JP2004010413A - 熱処理用セッター - Google Patents
熱処理用セッター Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004010413A JP2004010413A JP2002165063A JP2002165063A JP2004010413A JP 2004010413 A JP2004010413 A JP 2004010413A JP 2002165063 A JP2002165063 A JP 2002165063A JP 2002165063 A JP2002165063 A JP 2002165063A JP 2004010413 A JP2004010413 A JP 2004010413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- setter
- heat treatment
- glass substrate
- mounting surface
- crystallized glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/102—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead
- C03C3/105—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
【課題】大型の被処理物を載置して熱処理する場合でも、セッターに実質的に反りが生じることなく、被処理物をセッターに安定して載置が可能であり、かつ被処理物の均一加熱が可能な熱処理用セッターを提供する。
【解決手段】平板部の板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下であり、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上である結晶化ガラスから形成されてなり、30〜750℃の温度範囲での熱膨張係数が−5×10−7〜5×10−7/Kの結晶化ガラスで、平板部の載置面の平坦度が0.3%以下、かつ載置面の表面粗さがRa値で0.1〜1μmであることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】平板部の板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下であり、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上である結晶化ガラスから形成されてなり、30〜750℃の温度範囲での熱膨張係数が−5×10−7〜5×10−7/Kの結晶化ガラスで、平板部の載置面の平坦度が0.3%以下、かつ載置面の表面粗さがRa値で0.1〜1μmであることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物を載置して熱処理炉に導入する熱処理用セッターに関し、特に、大型のプラズマ・ディスプレイ・パネル(以下PDPと称す)用基板等に適する熱処理用セッターに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、表示デバイスの多様化が進む中で、大画面の平面ディスプレイが注目されている。その代表格であるPDPは、前面と背面とに2枚のガラス基板を対向配置し、上下を両ガラス基板で、側方を隔壁で挟まれた100〜150μmのセルにHe、Ne等の希ガスを封じ込め電圧の印加によりガス放電させて文字や画像を表示するもので、表示画面の大きさに比して薄型であることを特徴としている。
【0003】
このガラス基板上には電極や絶縁層の精密な回路パターンを形成するためにペーストが塗布され、塗布されたペーストを板ガラスに定着させるために熱処理炉(焼成炉)において約500〜700℃の温度域で焼成される。そのため、ガラス基板の熱処理用セッターは熱変形が少ないものが要求されており、現状では、透明な結晶化ガラス等が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
近年、画面の高精細化に伴い単位面積当たりの画素数を多くするために上記の回路パターンが更に精密化してきている。その上、生産量を向上させるために焼成時間の短縮が図られている。
【0005】
しかしながら、ガラス基板熱処理用セッターの透明な結晶化ガラス板上に大型ガラス基板を載置して500〜700℃の温度域で熱処理を行った場合、透明な結晶化ガラス板は可視光線および赤外線を透過するため、セッター面内のガラス基板が載置されていない部分は温度上昇が遅れセッター面内の温度分布にバラツキが生じる。そのため、セッターおよびガラス基板に不均一な熱膨張および熱収縮が生じるばかりでなく、セッター自体が反って回路パターンが所定の設計範囲から外れて電気的な性能を維持できなくなる問題がある。
