Absent.
  • the light absorbing layer has a composition represented by an alloy force ⁇ (GeTe) (SbTe) ⁇ M containing at least one of Sb and Te, l / 3 ⁇ c ⁇ 2 / 3, and c 2 3 1-cd 1-d
  • the element M is not particularly limited, but In, Ag, Au, Bi, Se, Al, P, H, Si, C, V, W, Ta, Zn, Mn, Ti, It preferably contains at least one element selected from the group consisting of Sn, Pb, Pd, N, ⁇ and rare earth elements (Sc, Y and lanthanoids) as a main component.
  • the element ⁇ ⁇ contains at least one element selected from the group consisting of Ag, In and rare earth elements as a main component.
  • the second dielectric layer and the light absorbing layer are deformed when the decomposition reaction layer is irradiated with laser light to be decomposed into a noble metal and oxygen, and a cavity is formed.
  • the region where the second dielectric layer and the light absorbing layer are deformed has optical characteristics different from the region where the second dielectric layer and the light absorbing layer are not deformed. It can be further improved.
  • an optical recording disk capable of recording and reproducing data composed of data, enabling a large increase in recording capacity, and improving the C / N ratio of a reproduced signal. It becomes possible.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical recording disk according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic enlarged sectional view of a portion indicated by A in FIG. 1.
  • FIG. 3 (a) is a partially enlarged schematic cross-sectional view of an optical recording disk before data is recorded.
  • FIG. 3B is a partially enlarged schematic cross-sectional view of the optical recording disk after data has been recorded. Explanation of reference numerals [0037] 1 Optical recording disk
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of an optical recording disk according to a preferred embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical recording disk shown in FIG. It is a substantially enlarged sectional view of the part shown.
  • the optical recording medium 1 includes a substrate 2, and a third dielectric layer 3, a light absorbing layer 4
  • the second dielectric layer 5, the decomposition reaction layer 6, the first dielectric layer 7, and the light transmitting layer 8 are laminated in this order.
  • the optical recording disk 1 is irradiated with laser light 20 from the light transmitting layer 8 side, data is recorded, and the recorded data is reproduced. It is configured to
  • the laser light 20 has a wavelength ⁇ of 390 nm and a wavelength ⁇ of 420 nm, and is focused on the optical recording disk 1 by an objective lens having a numerical aperture 0 of 0.7 to 0.9.
  • the substrate 2 functions as a support for ensuring the mechanical strength required for the optical recording disk 1.
  • the material for forming the substrate 2 is not particularly limited as long as it can function as a support for the optical recording disk 1.
  • the substrate 2 can be formed by, for example, glass, ceramics, resin, or the like.
  • resins are preferably used from the viewpoint of ease of molding.
  • Such resins include polycarbonate resin and acrylic resin. Fats, epoxy resins, polystyrene resins, polyethylene resins, polypropylene resins, silicone resins, fluorine resins, ABS resins, urethane resins, and the like.
  • resins include polycarbonate resin and acrylic resin. Fats, epoxy resins, polystyrene resins, polyethylene resins, polypropylene resins, silicone resins, fluorine resins, ABS resins, urethane resins, and the like.
  • Polycarbonate resins are particularly preferred from the viewpoints of workability, optical properties and the like.
  • the substrate 2 is formed of a polycarbonate resin and has a thickness of about 1. 1 mm.
  • a third dielectric layer 3 is formed on the surface of the substrate 2.
  • the third dielectric layer 3 has a function of protecting the substrate 2 and a function of functionally and chemically protecting the light absorbing layer 4 formed thereon. I have.
  • the dielectric material for forming the third dielectric layer 3 is not particularly limited.
  • the third dielectric layer 3 can be formed on the surface of the substrate 2 by, for example, a vapor deposition method using a chemical species containing a constituent element of the third dielectric layer 3. .
  • a vapor deposition method using a chemical species containing a constituent element of the third dielectric layer 3.
  • the vapor deposition method include a vacuum deposition method and a sputtering method.
  • the thickness of the third dielectric layer 3 is not particularly limited, but is preferably lOnm or 140 ⁇ m.
  • a light absorption layer 4 is formed on the surface of the third dielectric layer 3.
  • the light absorbing layer 4 absorbs the laser beam 20 to generate heat, thereby generating heat. It has a function of transmitting the generated heat to a decomposition reaction layer 6 described later.
  • the light absorption layer 4 is formed of an alloy containing at least one of Sb and Te having a high light absorption coefficient and a low thermal conductivity.
  • the light absorbing layer 4 has an alloying force S containing at least one of Sb and Te and having a composition represented by ⁇ (GeTe) (SbTe) ⁇ M, l / 3 ⁇ c ⁇ 2 / 3, and c 2 3 1-cd 1-d
  • the element M is not particularly limited, but In, Ag, Au, Bi, Se, Al, P, H, Si, C, V, W, Ta, Zn, Mn, Ti, It preferably contains at least one element selected from the group consisting of Sn, Pb, Pd, N, ⁇ and rare earth elements (Sc, Y and lanthanoids) as a main component.
  • the element ⁇ ⁇ contains at least one element selected from the group consisting of Ag, In and rare earth elements as a main component.
  • the light absorbing layer 4 can be formed on the surface of the third dielectric layer 3 by a vapor growth method using a chemical species containing the constituent element of the light absorbing layer 4. Examples thereof include a vacuum deposition method and a sputtering method.
  • the light absorbing layer 4 preferably has a thickness of 5 nm to 100 nm. If the thickness of the light absorbing layer 4 is less than 5 nm, the light absorption is too low.On the other hand, if the thickness of the light absorbing layer 4 exceeds 100 nm, a cavity is formed in the decomposition reaction layer 6 as described later. When formed, the light absorbing layer 4 is not easily deformed, which is not preferable.
  • a second dielectric layer 5 is formed on the surface of the light absorption layer 4.
  • the second dielectric layer 5 has a function of mechanically and chemically protecting the decomposition reaction layer 6 described later together with the first dielectric layer 7 described later. .
  • the material for forming the second dielectric layer 5 is not particularly limited.
  • an oxide, a nitride, a sulfide, a fluoride, or a combination thereof is used as a main component.
  • the second dielectric layer 5 can be formed by a dielectric material such as Si, Zn, Al, Ta, Ti, Co, Zr, Pb, Ag, and Zn.
  • ZnS and Si ⁇ which are preferably formed by nitrides or their composites.
  • the second dielectric layer 5 can be formed on the surface of the light absorption layer 4 by a vapor phase growth method using a chemical species containing a constituent element of the second dielectric layer 5, Examples of the vapor phase growth method include a vacuum evaporation method and a sputtering method.
  • the second dielectric layer 5 is formed to have a thickness of 20 to 100 nm, preferably
  • the second dielectric layer is formed.
  • the thickness of 5 is not particularly limited.
  • a decomposition reaction layer 6 is formed on the surface of the second dielectric layer 5.
  • the decomposition reaction layer 6 is used as a part of a recording layer, and when data is recorded on the optical recording disk 1, a recording mark is formed on the decomposition reaction layer 6.
  • the decomposition reaction layer 6 contains platinum oxide PtOx as a main component.
  • a reproduction signal having a high C / N ratio can be obtained even when the length of a recording mark or the length of a blank area between adjacent recording marks is less than the resolution limit. It is more preferable that 1.0 ⁇ x ⁇ 3.0.
  • the decomposition reaction layer 6 can be formed on the surface of the second dielectric layer 5 by a vapor phase growth method using a chemical species containing a constituent element contained as a main component in the decomposition reaction layer 6.
