JP2003534696A - フィルタの改善 - Google Patents

フィルタの改善

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JP2003534696A JP2001586775A JP2001586775A JP2003534696A JP 2003534696 A JP2003534696 A JP 2003534696A JP 2001586775 A JP2001586775 A JP 2001586775A JP 2001586775 A JP2001586775 A JP 2001586775A JP 2003534696 A JP2003534696 A JP 2003534696A
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ホワットモア，ロジャー・ダブリュー
カービー，ポール・ビー
スウ，チンシン
栄樹 小室
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Abstract

(57)【要約】 電気フィルタは、直列および並列に配列され、それぞれ、作用領域（Ｌ）が異なる電極（２４，２５）と任意に厚さ（Ｔ）が異なる圧電層（２３）とを有する複数の薄膜バルク波共振子（１０，１１）を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、複数の薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）を備えたフィルタに関する
ものであり、特に、高い周波数で、低位の帯域端減衰極（クローズインリジェク
ション）と低位の帯域外減衰を得るために、薄膜技術を使用して製造される圧電
フィルタを対象としたものである。
【０００２】 薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）は、高い周波数、特にＭＨｚおよびＧＨｚ域
において共振ピークを示すため、魅力のあるデバイスである。さらに、ＦＢＡＲ
は、ミリ単位の小さなデバイスで実現することができる。つまり、ＦＢＡＲは共
振子として有用であるだけではなく、携帯電話などの小型かつ軽量で薄い電気製
品に使用されるフィルタやトランスデューサに利用できると考えられる。
【０００３】 電気フィルタを複数のＦＢＡＲで作ることができることは知られている。この
種のフィルタは、ＭＨｚまたはＧＨｚの周波数域で機能することができる。バン
ドパスフィルタの場合、一般的に言って、フィルタに使用するＦＢＡＲが多けれ
ば、信号通過域と比較して減衰レベルは改善する。
【０００４】 図９は、４つのＦＢＡＲを備えたフィルタの例を示している。４つのＦＢＡＲ
は、フィルタにおけるそれらの機能によって、２つのグループに分けられる。図
９のＦＢＡＲ１とＦＢＡＲ２は、直列に接続されている。したがって、この２つ
が１つのグループを構成している。また、ＦＢＡＲ３とＦＢＡＲ４は、並列に接
続されて、もう一つのグループを構成している。通常、すべてのＦＢＡＲは、同
じ手順で、同時に一つの基板上に作製される。したがって、各ＦＢＡＲは、全く
同じ構造で構成される。言い換えると、各ＦＢＡＲのすべての層に対して、同じ
厚さで同じ材料が使用される。また、通常、各ＦＢＡＲは同じ大きさの作用領域
を持っている。
【０００５】 バンドパスフィルタを、ＭＨｚまたはＧＨｚ域の高い周波数で用意することは
重要である。なぜなら、これらの周波数域は、今日の無線通信で頻繁に使用され
るからである。バンドパスフィルタの場合、帯域端減衰極および帯域外減衰が共
に低位であることが非常に重要である。そのため、帯域端減衰極および帯域外減
衰の良好なフィルタを作成する技術が求められてきた。
【０００６】 本発明の目的は、複数のＦＢＡＲを備え、低位の帯域端減衰極と低位の帯域外
減衰を示すフィルタを提供することである。この発明では、直列ＦＢＡＲと並列
ＦＢＡＲとで作用領域の大きさを変えることにより、上記の特性を得ることがで
きる。
【０００７】 フィルタは複数のＦＢＡＲを備え、そのうちの少なくとも一つは直列に接続さ
れ、一つは並列に接続される。
【０００８】 各ＦＢＡＲは、（下から上に向かって）基板、誘電層、下部電極として機能す
