JP2003534652A - リソグラフィープロセスの間に線幅を選択的に最適化するための方法およびシステム - Google Patents

リソグラフィープロセスの間に線幅を選択的に最適化するための方法およびシステム

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Abstract

(57)【要約】 リソグラフィーシステム内の特定の種類の歪みを、線幅制御パラメータによって特徴付けることができる。用いられる上記リソグラフィー装置の光学的能力、上記レチクルの特定の特性、焦点設定、照射量の変動等の結果、プリントされたパターン内の任意の所与の線またはフィーチャの線幅制御パラメータが、変動し得る。本発明は、焦点オフセット係数を用いてスロット内の点における焦点を変化させて、このような変動に寄与する要因によって生じる線幅制御パラメータの変動を補償する。さらに、異なる焦点を、特定のスロット点のスキャンに沿って動的に設定することができる。補正が望まれる線幅制御パラメータの数に応じて、特定のリソグラフィー装置について焦点オフセット係数（単数または複数）を生成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の背景） （発明の分野） 本発明は、リソグラフィーの改良された方法に関する。より詳細には、本発明
は、リソグラフィープロセスの間に用いられる基板の表面上のパターンの選択的
線幅を最適化する方法に関する。
【０００２】 （関連技術） リソグラフィーは、基板の表面上に形状を生成するために用いられるプロセス
である。このような基板は、パネルディスプレイ、回路基板、種々の集積回路な
どの製造で用いられる基板を含み得る。このような用途に頻繁に用いられる基板
は、半導体ウェハである。本記載が例示を目的として半導体ウェハの観点から記
載される一方、本記載はまた当業者に公知の他のタイプの基板にも適用されるこ
とを当業者は理解する。リソグラフィーの間、ウェハステージ上に配置されたウ
ェハは、リソグラフィー装置内に設けられる露光光学部品によって、ウェハの表
面に投射されたイメージに露光される。露光光学部品がフォトリソグラフィーに
おいて用いられるが、異なるタイプの露光装置が、特定の用途に応じて用いられ
てもよい。当業者に周知であるように、例えば、Ｘ線、イオン、電子またはフォ
トンリソグラフィーはそれぞれ、異なる露光装置を必要とし得る。フォトリソグ
ラフィーの特定の例は、例示のみを目的として本明細書において記載される。
【０００３】 投射されたイメージは、ウェハの表面上に配置された、層の特性（例えば、フ
ォトレジスト）の変化を生成する。これらの変化は、露光の間にウェハに投射さ
れた形状に対応する。露光に引き続いて、層はエッチングされ、パターン化され
た層を生成し得る。パターンは、露光の間にウェハに投射された形状に対応する
。このパターン化された層は次いで、ウェハ内の基底構造層（例えば、導電層、
半導体層または絶縁層）の露光された部分を排除するか、またはさらに処理する
ために用いられる。このプロセスは次いで、所望の形状がウェハの表面または種
々の層において形成されるまで、他の工程と共に繰り返される。
【０００４】 ステップ・アンド・スキャン技術（ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｓｃａｎ ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ）は、狭いイメージングスロットを有する投射光学システムと共に機
能する。１度にウェハ全体を露光するのではなく、個々のフィールドが１度に１
つずつウェハ上でスキャンされる。これはウェハおよびレチクルを同時に移動さ
せることによってなされ、これにより、イメージングスロットがスキャンの間フ
ィールドにわたって移動される。ウェハステージは次いで、フィールド露光とフ
ィールド露光との間で非同期的にステップされる必要があり、これにより、レチ
クルパターンの複数のコピーをウェハ表面に露光することが可能となる。このよ
うに、ウェハに投射されたイメージの質が最大化される。ステップ・アンド・ス
キャン技術を用いることは概して、全体的なイメージの質を改良することを支援
し、イメージの歪みは概して、用いられる投射光学システム、照射システムおよ
び特定のレチクル内の不完全性に起因して、そのようなシステム内で起こる。
【０００５】 イメージの鮮鋭度を改良する１つの技術は、Ｓｔａｇａｍａｎ（米国特許第５
，５６３，６８４号）によって提案されている。Ｓｔａｇａｍａｎは、イメージ
の鮮鋭度を改良する従来のアプローチは、用いられるレンズの焦点面に表面を適
合させるために、ウェハ表面を平坦化する変形チャックを用いることであると述
べている。しかし、Ｓｔａｇａｍａｎはさらに、レンズと関連する実際のイメー
ジパターンがレンズの理論的に平坦な焦点面とは異なり得るため、ウェハの表面
を平坦化することが特定のレンズのパターンの鮮鋭度を必ずしも改良しないこと
を述べている。それゆえ、Ｓｔａｇａｍａｎは、レンズの実際の焦点パターンを
決定するアプローチを提案している。フレキシブルチャックは次いで、レンズの
実際の焦点パターンにウェハの表面を適合させるために用いられ、これにより、
平均的なイメージの鮮鋭度が改良される。このアプローチがいくつかの処理環境
において満足のいくものであると証明され得る一方、本発明者らは、平均的なイ
メージの鮮鋭度を補正することが、多くの処理環境においてはベストのアプロー
チではないことを発見した。必要なデバイスの公差は特定の要因に関するが、必
ずしも平均的なイメージの鮮鋭度に関与しないため、むしろ、特定のタイプの歪
みを補正する方法が必要である。
【０００６】 （発明の要旨） リソグラフィーシステム内の特定のタイプの歪みは、線幅制御パラメータによ
って特徴付けされ得る。プリントされたパターン内の任意の所定の線または形状
の線幅制御パラメータは、用いられるリソグラフィー装置の光学的性能、レチク
ルの特徴、焦点設定、光線量変動（ｌｉｇｈｔ ｄｏｓｅ ｆｌｕｃｔｕａｔｉ
ｏｎｓ）などの結果、変動する。本発明は、焦点オフセット係数を用いて、上述
のようなスロット内の点における焦点を変化させ、変動に寄与する要因によって
導入される線幅制御パラメータの変動を補償する。焦点オフセット係数の組（単
数または複数）は、補正が所望される線幅制御パラメータの数に依存して、特定
のリソグラフィー装置用に生成される。
【０００７】 線幅制御パラメータが線以外の形状（例えば、コンタクトなど）を特徴付けす
るために用いられ得るため、開示される本発明は、線以外の形状を最適化するた
めに用いられ得る。さらに、本発明が焦点オフセット係数の使用を介して線幅制
御パラメータを最適化する観点から記載されるが、焦点オフセットの使用を介し
て補償され得るシステムに関する問題であればいかなるタイプのものでも、本発