  • a vapor phase growth method using a chemical species containing a constituent element contained as a main component in the decomposition reaction layer 6.
  • the vapor phase growth method include a vacuum deposition method and a sputtering method.
  • the decomposition reaction layer 6 is preferably formed to have a thickness of 2 nm to 50 nm.
  • a first dielectric layer 7 is formed on the surface of the decomposition reaction layer 6.
  • the first dielectric layer 7 has a function of mechanically and chemically protecting the decomposition reaction layer 6.
  • the material for forming the first dielectric layer 7 is not particularly limited. oxide, nitride containing at least one metal selected from the group consisting of n, Al, Ta, Ti, Co, Zr, Pb, Ag, Zn, Sn, Ca, Ce, V, Cu, Fe, Mg, Sulfide, fluoride, or
  • the first dielectric layer 7 can be formed on the surface of the decomposition reaction layer 6 by a gas phase growth method using a chemical species containing a constituent element of the first dielectric layer 7, Examples of the vapor deposition method include a vacuum deposition method and a sputtering method.
  • a light transmitting layer 8 is formed on the surface of the first dielectric layer 7.
  • the light transmitting layer 8 is a layer through which the laser light 20 passes, and the surface thereof forms an incident surface of the laser light 20.
  • the light transmitting layer 8 preferably has a thickness of 10 zm to 200 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ , more preferably the light transmitting layer 8 has a thickness of 50 xm and a thickness of 150 zm.
  • the material for forming the light transmitting layer 8 is optically transparent and has a birefringence that reduces optical absorption and reflection at 420 nm, which is 390 nm, which is the wavelength region of the laser beam 20 used. If the light transmitting layer 8 is formed by a spin coating method, which is not particularly limited as long as the material is small, an ultraviolet curable resin, an electron beam curable resin, a thermosetting resin, etc. Is used to form the light-transmitting layer 8, and an active energy ray-curable resin such as an ultraviolet-curable resin or an electron beam-curable resin is particularly preferably used to form the light-transmitting layer 8. You.
  • the light transmitting layer 8 may be formed by bonding a sheet formed of a light transmitting resin to the surface of the first dielectric layer 7 using an adhesive.
  • the light transmitting layer 8 When the light transmitting layer 8 is formed by spin coating, the light transmitting layer 8 preferably has a thickness of 10111, preferably 200111. When the light transmitting layer 8 is formed by adhering to the surface of the first dielectric layer 7 using an adhesive, the thickness is 50 ⁇ m, and preferably 150 ⁇ m.
  • FIG. 3A is a partially enlarged schematic cross-sectional view of the optical recording disk 1 before data is recorded.
  • FIG. 3 (b) is a partially enlarged schematic cross-sectional view of the optical recording disk 1 after data has been recorded.
  • the optical recording disc 1 When recording data on the optical recording disc 1, the optical recording disc 1 is irradiated with laser light 20 via the light transmitting layer 8.
  • the laser beam 20 having a wavelength ⁇ of 20 nm is configured to be focused on the optical recording disk 1 by an objective lens having a numerical aperture ⁇ of 0.7 to 0.9.
  • the power of the laser beam 20 is set to be higher than 4 mW and equal to or lower than 12 mW.
  • the power of the laser beam 20 is defined as the power of the laser beam 20 on the surface of the optical recording disk 1.
  • the light absorbing layer 4 is formed of an alloy containing at least one of Sb and Te having a high light absorption coefficient. Therefore, the region of the light absorption layer 4 irradiated with the laser beam 20 is heated.
  • Platinum oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer 6 has high transparency to the laser beam 20, so that even when the laser beam 20 is irradiated, the decomposition reaction layer 6 itself does not easily generate heat and has a thickness of 3 nm. However, it is difficult to raise the temperature of the decomposition reaction layer 6 having a thickness of 6 nm above the decomposition temperature of platinum oxide.
  • Sb and Te having high light absorption coefficients are used. Since the light absorbing layer 4 formed of an alloy containing at least one of the following is provided, the light absorbing layer 4 generates heat, and the heat generated in the light absorbing layer 4 is transmitted to the decomposition reaction layer 6 to cause the decomposition reaction. The temperature of layer 6 increases.
  • the decomposition reaction layer 6 is heated to a temperature higher than the decomposition temperature of platinum oxide, and the platinum oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer 6 is decomposed into platinum and oxygen.
  • the platinum oxide is decomposed, and the generated oxygen gas forms a cavity 7a in the decomposition reaction layer 6, and the platinum fine particles 7b are formed. Deposits in cavity 7a.
  • the decomposition reaction layer 6 is deformed together with the second dielectric layer 5 by the pressure of the oxygen gas.
  • the cavity 7a is formed, and the area where the second dielectric layer 5 and the decomposition reaction layer 6 are deformed has optical characteristics different from those of the other areas.
  • a recording mark is formed by a region where the dielectric layer 5 and the decomposition reaction layer 6 are deformed.
  • the recording mark thus formed and the blank area between the adjacent recording marks include a recording area having a length shorter than ⁇ / 4 ⁇ , which is less than the resolution limit. Is formed.
  • the decomposition reaction layer 6 contains platinum oxide having a high decomposition temperature as a main component, it is irradiated with the laser beam 20 set to the recording power.
  • the decomposition of platinum oxide occurs in a region other than the region irradiated with the laser beam. A reaction is prevented from occurring, and therefore, it becomes possible to form a cavity 7a in a desired region of the decomposition reaction layer 6 to form a recording mark.
  • the platinum oxide is decomposed, and the platinum fine particles 6b are deposited in the cavity 6a to form a recording mark.
  • the particle diameter of the platinum fine particles 6b is as follows. However, since the size of the cavity 6a to be formed in the decomposition reaction layer 6 is smaller than the size of the cavity 6a, the shape of the cavity 6a is adversely affected by the platinum fine particles 6b deposited in the cavity 6a, and the shape of the recording mark is undesirably changed. Can be effectively prevented from occurring.
  • a laser beam 20 having a wavelength ⁇ of 390 nm to 420 nm is applied by an objective lens having a numerical aperture ⁇ of 0.7 to 0.9.
  • the light is focused on the optical recording disk 1.
  • the power of the laser beam 20 applied to the optical recording disc 1 for reproducing data is set to lmW to 4mW, which is higher than usual.
  • the laser beam 20 having a wavelength ⁇ of 390 nm and a wavelength ⁇ of 420 nm is thus obtained by using an objective lens having a numerical aperture ⁇ of 0.7 to 0.9.
  • the length of the recording mark constituting the recording mark row and the length of the blank area between adjacent recording marks are less than the resolution limit.
  • the platinum oxide contained as a main component in the decomposition reaction layer 6 is decomposed into platinum and oxygen, and the generated oxygen gas forms cavities 7a in the decomposition reaction layer 6 and forms fine particles of platinum.
  • 7b precipitates in the cavity 7a and a recording mark is formed in the decomposition reaction layer 6, and when data is recorded, the length of the recording marks constituting the recording mark row and the blank between adjacent recording marks Even if the length of the area is less than the resolution limit, data can be reproduced, but the reason is not necessarily clear.However, the reproduction is performed on the platinum fine particles 7b deposited in the cavity 7a.
  • Irradiation of the laser light 20 for irradiation generates near-field light, and the resolution limit has been eliminated, or the irradiation of the irradiated laser light 20 with the platinum fine particles 7b deposited in the cavity 7a Interaction reduced resolution limit It is inferred that it is the fit.