る一つ以上の金属層、圧電層、および上部電極として機能する一つ以上の金属層
を備えている。
【０００９】 ＦＢＡＲは、それぞれ、すべての層の厚さの関数となる周波数において直列共
振と並列共振を生じる。このようなフィルタでは、直列ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲ
とで、作用領域の大きさを変えることが有効である。
【００１０】 通常、作用領域は、ＦＢＡＲを形成するための、圧電層に接触する２つの電極
の領域の大きさによって制限される。この場合、並列ＦＢＡＲと比較して、直列
ＦＢＡＲの共振ピークは、異なるリアクタンス曲線の形状として示される。
【００１１】 作用領域の異なる直列および並列のＦＢＡＲを用いてフィルタを作製すれば、
低位の帯域端減衰極と低位の帯域外減衰を示すフィルタを得ることができる。
【００１２】 次に、デバイスの原理を、図９を使用して説明する。図９において、すべての
ＦＢＡＲを、同じ条件で作製した場合、直列ＦＢＡＲ（ＦＢＡＲ１とＦＢＡＲ２
）、並列ＦＢＡＲ（ＦＢＡＲ３とＦＢＡＲ４）は、全く同じ共振ピークを示す。
次に、並列ＦＢＡＲと比較して、直列ＦＢＡＲの圧電層の厚さを変えた場合には
、上記共振ピークは異なる周波数で現れるが、図１０（ａ）に示されるように共
振ピークの形状は同じである。このように並列ＦＢＡＲと比較して直列ＦＢＡＲ
の圧電層の厚さが異なるように構成された複数のＦＢＡＲを用いてフィルタを作
製すると、図１０（ｂ）に示されるようなフィルタの透過信号（Ｓ２１）が得ら
れる。図１０（ｂ）において、帯域端減衰極は周波数ｆs２とｆp１で現れ、帯域
外減衰はｆｓ２より低い周波数領域とｆｐ１より高い周波数領域で現れる。
【００１３】 一方、図９において、直列ＦＢＡＲ（ＦＢＡＲ１および２）と並列ＦＢＡＲ（
ＦＢＡＲ３および４）の上部電極および下部電極の大きさが異なり、すべてのＦ
ＢＡＲにおいて、その他の寸法は図１０のフィルタのように同じであれば、直列
ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲは、図１１（ａ）に示されるように、異なるリアクタン
ス曲線の形状を示す。図１１（ａ）では、作用領域のキャパシタンスが異なるた
め、曲線の形状が異なっている。異なる直列ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲを用いてフ
ィルタを作製すると、図１１（ｂ）に示されるように、特にｆｓ２において低位
の帯域端減衰極を示すと共に低位の帯域外減衰を示すフィルタを得ることができ
る。
【００１４】 電極の大きさを変えるための一つの例は、並列ＦＢＡＲと比較して、直列ＦＢ
ＡＲの電極のマスクデザインを変えることである。
【００１５】 本発明に関して、添付した図を参照しながら、例を用いて詳しく説明する。
【００１６】 発明の好適な実施の形態によれば、フィルタは、電極の大きさおよび圧電層の
厚さが異なる直列ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲとを用いて作製される。本実施の形態
は、それぞれフィルタの概要図およびフィルタの各ＦＢＡＲの断面図を示した図
１と図２とを参照することにより、理解することができる。
【００１７】 図１には、３つの直列ＦＢＡＲ１０と３つの並列ＦＢＡＲ１１が示されている
。これら合計６つのＦＢＡＲは一つの基板上に作製される。直列ＦＢＡＲ１０と
並列ＦＢＡＲ１１は、図２に示された構造を持っている。直列ＦＢＡＲ１０と並
列ＦＢＡＲ１１は、上部電極２４、下部電極２５、圧電層２３、Ｓｉウェハ２０
上のブリッジまたは膜層２２を備えている。このＳｉウェハ２０は、背面パター
ン層２１を使用して、異方的にエッチングされている。直列ＦＢＡＲ１０と並列
ＦＢＡＲ１１では２つの異なる点がある。一つは圧電層２３の厚さ（図２におい
てＴで示す）であり、もう一つは上部電極２４と下部電極２５の大きさ（図２に
おいてＬで示す）である。
【００１８】 次に、６つのＦＢＡＲを備えたフィルタの作製手順を説明する。まず、窒化珪
素（ＳｉＮｘ）を、裸のＳｉウェハ２０の両面に、化学的気相成長法により、２
００ｎｍだけ付着させる。Ｓｉウェハ２０の前面にあるＳｉＮｘは膜層２２であ