明の範囲内である。例えば、レチカル（ｒｅｔｉｃａｌ）複屈折、線量制御およ
び照明特性、ならびに振動は、焦点オフセット係数の使用を介して補償すること
が可能なシステムに関する問題のすべてであり、それゆえに、本発明の方法およ
びシステムの使用を介してこれらを補償することは本開示の範囲内である。
【０００８】 好適な実施形態において、本発明は、リソグラフィーシステム内の選択的線幅
を最適化する方法であり、これは、最適化のための線幅制御パラメータを選択す
る工程と、選択された線幅制御パラメータを最適化するためにリソグラフィーシ
ステム内でスキャンされているスロット内に複数の焦点を設定する工程とを包含
する。選択された線幅制御パラメータは、水平・垂直バイアス（「Ｈ−Ｖバイア
ス」）、グループ対孤立バイアス（ｇｒｏｕｐ―ｔｏ―ｉｓｏｌａｔｅｄ ｂｉ
ａｓ）（「Ｇ−Ｉバイアス」）および臨界精度スルーフォーカス（ｃｒｉｔｉｃ
ａｌ―ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｔｈｒｏｕｇｈ―ｆｏｃｕｓ）（「ＣＤスルーフォ
ーカス」）を含み得る。１つより多くのこのような線幅制御パラメータが最適化
のために選択され得る。 基板にわたって複数の焦点を設定するために、フレキシブルチャックが撓み、
スロット内の複数の点における焦点を変更する。これにより、選択された線幅制
御パラメータ（単数または複数）が最適化される。特定の焦点設定は、リソグラ
フィー装置、レチクルまたはレチクルを備えたリソグラフィー装置を較正するこ
とによって生成される。このような較正は、スロット内の特定の形状タイプ用の
線幅スルーフォーカスを決定するための、フィールドスルーフォーカスのプリン
トおよび空中イメージモニタの使用を含み得る。別個の較正が、異なる形状タイ
プ（例えば、コンタクトおよび信号線）に実行され得るか、または１つの較正が
実行され得る。
【０００９】 スロット内の点に複数の焦点を設定することに加え、スキャンに沿った特定の
スロット位置における焦点を動的に調整することも開示されている。焦点オフセ
ット係数マトリックスが生成され、これは、スロット内の点またはスキャン方向
に沿った複数のスロットの位置において、複数の焦点オフセット係数を含み得る
。
【００１０】 リソグラフィーシステムにおいて用いる焦点オフセット係数の組を生成する方
法がさらに開示される。開示される方法は、リソグラフィー装置、レチクルまた
はレチクルを備えるリソグラフィー装置を較正する工程を含む。このような較正
は、データを生成し、このデータから焦点オフセット係数の組が生成され得る。
これらの焦点オフセット係数には、スロット内の点に対応する焦点オフセット係
数、そして、スキャン方向に沿った複数のスロットの点に対する焦点オフセット
係数がさらにある。較正の間、線幅は電子プローブまたは空中イメージモニタに
よって、光学的に測定される。十分に正確なモデルのモデルデータはまた、焦点
オフセット係数を生成するためにも用いられ得る。
【００１１】 焦点オフセット係数は、較正の間に収集されたデータから曲線をプロットする
ことによって、または補償デバイスまたは素子を用いることによって、決定され
得、データから直接焦点オフセット係数の組を決定する。
【００１２】 リソグラフィープロセスの間、選択的に線幅を最適化するシステムがさらに開
示される。このようなシステムは、投射システム、フレキシブルチャック、およ
び投射システムおよびフレキシブルチャックに結合された焦点オフセットコント
ローラを含み得る。焦点オフセットコントローラは、リソグラフィープロセスの
間にスキャンされているスロット内に複数の焦点を設定するように構成され、こ
れにより、線幅制御パラメータが最適化される。このようなシステムはまた、ウ
ェハステージを含み得、ここでウェハステージは、その上にフレキシブルチャッ
クが配置され、スキャン方向に沿って異なるスロットの位置の１つのスロット点
に複数の焦点を設定するように構成され得る。
【００１３】 （好適な実施形態の詳細な説明） 本明細書に援用され、かつ本明細書の１部を形成する添付の図面は、本発明を
例示し、そして記載とともに、さらに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明
を生成および使用することを可能とする役割がある。同様の参照符号は、異なる
図面内の同様の要素を示す。
【００１４】 上述の従来のアプローチが平均的なパターンの鮮鋭度を改良することに関する
一方、リソグラフィープロセスの間、プリントされたパターンの鮮鋭度に影響を
及ぼし得る特定のパターンの歪みが実際には多く存在する。これらの特定のパタ
ーンの歪みは、種々の線幅制御パラメータを介して表され得る。多くのこれらの
線幅制御パラメータを記載する。しかし、本開示を読めば、当業者に明らかであ
るように、本明細書において開示される特定の技術は、任意の特定の線幅制御パ
ラメータの改良に適用し、それゆえに、本開示は以下に記載する特定の線幅制御
パラメータに限定されない。
【００１５】 線幅制御パラメータは、線以外の形状を特徴付けするために用いられ得る。例
えば、コンタクトは、線と同じパターンの歪みを受けやすい。本開示を読めば、
当業者に明らかであるように、他の形状も、これらの歪みを受けやすい。それゆ
え、本開示は、線および線幅の観点から記載されるが、これらの用語は、リソグ
ラフィープロセスの間、パターンの歪みを受けやすい任意の特定のタイプの形状
および精度を含むことを意味する。さらに、本発明が焦点オフセット係数の使用
を介して、線幅制御パラメータを最適化する観点で記載されるが、焦点オフセッ
トの使用を介して補償され得るシステムに関する問題であればいかなるタイプの
ものでも、本発明の範囲内である。例えば、レチカル複屈折、線量制御および照
射特性、ならびに振動は、焦点オフセット係数の使用を介して補償が可能である
システムに関する問題のすべてであり、それゆえに、本発明の方法およびシステ
ムの使用を介してこれらを補償することは本開示の範囲内である。
【００１６】 水平−垂直バイアス（「Ｈ−Ｖバイアス）とは、水平線および垂直線が理想的
には同じ幅を有するプリントパターン内の水平線と垂直線との間の線幅の差によ
り特徴づけられる線幅制御パラメータを指す。このタイプのパターン歪みを図１
Ａに示す。図１Ａは、スロット１００、スロット１００内の第１の点１１０の水
平線１１１および垂直線１１２、ならびにスロット１００内の第２の点１２０の
水平線１２１および垂直線１２２を示す。数本の線の一部分のみを図１Ａに示す
。当業者には明らかなように、実際のパターンでは、より多くの線が存在する。
図１Ａに見られるとおり、第１のスロット点１１０では、水平線１１１が垂直線
１１２よりも細い。これらの線は理想的には同じ幅を有するため、線１１１と線
１１２との間にはＨ−Ｖバイアスが存在する。このＨ−Ｖバイアスは、水平線１
１１と垂直線１１２の間の線幅の差を示すことにより判定され得る。図１Ａが一
