JP2003532842A - 小型ゲートバルブ - Google Patents

小型ゲートバルブ

Info

Publication number
JP2003532842A
JP2003532842A JP2001542123A JP2001542123A JP2003532842A JP 2003532842 A JP2003532842 A JP 2003532842A JP 2001542123 A JP2001542123 A JP 2001542123A JP 2001542123 A JP2001542123 A JP 2001542123A JP 2003532842 A JP2003532842 A JP 2003532842A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
gate
wafer
reactor
inclined surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001542123A
Other languages
English (en)
Inventor
ウー シク ユー,
宏光 栗林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of JP2003532842A publication Critical patent/JP2003532842A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/12Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with wedge-shaped arrangements of sealing faces
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Sliding Valves (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)

Abstract

(57)【要約】 チャンバを分離し及び/又はその中の圧力又は真空を維持するために半導体処理チャンバをシールするために使用することが可能なゲートバルブ組立体。本発明は、直線状軸方向シャフトへ結合されているゲートを有している。該軸方向シャフトは単一動作アクチュエータを使用して駆動される。本発明のゲートはシャフトに対して傾斜した表面を有している。該表面は傾斜されているので、該ゲートは、該軸方向シャフトの運動によって、同様に傾斜されているゲート着座部表面に対して押付けることが可能である。該傾斜表面は、該軸方向シャフトによって与えられる軸方向のシール力を該ゲートの横方向移動を必要とすることなしに積極的な横方向シール力へ変換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大略、半導体製造装置に関するものであって、更に詳細には、迅速
熱処理用リアクタと共に使用するゲートバルブに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体業界においては、半導体装置、特に寸法を減少させた半導体装置の開発
において継続して前進を行うために、新たな処理及び製造技術が開発されている
。このような処理技術の1つは迅速熱処理(RTP)として知られるものであっ
て、それは処理期間中に半導体装置が高温度に露呈される時間の量を減少させる
。RTP技術は、典型的に、ウエハの温度を迅速に上昇させ且つ製造処理を成功
裡に実施するのに充分に長い時間の間その温度に保持するために充分なパワーで
半導体装置即ちウエハを照射することを包含しているが、それは、そうでない場
合には、高い処理温度において発生する可能性のある不所望のドーパント拡散等
の問題を回避している。
【0003】 半導体処理業界において広く知られているように、例えばRTP等の処理技術
は、処理が製造精度を減少させる可能性のある汚染及び粒子がないものであるこ
とを確保するために製造クリーンルーム空間を必要とする。然しながら、クリー
ンルーム空間は構築すること及び維持することの両面において高価である。従っ
て、大きなフットプリント即ち占有面積を必要とする半導体ウエハ処理システム
は経済的に不利益である。従って、処理システムの設計者はより小型で、よりコ
ンパクトで、且つより幅狭の構造を有するコンポーネントを具備するシステムを
構築しようと試みている。
【0004】 本発明にとって特に興味のあるものはゲートバルブ構造であり、それは、例え
ば、半導体ウエハが第一圧力の位置と第二圧力の区域との間で搬送される場合に
、種々のチャンバにおいて半導体ウエハを分離させるために処理システムにおい
て使用されている。ゲートバルブを使用してチャンバを分離すること即ちシール
することの概念は簡単なものであるが、このようなバルブの構成は複雑なもので
あり、特に競合する設計考慮事項に起因して複雑化されている。例えば、ゲート
バルブは処理圧力及び真空に耐えることが可能な適切な積極的閉止を与えるもの
でなければならない。殆どの場合、この必要性は、典型的に、軸方向及び横方向