  • the decomposition reaction layer 6 contains platinum oxide having a high decomposition temperature as a main component, data is reproduced by irradiating a high-power reproducing laser beam.
  • the platinum oxide is not likely to be decomposed into platinum and oxygen. Therefore, even if the data recorded on the optical recording disk 1 is repeatedly reproduced, the shape of the recording mark does not change. Since no new cavity is formed in the area other than the area where the recording mark is formed, the reproduction durability of the optical recording disk 1 can be improved.
  • the recording mark was formed on the decomposition reaction layer 6, and the C / N when the recorded data was reproduced was recorded.
  • the ratio is closely related to that when the second dielectric layer 5 has a thickness of 20 nm to 100 nm, and the recording mark formed on the decomposition reaction layer 6 is reproduced. It has been found that the CZN ratio can be further improved.
  • the second dielectric layer 5 has a thickness of 20 nm to 100 nm, By forming the cavity 6a in the reaction layer 6, a recording mark is formed, and when reproducing recorded data, a reproduced signal having a high C / N ratio can be obtained.
  • the cavity 7a is formed in the decomposition reaction layer 6, and the fine particles 7b of platinum are precipitated in the cavity 7a to form a recording mark in the decomposition reaction layer 6.
  • This makes it possible to reproduce data even when the length of the recording marks constituting the recording mark row and the length of the blank area between adjacent recording marks are less than the resolution limit.
  • data can be recorded at a higher density, and thus the storage capacity of the optical recording disk 1 can be greatly increased.
  • the second dielectric layer 5 has a thickness of 20 nm to 100 nm. Therefore, when the cavity 6a is formed in the decomposition reaction layer 6, a recording mark is formed, and when the recorded data is reproduced, a reproduced signal with a high CZN ratio can be obtained. Becomes possible.
  • a polycarbonate substrate having a thickness of 1 mm and a diameter of 120 mm is set in a sputtering device, and a mixture of ZnS and SiO is used as a target on the polycarbonate substrate.
  • a third dielectric layer having a thickness of 80 nm was formed by the sputtering method.
  • the molar ratio of ZnS to Si ⁇ in the mixture of No. 2 was 80:20.
  • a light absorption layer having a thickness of 60 nm was formed on the surface of the third dielectric layer by a sputtering method using Ag, In, Sb, and Te as targets.
  • the composition of the light absorbing layer was Ag In Sb Te in atomic ratio.
  • a second dielectric layer having a thickness of 40 nm was formed by the sputtering method.
  • the molar ratio of ZnS to Si ⁇ in the 2 mixture was 80:20.
  • a decomposition reaction layer containing PtOx as a main component was formed on the surface of the second dielectric layer by sputtering a Pt target in a mixed gas atmosphere of Ar and ⁇ 2. X in the formed PtOx was 1.5.
  • a first dielectric layer having a thickness of 100 nm was formed by the sputtering method.
  • the molar ratio of ZnS to SiO in the mixture of ZnS and SiO was 80:20.
  • an acrylic UV-curable resin is dissolved in a solvent, and the prepared resin solution is applied to the surface of the first dielectric layer by spin coating to form an application layer. Then, the coating layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the acrylic ultraviolet curable resin, thereby forming a light transmitting layer having a layer thickness of 100 / m 2.
  • the optical recording disk sample No. # 1 was set on the optical recording medium evaluation device "DDU1000" (trade name) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. Using an objective lens with NA (numerical aperture) of 0.85, laser light is condensed through the light transmitting layer, and the length of the recording mark is 60 nm, 70 nm, and 80 nm, respectively. Under the following conditions, recording marks were formed on the decomposition reaction layer of the optical recording disk Sampnole # 1 so that the thicknesses became 12 Onm, 160 nm, 200 nm, 240 nm, 280 nm, and 320 nm. At this time, no change was observed in the phase state of the light absorbing layer.
  • the data recorded on the optical recording disk sample # 1 was reproduced using the same optical recording medium evaluation device under the following conditions, and the C / N ratio of the reproduced signal was measured.
  • the reproduction power of the laser beam was set to 2. OmW.
  • the C / N ratio of the reproduced signal is 36.8 dB, 39.9 dB, 40.5 dB, 42.3 dB, 41. OdB, which is less than the resolution limit when recording marks are formed by forming gaps in the reaction layer It has been found that a reproduced signal having a high C / N ratio can be obtained even when data is recorded by forming a recording mark having a length longer than the resolution limit that can be obtained only by using the recording mark.
  • Optical recording disk sample # 2 was prepared in the same manner as optical recording disk sample # 1, except that the thickness of the second dielectric layer was changed to 20 nm.
  • An optical recording disk sample # 3 was produced in the same manner as the optical recording disk sample # 1, except that the thickness of the second dielectric layer was changed to 60 nm.
  • the length of the recording mark was 60, 70, 80, 120, 160, and 200, respectively.
  • recording marks were formed on the decomposition reaction layers of the optical recording disk samples # 1 to # 3 so that the thicknesses became 240 nm, 280 nm, and 320 nm. At this time, no change was observed in the phase state of the light absorbing layers of the optical recording disk samples # 1 to # 3.
  • the data recorded on the optical recording disk samples # 1 to # 3 were reproduced using the same optical recording medium evaluation apparatus, and the CZN ratio of the reproduced signal was measured.
  • the reproduction power of the laser beam was set to 2.4 mW.

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

　記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができる光記録ディスクを提供する。 　基板２と、第三の誘電体層３と、光吸収層４と、第二の誘電体層５と、白金酸化物を主成分として含む分解反応層６と、第一の誘電体層７と、光透過層８とを備え、第二の誘電体層５が、２０ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有し、光透過層８を介して、レーザ光２０が照射されたときに、分解反応層６に主成分として含まれている白金属酸化物が白金と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、白金の微粒子が空洞内に析出することによって、分解反応層６に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスク。

Description

明 細 書
光記録ディスク
技術分野
[0001] 本発明は、光記録ディスクに関するものであり、さらに詳細には、記録マークの長さ や、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、こ れらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを 記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに 、再生信号の CZN比を向上させることができる光記録ディスクに関するものである。 背景技術
[0002] 従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、 CDや DVDに代表さ れる光記録ディスクが広く利用されている力 近年においては、より大容量で、かつ、 高いデータ転送レートを有する光記録ディスクの開発が盛んに行われている。
[0003] こうした光記録ディスクにおいては、データの記録 ·再生に用いるレーザ光の波長
λを小さくするとともに、対物レンズの開口数 ΝΑを大きくして、レーザ光のビームスポ ット径を小さく絞ることにより、光記録ディスクの記録容量の増大が図られている。 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 光記録ディスクにおいては、光記録ディスクに記録された記録マークの長さ、およ び、隣り合う記録マーク間の長さ、すなわち、記録マークが形成されていない領域（以 下、「ブランク領域」という。）の長さが解像限界未満になると、光記録ディスクからデ ータを再生することが不可能になる。
[0005] 解像限界は、レーザ光の波長 λと、レーザ光を集束するための対物レンズの開口 数 ΝΑによって決定され、記録マークとブランク領域との繰り返しの周波数、すなわち
、空間周波数が 2ΝΑΖ λ以上の場合に、記録マークおよびブランク領域に記録され たデータの読み取りが不可能になる。
[0006] したがって、読み取り可能な空間周波数に対応する記録マークおよびブランクの長 さは、それぞれ、 λ /4ΝΑ以上となり、波長 λのレーザ光を、開口数 ΝΑの対物レン ズによって、光記録ディスクの表面に集光させるときは、 λ /4ΝΑの長さの記録マー クおよびブランク領域力 読み取ることができる最短の記録マークおよびブランク領域 となる。
[0007] このように、データを再生する場合には、データの再生が可能な解像限界が存在し 、再生することができる記録マークの長さおよびブランク領域の長さに制限がある。し たがって、解像限界未満の長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、データ を記録しても、記録されたデータを再生することができないので、光記録ディスクに、 データを記録するときに形成可能な記録マークの長さおよびブランク領域の長さが必 然的に制限されるから、通常は、解像限界未満になるような長さの記録マークおよび ブランク領域を形成して、光記録ディスクにデータを記録することがない。
[0008] したがって、光記録ディスクの記録容量を増大させるためには、データの再生に用 いるレーザ光の波長 λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数 ΝΑを大きくすること によって、解像限界を小さくし、より短い記録マークとブランク領域よりなるデータを再 生することができるようにすることが要求される。
[0009] し力しながら、データの再生に用いるレーザ光の波長えを短くし、あるいは、対物レ ンズの開口数 ΝΑを大きくすることには限界があり、したがって、解像限界を小さくす ることによって、光記録ディスクの記録容量を増大させることには限界があった。
[0010] また、何らかの方法で、光記録ディスクの記録容量を増大させる場合にも、本来の 再生特性が低下しないように、光記録ディスクに記録されたデータを再生したときに、 高い C/N比を有する再生信号を得ることができることが必要である。
[0011] したがって、本発明の目的は、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブラン ク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク 領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記 録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号の C/N比を向上さ せることができる光記録ディスクを提供することにある。
課題を解決するための手段
[0012] 本発明のかかる目的は、 390nmなレ、し 420nmの波長 λを有するレーザ光が、 0.