【0006】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、大型基板を載置して熱処理する場合でも、セッターに実質的に反りが生じることなく、ガラス基板等の被処理物をセッター上に安定して載置可能であり、かつ被処理物の均一加熱が可能な熱処理用セッターを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る熱処理用セッターは、被処理物を平板部の載置面に載置した状態で熱処理炉内に導入される熱処理用セッターにおいて、平板部の板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下であり、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上である結晶化ガラスにより形成されてなることを特徴とする。
【0008】
また、本発明の熱処理用セッターは、30〜750℃の温度範囲での熱膨張係数が−5×10−7〜5×10−7/Kの結晶化ガラスにより形成されてなることを特徴とする。
【0009】
さらに、本発明の熱処理用セッターは、平板部の載置面の平坦度が0.3%以下であり、かつ載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmであることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明における熱処理用セッターは、図1の透過率曲線が示すように、板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下で可視光線を吸収し、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上で赤外線(熱線等)を透過する黒色の結晶化ガラス板で構成されるため、発熱体からの放射エネルギー(例えば、図2:1200Kの黒体放射強度と波長)の内、可視光線領域のエネルギーが黒色の結晶化ガラス板に吸収され、それ以外の赤外線領域の放射エネルギーのみを透過することになる。また、黒色の結晶化ガラス自体は透明な結晶化ガラスに比べて赤外線領域の放射エネルギーの吸収も少し大きく、吸収された可視光線領域及び赤外線領域のエネルギーによって加熱されるので、炉内温度(雰囲気温度)との差が小さくなってセッター内の温度分布のバラツキがほとんどなくなり被処理物の均一加熱が可能となる。
【0011】
また、本発明に使用される黒色の結晶化ガラス板の熱膨張係数(30〜750℃)が、−5×10−7〜5×10−7/Kとゼロ膨張に近いので、熱処理を連続的または断続的に繰り返して行ってもセッターの伸縮が小さく、セッターに直接載置した被処理物にセッターの伸縮による悪影響を与えることがない。また、セッター自体がサーマル・ショック等で破損もしないので安定して長期間使用することができる。
【0012】
本発明でセッターを構成するゼロ膨張で黒色の結晶化ガラス板としては、30〜750℃の温度範囲においては、上記のように−5×10−7〜5×10−7/Kの熱膨張係数を有するものが適しており、好ましくは−3×10−7〜3×10−7/Kの熱膨張係数で、更に好ましくは−2×10−7〜2×10−7/Kの熱膨張係数である。具体的には、質量%で、SiO260〜72%、Al2O314〜28%、Li2O 2.5〜5.5%、MgO 0.1〜0.9%、ZnO 0.1〜0.9%、TiO23〜6%、V2O50.03〜0.5%、Na2O 0.1〜1%、K2O 0〜1%、CaO 0〜2%、BaO 0〜2%、PbO 0〜2%、As2O30〜2%、ZrO20〜3%、P2O50〜3%の組成を有し、β―石英固溶体結晶を析出してなる黒色の結晶化ガラスが好適である。
【0013】
次に、ゼロ膨張黒色結晶化ガラス板と透明な結晶化ガラス板(日本電気硝子社製N−0)について、図3に示すラジアントヒーター加熱装置を用いてヒーター線上方部Mとヒーター線のない中央部Sのガラス表面温度を測定した。その結果を表1に示す。測定条件は、電圧200V、電流10.2Aで、ヒーティングアップして15分間経過した(飽和状態になる)後に接触表面温度計で測定した。
【0014】
【表1】
【0015】
表1に示すように、黒色結晶化ガラスは、面内の温度分布が小さく、板自身の温度も高くなることがわかった。
【0016】
また、本発明の熱処理用セッターは、大型のガラス基板を直接載置する載置面の平坦度、即ち、長さ500mmに対する反りの大きさの割合が0.3%以下と高い平坦性を有するので、セッターの表面に直接載置される大型のガラス基板に反りを生じさせず、高い平坦性を維持したまま大型のガラス基板を熱処理することができる。
【0017】
さらに、本発明のガラス基板熱処理用セッターは、大型のガラス基板を直接載置する平板部載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmの範囲にあるので、大型のガラス基板の軟化した表面にセッターの表面のパターンが転写されることがなく、しかも大型のガラス基板をセッターの載置面に載置する際に、大型のガラス基板がセッターの載置面を上滑りせず、熱処理後に大型のガラス基板をセッターの載置面から容易に分離することができる。
【0018】