定の縮尺で書かれておらず、よって、描かれた実際のＨ−Ｖバイアスが例示目的
のためだけであることに留意されたい。第２のＨ−Ｖバイアスが、図１の第２の
スロット点１２０に示されている。第２のスロット点１２０の水平線１２１と垂
直線１２２の間のＨ−Ｖバイアスは、第１のスロット点１１０のＨ−Ｖバイアス
と異なる。実際、Ｈ−Ｖバイアスは、スロット内で連続的に異なり得る。よって
、Ｈ−Ｖバイアスの差を２つのスロット点１１０および１２０で示しているが、
このような差は、スロット１００内のさらに多くの点で起こり得る。さらに、第
１のスロット１１０と第２のスロット１２０との間での図１Ａに示されるＨ−Ｖ
バイアスの差は、どちらのタイプの線（すなわち、水平線または垂直線）がより
太いかという点での違いを含むが、Ｈ−Ｖバイアスの差はまた、スロット１００
内の任意の２つの点の間で、一方のタイプ（すなわち、水平または垂直）の線の
幅をわずかに広くするか、または狭くすることの結果としても起こり得る。
【００１７】 図１Ａに関連して上述したように、Ｈ−Ｖバイアスは、スロット内の様々な点
で異なり得る。Ｈ−Ｖバイアスと焦点設定との間の関係も異なり得る。図１Ｂは
、Ｈ−Ｖバイアス（ｙ軸１３１に沿って示す）と焦点設定（ｘ軸１３２に沿って
示す）との間の３つの例示的な関係を示す。図１Ｂはこれらのプロットを直線と
して示すが、このようなプロットは非線形であってもよく、それにより多項式で
表され得る。第１の例１３３では、Ｈ−Ｖバイアスは、焦点設定の変化とともに
著しく変化する。図１Ｂに示すプロットは、例えば、後述する図４に示すような
Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線から導出され得る。特定の焦点設定１４３で、Ｈ−Ｖバイア
スは、第１の例１３３ではゼロに低減され得る。第２の例１３４では、Ｈ−Ｖバ
イアスは、焦点設定とともに変化するが、第１の例１３３の場合よりもその度合
いは低い。第１の例１３３とは異なり、第２の例１３４のＨ−Ｖバイアスを取り
除くことはできず、特定の焦点設定１４４で最小化され得るだけである。最後に
、第３の例１３５では、Ｈ−Ｖバイアスは焦点設定とは無関係である。第１の例
１３３および第２の例１３４とは異なり、第３の例１３５のＨ−Ｖバイアスを最
小化または取り除く特定の焦点設定は存在しない。よって、前述の議論から分か
るように、Ｈ−Ｖバイアスを最小化する焦点設定は、スキャンされるスロット内
の各点で変わり得る。同様に、Ｈ−Ｖバイアスの焦点設定に対する依存の度合い
も、スロット内の異なる点で変わり得る。この変動は、用いられる特定のレチク
ルと同様に、特定のリソグラフィー装置の特性である。この用いられる特定のレ
チクルによる変化の原因は、レチクルの形状、レチクルのタイプ、またはレチク
ルのいずれかの他の特性の結果であり得、それは線幅の変動を生じさせる。よっ
て、本明細書中において用いられるように、レチクルという用語は、レチクルの
形状、および物理的なレチクル自体の両方を指すことを意味する。
【００１８】 グループ対孤立バイアス（「Ｇ−Ｉバイアス」）とは、全ての線が理想的には
同じ幅を有する同じパターン内のあるグループ内の線と孤立した線との間の線幅
の差により特徴づけられる線幅制御パラメータを指す。図２は、Ｇ−Ｉバイアス
の一例を示す。図２は、２組のグループ線２１１および２２１、ならびに２本の
孤立線２１２および２２２を含むスロット２００を示す。図１と同様に、数本の
線の１部分のみを図２に示す。当業者には明らかなように、実際のパターンでは
、より多くの線が存在する。さらに、グループ線と孤立線と見なされる線との差
は、線ピッチおよび／または線幅の関数であることに留意されたい。線ピッチは
、隣接する線との間の距離である。線ピッチが大きくなると、ある特定の線が、
グループ線ではなく、孤立線の特性を帯びる。ある特定のパターン内のＧ−Ｉバ
イアスを決定する目的で、孤立またはグループとして線を識別することは、本開
示により、当業者には明らかである。
【００１９】 図２のスロット２００内の第１の位置２１０では、孤立線２１２がグループ線
２１１よりも太い。グループ線および孤立線が理想的には同じ幅を有するパター
ンでは、このプリントされた幅の差がＧ−Ｉバイアスである。図２のスロット２
００内の第２の点２２０では、グループ線２２１が孤立線２２２よりも太く描か
れている。これがＧ−Ｉバイアスの第２の例である。実際には、Ｇ−Ｉバイアス
はスロット内で連続的に異なり得る。よって、Ｇ−Ｉバイアスの差を２つのスロ
ット点２１０および２２０に示してるが、このような差は、スロット２００内の
さらに多くの点で起こり得る。図２に示される、第１のスロット点２１０と第２
のスロット点２２０との間のＧＩバイアスの差は、どちらのタイプの線（すなわ
ち、水平線または垂直線）がより太いかという点での違いを含むが、Ｇ−Ｉバイ
アスの差はまた、スロット２００内の任意の２つの点の間で、一方のタイプ（す
なわち、水平または垂直）の線の幅をわずかに広くするか、または狭くすること
の結果としても起こり得る。よって、前述の議論から分かるように、Ｇ−Ｉバイ
アスを最小化する焦点設定は、スキャンされるスロット内の各点で変わり得る。
同様に、Ｇ−Ｉバイアスの焦点設定に対する依存の度合いも、スロット内で変わ
り得る。Ｈ−Ｖバイアスに関連して上述したように、この変動は、用いられる特
定のレチクルと同様に、特定のリソグラフィー装置の特性である。
【００２０】 臨界精度均一性（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｕｎｉｆｏｒｍｉ
ｔｙ）（「ＣＤ 均一性」）は、パターン内の異なる点での単一の臨界精度の変
動の最小化を指す。換言すれば、同じ臨界精度を有する形状の実際の精度の差が
パターン内で減少すると、ＣＤ均一性が増す。ＣＤ均一性は、臨界精度スルーフ
ォーカス（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ｔｈｒｏｕｇｈ−ｆｏｃｕ
ｓ）（ＣＤ ｔｈｒｏｕｇｈ−ｆｏｃｕｓ）に結びつけられる。いずれの特定の
焦点設定でも、線がプリントされる実際の焦点が焦点設定と異なる場合、所与の
線のプリント幅が変わる。実際の焦点と焦点設定との差は、意図的であり得るか
、または用いられる特定の機器の意図的でない効果であり得る。プリント幅の変
動を図３Ａに示す。図３Ａは、スロット内のある特定の点でプリントされた線に
ついてのＢｏｓｓｕｎｇ曲線３００を示す。Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線３００は、ｙ軸
３１０がｘ軸３２０に対応する焦点設定に対してプリントされた線の幅を示す、
線のスルーフォーカスプロットである。図３Ａに示すように、焦点の第１の範囲
３３１は、第１の焦点設定３３０に対応する。この焦点の範囲については、線幅
の変動が第１の線幅範囲３３２に対応する。一方、焦点の第２の範囲３４１は、