る。背面パターン層２１は、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチング
によって、Ｓｉウェハ２０の背面のＳｉＮｘに形成される。下部電極２５は、い
わゆるリフトオフプロセスにより、下記の手順で形成される。まず、フォトリソ
グラフィによって、フォトレジストのパターンが形成される。次に、スパッタリ
ングにより、クロムと金（Ｃｒ／Ａｕ）が、各々１０ｎｍ、１００ｎｍの厚さに
堆積される。Ｃｒは接着層として使用される。次に、パターン化されたフォトレ
ジストと、その上のＣｒ／Ａｕは、アセトンで取り除かれる。なぜなら、フォト
レジストはアセトンに溶けるからである。この手順の後、下部電極２５が得られ
る。次に、スパッタリングにより、圧電層２３のために酸化亜鉛（ＺｎＯ）を堆
積させる。圧電層２３の厚さは、直列ＦＢＡＲ１０では１.２ミクロンであり、
並列ＦＢＡＲ１１では１.２５５ミクロンである。異なる厚さの圧電層２３を得
るために、フォトリソグラフィやエッチングが用いられる。圧電層２３は酢酸で
エッチングされ、電気プローブで下部電極２５に触れるためのコンタクトホール
２６が形成される。その後、上部電極２４がリフトオフプロセスによって形成さ
れる。上部電極２４のＣｒおよびＡｕの厚さは、それぞれ１０ｎｍと１００ｎｍ
に設定されている。上部電極２４は、伝送線路と、一辺の寸法が図２においてＬ
で示される四角形の作用領域を有している。作用領域の大きさは、下部電極２５
も同じである。上部電極２４が形成されるとき、２つのグラウンド電極２７も同
じリフトオフプロセスによって形成される。したがって、上部電極２４は、特性
インピーダンスが約５０オームに設定された、コプレーナ導波路構造を有してい
る。
【００１９】 上部電極２４および下部電極２５の中央の部分に相当する作用領域の大きさは
、直列ＦＢＡＲ１０では１１０ミクロン角であり、並列ＦＢＡＲ１１では２８５
ミクロン角である。両電極のマスクデザインは、直列ＦＢＡＲ１０と並列ＦＢＡ
Ｒ１１とで変更される。
【００２０】 最後に、Ｓｉウェハ２０は、背面パターン層２１を使用して、ＫＯＨ溶液で背
面側からエッチングされ、フィルタの作製プロセスが完了する。
【００２１】 電気測定には、ネットワークアナライザが使用される。まず、フィルタの各Ｆ
ＢＡＲの測定が行なわれる。他のＦＢＡＲに接続されない各ＦＢＡＲは、電気的
応答を独立して測定するために個別に作製される。
【００２２】 図３は、厚さが１．２ミクロンの圧電層２３とＬ＝１１０ミクロンの作用領域
とを有する直列ＦＢＡＲ１０のＳパラメータを示している。Ｓ１１は、ＲＦ電源
に対する反射係数であり、Ｓ２１は、出力ポートで測定される透過係数である。
Ｓ１１およびＳ２１における直列および並列の共振ピークは、それぞれ、周波数
１.５８５ＧＨｚおよび１.６３６ＧＨｚに現れる。
【００２３】 一方、図４は、厚さが１．２５５ミクロンの圧電層２３とＬ＝２８５ミクロン
の作用領域とを有する並列ＦＢＡＲ１１のＳパラメータを示している。Ｓ１１お
よびＳ２１におけるすべての共振ピークは、図３における同じ種類のピークより
も低い周波数にシフトしている。図４のＳ１１における直列共振ピークは１.５
４３ＧＨｚに現れている。図４のＳ１１における並列共振ピークとＳ２１におけ
る共振ピークはいずれも１.５８５ＧＨｚに現れており、これは、図３における
直列共振ピークの周波数と同じである。また、図４におけるＳ１１とＳ２１の形
状は、ＦＢＡＲの作用領域のキャパシタンスの違いにより、図３におけるそれら
とは異なる。
【００２４】 フィルタは、２種類のＦＢＡＲを使用し、図１に示された構成を用いて製造さ
れる。フィルタの透過係数（Ｓ２１）は、図５に示されている。フィルタの帯域
端減衰極は、１.５４０ＧＨｚおよび１.６３５ＧＨｚで現れる。１.５４０ＧＨ
ｚにおける帯域端減衰極は、図４の１.５４３ＧＨｚにおける並列ＦＢＡＲ１１
のＳ１１の直列共振ピークによるものである。もう一つの１.６３５ＧＨｚにお
ける帯域端減衰極は、図３の１.６３６ＧＨｚにおける直列ＦＢＡＲ１０のＳ２
１の並列共振ピークによるものである。１.５４０ＧＨｚより下および１.６３５
ＧＨｚより上の周波数領域における帯域外減衰は、−５０ｄＢより小さい。