以上のことから、実質的にゼロ膨張で黒色の結晶化ガラス板は、大型の熱処理用セッターとして好適に使用することができる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明の熱処理用セッターを詳細に説明する。
【0020】
図4は、本発明に係るガラス基板熱処理用セッター1の平板部1aの載置面1bに被処理物である大型のガラス基板Gを載置した状態を示す斜視図とその断面図である。
【0021】
本発明に係るセッター1は、構成するゼロ膨張の黒色結晶化ガラス板からなり、ガラス組成(質量%)がSiO268.3%、Al2O319.8%、Li2O 4.5%、MgO 1.0%、ZnO 1.0%、TiO24.1%、V2O50.1%、Na2O 0.6%、K2O 0.6%からなり、ロール製板によって7mmの厚さの大板に成形した後、900mm×1300mmの矩形に切断して、この表面をダイヤモンド砥粒のジェネレータを用いて厚さ約5.5mmの板厚に研削した後、#600の研磨砥粒を用いて片面ずつ研磨機でラッピングして表面および裏面が平坦かつ平滑に加工されている。このような加工により、セッター1の表裏両表面は、0.3%以下の平坦度で、Ra値が0.1〜1.0μm範囲内の、例えば、0.5μmの表面粗さとされている。上記の平坦度および表面粗さは、少なくともガラス基板Gが直接載置されるセッター1の載置面において実現されていれば足りる。
【0022】
一方、比較例として、ゼロ膨張で透明な結晶化ガラス板である日本電気硝子(株)製の熱膨張係数が−4×10−7/KであるネオセラムN−0板を使用して、同様に試料を作製した。
【0023】
上記のように作製されたセッター1のみと、セッター1の表面に、短辺554mm、長辺980mm、厚さ2.7mmのガラス基板Gを載置し、焼成炉に導入し、650℃の温度で30分間ガラス基板Gを保持した後、焼成炉から取出したところ、次のような結果が得られた。
【0024】
実施例は、熱膨張係数が0.5×10−7/Kとほとんどゼロ膨張であり、透過率は可視光線がほとんど吸収されるため、セッター1の温度分布(図5に示されるセッター上の5点)は±3℃以内でバラツキがほとんどなく良好であった。また、熱処理中および熱処理後において、セッター1には反りが見られず、高い平坦性を維持した。同様に、ガラス基板Gにも反りは認められなかった。
【0025】
これに対して、比較例は可視光線を透過するため、セッター1の温度分布(セッター上の5点)は±5℃とバラツキが認められた。
【0026】
なお、上記実施例においては平板状のセッター1を示したが、これに限らず、セッターの周囲にリブ等を設けてもよく、セッターの表面に適当な溝部や孔部を設けてもよい。
【0027】
上記の熱膨張係数は、Dilatoメーターによって測定した。透過率は、分光光度計を用いて測定した。焼成炉の温度分布は、セッター1上の4隅と中央の5点で測定して、±3℃以内であれば良好であり、±3℃より大きい場合はバラツキがあると評価した。平坦度は、JIS R3202に準拠して、表面粗さRaは、JIS B 0601に準拠して測定した。
【0028】
【発明の効果】
本発明の熱処理用セッターは、可視光線を吸収して赤外線を透過する黒色結晶化ガラスからなるので、吸収された可視光線領域及び赤外線領域のエネルギーによって加熱されて炉内温度(雰囲気温度)との差が小さくなりセッター内の温度分布のバラツキがほとんどなく被処理物の均一加熱ができ、大型の熱処理用の治具として用いた場合でも、反りが発生せず高い平坦度を維持することができる。
【0029】
また、本発明の熱処理用セッターは、熱膨張係数(30〜750℃)が、−5×10−7〜5×10−7/Kとゼロ膨張に近いので、熱処理を連続的または断続的に繰り返して行ってもセッター自体の伸び縮みが小さく、セッターに直接載置した被処理物に悪影響を与えず、また急激なサーマル・ショック等で破損もせず、安定して長期間使用できる。
【0030】
さらに、本発明の熱処理用セッターは、大型の基板を載置する平板部の載置面の平坦度が0.3%以下と高い平坦性を有して、セッターの表面に載置される大型のガラス基板に反りを生じさせず、高い平坦性を維持したまま大型のガラス基板を熱処理することができ、且つ、平板部載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmの範囲にあり、大型のガラス基板の軟化した表面にセッターの表面のパターンが転写されることがなく、しかも大型のガラス基板をセッターの載置面に載置する際に、大型のガラス基板がセッターの載置面を上滑りせず、熱処理後に大型のガラス基板をセッターの載置面から容易に分離することができるので、大型のプラズマ・ディスプレイ・パネル用基板等に適する実用上優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明におけるゼロ膨張で黒色の結晶化ガラスの透過率曲線を説明する図。
【図2】黒体の放射強度と波長の関係を示す図。
【図3】ラジアントヒーターを使用した加熱装置の説明図。
【図4】(A)は本発明のガラス基板熱処理用セッターの載置面に大型のガラス基板を載置した状態を示す斜視図、(B)は(A)の断面図。
【図5】セッターの温度分布測定箇所(5点)を示す説明図。