7ないし 0· 9の開口数 ΝΑを有する対物レンズによって、集光されて、データが記録さ れ、再生されるように構成された光記録ディスクであって、基板と、前記基板上に設け られ、 10nmないし 140nmの厚さを有する第三の誘電体層と、前記第三の誘電体層 上に設けられ、 5nmないし lOOnmの厚さを有する光吸収層と、前記光吸収層上に 設けられ、 20nmないし lOOnmの厚さを有する第二の誘電体層と、前記第二の誘電 体層上に設けられ、 2nmないし 50nmの厚さを有し、貴金属酸化物を主成分として 含む分解反応層と、前記分解反応層上に設けられる第一の誘電体層と、前記第一 の誘電体層上に設けられ、 10 μ mないし 200 μ mの厚さを有する光透過層とを備え 、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記分解反応層に主 成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された 酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内 に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成され たことを特徴とする光記録ディスクによって達成される。
[0013] 本発明者の研究によれば、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層を備えた 光記録ディスクに、 0· 7ないし 0· 9の開口数 NAを有する対物レンズによって、光透 過層を介して、 390nmないし 420nmの波長 λを有するレーザ光を集光すると、分解 反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成 された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒 子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録され、 こうして、データが光記録ディスクに記録された場合には、記録マーク列を構成する 記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満 であるときにも、 390nmないし 420nmの波長 λを有するレーザ光を、 0· 7ないし 0· 9の開口数 ΝΑを有する対物レンズを用いて、光透過層を介して、光記録ディスクに 集光することによって、データが再生可能であることが見出されている。
[0014] 分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され 、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属 の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録 された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間 のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができ るという理由は必ずしも明らかではなレ、が、空洞内に析出した貴金属の微粒子に、再 生用のレーザ光が照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなった ためか、あるいは、空洞内に析出した貴金属の微粒子と照射されたレーザ光との相 互作用によって、解像限界が小さくなつたためではなレ、かと推測される。
[0015] さらに、本発明者の研究によれば、第二の誘電体層の厚さと、分解反応層に記録 マークが形成されて、記録されたデータを再生したときの CZN比とが、密接な関係 にあり、第二の誘電体層が、 20nmないし lOOnmの厚さを有している場合に、分解 反応層に形成された記録マークを再生したときの CZN比をより一層向上させること が可能になることが見出されており、本発明によれば、第二の誘電体層が、 20nmな レ、し lOOnmの厚さを有しているから、分解反応層に空洞が形成されることによって、 記録マークが形成されて、記録されたデータを再生したときに、高い CZN比の再生 信号を得ることが可能となる。
[0016] したがって、本発明によれば、分解反応層に空洞を形成するとともに、貴金属の微 粒子を空洞内に析出させて、分解反応層に記録マークを形成することによって、記 録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の 長さが、解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、光記録ディ スクに、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録ディスクの記 憶容量を大幅に増大させることが可能となり、さらに、第二の誘電体層が 20nmない し lOOnmの厚さを有しているので、分解反応層に空洞が形成されることによって、記 録マークが形成されて、記録されたデータを再生したときに、高い C/N比の再生信 号を得ることが可能となる。
[0017] 本発明において、分解反応層に主成分として含まれる貴金属酸化物は、とくに限 定されるものではないが、酸化物の形成し易さ、近接場光の発生効率の観点から、 銀、白金およびパラジウムよりなる群から選ばれる一種の貴金属を含む酸化物が好ま しぐとくに、白金酸化物 PtOxが、分解温度が高いため、好ましい。
[0018] 白金酸化物 PtOxは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高ぐしたがって、 記録用のパワーに設定されたレーザ光を照射して、記録マークを形成する際に、レ 一ザ光が照射された領域から、周囲の分解反応層に、熱が拡散しても、レーザ光が 照射された領域以外の領域で、白金酸化物 PtOxの分解反応が生じることが防止さ れるから、分解反応層の所望の領域に、空洞を形成して、記録マークを形成すること が可能になる。
[0019] また、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生される場合におい ても、白金酸化物 PtOxは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高いから、白 金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなぐしたがって、繰り返し、光記録デ イスクに記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなぐ空 洞が形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形 成されることもないから、光記録ディスクの再生耐久性を向上させることが可能になる
[0020] 本発明において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長 さが、解像限界未満である場合にも、高い C/N比を有する再生信号を得るために は、白金酸化物の一般式 PtOxにおいて、 Xが 0. 5以上、 4. 0以下であることが好ま しぐ 1 · 0以上、 3未満であることがより好ましい。
[0021] 本発明において、貴金属酸化物として、酸化銀 AgOyを用いる場合には、 yが 0. 5 以上、 1. 5以下であることが好ましぐ 0. 5以上、 1. 0以下であることがより好ましい。
[0022] 本発明において、好ましくは、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子は 、分解反応層に形成すべき空洞の大きさよりも小さい粒径を有しており、白金酸化物 が分解して、形成される白金の微粒子が、通常、形成される空洞の大きさに比べて十 分に小さい場合には、空洞内に析出した白金の微粒子によって、空洞の形状が悪影 響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止する ことが可能になる。ここに、白金の微粒子の粒径は、白金の微粒子が球形であるとき の直径として定義される。
[0023] 本発明において、第二の誘電体層は、 20ないし lOOnmの厚さを有するように形成 され、好ましくは、 40nmないし lOOnmの厚さを有するように形成され、さらに好ましく は、 50nmなレ、し lOOnmの厚さを有するように形成される。
[0024] 本発明において、第二の誘電体層を形成するための材料は、とくに限定されるもの ではなぐたとえば、酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物またはこれらの組み合わせを 主成分とする誘電体材料によって、第二の誘電体層を形成することができ、とくに、 第二の誘電体層は、 Si、 Zn、 Al、 Ta、 Ti、 Co、 Zr、 Pb、 Ag、 Zn、 Sn、 Ca、 Ce、 V、 Cu、 Fe、 Mgよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、 硫化物、フッ化物あるいはこれらの複合物によって、形成されることが好ましぐ ZnSと SiOとの混合物によって形成されること力 より好ましい。
2
[0025] 本発明において、光記録ディスクは、第二の誘電体層の下に、 5nmないし lOOnm の層厚を有する光吸収層を備えてレ、る。