【００２５】 上記の好適なフィルタと比較するために、図１と同じ構成でフィルタを作製し
た。この比較例のフィルタでは、直列ＦＢＡＲ１０および並列ＦＢＡＲ１１とし
てのＦＢＡＲが、Ｌ＝１１０ミクロンの作用領域を備えている。圧電層２３の厚
さは、直列ＦＢＡＲ１０では１.２ミクロンであり、並列ＦＢＡＲ１１では１.２
５５ミクロンである。
【００２６】 まず、比較例のフィルタの各ＦＢＡＲの測定が行なわれる。他のＦＢＡＲに接
続されない各ＦＢＡＲは、電気的応答を独立して測定するために個別に作製され
る。
【００２７】 図６は、厚さが１.２ミクロンの圧電層２３およびＬ＝１１０ミクロンの作用
領域を備えた直列ＦＢＡＲ１０のＳパラメータを示している。比較例のフィルタ
の直列ＦＢＡＲ１０は、好適なフィルタの直列ＦＢＡＲ１０と同じであるため、
図６におけるＳパラメータは、図３におけるそれらと同じである。
【００２８】 一方、図７は、厚さが１.２５５ミクロンの圧電層２３およびＬ＝１１０ミク
ロンの作用領域を備えた、比較例のフィルタにおける並列ＦＢＡＲ１１のＳパラ
メータを示している。図７のＳ１１およびＳ２１におけるすべての共振ピークは
、図６における同じ種類のピークよりも低い周波数にシフトしている。図７のＳ１１ およびＳ２１における直列共振ピークは１.５４３ＧＨｚに現れる。Ｓ１１
およびＳ２１における並列共振ピークは１.５８５ＧＨｚに現れ、これは図６に
おける直列共振ピークの周波数と同じである。ただし、図７におけるＳ１１およ
びＳ２１の形状は、図６におけるそれらと同じである。これは、直列ＦＢＡＲ１
０と並列ＦＢＡＲ１１とで作用領域が同じだからである。
【００２９】 これらの２種類のＦＢＡＲを使用し、図１の構成を用いて、比較例のフィルタ
が作製される。比較例のフィルタの透過係数（Ｓ２１）は図８に示されている。
比較例のフィルタの帯域端減衰極は、１.５４０ＧＨｚおよび１.６３５ＧＨｚで
現れる。これらの周波数は、図５と同じである。１.５４０ＧＨｚにおける一つ
の帯域端減衰極のピークの深さを比較すると、図５における帯域端減衰極の方が
図７における帯域端減衰極よりも深い。さらに、帯域外減衰を比較すると、好適
なフィルタは、図８において帯域外減衰が約−２２ｄＢである比較例のフィルタ
に比べて、より低位の帯域外減衰を示す。好適なフィルタの優れた性能は、直列
ＦＢＡＲ１０と並列ＦＢＡＲ１１とでＳパラメータの形状が異なるために得られ
る。Ｓパラメータの形状が異なるのは、ＦＢＡＲの作用領域が異なることによっ
てＦＢＡＲのキャパシタンスが異なるためである。
【００３０】 好適なフィルタを比較例のフィルタと比べると、好適なフィルタの帯域端減衰
極はより低位になり、帯域外反応もより低位になっている。
【００３１】 上記に示した好適なフィルタは、本発明の一つの例である。しかし、上記で説
明した層に使用される薄膜技術および材料は、これまで説明した内容だけに限ら
れない。たとえば、圧電層２３に使用される材料は、ＺｎＯに限られない。代わ
りとして、高いＱ値を示す窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および大きな電気機械
結合係数を示すチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ)を使用することができる。また
、圧電層に使用されるその他の材料としては、タンタル酸鉛スカンジウムおよび
チタン酸ビスマスナトリウムがある。上部電極２４と下部電極２５の材料は、Ｃ
ｒ／Ａｕに限られない。代わりに、電極としてしばしば使用されるアルミニウム
（Ａｌ）およびプラチナ（Ｐｔ）を使用することもできる。膜層２２と背面パタ
ーン層２１の材料は、ＳｉＮｘに限られない。代わりにＳｉＯ２を使用すること
もできる。
【００３２】 直列ＦＢＡＲ１０と並列ＦＢＡＲ１１のＦＢＡＲの数は、各々３つに限定され
ない。直列ＦＢＡＲ１０と並列ＦＢＡＲ１１のＦＢＡＲの数は帯域端減衰極のレ
ベル、フィルタに必要な領域サイズなどの仕様により決定しなければならない。
【００３３】 直列ＦＢＡＲ１０と並列ＦＢＡＲ１１として使用されるＦＢＡＲは、下部電極
２５の背面側のＳｉウェハ２０にエッチングされた穴を備えたＦＢＡＲに限られ
ない。Ｓｉウェハ２０のエッチングされた穴の代わりに、下部電極２５の背面側