【符号の説明】
1 セッター
1a 平板部
1b 載置面
G ガラス基板
M ヒーター線上方部
S ヒーター線のない中央部分
X 温度分布測定箇所
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物を載置して熱処理炉に導入する熱処理用セッターに関し、特に、大型のプラズマ・ディスプレイ・パネル(以下PDPと称す)用基板等に適する熱処理用セッターに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、表示デバイスの多様化が進む中で、大画面の平面ディスプレイが注目されている。その代表格であるPDPは、前面と背面とに2枚のガラス基板を対向配置し、上下を両ガラス基板で、側方を隔壁で挟まれた100〜150μmのセルにHe、Ne等の希ガスを封じ込め電圧の印加によりガス放電させて文字や画像を表示するもので、表示画面の大きさに比して薄型であることを特徴としている。
【0003】
このガラス基板上には電極や絶縁層の精密な回路パターンを形成するためにペーストが塗布され、塗布されたペーストを板ガラスに定着させるために熱処理炉(焼成炉)において約500〜700℃の温度域で焼成される。そのため、ガラス基板の熱処理用セッターは熱変形が少ないものが要求されており、現状では、透明な結晶化ガラス等が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
近年、画面の高精細化に伴い単位面積当たりの画素数を多くするために上記の回路パターンが更に精密化してきている。その上、生産量を向上させるために焼成時間の短縮が図られている。
【0005】
しかしながら、ガラス基板熱処理用セッターの透明な結晶化ガラス板上に大型ガラス基板を載置して500〜700℃の温度域で熱処理を行った場合、透明な結晶化ガラス板は可視光線および赤外線を透過するため、セッター面内のガラス基板が載置されていない部分は温度上昇が遅れセッター面内の温度分布にバラツキが生じる。そのため、セッターおよびガラス基板に不均一な熱膨張および熱収縮が生じるばかりでなく、セッター自体が反って回路パターンが所定の設計範囲から外れて電気的な性能を維持できなくなる問題がある。
【0006】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、大型基板を載置して熱処理する場合でも、セッターに実質的に反りが生じることなく、ガラス基板等の被処理物をセッター上に安定して載置可能であり、かつ被処理物の均一加熱が可能な熱処理用セッターを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る熱処理用セッターは、被処理物を平板部の載置面に載置した状態で熱処理炉内に導入される熱処理用セッターにおいて、平板部の板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下であり、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上である結晶化ガラスにより形成されてなることを特徴とする。
【0008】
また、本発明の熱処理用セッターは、30〜750℃の温度範囲での熱膨張係数が−5×10−7〜5×10−7/Kの結晶化ガラスにより形成されてなることを特徴とする。
【0009】
さらに、本発明の熱処理用セッターは、平板部の載置面の平坦度が0.3%以下であり、かつ載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmであることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明における熱処理用セッターは、図1の透過率曲線が示すように、板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下で可視光線を吸収し、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上で赤外線(熱線等)を透過する黒色の結晶化ガラス板で構成されるため、発熱体からの放射エネルギー(例えば、図2:1200Kの黒体放射強度と波長)の内、可視光線領域のエネルギーが黒色の結晶化ガラス板に吸収され、それ以外の赤外線領域の放射エネルギーのみを透過することになる。また、黒色の結晶化ガラス自体は透明な結晶化ガラスに比べて赤外線領域の放射エネルギーの吸収も少し大きく、吸収された可視光線領域及び赤外線領域のエネルギーによって加熱されるので、炉内温度(雰囲気温度)との差が小さくなってセッター内の温度分布のバラツキがほとんどなくなり被処理物の均一加熱が可能となる。
【0011】
また、本発明に使用される黒色の結晶化ガラス板の熱膨張係数(30〜750℃)が、−5×10−7〜5×10−7/Kとゼロ膨張に近いので、熱処理を連続的または断続的に繰り返して行ってもセッターの伸縮が小さく、セッターに直接載置した被処理物にセッターの伸縮による悪影響を与えることがない。また、セッター自体がサーマル・ショック等で破損もしないので安定して長期間使用することができる。
【0012】