第２の焦点設定３４０に対応する。この第２の焦点の範囲については、線幅の変
動は第２の線幅範囲３４２に対応する。これらの範囲３３２および３４２の各々
は、臨界精度の全指標範囲（ＣＤ ＴＩＲ）と呼ばれる。第１の焦点の範囲３３
１および第２の焦点の範囲３４１のサイズが同じであるため、Ｂｏｓｓｕｎｇ曲
線３００から、第２の焦点設定３４０のＣＤ ＴＩＲが第１の焦点設定３３０の
ＣＤＴＩＲよりも狭いことが明らかである。
【００２１】 Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線３００は、公知の焦点範囲に対する最良の焦点を判定する
ために用いられ得る。例えば、特定のリソグラフィー装置は、所与の焦点設定に
ついて、公知の焦点範囲、または焦点深度を表わし得る。そして、Ｂｏｓｓｕｎ
ｇ曲線は、その曲線上のどこで、所与の焦点範囲が最小のＣＤ ＴＩＲを生じる
かを決定するために用いられ得る。Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線上のこの範囲の中心点が
、この公知の焦点範囲に対する最良の焦点である。特定の曲線に依存するため、
最良の焦点設定が公知の焦点範囲のサイズに依存して異なることが考えられる。
例えば、このような状況を図３Ｂに示す。図３Ｂは、第２のＢｏｓｓｕｎｇ曲線
３５０を示す。Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線３５０は、２つの範囲３６１および３７１の
各々について、最良な焦点、すなわち、所与の焦点範囲に対する最小のＣＤ Ｔ
ＩＲを有する焦点を決定するために用いられ得る。図３Ｂに示すように、第２の
範囲３７１は、第１の範囲３６１の約２倍の大きさである。第１の焦点設定３６
０では、第１の焦点範囲３６１に対応するＣＤ ＴＩＲ３６２が最小化される。
しかしながら、第１の範囲３６１が第２の範囲３７１のサイズである場合、Ｂｏ
ｓｓｕｎｇ曲線３５０から、そのＣＤ ＴＩＲが、その曲線での第１の焦点設定
の周囲の領域での急峻な傾斜により、第１の焦点設定３６０で著しく大きくなる
ことが明らかである。よって、第２の焦点範囲３７１に対する最良の焦点設定は
、第２の焦点設定３７０にある。この第２の焦点設定３７０は、第２の焦点範囲
３７１が第１の焦点設定３６０にある場合よりも小さなＣＤ ＴＩＲ３７２を生
じる。
【００２２】 上述した特定の線幅制御パラメータが、それぞれ、他のパラメータとは別に考
察されたが、本発明を理解するためには、パターン歪みの複合的な効果を考慮す
ることが役立つ。図４Ａは、スロット内の２つの特定の点に対するＢｏｓｓｕｎ
ｇ曲線プロットである。第１の曲線の対４１０がスロット内の第１の点に対応す
る一方で、第２の曲線の組４２０は、スロット内の第２の点に対応する。第１の
曲線の組４１０では、第１の水平パターン線４１１の線幅が、第１の垂直パター
ン線４１２の線幅とともに示される。第２の曲線の組４２０では、第２の水平パ
ターン線４２１の線幅が第２の垂直パターン線４２２の線幅とともに示される。
第１の曲線の組４１０から分かるとおり、Ｈ−Ｖバイアスは、２つの曲線が交差
する焦点設定４１３で最小化される。焦点設定４１３では、水平線４１１の線幅
が垂直線４１２の線幅に等しい。しかしながら、第１の曲線の組４１０では、Ｃ
Ｄ ＴＩＲが、Ｈ−Ｖバイアスが最小化される焦点設定とは異なる焦点設定で最
小化される。焦点設定４１４では、この焦点設定で、線幅が焦点設定の周囲の焦
点範囲で比較的に一定であるため、ＣＤスルーフォーカスＴＩＲが最小化される
。第２の曲線の組４２０では、しかしながら、Ｈ−ＶバイアスがＣＤスルーフォ
ーカスと同じ焦点設定で最小化される。これら２組の曲線から分かるように、第
２の曲線の組４２０のように、異なる線幅制御パラメータがともに最適化される
場合がある一方で、第１の曲線の組４１０のように、１つの線幅制御パラメータ
の最適化が、別の線幅制御パラメータの誤差をより大きくすることが多々ある。
図４Ａからは、たとえ同じ線幅制御パラメータを最適化しようと試みても、スロ
ット内の第１の点の最適な焦点が同じスロット内の第２の点の最適な焦点と異な
り得ることも明らかである。図４Ｂは、スロット内の焦点設定の数を増加するこ
との利点を示す。
【００２３】 図４Ｂは、２つの異なる焦点設定状況について、ｙ軸に沿ったＣＤ ＴＩＲ対
ｘ軸に沿った全焦点深度のプロットである。第１の曲線４５０は、単一の焦点設
定がスロット全体に対して用いられた場合のＣＤ ＴＩＲと焦点深度の関係を示
す。焦点設定が１つだけ用いられるため、ＣＤ ＴＩＲは、焦点深度の増加とと
もに著しく増加する。これは、スロット内の異なる点でプリントされる形状が異
なって関連付けられるＢｏｓｓｕｎｇ曲線を有するため、ＣＤ ＴＩＲを最小化
する好適な焦点設定も異なるためである。
【００２４】 図４Ａを参照して、焦点設定４２３は第２のスロット点に最小のＣＤ ＴＩＲ
を生じ、焦点設定４１４は、第１のスロット点に最小のＣＤ ＴＩＲを生じる。
スロットが単一の焦点設定のみを用いてプリントされる場合、第１の焦点設定お
よび第２の焦点設定の平均が用いられ得る。この２つの焦点設定の平均は、２つ
のスロット点に対して２つの別々の焦点設定を用いる場合よりも、スキャン中の
特定の焦点深度に対して、より大きなＣＤ ＴＩＲを生じる。
【００２５】 よって、第２の曲線４６０は、スロットのプリント中に、複数の焦点設定が本
発明に従って用いられる場合のＣＤ ＴＩＲと焦点深度との関係を示す。複数の
焦点深度が用いられるため、特定の焦点深度に対するＣＤ ＴＩＲの大きさは、
平均焦点設定が用いられる場合よりも小さい。各スロット点で用いられる特定の
焦点設定が、図４Ａから判定され得る。図４Ａから、ＣＤ ＴＩＲを最小化する
ために用いられる特定の焦点設定が、Ｈ−Ｖバイアスを最小化するために用いら
れる焦点設定と異なり得ることも明らかである。よって、製造時に、どの線幅制
御パラメータがある特定の構造に最も重要であるかに関してトレードオフが生じ
得る。
【００２６】 上記の線幅制御パラメータは、特定の製造されるデバイスに依存して、異なる
重要度を有し得る。例えば、タイミングが決定的な密集した回路において、Ｇ−
Ｉバイアスは無視してもよいが、Ｈ−Ｖバイアスを最小化することが必要とされ
得る。反対に、多くの平行線が上方デバイス層として配置される構造においては
、Ｈ−Ｖバイアスは重要でないが、非平面形状を考慮に入れるので、ＣＤスルー
フォーカス均一性は重要であり得る。この開示内容によって、当該技術の当業者
にとって明らかであるように、これらの例に加えて、ある特定の線幅制御パラメ
ータの最適化が好ましい、多くの異なる状況がある。このような場合、イメージ
鮮鋭度を平均するための解決法は、特定の所望の線幅制御パラメータの選択的な
最適化のための解決法よりも望ましくない。本発明は、このような選択的な最適
化の解決法を提供する。