[0026] 本発明において、光吸収層は、光透過層を介して、レーザ光が照射されたときに、 レーザ光を吸収して、発熱するように構成されている。
[0027] 光透過層を介して、レーザ光が照射されたときに、光吸収層がレーザ光を吸収して 、発熱するように構成されている場合には、レーザ光が照射されたときに、分解反応 層自身が発熱し難くても、光吸収層から伝達される熱によって、分解反応層に主成 分として含まれてレ、る貴金属酸化物を貴金属と酸素に分解させることができ、したが つて、分解反応層が容易に変形しやすくなるように、分解反応層を薄層化しても、ま た、分解反応層が、レーザ光の透過性の高い貴金属酸化物を含んでいても、光記録 ディスクに、レーザ光を照射することにより、所望のように、貴金属酸化物を分解させ て、記録マークを形成することが可能になる。
[0028] 本発明において、光吸収層は、レーザ光の吸収率が高ぐ熱伝導率の低い材料を 含んでレ、ることが好ましく、 Sbおよび Teの少なくとも一方を含んでレ、ることが好ましレヽ
[0029] 本発明において、光吸収層に含まれる Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金と しては、（Sb Te ) M、または { (GeTe) (Sb Te ) } M で表わされる組成 a 1-a 1-b b c 2 3 1— c d 1-d を有するものがとくに好ましレ、。ここに、 Mは、 Sb、 Teおよび Geを除く元素を表わす。
[0030] 光吸収層に含まれる Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金が、 （Sb Te ) a 1— a 1一 b
Mで表される組成を有するもののときは、 aおよび bは、 0≤a≤l ,かつ、 0≤b≤0. 2 b
5であることが好ましレ、。 bが 0. 25を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層に 要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層に要求される値よりも低くなり 、好ましくない。 [0031] 一方、光吸収層に含まれる Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金力 { (GeTe) (Sb Te ) } M で表される組成を有するもののときは、 l/3≤c≤2/3,かつ、 c 2 3 1-c d 1-d
0. 9≤dに設定することが好ましい。
[0032] 元素 Mは、とくに限定されるものではなレ、が、 In、 Ag、 Au、 Bi、 Se、 Al、 P、 H、 Si、 C、 V、 W、 Ta、 Zn、 Mn、 Ti、 Sn、 Pb、 Pd、 N、〇および希土類元素（Sc、 Yおよびラ ンタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも 1種の元素を主成分として含むことが好 ましレ、。とくに、 390nmないし 420nmの波長 λを有するレーザ光を用いる場合には 、元素 Μとして、 Ag、 Inおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の 元素を主成分として含むことが好ましレ、。
[0033] 本発明において、レーザ光が照射されて、分解反応層が、貴金属と酸素に分解し、 空洞が形成される際に、第二の誘電体層および光吸収層が変形することが好ましい
[0034] 第二の誘電体層および光吸収層が変形した領域は、第二の誘電体層および光吸 収層が変形しない領域と、光学特性が異なるので、再生信号の C/N比をより一層 向上させることができる。
発明の効果
[0035] 本発明によれば、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長 さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む 記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大 幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号の C/N比を向上させることがで きる光記録ディスクを提供することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0036] [図 1]図 1は、本発明の好ましい実施態様に力かる光記録ディスクの略断面図である
[図 2]図 2は、図 1の Aで示された部分の略拡大断面図である。
[図 3]図 3 (a)は、データが記録される前の光記録ディスクの一部拡大略断面図であり
、図 3 (b)は、データが記録された後の光記録ディスクの一部拡大略断面図である。 符号の説明 [0037] 1 光記録ディスク
2 基板
3 第三の誘電体層
4 光吸収層
5 第二の誘電体層
6 分解反応層
7 第三の誘電体層
8 光透過層
20 レーザ光
発明を実施するための最良の形態
[0038] 以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加 える。
[0039] 図 1は、本発明の好ましい実施態様に力かる光記録ディスクの略斜視図であり、図 2は、図 1に示された光記録ディスクのトラックに沿った断面のうち、 Aで示される部分 の略拡大断面図である。
[0040] 図 1および図 2に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体 1は、基板 2を備 え、基板 2上に、第三の誘電体層 3と、光吸収層 4と、第二の誘電体層 5と、分解反応 層 6と、第一の誘電体層 7と、光透過層 8が、この順に、積層されている。
[0041] 本実施態様においては、図 1に示されるように、光記録ディスク 1は、光透過層 8側 から、レーザ光 20が照射されて、データが記録され、記録されたデータが再生される ように構成されている。レーザ光 20は、 390nmなレ、し 420nmの波長 λを有し、開口 数 ΝΑが 0. 7ないし 0. 9の対物レンズによって、光記録ディスク 1に集光される。
[0042] 基板 2は、光記録ディスク 1に求められる機械的強度を確保するための支持体とし て、機能する。
[0043] 基板 2を形成するための材料は、光記録ディスク 1の支持体として機能することがで きれば、とくに限定されるものではなレ、。基板 2は、たとえば、ガラス、セラミックス、榭 脂などによって、形成すること力 Sできる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹 脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹 脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコ ーン樹脂、フッ素系樹脂、 ABS樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも
、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。
[0044] 本実施態様においては、基板 2は、ポリカーボネート樹脂によって形成され、約 1. lmmの厚さを有してレ、る。
[0045] 図 2に示されるように、基板 2の表面には、第三の誘電体層 3が形成されている。
[0046] 本実施態様においては、第三の誘電体層 3は、基板 2を保護するとともに、その上 に形成される光吸収層 4を、機能的、化学的に保護する機能を有している。
[0047] 第三の誘電体層 3を形成するための誘電体材料は、とくに限定されるものではなく
、 Si、 Zn、 Al、 Ta、 Ti、 Co、 Zr、 Pb、 Ag、 Zn、 Sn、 Ca、 Ce、 V、 Cu、 Fe、 Mgよりな る群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、 あるいは、これらの複合物によって形成されることが好ましレ、。
[0048] 第三の誘電体層 3は、たとえば、第三の誘電体層 3の構成元素を含む化学種を用 レ、た気相成長法によって、基板 2の表面上に形成することができる。気相成長法とし ては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
[0049] 第三の誘電体層 3の厚さは、とくに限定されるものではないが、 lOnmなレ、し 140η mが好ましい。
[0050] 図 2に示されるように、第三の誘電体層 3の表面上には、光吸収層 4が形成されて いる。
[0051] 本実施態様において、光吸収層 4は、光記録ディスク 1に、記録用のパワーに設定 されたレーザ光 20が照射されたときに、レーザ光 20を吸収して、発熱し、生成した熱 を、後述する分解反応層 6に伝達する機能を有している。
[0052] 本実施態様においては、光吸収層 4は、光の吸収係数が高ぐ熱伝導率の低い Sb および Teの少なくとも一方を含む合金によって形成されている。
[0053] Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金としては、 Sb Te ) M、または { (Ge a 1— a 1— "b b
Te) (Sb Te ) } M で表わされる組成を有するものがとくに好ましレ、。ここに、 M c 2 3 1-c d 1 d