においてエアギャップやブラッグ反射体を使用することもできる。このように、
ＦＢＡＲの基板として、必ずしもＳｉウェハ２０が使われる必要はない。
【００３４】 たとえば、一般に、測定プローブが接触する領域を設けるために、作用領域よ
りも大きい電極を作る場合がある。この場合、作用領域は、共振が生じる共振子
を形成するために圧電層２３と接触する電極の領域の大きさによって限定される
。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、３つの直列ＦＢＡＲおよび３つの並列ＦＢＡＲを備えた好適なフィル
タの概要図を示している。
【図２】 図２は、ＦＢＡＲの上面図と断面図を示している。
【図３】 図３は、１１０ミクロン角の大きさの電極と１.２ミクロンの厚さの圧電層と
を備え、好適なフィルタにおいて直列ＦＢＡＲとして使用されるＦＢＡＲのＳパ
ラメータを示している。
【図４】 図４は、２８５ミクロン角の大きさの電極と１.２５５ミクロンの厚さの圧電
層とを備え、好適なフィルタにおいて並列ＦＢＡＲとして使用されるＦＢＡＲの
Ｓパラメータを示している。
【図５】 図５は、１１０ミクロン角の大きさの電極と１.２ミクロンの厚さの圧電層と
を含む３つの同様の直列ＦＢＡＲ、および２８５ミクロン角の大きさの電極と１
.２５５ミクロンの厚さの圧電層とを含む３つの同様の並列ＦＢＡＲを備えた好
適なフィルタのＳ２１曲線を示している。
【図６】 図６は、１１０ミクロン角の大きさの電極と１.２ミクロンの厚さの圧電層と
を備え、比較例のフィルタにおいて直列ＦＢＡＲとして用いられるＦＢＡＲのＳ
パラメータを示している。
【図７】 図７は、１１０ミクロン角の大きさの電極と１.２５５ミクロンの厚さの圧電
層とを備え、比較例のフィルタにおいて並列ＦＢＡＲとして用いられるＦＢＡＲ
のＳパラメータを示している。
【図８】 図８は、１１０ミクロン角の大きさの電極と１.２ミクロンの厚さの圧電層と
を含む３つの同様の直列ＦＢＡＲ、および１１０ミクロン角の大きさの電極と１
.２５５ミクロンの厚さの圧電層とを含む３つの同じ並列ＦＢＡＲを備えた比較
例のフィルタのＳ２１曲線を示している。
【図９】 図９は、２つの直列ＦＢＡＲと２つの並列ＦＢＡＲを備えたフィルタの電気的
等価回路の概要図を示している。
【図１０（ａ）】 図１０（ａ）は、並列ＦＢＡＲと比較して直列ＦＢＡＲの圧電層の厚さが異な
るように構成されたＦＢＡＲの共振曲線を示している。
【図１０（ｂ）】 図１０（ｂ）は、２つの並列ＦＢＡＲと比較して２つの直列ＦＢＡＲの圧電層
の厚さが異なるように構成された２種類のＦＢＡＲを備えたフィルタのＳ２１曲
線を示している。
【図１１（ａ）】 図１１（ａ）は、並列ＦＢＡＲと比較して直列ＦＢＡＲの圧電層の厚さおよび
電極の大きさが異なるように構成されたＦＢＡＲの共振曲線を示している。
【図１１（ｂ）】 図１１（ｂ）は、２つの並列ＦＢＡＲと比較して２つの直列ＦＢＡＲの圧電層
の厚さおよび電極の大きさが異なるように構成された２種類のＦＢＡＲを備えた
フィルタのＳ２１曲線を示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＣ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ， ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，Ｉ Ｎ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ， ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，Ｐ Ｌ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ， ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 スウ，チンシン 中華人民共和国、710075、シーアン、ガ オ・シン・ロード ナンバー25、ピー・オ ー・ボックス132 (72)発明者 小室 栄樹 千葉県船橋市薬円台６−２−10−504 【要約の続き】

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２つの金属電極で挟まれた、圧電材料よりなる薄い層で構成