本発明でセッターを構成するゼロ膨張で黒色の結晶化ガラス板としては、30〜750℃の温度範囲においては、上記のように−5×10−7〜5×10−7/Kの熱膨張係数を有するものが適しており、好ましくは−3×10−7〜3×10−7/Kの熱膨張係数で、更に好ましくは−2×10−7〜2×10−7/Kの熱膨張係数である。具体的には、質量%で、SiO260〜72%、Al2O314〜28%、Li2O 2.5〜5.5%、MgO 0.1〜0.9%、ZnO 0.1〜0.9%、TiO23〜6%、V2O50.03〜0.5%、Na2O 0.1〜1%、K2O 0〜1%、CaO 0〜2%、BaO 0〜2%、PbO 0〜2%、As2O30〜2%、ZrO20〜3%、P2O50〜3%の組成を有し、β―石英固溶体結晶を析出してなる黒色の結晶化ガラスが好適である。
【0013】
次に、ゼロ膨張黒色結晶化ガラス板と透明な結晶化ガラス板(日本電気硝子社製N−0)について、図3に示すラジアントヒーター加熱装置を用いてヒーター線上方部Mとヒーター線のない中央部Sのガラス表面温度を測定した。その結果を表1に示す。測定条件は、電圧200V、電流10.2Aで、ヒーティングアップして15分間経過した(飽和状態になる)後に接触表面温度計で測定した。
【0014】
【表1】
【0015】
表1に示すように、黒色結晶化ガラスは、面内の温度分布が小さく、板自身の温度も高くなることがわかった。
【0016】
また、本発明の熱処理用セッターは、大型のガラス基板を直接載置する載置面の平坦度、即ち、長さ500mmに対する反りの大きさの割合が0.3%以下と高い平坦性を有するので、セッターの表面に直接載置される大型のガラス基板に反りを生じさせず、高い平坦性を維持したまま大型のガラス基板を熱処理することができる。
【0017】
さらに、本発明のガラス基板熱処理用セッターは、大型のガラス基板を直接載置する平板部載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmの範囲にあるので、大型のガラス基板の軟化した表面にセッターの表面のパターンが転写されることがなく、しかも大型のガラス基板をセッターの載置面に載置する際に、大型のガラス基板がセッターの載置面を上滑りせず、熱処理後に大型のガラス基板をセッターの載置面から容易に分離することができる。
【0018】
以上のことから、実質的にゼロ膨張で黒色の結晶化ガラス板は、大型の熱処理用セッターとして好適に使用することができる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明の熱処理用セッターを詳細に説明する。
【0020】
図4は、本発明に係るガラス基板熱処理用セッター1の平板部1aの載置面1bに被処理物である大型のガラス基板Gを載置した状態を示す斜視図とその断面図である。
【0021】
本発明に係るセッター1は、構成するゼロ膨張の黒色結晶化ガラス板からなり、ガラス組成(質量%)がSiO268.3%、Al2O319.8%、Li2O 4.5%、MgO 1.0%、ZnO 1.0%、TiO24.1%、V2O50.1%、Na2O 0.6%、K2O 0.6%からなり、ロール製板によって7mmの厚さの大板に成形した後、900mm×1300mmの矩形に切断して、この表面をダイヤモンド砥粒のジェネレータを用いて厚さ約5.5mmの板厚に研削した後、#600の研磨砥粒を用いて片面ずつ研磨機でラッピングして表面および裏面が平坦かつ平滑に加工されている。このような加工により、セッター1の表裏両表面は、0.3%以下の平坦度で、Ra値が0.1〜1.0μm範囲内の、例えば、0.5μmの表面粗さとされている。上記の平坦度および表面粗さは、少なくともガラス基板Gが直接載置されるセッター1の載置面において実現されていれば足りる。
【0022】
一方、比較例として、ゼロ膨張で透明な結晶化ガラス板である日本電気硝子(株)製の熱膨張係数が−4×10−7/KであるネオセラムN−0板を使用して、同様に試料を作製した。
【0023】
上記のように作製されたセッター1のみと、セッター1の表面に、短辺554mm、長辺980mm、厚さ2.7mmのガラス基板Gを載置し、焼成炉に導入し、650℃の温度で30分間ガラス基板Gを保持した後、焼成炉から取出したところ、次のような結果が得られた。
【0024】
実施例は、熱膨張係数が0.5×10−7/Kとほとんどゼロ膨張であり、透過率は可視光線がほとんど吸収されるため、セッター1の温度分布(図5に示されるセッター上の5点)は±3℃以内でバラツキがほとんどなく良好であった。また、熱処理中および熱処理後において、セッター1には反りが見られず、高い平坦性を維持した。同様に、ガラス基板Gにも反りは認められなかった。
【0025】
これに対して、比較例は可視光線を透過するため、セッター1の温度分布(セッター上の5点)は±5℃とバラツキが認められた。
【0026】
なお、上記実施例においては平板状のセッター1を示したが、これに限らず、セッターの周囲にリブ等を設けてもよく、セッターの表面に適当な溝部や孔部を設けてもよい。
【0027】