は、 Sb、 Teおよび Geを除く元素を表わす。
[0054] 光吸収層 4に含まれる Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金力 S、（Sb Te ) Mで表される組成を有するもののときは、 0≤a≤l . 0≤b≤0. 25であることが好ま b
しい。 bが 0. 25を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層 4に要求される値より も低くなり、また、熱伝導性が光吸収層 4に要求される値よりも低くなり、好ましくなレ、。
[0055] 一方、光吸収層 4に含まれる Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金力 S、 { (GeTe ) (Sb Te ) } M で表される組成を有するもののときは、 l/3≤c≤2/3,かつ c 2 3 1-c d 1-d
、 0. 9≤dであることが好ましい。
[0056] 元素 Mは、とくに限定されるものではなレ、が、 In、 Ag、 Au、 Bi、 Se、 Al、 P、 H、 Si、 C、 V、 W、 Ta、 Zn、 Mn、 Ti、 Sn、 Pb、 Pd、 N、〇および希土類元素（Sc、 Yおよびラ ンタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも 1種の元素を主成分として含むことが好 ましレ、。とくに、 390nmないし 420nmの波長 λを有するレーザ光を用いる場合には 、元素 Μとして、 Ag、 Inおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の 元素を主成分として含むことが好ましレ、。
[0057] 光吸収層 4は、光吸収層 4の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって 、第三の誘電体層 3の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着 法、スパッタリング法などが挙げられる。
[0058] 光吸収層 4は、 5nmないし lOOnmの厚さを有していることが好ましい。光吸収層 4 の厚さ力 5nm未満である場合には、光吸収率が低すぎ、一方、光吸収層 4の厚さ 力 lOOnmを越えると、後述のように、分解反応層 6に空洞が形成される際に、光吸 収層 4が変形し難くなり、好ましくない。
[0059] 図 2に示されるように、光吸収層 4の表面上には、第二の誘電体層 5が形成されて いる。
[0060] 本実施態様において、第二の誘電体層 5は、後述する第一の誘電体層 7とともに、 後述する分解反応層 6を、機械的、化学的に保護する機能を有している。
[0061] 第二の誘電体層 5を形成するための材料は、とくに限定されるものではなぐたとえ ば、酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、または、これらの組み合わせを主成分とす る誘電体材料によって、第二の誘電体層 5を形成することができ、とくに、第二の誘電 体層 5は、 Si、 Zn、 Al、 Ta、 Ti、 Co、 Zr、 Pb、 Ag、 Zn、 Sn、 Ca、 Ce、 V、 Cu、 Fe、 Mgよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フ ッ化物あるいはこれらの複合物によって、形成されることが好ましぐ ZnSと Si〇との
2 混合物によって形成されることが、より好ましい。
[0062] 第二の誘電体層 5は、第二の誘電体層 5の構成元素を含む化学種を用いた気相成 長法によって、光吸収層 4の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真 空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
[0063] 第二の誘電体層 5は、 20ないし lOOnmの厚さを有するように形成され、好ましくは
、 40nmないし lOOnmの厚さを有するように形成され、 50nmないし lOOnmの厚さを 有するように形成されることがより好ましいが、この範囲内であれば、第二の誘電体層
5の厚さは格別限定されるものではない。
[0064] 図 2に示されるように、第二の誘電体層 5の表面上には、分解反応層 6が形成され ている。
[0065] 本実施態様においては、分解反応層 6は、記録層の一部として用いられ、光記録 ディスク 1にデータが記録される際に、分解反応層 6に、記録マークが形成される。
[0066] 本実施態様において、分解反応層 6は、白金酸化物 PtOxを主成分として含んで いる。
[0067] 本実施態様において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域 の長さが、解像限界未満である場合にも、高い C/N比を有する再生信号を得るた めには、 1. 0≤x< 3. 0であることがより好ましい。
[0068] 分解反応層 6は、分解反応層 6に主成分として含まれる構成元素を含む化学種を 用いた気相成長法によって、第二の誘電体層 5の表面上に形成することができ、気 相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
[0069] 分解反応層 6は、 2nmないし 50nmの厚さを有するように形成されることが好ましい
[0070] 図 2に示されるように、分解反応層 6の表面上には、第一の誘電体層 7が形成され ている。
[0071] 本実施態様において、第一の誘電体層 7は、分解反応層 6を機械的、化学的に保 護する機能を有している。
[0072] 第一の誘電体層 7を形成するための材料はとくに限定されるものではなレ、が、 Si、 Z n、 Al、 Ta、 Ti、 Co、 Zr、 Pb、 Ag、 Zn、 Sn、 Ca、 Ce、 V、 Cu、 Fe、 Mgよりなる群力ら 選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは
、これらの複合物から形成されることが好ましい。
[0073] 第一の誘電体層 7は、第一の誘電体層 7の構成元素を含む化学種を用いた気相成 長法によって、分解反応層 6の表面上に形成することができ、気相成長法としては、 真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
[0074] 図 2に示されるように、第一の誘電体層 7の表面上には、光透過層 8が形成されて いる。
[0075] 光透過層 8は、レーザ光 20が透過する層であり、その表面は、レーザ光 20の入射 面を形成している。
[0076] 光透過層 8は、 10 z mないし 200 μ ΐηの厚さを有していることが好ましぐより好まし くは、光透過層 8は、 50 x mなレヽし 150 z mの厚さを有してレヽる。
[0077] 光透過層 8を形成するための材料は、光学的に透明で、使用されるレーザ光 20の 波長領域である 390nmなレ、し 420nmでの光学吸収および反射が少なぐ複屈折が 小さい材料であれば、とくに限定されるものではなぐスピンコーティング法などによつ て、光透過層 8が形成される場合には、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱 硬化型樹脂などが、光透過層 8を形成するために用いられ、紫外線硬化型樹脂、電 子線硬化型樹脂などの活性エネルギー線硬化型樹脂が、光透過層 8を形成するた めに、とくに好ましく使用される。
[0078] 光透過層 8は、第一の誘電体層 7の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシ ートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
[0079] 光透過層 8の膜厚は、スピンコーティング法により、光透過層 8を形成する場合には 、 10 111なレヽし200 111カ好ましく、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接 着剤を用いて、第一の誘電体層 7の表面に接着して、光透過層 8を形成する場合に は 50 μ mなレ、し 150 μ mが好ましレ、。
[0080] 以上のように構成された光記録ディスク 1には、次のようにして、データが記録され、 データが再生される。
[0081] 図 3 (a)は、データが記録される前の光記録ディスク 1の一部拡大略断面図であり、 図 3 (b)は、データが記録された後の光記録ディスク 1の一部拡大略断面図である。
[0082] 光記録ディスク 1にデータを記録するに際しては、光透過層 8を介して、光記録ディ スク 1にレーザ光 20が照射される。
[0083] 本実施態様においては、データを高い記録密度で記録するため、 390nmないし 4
20nmの波長 λを有するレーザ光 20を、 0. 7ないし 0. 9の開口数 ΝΑを有する対物 レンズによって、光記録ディスク 1に集光するように構成されてレ、る。
[0084] また、レーザ光 20のパワーは、 4mWより高く、 12mW以下に設定される。ここに、レ 一ザ光 20のパワーは、光記録ディスク 1の表面におけるレーザ光 20のパワーとして、 定義される。