    され、直列および並列に配列された複数の薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）を備
    え、 共振子を形成するために圧電層と接触している前記２つの電極の領域は、直列
    ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲとで異なることを特徴とする電気フィルタ。
  2. 【請求項２】 圧電材料の厚さが直列ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲとで異なるこ
    とを特徴とする請求項１記載の電気フィルタ。
  3. 【請求項３】 直列に接続されたＦＢＡＲの直列共振周波数が並列に接続さ
    れたＦＢＡＲの並列共振周波数と同じになるように、直列に接続されたＦＢＡＲ
    の電極の前記領域が調節されていることを特徴とする請求項１または２記載の電
    気フィルタ。
  4. 【請求項４】 圧電材料が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１ないし
    ３のいずれかに記載の電気フィルタ。
  5. 【請求項５】 圧電材料が実質的にチタン酸ジルコン酸鉛で構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気フィルタ。
  6. 【請求項６】 圧電材料が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項
    １ないし３のいずれかに記載の電気フィルタ。
  7. 【請求項７】 圧電材料が実質的にタンタル酸鉛スカンジウムで構成されて
    いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気フィルタ。
  8. 【請求項８】 圧電材料が実質的にチタン酸ビスマスナトリウムで構成され
    ていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気フィルタ。
  9. 【請求項９】 金属電極が金で構成されていることを特徴とする請求項１な
    いし８のいずれかに記載の電気フィルタ。
  10. 【請求項１０】 金属電極がアルミニウムで構成されていることを特徴とす
    る請求項１ないし８のいずれかに記載の電気フィルタ。
  11. 【請求項１１】 金属電極がプラチナで構成されていることを特徴とする請
    求項１ないし８のいずれかに記載の電気フィルタ。
  12. 【請求項１２】 ２つのＦＢＡＲが直列に接続され、２つのＦＢＡＲが並列
    に接続されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の電気
    フィルタ。
  13. 【請求項１３】 ３つのＦＢＡＲが直列に接続され、３つのＦＢＡＲが並列
    に接続されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の電気
    フィルタ。
  14. 【請求項１４】 並列ＦＢＡＲの圧電材料が直列ＦＢＡＲの圧電材料よりも
    厚いことを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の電気フィルタ。
  15. 【請求項１５】 並列ＦＢＡＲの電極の前記領域が直列ＦＢＡＲの電極の前
    記領域よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の電
    気フィルタ。
  16. 【請求項１６】 少なくとも一つの直列ＦＢＡＲと、少なくとも一つの並列
    ＦＢＡＲとを備え、 各ＦＢＡＲは２つの電極に挟まれた圧電材料の層を有し、 圧電層と接触する前記２つの電極の領域が直列ＦＢＡＲと並列ＦＢＡＲとで異
    なることを特徴とする電気フィルタ。
  17. 【請求項１７】 添付した図を用いて、これまでに実質的に説明した電気フ
    ィルタ。
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