上記の熱膨張係数は、Dilatoメーターによって測定した。透過率は、分光光度計を用いて測定した。焼成炉の温度分布は、セッター1上の4隅と中央の5点で測定して、±3℃以内であれば良好であり、±3℃より大きい場合はバラツキがあると評価した。平坦度は、JIS R3202に準拠して、表面粗さRaは、JIS B 0601に準拠して測定した。
【0028】
【発明の効果】
本発明の熱処理用セッターは、可視光線を吸収して赤外線を透過する黒色結晶化ガラスからなるので、吸収された可視光線領域及び赤外線領域のエネルギーによって加熱されて炉内温度(雰囲気温度)との差が小さくなりセッター内の温度分布のバラツキがほとんどなく被処理物の均一加熱ができ、大型の熱処理用の治具として用いた場合でも、反りが発生せず高い平坦度を維持することができる。
【0029】
また、本発明の熱処理用セッターは、熱膨張係数(30〜750℃)が、−5×10−7〜5×10−7/Kとゼロ膨張に近いので、熱処理を連続的または断続的に繰り返して行ってもセッター自体の伸び縮みが小さく、セッターに直接載置した被処理物に悪影響を与えず、また急激なサーマル・ショック等で破損もせず、安定して長期間使用できる。
【0030】
さらに、本発明の熱処理用セッターは、大型の基板を載置する平板部の載置面の平坦度が0.3%以下と高い平坦性を有して、セッターの表面に載置される大型のガラス基板に反りを生じさせず、高い平坦性を維持したまま大型のガラス基板を熱処理することができ、且つ、平板部載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmの範囲にあり、大型のガラス基板の軟化した表面にセッターの表面のパターンが転写されることがなく、しかも大型のガラス基板をセッターの載置面に載置する際に、大型のガラス基板がセッターの載置面を上滑りせず、熱処理後に大型のガラス基板をセッターの載置面から容易に分離することができるので、大型のプラズマ・ディスプレイ・パネル用基板等に適する実用上優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明におけるゼロ膨張で黒色の結晶化ガラスの透過率曲線を説明する図。
【図2】黒体の放射強度と波長の関係を示す図。
【図3】ラジアントヒーターを使用した加熱装置の説明図。
【図4】(A)は本発明のガラス基板熱処理用セッターの載置面に大型のガラス基板を載置した状態を示す斜視図、(B)は(A)の断面図。
【図5】セッターの温度分布測定箇所(5点)を示す説明図。
【符号の説明】
1 セッター
1a 平板部
1b 載置面
G ガラス基板
M ヒーター線上方部
S ヒーター線のない中央部分
X 温度分布測定箇所
Claims (3)
- 被処理物を平板部の載置面に載置した状態で熱処理炉内に導入される熱処理用セッターにおいて、
平板部の板厚を5mmとした場合に500nm以下の可視光透過率が5%以下であり、且つ1100nmの赤外線透過率が70%以上である結晶化ガラスにより形成されてなることを特徴とする熱処理用セッター。 - 30〜750℃の温度範囲での熱膨張係数が−5×10−7〜5×10−7/Kの結晶化ガラスにより形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の熱処理用セッター。
- 前記平板部の載置面の平坦度が0.3%以下であり、かつ載置面の表面粗さのRa値が0.1〜1μmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱処理用セッター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002165063A JP2004010413A (ja) | 2002-06-06 | 2002-06-06 | 熱処理用セッター |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002165063A JP2004010413A (ja) | 2002-06-06 | 2002-06-06 | 熱処理用セッター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004010413A true JP2004010413A (ja) | 2004-01-15 |
Family
ID=30432998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002165063A Pending JP2004010413A (ja) | 2002-06-06 | 2002-06-06 | 熱処理用セッター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004010413A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007290902A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットディスプレイパネル基板の熱処理用セッター |
JP2010520136A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-10 | ユーロケラ | ビスマス含有ガラス、ガラス・セラミック、物品、および製造方法 |