[0085] 記録用のパワーに設定されたレーザ光 20が、光記録ディスク 1に照射されると、光 吸収層 4が光の吸収係数が高い Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金によって 形成されているため、レーザ光 20が照射された光吸収層 4の領域が加熱される。
[0086] 光吸収層 4で生成された熱は、分解反応層 6に伝達され、分解反応層 6の温度が 上昇する。
[0087] 分解反応層 6に主成分として含まれる白金酸化物は、レーザ光 20に対する透過性 が高いため、レーザ光 20が照射されても、分解反応層 6自体は発熱し難ぐ 3nmな レ、し 6nmの厚さを有する分解反応層 6の温度を、白金酸化物の分解温度以上に上 昇させることは困難である力 本実施態様においては、光の吸収係数が高い Sbおよ び Teの少なくとも一方を含む合金によって形成された光吸収層 4が設けられている から、光吸収層 4が発熱し、光吸収層 4で生成された熱が、分解反応層 6に伝達され 、分解反応層 6の温度が上昇する。
[0088] こうして、分解反応層 6が、白金酸化物の分解温度以上に加熱され、分解反応層 6 に主成分として含まれている白金酸化物が、白金と酸素に分解される。
[0089] その結果、図 3 (b)に示されるように、白金酸化物が分解して、生成された酸素ガス によって、分解反応層 6中に、空洞 7aが形成され、白金の微粒子 7bが空洞 7a内に 析出する。
[0090] 同時に、図 3 (b)に示されるように、酸素ガスの圧力によって、第二の誘電体層 5とと もに、分解反応層 6が変形する。 [0091] こうして、空洞 7aが形成され、第二の誘電体層 5および分解反応層 6が変形した領 域は、他の領域とは異なる光学特性を有するため、空洞 7aが形成され、第二の誘電 体層 5および分解反応層 6が変形した領域によって、記録マークが形成される。
[0092] 本実施態様においては、こうして形成される記録マークおよび隣り合った記録マー ク間のブランク領域の中には、 λ /4ΝΑよりも長さが短いものが含まれ、解像限界未 満の記録マーク列が形成される。
[0093] また、本実施態様においては、分解反応層 6が、分解温度が高い白金酸化物を主 成分として含んでいるから、記録用のパワーに設定されたレーザ光 20を照射して、記 録マークを形成する際に、レーザ光 20が照射された領域から、熱が周囲の分解反応 層 6に拡散した場合にも、レーザ光が照射された領域以外の領域で、白金酸化物の 分解反応が生じることが防止され、したがって、分解反応層 6の所望の領域に、空洞 7aを形成して、記録マークを形成することが可能になる。
[0094] さらに、本実施態様においては、白金酸化物が分解して、白金の微粒子 6bが、空 洞 6a内に、析出して、記録マークが形成される力 白金の微粒子 6bの粒径は、分解 反応層 6に形成すべき空洞 6aの大きさよりも小さいから、空洞 6a内に析出した白金 の微粒子 6bによって、空洞 6aの形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望まし くない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
[0095] こうして、光記録ディスク 1にデータが記録され、光記録ディスク 1に記録されたデー タは、以下のようにして、再生される。
[0096] 光記録ディスク 1に記録されたデータを再生するに際しては、まず、 390nmないし 4 20nmの波長 λを有するレーザ光 20を、 0. 7ないし 0· 9の開口数 ΝΑを有する対物 レンズによって、光記録ディスク 1に集光させる。
[0097] 本実施態様においては、データを再生するために光記録ディスク 1に照射されるレ 一ザ光 20のパワーは、通常よりも高ぐ lmWないし 4mWに設定される。
[0098] 本発明者の研究によれば、こうして、 390nmなレ、し 420nmの波長 λを有するレー ザ光 20を、 0. 7ないし 0. 9の開口数 ΝΑを有する対物レンズを用いて、光透過層 8を 介して、光記録ディスク 1に集光することによって、記録マーク列を構成する記録マー クの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるとき にも、データが再生可能であることが見出されている。
[0099] 分解反応層 6に主成分として含まれている白金酸化物が白金と酸素に分解され、 生成された酸素ガスによって、分解反応層 6内に空洞 7aが形成されるとともに、白金 の微粒子 7bが空洞 7a内に析出し、分解反応層 6に記録マークが形成されて、データ が記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マ ーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生すること ができるとレ、う理由は必ずしも明らかではなレ、が、空洞 7a内に析出した白金の微粒 子 7bに、再生用のレーザ光 20が照射されることにより、近接場光が発生し、解像限 界がなくなつたためか、あるいは、空洞 7a内に析出した白金の微粒子 7bと照射され たレーザ光 20との相互作用によって、解像限界が小さくなつたためではないかと推 測される。
[0100] 本実施態様においては、分解反応層 6は、分解温度が高い白金酸化物を主成分と して含んでいるから、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生され る場合においても、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなぐしたがって 、繰り返し、光記録ディスク 1に記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が 変化することはなぐ空洞 7aが形成され、また、記録マークが形成された領域以外の 領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスク 1の再生耐久性を 向上させることが可能になる。
[0101] さらに、本発明者の研究によれば、第二の誘電体層 5の厚さと、分解反応層 6に記 録マークが形成されて、記録されたデータを再生したときの C/N比とが、密接な関 係にあり、第二の誘電体層 5が、 20nmないし lOOnmの厚さを有している場合に、分 解反応層 6に形成された記録マークを再生したときの CZN比をより一層向上させる ことが可能になることが見出されており、本実施態様によれば、第二の誘電体層 5が 、 20nmないし lOOnmの厚さを有しているから、分解反応層 6に空洞 6aが形成される ことによって、記録マークが形成されて、記録されたデータを再生したときに、高い C /N比の再生信号を得ることが可能となる。
[0102] 以上のとおり、本実施態様によれば、分解反応層 6に空洞 7aを形成するとともに、 白金の微粒子 7bを空洞 7a内に析出させて、分解反応層 6に記録マークを形成する ことにより、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブ ランク領域の長さ力 解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、 光記録ディスク 1に、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録 ディスク 1の記憶容量を大幅に増大させることが可能になり、さらに、第二の誘電体層 5力 20nmないし lOOnmの厚さを有しているから、分解反応層 6に空洞 6aが形成さ れることによって、記録マークが形成されて、記録されたデータを再生したときに、高 レ、 CZN比の再生信号を得ることが可能となる。
実施例
[0103] 以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例および比較例を掲げる。
[0104] 実施例 1
1. 1mmの厚さと 120mmの直径を有するポリカーボネート基板をスパッタリング装 置にセットし、ポリカーボネート基板上に、 ZnSと SiOの混合物をターゲットとして、ス
2
パッタリング法により、 80nmの厚さを有する第三の誘電体層を形成した。 ZnSと SiO
2 の混合物中の ZnSと Si〇 のモル比率は、 80 : 20であった。
2
[0105] 次いで、第三の誘電体層の表面に、 Ag、 In、 Sb、 Teをターゲットとして、スパッタリ ング法により、 60nmの厚さを有する光吸収層を形成した。光吸収層の組成は、原子 比で、 Ag In Sb Te とした。
5. 9 4. 4 61. 1 28. 6
[0106] さらに、光吸収層の表面に、 ZnSと Si〇の混合物よりなるターゲットを用いて、スパ
2
ッタリング法により、 40nmの厚さを有する第二の誘電体層を形成した。 ZnSと Si〇の
2 混合物中の ZnSと Si〇のモル比率は、 80 : 20であった。
2
[0107] 次いで、第二の誘電体層の表面に、 Arと〇2との混合ガス雰囲気中で、 Ptターゲッ トを、スパッタリングすることにより、 PtOxを主成分として含む分解反応層を形成した 。形成された PtOxにおける Xは 1. 5であった。
[0108] さらに、分解反応層の表面に、 ZnSと Si〇の混合物よりなるターゲットを用いて、ス
2