【００２７】 この開示内容によって、当該技術の当業者にとって明らかにであるように、プ
リントされたパターン内の所与の線または形状の線幅制御パラメータは、用いら
れるリソグラフィー装置の光学能力、レチクルの特定の特性、焦点設定、光線量
の増減などの結果として変動する。本発明は、焦点オフセット係数を用いて、ス
ロット内で焦点を制御して、このような変動に起因する要因によってもたらされ
る、線幅制御パラメータの変動を補償する。１組または複数の組の焦点オフセッ
ト係数は、補正することが望ましい線幅制御パラメータの数に依存して、特定の
リソグラフィー装置用に生成される。例えば、本発明は、１つのみの線幅制御パ
ラメータ、例えば、Ｇ−Ｉバイアスしか対象でない場合に、１組の焦点オフセッ
ト係数を含み得る。あるいは、複数の線幅制御パラメータ、例えば、Ｇ−Ｉバイ
アス、およびＨ−Ｖバイアスが対象である場合、複数の組が生成され得る。この
ような焦点オフセット係数は、特定のリソグラフィー装置、特定のレチクル、ま
たは、特定のレチクルとリソグラフィー装置との組合せに対して生成され得る。
焦点オフセット係数は、生成された後、新たな焦点オフセット係数が生成される
必要があることを装置またはレチクルの較正が示すまで、用いられ得る。
【００２８】 焦点オフセット係数の生成における第１の工程は、初期較正である。初期較正
は、リソグラフィー装置に関して説明されるが、このような較正は、特定のレチ
クルに対して、またはレチクルと装置との特定の組合せに対して、行われ得る。
初期較正中、スルーフォーカス「スナップショット」が、所与の装置、レチクル
などについて、取られ得る。フィールドは、同じ露光スルーフォーカスでプリン
トされる。フィールドが、スルーフォーカスでプリントされた後、線幅が決定さ
れ、スロット内の所望の点の各々について、Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線、Ｈ−Ｖバイア
ス曲線、Ｇ−Ｉ曲線などがプロットされる。プリントされたフィールドの線幅は
、当該技術の当業者にとって明らかであるように、任意の効率的な方法で、例え
ば、光学的に、電気プローブを用いることによって、または空中イメージモニタ
を用いて、測定され得る。
【００２９】 選択された点の特定の数が、所望の精度の要因である。例えば、典型的なスロ
ットは、２６×５ミリメートルの精度であり得る。このようなスロットを用いて
、各々の端部での点、および１ミリメートルごとの点または２７個の点がプロッ
トされ得る。この開示内容によって、当該技術の当業者にとって明らかであるよ
うに、選択された点の数は、決定的ではなく、所望の精度および装置能力に依存
して、変動し得る。例えば、さらなる点を選択することによって、より高い精度
を得ることができるが、必要な数の焦点オフセットで、スロットにわたってスキ
ャンを行うことは、より高度な焦点制御を必要とする。これを、以下でより詳細
に説明する。反対に、選択する点をより少なくすることによって、得られる精度
はより低くなるが、必要な焦点制御は、ずっと低い。本発明の発明者らは、２６
×５ｍｍのスロットについては、約２７個の点が、精度と焦点制御との間の効率
的なトレードオフであることを見出した。図５に、スロット内にいくつかの点５
１１〜５１４を有するスロット５１０を、点５１１、５１３、５１４のうちの３
つを表すＢｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイアス曲線５２１、５２３、５２４を示す。
第１のＢｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイアス曲線５２１は点Ａに対応し、点Ａにおい
ては、Ｈ−Ｖバイアスが焦点ＡH-Vで最小化され、ＣＤスルーフォーカスが焦点
ＡCD-TIRで最小化されることを示す。Ｂｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイアス曲線５２
３は点Ｋに対応し、点Ｋにおいては、Ｈ−ＶバイアスおよびＣＤスルーフォーカ
スが同じ焦点、ＫH-Vおよび焦点ＫCD-TIRで最小化されることを示す。最後に、
Ｂｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイアス曲線５２４は点Ｚに対応し、点Ｚにおいては、
Ｈ−Ｖバイアスが、焦点設定ＺH-Vで最小化され、ＣＤスルーフォーカスが焦点
設定ＺCD-TIRで最小化されることを示す。これらのＢｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイ
アス曲線（スロット内の所望の点の各々につき１つ）から、それぞれの点での所
望の焦点設定を所定の公称焦点設定と比較することによって、焦点オフセット係
数の組が生成され得る。図５の特定のＢｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイアス曲線から
、Ｈ−Ｖバイアス焦点オフセット係数およびＣＤスルーフォーカスオフセット係
数が生成され得る。Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線自体が、例えば、Ｆｉｎｌｅ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｉｅｓ製のＰＲＯＬＩＴＨのような市販のモデリングプログラム、ま
たは当該技術の当業者にとって公知の他の類似のプログラムを用いることによっ
て、生成され得る。図５に示す特定の線幅制御パラメータに加えて、他の線幅制
御パラメータが、較正スルーフォーカスフィールド、例えば、Ｇ−Ｉバイアスか
ら、または、この開示内容によって、当該技術の当業者にとって明らかであるよ
うに、任意の他の線幅制御パラメータからプロットされ得る。
【００３０】 上記の較正技術を用いて、特定のリソグラフィー装置、特定のレチクル、また
は、レチクルとリソグラフィー装置との特定の組合せに対する焦点オフセット係
数の所望の組を得ることができる。同様に、記載した較正技術は、必要に応じて
、繰り返され、特定のレチクルまたは装置に対する焦点オフセット係数の正確な
組が維持され得る。このような較正の頻度（すなわち、所与のシステムについて
、どの程度の頻度で較正を行う必要があるか）は、この開示内容によって、当該
技術の当業者にとって明らかになる。
【００３１】 上述したように、この開示内容によって、当該技術の当業者にとって明らかに
なるように、スルーフォーカスフィールドを用いる較正技術に加えて、他のタイ
プの較正技術が、本発明から逸脱することなく用いられ得る。例えば、プリント
フィールドスルーフォーカスではなく、空中イメージモニタが用いられて、様々
なスロットポイントおよび焦点設定での線幅が決定され得る。
【００３２】 所望の焦点オフセット係数が生成されると、これらの係数は、デバイス製造中
に、所望の線幅制御パラメータを最適化するために用いられる必要がある。上述