JP2011173781A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス板製造用トチ及び結晶化ガラス板の製造方法 |
JP2011173782A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス板製造用トチ及び結晶化ガラス板の製造方法 |
CN108088263A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-05-29 | 江苏三恒高技术窑具有限公司 | 一种表面形貌精确控制的高温承烧板 |
-
2002
- 2002-06-06 JP JP2002165063A patent/JP2004010413A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007290902A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットディスプレイパネル基板の熱処理用セッター |
JP2010520136A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-06-10 | ユーロケラ | ビスマス含有ガラス、ガラス・セラミック、物品、および製造方法 |
JP2011173781A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス板製造用トチ及び結晶化ガラス板の製造方法 |
JP2011173782A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス板製造用トチ及び結晶化ガラス板の製造方法 |
CN108088263A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-05-29 | 江苏三恒高技术窑具有限公司 | 一种表面形貌精确控制的高温承烧板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100485542B1 (ko) | 평판-패널표시장치 | |
EP0993016A3 (en) | Plasma display panel and method of disassembling the same | |
JP2006008488A (ja) | 熱処理用セッター及びその製造方法、並びにガラス基板の熱処理方法 | |
JP2006160546A (ja) | 平面型表示装置 | |
JP2004010413A (ja) | 熱処理用セッター | |
US20050089317A1 (en) | Heating unit | |
JP2002114537A (ja) | ガラス基板熱処理用セッター | |
JP3118789B2 (ja) | ガラス板の徐冷方法 | |
JP2009298697A (ja) | ガラス基板熱処理用セッター | |
JP2008030978A (ja) | ガラス基板熱処理用セッター | |
KR101354600B1 (ko) | 개선된 보트, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치 | |
JP3412548B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP3152256B2 (ja) | ガラス板の徐冷方法 | |
JP3724457B2 (ja) | 電子線励起型ディスプレイ用ガラススペーサ | |
JP3844067B2 (ja) | 熱処理炉の内張材 | |
JP4873166B2 (ja) | ガラス基板熱処理用セッター | |
KR20070065590A (ko) | 세터의 제작 방법과 평판 소자를 제작하기 위한 세터 | |
JPH09199011A (ja) | 自発光型ディスプレイ用ピラー付き基板の製造方法 | |
KR100400453B1 (ko) | 평면 디스플레이 패널 제조장치 및 제조방법 | |
BR112019016237A2 (pt) | laminados de vidro de isolamento térmico com uma pluralidade de espaçadores de vidro submersa em uma camada de revestimento para formar uma cavidade selada de moléculas de gás | |
JP2825756B2 (ja) | 薄膜el素子の製造方法および製造装置 | |
JP2008030977A (ja) | ガラス基板熱処理用セッター及びその製造方法 | |
KR101354657B1 (ko) | 유리기판 열처리용 세터 | |
KR100418030B1 (ko) | 플라즈마 표시 패널의 제조장치 | |
JP2007315718A (ja) | ガラス基板熱処理用セッター |