パッタリング法により、 lOOnmの厚さを有する第一の誘電体層を形成した。 ZnSと Si Oの混合物中の ZnSと SiOのモル比率は、 80 : 20であった。
2 2
[0109] 最後に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調整した樹脂溶液を、 第一の誘電体層の表面に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成 し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、 100 / m の層厚を有する光透過層を形成した。
[0110] こうして、分解反応層および光吸収層が形成された光記録ディスクサンプノレ # 1を 作製した。
[0111] 光記録ディスクサンプノレ # 1を、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装 置「DDU1000」（商品名）にセットし、波長が 405nmの青色レーザ光を、記録用レ 一ザ光として用い、 NA (開口数）が 0. 85の対物レンズを用いて、レーザ光を、光透 過層を介して、集光し、記録マークの長さが、それぞれ、 60nm、 70nm、 80nm、 12 Onm、 160nm、 200nm、 240nm、 280nmおよび 320nmとなるように、以下の条件 で、光記録ディスクサンプノレ # 1の分解反応層に記録マークを形成した。このとき、光 吸収層の相状態に変化は認められなかった。
[0112] 記録線速度： 6m/秒
記録パワー： 5. 5mW
記録方式：オングループ記録
記録マークの形成後、同じ光記録媒体評価装置を用いて、以下の条件で、光記録 ディスクサンプル # 1に記録されたデータを再生し、再生信号の C/N比を測定した 。ここに、レーザ光の再生パワーは 2. OmWに設定した。
[0113] 測定結果は、表 1に示されている。
[0114] [表 1]
Figure imgf000019_0001
表 1に示されるように、分解反応層を備えている光記録ディスクサンプル # 1におい ては、解像限界以下の 60nm、 70nm、 80nm、 120nmの長さを有する記録マークを 形成して、記録したデータを再生したときに、再生信号の C/N比が、それぞれ、 23 . 9dB、 30. 9dB、 36. 5dB、 35. 2dBとなり、分角军反応層に空同を形成することによ つて、記録マークを形成した場合には、解像限界以下の長さを有する記録マークを 形成することによってデータが記録されても、十分に高い CZN比の再生信号を得る ことができることが判明した。
[0115] 一方、解像限界より長レヽ 160應、 200應、 240應、 280應および 320應の長さ を有する記録マークを形成したときにも、再生信号の C/N比は、それぞれ、 36. 8d B、 39. 9dB、 40. 5dB、 42. 3dB、 41. OdBとなり、分角军反応層に空同を形成するこ とによって、記録マークを形成した場合には、解像限界以下のものだけでなぐ解像 限界より長い長さを有する記録マークを形成してデータを記録したときにも、高い C/ N比の再生信号を得ることができることが判明した。
[0116] 実施例 2
第二の誘電体層の厚さを 20nmにした点を除き、光記録ディスクサンプル # 1と同 様にして、光記録ディスクサンプノレ # 2を作製した。
[0117] 第二の誘電体層の厚さを 60nmにした点を除き、光記録ディスクサンプル # 1と同 様にして、光記録ディスクサンプノレ # 3を作製した。
[0118] 実施例 1で用いた光記録媒体評価装置と同じ光記録媒体評価装置を用いて、記録 マークの長さ力 それぞれ、 60應、 70應、 80應、 120應、 160應、 200應、 2 40nm、 280nmおよび 320nmとなるように、以下の条件で、光記録ディスクサンプル # 1ないし # 3の分解反応層に、記録マークを形成した。このとき、光記録ディスクサ ンプル # 1ないし # 3の光吸収層の相状態に変化は認められな力つた。
[0119] 記録線速度： 6m/秒
記録パワー： 7. OmW
記録方式：オングループ記録
記録マークの形成後、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプ ル # 1ないし # 3に記録されたデータを再生し、再生信号の CZN比を測定した。ここ に、レーザ光の再生パワーは 2. 4mWに設定した。
[0120] 測定結果は、表 2に示されている。
[0121] [表 2]
Figure imgf000021_0001
表 2に示されるように、 40nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録ディスク サンプノレ # 1および 60nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録ディスクサ ンプル # 3においては、 20nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録デイス クサンプノレ # 2に比して、より高い C/N比の再生信号を得られることが認められ、とく に、 60nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録ディスクサンプノレ # 2にお いては、再生信号の C/N比が大幅に向上することが認められた。
[0122] 一方、 40nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録ディスクサンプノレ # 1に おいては、分解反応層に形成された記録マークの長さが 240nmを越えると、再生信 号の CZN比が、 20nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録ディスクサン プノレ # 2よりも低くなり、 60nmの厚さの第二の誘電体層が形成された光記録ディスク サンプル # 3においても、分解反応層に形成された記録マークの長さが 320nmを越 えると、再生信号の C/N比が、光記録ディスクサンプノレ # 2よりも低くなることが認め られたが、いずれも、再生信号の CZN比は十分に高ぐ再生信号の C/N比が低下 しても、実用上、データの再生に問題が生じることはない。
[0123] 本発明は、以上の実施態様および前記実施例に限定されることなぐ特許請求の 範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲 内に包含されるものであることはいうまでもない。

Claims

請求の範囲
[1] 390nmないし 420nmの波長 λを有するレーザ光力 0. 7ないし 0. 9の開口数 Ν Αを有する対物レンズによって、集光されて、データが記録され、再生されるように構 成された光記録ディスクであって、基板と、前記基板上に設けられ、 10nmないし 14 Onmの厚さを有する第三の誘電体層と、前記第三の誘電体層上に設けられ、 5nm ないし lOOnmの厚さを有する光吸収層と、前記光吸収層上に設けられ、 20nmない し lOOnmの厚さを有する第二の誘電体層と、前記第二の誘電体層上に設けられ、 2 nmないし 50nmの厚さを有し、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、前 記分解反応層上に設けられる第一の誘電体層と、前記第一の誘電体層上に設けら れ、 10 μ ΐηないし 200 / mの厚さを有する光透過層とを備え、前記光透過層を介し て、前記レーザ光が照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている 前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞 が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、 前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録 ディスク。
[2] 前記第二の誘電体層が、 40nmないし lOOnmの厚さを有していることを特徴とする 請求項 1に記載の光記録ディスク。
[3] 前記第二の誘電体層が、 50nmないし lOOnmの厚さを有していることを特徴とする 請求項 2に記載の光記録ディスク。
[4] 前記第二の誘電体層が、 ZnSと SiOとの混合物を主成分として含むことを特徴と
2
する請求項 1に記載の光記録ディスク。
[5] 前記第二の誘電体層が、 ZnSと SiOとの混合物を主成分として含むことを特徴と
2
する請求項 2に記載の光記録ディスク。
[6] 前記第二の誘電体層が、 ZnSと SiOとの混合物を主成分として含むことを特徴と
2
する請求項 3に記載の光記録ディスク。
[7] 前記貴金属酸化物が、白金酸化物によって構成され、前記光透過層を介して、前 記レーザ光が照射されたときに、白金と酸素に分解されることを特徴とする請求項 1 に記載の光記録ディスク。
[8] 前記光吸収層が、 Sbおよび Teの少なくとも一方を含む合金を含んでいることを特 徴とする請求項 1に記載の光記録ディスク。
[9] 前記第二の誘電体層および前記光吸収層が、前記分解反応層に前記空洞が形成 されるのに伴って、変形するように構成されたことを特徴とする請求項 1に記載の光記 録ディスク。
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