したように、所望の最適化される線幅制御パラメータの選択、すなわち、焦点オ
フセット係数の所望の組の選択は、特定の製造されるデバイスに依存し、デバイ
スごとに異なり得る。複数の組の焦点オフセット係数から特定の組を選択するこ
とは、この開示内容によって、当該技術の当業者にとって明らかになる。製造中
、スロット内の各々の点で、焦点オフセット係数の選択された組によって記述さ
れるように、異なる焦点が設定される。スロット内で異なる焦点を設定すること
は、フレキシブル、または、変形可能なチャックを用いることによって、行われ
得る。フレキシブルチャックは、様々な点でのウェハの高さを変更することがで
き、それにより、様々な焦点設定が設定されることを可能にする。好ましくは、
異なる焦点設定が、同時係属出願中の米国特許出願、代理人書類番号１８５７．
０２６００００に開示されるフレキシブルチャックで、設定される。この出願を
、本明細書中で参考として援用する。本発明による、スロット内の所望の点で、
複数の最良の焦点を設定することによって、スロット輝度補償は、最小化され得
る。
【００３３】 上記の工程は、本発明による選択的な線幅最適化の方法を示す図６において示
される。第１の工程６１０において、較正が行われる。上述したように、この較
正は、フィールドのスルーフォーカスプリントによって、または、空中イメージ
モニタを用いることによって行われ得る。他の較正技術が、この開示内容によっ
て、当該技術の当業者にとって明らかであるように、本発明から逸脱することな
く用いられ得る。工程６１０の較正は、この開示内容によって、当該技術の当業
者にとって明らかであるように、リソグラフィー装置、レチクル、レチクルと装
置との組合せ、または線幅の変動の一因となる較正を行うことができる任意の他
の素子に対し行われ得る。次の工程６２０において、線幅制御パラメータが、ス
ロット内の様々な点で、スルーフォーカスをプロットし得る。このようなプロッ
トは、Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線、Ｈ−Ｖ曲線、Ｇ−Ｉ曲線などを含み得、このような
線幅制御パラメータは、ＣＤスルーフォーカス、Ｈ−Ｖバイアス、Ｇ−Ｉバイア
スなどを含み得る。他の線幅制御パラメータは、この開示内容によって、当該技
術の当業者にとって明らかであるように、本発明から逸脱することなくプロット
され得る。次の工程６３０において、所望の線幅制御パラメータに対する焦点オ
フセット係数が決定される。焦点オフセット係数は、上述したように、線幅制御
パラメータのプロットから決定される。あるいは、焦点オフセット係数は、説明
したプロットを実際に作製することなく、決定され得る。例えば、空中イメージ
モニタが用いられて線幅が測定される場合、焦点オフセット係数の組を計算する
ようにプログラムされ得る。同様に、他の計算デバイスまたは素子を用いて、ス
ロット内の点における線幅および焦点設定を含む較正データから、線幅制御パラ
メータを実際にプロットすることなく焦点オフセット係数を決定し得る。このよ
うな計算デバイスおよび素子は、任意の必要なプログラムと共に、この開示内容
によって、当該技術の当業者にとって明らかである。次の工程６４０において、
１つ以上の線幅制御パラメータが、最適化のために、設計実行時の関連技術の当
業者にとって明らかである特定の設計要件に依存して、選択される。工程６４０
において、最適化のために１つより多くの制御パラメータが選択される場合、ト
レードオフ解析を行って、選択された線幅制御パラメータに対応する焦点オフセ
ット係数から、最良の焦点設定を決定する。このような解析は、この開示内容に
よって、当該技術の当業者にとって明らかである。１つの線幅制御パラメータの
みが対象である場合、最適化のための線幅制御パラメータを選択する工程は、ス
キップされ得る。最終的に、工程６５０において、異なる焦点設定が、焦点補償
係数の選択された組に従って、スロット内の点で設定される。これらの焦点設定
は、上述したように、フレキシブルチャックを用いることによって、設定され得
る。
【００３４】 上記のプロセスに加えて、線幅制御パラメータは、スロット内の点に加えたス
キャンに沿って最適化され得る。図５を再度参照すると、スロット５１０内の点
Ｋ５１３での最適な焦点が、スキャン中に変動することが可能である。図７Ａに
、このような状況を示す。図７Ａに、ステップ・アンド・スキャンプロセス中に
プリントされるフィールド７００を示す。スロットは、スキャン方向７０５に沿
ってプリントされ、プリントされたフィールド７００が得られる。スロットは、
スキャン中、フィールド７００にわたってプリントされるが、図７Ａには、フィ
ールド７００に沿って、３つの個別のスロット位置７１０、７２０、７３０を示
す。これらのスロット位置は、スキャン中のある時間のスナップショットを表す
。第１のスロット位置７１０で、３つの点が、Ａ1、Ｂ1、Ｃ1として表される。
これらの３つの点は、本発明に従って、最適な焦点設定が設定され得る、異なる
スロット位置を表す。第２のスロット位置７２０で、さらに３つの点が、Ａ2、
Ｂ2、Ｃ2として表される。最終的に、第３のスロット位置７３０で、さらに３つ
の点が、Ａ3、Ｂ3、Ｃ3として表される。従って、９つの異なる点が示されてい
る。これらの点の各々は、特定の線幅制御パラメータに対して関連付けられる理
想的な焦点設定を有し得る。これは、スロット内の点に対して既知の焦点設定を
有するパターンをプリントすることによって、決定され得る。その後、得られる
プリントされたパターンを解析し、スキャンに沿った所与の点、例えば、点Ａ1
、Ａ2、Ａ3で、任意の形状の変動を決定し得る。このような変動を補償するため
、焦点設定は、スキャン中、動的に調節され得る。従って、スロット内の２７個
の点で、理想的な焦点設定を決定するのではなく、スロット内の各々の点がスキ
ャンに沿って複数の焦点設定を有する、焦点設定のマトリクスが生成され得る。
マトリクス内の焦点設定の実際の数は、システムの所望の精度に基づいて決定さ
れ得、設定の実際の数は、この開示内容によって、当該技術の当業者に明らかな
考慮に依存する。マトリクスに含まれる焦点設定Ａ1〜Ｃ3で、フィールド７００
をプリントするために、スロット内の点での焦点設定は、スキャン中、スロット
がフィールド７００に沿って移動するにつれて、動的に調節される。
【００３５】 図７Ｂは、線幅制御パラメータを選択する方法における工程を示し、この工程
において、スキャン中、焦点が動的に変化する。第１の工程７４０において、較
正を行う。上述したように、この較正は、例えば、フィールドのスルーフォーカ
スプリントか、または、空中イメージモニタの使用を経て行なわれ得る。本開示
が与えられれば、当業者であれば、本発明から逸脱することなく、他の較正技術
を用いることが可能である。本開示を読めば当業者にとって明らかなように、こ
の較正工程７４０を、リソグラフィー装置、レチクル、レチクルおよび装置の組
み合わせ、または線幅の変動に寄与する較正を行うことが可能な他の任意の素子
で行うことが可能である。
【００３６】 次の工程７５０において、スロット内の様々な点において、線幅制御パラメー
タをスルーフォーカスでプロットする。このようなプロットは、Ｂｏｓｓｕｎｇ
曲線、Ｈ−Ｖバイアス曲線、Ｇ−Ｉバイアス曲線およびそのようなものを含み得
る。当業者にとって本開示を読めば明らかなように、本発明から逸脱することな
く、他の線幅制御パラメータをプロットすることが可能である。
【００３７】 次の工程７６０において、フィールドを、公知の焦点設定でプリントする。次
いで、次の工程７７０に示すように、スロット内の点とスキャン部に沿ったスロ
ット点とにおいて、所望の線幅制御パラメータの焦点オフセット係数を決定する
。これらの焦点オフセット係数は、線幅制御パラメータのプロットと、工程７６
０において生成されたプリントされたフィールドとから決定可能である。このプ
リントされたフィールドを分析して、所与の焦点設定のスキャン部に沿った特定
のスロット点における線幅制御パラメータの変動を決定することが可能である。
工程７７０において決定された様々な焦点オフセット係数は、特定の線幅制御パ
ラメータの焦点オフセット係数のマトリックスを形成する。
【００３８】 次の工程７８０において、最適化のため、１つ以上の線幅制御パラメータを選
択する。これにより、後続工程において用いられる特定の焦点オフセット係数マ
トリックスは、最適化のために選択された線幅制御パラメータに基づく。工程７
８０において最適化のために１つより多くの線幅制御パラメータが選択される場
合、トレードオフ分析を行って、選択された線幅制御パラメータに対応する焦点
オフセット係数から、最良の焦点設定を決定する。このような分析は、本開示を
読めば、当業者にとって明らかである。対象となる線幅制御パラメータが１つの
みである場合、最適化のために線幅制御パラメータを選択する工程をスキップし
てもよい。最後の工程７９０において、焦点オフセット係数のマトリックスに従
ってフィールドのスキャンが行なわれる間、焦点設定を設定し、動的に調節する
。
【００３９】 図８は、本発明による例示的システム８００を示すブロック図である。リソグ
ラフィープロセスの間にウェハ８２０上にパターンを投射する素子を含む投射シ
ステム８１０が提供される。例えば、投射システム８１０は、投射光学部品と、
レチクルと、ステップアンドスキャンシステムにおいて存在するようなさらなる
素子とを含み得る。投射システム８１０に含まれる特定の素子は、当業者にとっ
て本開示を読めば明らかである。ウェハ８２０は、半導体ウェハであり得るか、
または、リソグラフィーによるパターニングが可能な他の任意の種類の基板であ
り得る。フレキシブルチャック８３０は、上面において上昇変化を生成すること
が可能であり、これにより、フレキシブルチャック８３０上に配置されたウェハ
８２０の表面の様々な点の上昇を変化させることが可能である。このフレキシブ
ルチャック８３０は、上記にて説明した、同時係属中の米国出願番号第（代理人
書類番号第１８５７．０２６００００）に開示があるものであれば任意のもので
よい。あるいは、当業者によって本開示を読めば明らかであるように、フレキシ
ブルチャック８３０は別の種類のフレキシブルチャックであってもよい。フレキ
シブルチャックは、ウェハステージ８４０上に取り付けられる。このウェハステ
ージ８４０は、フレキシブルチャック８３０およびウェハ８２０を投射システム
８１０に対して移動させる機能を行う。最後に、投射システム８１０、フレキシ
ブルチャック８３０およびウェハステージ８４０を、焦点オフセット制御器８５
０に接続させる。この焦点オフセット制御器８５０は、適切な焦点オフセットを
適切なウェハ位置でかつ適切なタイミングで設定するために、残りのシステム素
子と連絡する。このオフセット制御器８５０は、汎用コンピュータにプログラム
され得るか、または、別のシステム素子の一機能または機能性素子であり得る。
オフセット制御器８５０は、ウェハステージ８４０およびフレキシブルチャック
８３０からのフィードバック情報を用いてスキャンされているウェハの位置をモ
ニタリングし、適切な信号をフレキシブルチャックに送って、焦点オフセットを
インプリメントする。これは、投射システム８１０においてやりとりされる情報
と連係して行なわれる。使用される特定の焦点オフセットを、焦点オフセット制
御器８５０に予めプログラミングするか、または、これらの焦点オフセットを、
焦点オフセット制御器そのものによって計算してもよい。動作中、焦点オフセッ
ト制御器８５０は、スキャンされているスロット内の複数の焦点を設定すること
ができ、これにより、線幅制御パラメータを最適化することができる。焦点オフ
セット制御器の特定のプログラミングおよびインプリメンテーションは、当業者
にとって、本開示を読めば明らかである。
【００４０】 （結論） 上記にて本発明の様々な実施形態について説明してきたが、これらの実施形態
を提示したのはひとえに例示目的のためであり、限定目的のためではないことが
理解されるべきである。例えば、本発明を特定の線幅制御パラメータに関して説
明してきたが、当業者であれば、本発明は任意の所望の線幅制御パラメータに適
用可能であることを認識する。当業者であれば、本明細書において、形式および
詳細について、本明細書中の特許請求の範囲に規定されているような本発明の意
図および範囲から逸脱することなく、様々な変更を行うことが可能であることを
理解する。従って、本発明の範囲は、上記の例示的実施形態のいずれによっても
限定されるべきではなく、本明細書の特許請求の範囲およびその均等物によって
のみ規定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 図１Ａは、スロット内の２つの点において異なるＨ−Ｖバイアスを示す線を有
するスロットを示す。
【図１Ｂ】 図１Ｂは、Ｈ−Ｖバイアスと焦点との異なる例示的な関係を示す、Ｈ−Ｖバイ
アス対焦点のプロットである。
【図２】 図２は、２つの点における異なるＧ−Ｉバイアスを示す線を有するスロットを
示す。
【図３Ａ】 図３Ａは、異なるＣＤスルーフォーカスの範囲を示す、Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線の
プロットである。
【図３Ｂ】 図３Ｂは、異なるＣＤスルーフォーカスの範囲を示す、Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線の
プロットである。
【図４Ａ】 図４Ａは、スロット内の２つの対応する点に対して２つの異なるＨ−Ｖバイア
スのＣＤスルーフォーカス状況を示すＢｏｓｓｕｎｇ／Ｈ−Ｖバイアスの組み合
わせのプロットである。
【図４Ｂ】 図４Ｂは、２つの異なる焦点設定状況における、臨界精度全表示範囲対全焦点
深度のプロットである。
【図５】 図５は、いくつかの点を備えたスロットとこれに対応するＢｏｓｓｕｎｇ／Ｈ
−Ｖバイアスの曲線とを示す。
【図６】 図６は、そのような係数を用いて、焦点オフセット係数および選択的な線幅の
最適化を生成する工程を示すプロセスフロー図である。
【図７Ａ】 図７Ａは、フィールド内のスキャンに沿ったいくつかのスロットの位置を示す
。
【図７Ｂ】 図７Ｂは、スキャンに沿ったスロットの位置において、スロット内の点に対す
る焦点オフセット係数を生成する工程を示すプロセスフロー図である。
【図８】 図８は、本発明によるシステムの例示的な実施を示すブロック図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ， ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ツァコヤエナス， ジェイムズ アメリカ合衆国 コネチカット 06488， サウスバリー， オーク ヒル ドライ ブ 96 Ｆターム(参考） 5F046 BA03 BA05 DA14

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リソグラフィーシステムにおいて線幅を選択的に最適化する
    方法であって、 （ａ）最適化のために線幅制御パラメータを選択する工程と、 （ｂ）該リソグラフィーシステムにおいて、スキャンされているスロット内の
    複数の焦点を設定し、これにより、該線幅制御パラメータを最適化する工程と を包含する、方法。
  2. 【請求項２】 前記工程（ａ）は、Ｈ−Ｖバイアス、Ｇ−Ｉバイアスおよび
    ＣＤスルーフォーカスからなる線幅制御パラメータの群から線幅制御パラメータ
    を選択する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記工程（ａ）は、最適化のため、複数の線幅制御パラメー
    タを選択する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記工程（ｂ）は、フレキシブルチャックの表面を撓ませて
    （ｆｌｅｘ）、前記リソグラフィーシステムにおいてスキャンされている前記ス
    ロット内の前記複数の焦点を設定し、これにより、前記線幅制御パラメータを最
    適化する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 リソグラフィー装置、レチクルおよびレチクルを有するリソ
    グラフィー装置の１つを較正する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法
    。
  6. 【請求項６】 前記較正工程は、フィールドスルーフォーカスをプリントす
    る工程をさらに包含する、請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記較正工程は、空中イメージモニタを用いて、スロットの
    線幅スルーフォーカスを決定する工程をさらに包含する、請求項５に記載の方法
    。
  8. 【請求項８】 スキャン方向に沿ったスロット点に対して複数の焦点を設定
    する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記スキャン方向に沿った前記スロット点に対して複数の焦
    点を設定する工程は、フレキシブルチャックの表面を撓ませて、該複数の焦点を
    該スキャン方向に沿った該スロット点に対して設定し、これにより、前記線幅制
    御パラメータを最適化する工程をさらに包含する、請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記フレキシブルチャックの表面を撓ませる工程は、前記
    スロットがスキャンされている間に行なわれる、請求項９に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 リソグラフィーシステムにおいて用いられる焦点オフセッ
    ト係数の組を生成する方法であって、 （ａ）リソグラフィー装置、レチクルおよびレチクルを有するリソグラフィー
    装置の１つを較正する工程と、 （ｂ）該工程（ａ）の間に収集されたデータに基づいて、該焦点オフセット係
    数の組を決定する工程と を包含する方法。
  12. 【請求項１２】 前記工程（ｂ）は、 （ｉ）前記工程（ｂ）において収集された前記データから曲線をプロットし、
    前記焦点オフセット係数の組を該プロットされた曲線から決定する工程と、 （ｉｉ）演算デバイスまたは素子を用いて、該工程（ｂ）の間に収集されたデ
    ータから、該焦点オフセット係数の組を直接決定する工程と のうちの１つをさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記工程（ａ）は、前記較正工程の間にプリントされた線
    幅を測定する工程をさらに包含する、請求項１１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記線幅を測定する工程は、線幅を光学的に測定する工程
    を包含する、請求項１３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記線幅を測定する工程は、線幅を電気的プローブで測定
    する工程を包含する、請求項１３に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 フィールドを既知の焦点設定でプリントする工程と、スキ
    ャン方向に沿ったスロット位置の焦点オフセット係数を決定する工程とをさらに
    包含する、請求項１３に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 リソグラフィープロセスの間に線幅を選択的に最適化する
    システムであって、 投射システムと、 フレキシブルチャックと、 該投射システムおよび該フレキシブルチャックに接続された焦点オフセット制
    御器であって、該焦点オフセット制御器は、該リソグラフィープロセスの間、ス
    キャンされているスロット内の複数の焦点を設定するように構成され、これによ
    り、線幅制御パラメータが最適化される、焦点オフセット制御器と、 を備える、システム。
  18. 【請求項１８】 前記フレキシブルチャックが配置されるウェハステージを
    さらに備える、請求項１７に記載のシステム。
  19. 【請求項１９】 前記焦点オフセット制御器は、スキャン方向に沿った異な
    るスロット位置に対して、複数の焦点を１つのスロット点において設定するよう
    にさらに構成される、請求項１７に記載のシステム。
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