の両方のシール動作を必要とする複雑なリンク機構を使用することによって満足
されている。例えば、1つの装置が米国特許第4,721,282号において開
示されており、その場合には、シャフトの初期的な軸方向運動が処理室ポートに
向かってのゲート部材の一次運動を与える。二次的な横方向運動が積極的なシー
ルのためにポートに対してゲート部材の運動を与える。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述した理由により、小さなプロセッサフットプリントを維持するために比較
的小さな体積を占有し且つ半導体処理期間中に処理システムの処理室に対して適
切な分離を与えるゲートバルブが必要とされている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、チャンバを分離し及び/又はその中の圧力又は真空を維持するため
に半導体処理チャンバをシールするために使用することが可能なゲートバルブ組
立体を提供している。本発明は、直線状軸方向シャフトへ結合されているゲート
を有している。該軸方向シャフトは単一の直線動作アクチュエータを使用して駆
動される。以下により詳細に説明するように、該動作はゲートをゲート着座部へ
移動させるのに必要なゲートバルブ組立体の運動のことを意味している。従って
、本発明においては、単一動作とはシール機能を与えるための該シャフトの単一
軸方向運動のことを意味している。
【0007】 本発明のゲートはシャフトに対しての傾斜表面を有している。本ゲートは同様
に傾斜したゲート着座部表面に対して軸方向シャフトの運動によって押付けるこ
とが可能である。該傾斜表面は、軸方向シャフトを介して供給される軸方向シー
ル用の力をシャフト又はゲートを横方向に移動させることなしに積極的な横方向
シール力へ変換する。積極的な横方向シール力はゲートシール表面における典型
的にOリングであるシールに対して押付け、シール即ち封止を与える。有益的な
ことであるが、このシールは単一軸方向動作で与えられるので、本ゲートバルブ
は現在当該技術分野において公知のその他のゲートバルブよりも小型化すること
が可能である。
【0008】 本発明の1つの側面においては、迅速熱処理リアクタと共に使用するためのバ
ルブ組立体が提供される。本バルブ組立体は、中心軸を画定する本体を有してい
る。本組立体は、更に、該本体内に配設されており、該本体の中心軸と相対的に
傾斜した表面を具備しているゲートを有している。動作組立体が本バルブ組立体
内に包含されている。該動作組立体は該中心軸に沿って該本体を介して該ゲート
を直線的に移動させる。該ゲートは、バルブが開いている第一位置とバルブが閉
じている第二位置との間で移動される。
【0009】 本発明の別の側面においては、リアクタと共に使用するバルブが提供される。
本バルブは、それを貫通するポートを具備している本体を有している。本バルブ
は、又、ポートをシールするために該本体内に配設されているシール手段を有し
ている。リアクタがシールされる第一位置とリアクタがシール解除される第二位
置との間で本体と相対的に軸方向に該シール手段を移動させるための動作手段が
該バルブ内に設けられている。
【0010】 本発明のこれら及びその他の目的、特徴及び利点は、添付の図面に関連して以
下に説明する好適実施例の詳細な説明からより明らかなものとなる。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1A及び1Bは本発明の代表的な環境を確立する半導体ウエハ処理システム
10の1実施例の側面図及び平面図の夫々の概略図である。この代表的なシステ
ムは同時係属中の米国特許出願第09/451,677号(代理人ドケット番号
M−7771US)において完全に開示されており、それを全ての目的のために
引用によって本明細書に取込む。処理システム10はローディングステーション
12を有しており、それは、ウエハカセット16を支持し且つ上方且つロードロ
ック18内へ移動させるための複数個のプラットフォーム14を有している。ウ
エハカセット16は手作業又は自動化案内ビークル(AGV)のいずれかでプラ
ットフォーム14へローディングされる着脱自在のカセットとすることが可能で
ある。ウエハカセット16は、又、固定型カセットとすることが可能であり、そ
の場合には、ウエハが従来の大気圧ロボット又はローダー(不図示)を使用して
カセット16へローディングされる。ウエハカセット16がロードロック18の
内側に位置されると、ロードロック18及び転送室20は大気圧に維持されるか
又は、そうでない場合には、ポンプ50を使用して真空圧へポンプダウンされる
。転送室20内のロボット22はロードロック18に向かって回転し且つカセッ
ト16からウエハ24をピックアップする。リアクタ即ち熱処理室26も大気圧
又は真空圧下とすることが可能であり、それはゲートバルブ30を介してロボッ
ト22からウエハ24を受取る。オプションとして、例えばリアクタ28等の付
加的なリアクタを本システムに付加することが可能である。次いで、ロボット2
2は後退し、その後に、ゲートバルブ30が閉じてウエハ24の処理が開始する
。ウエハ24が処理された後に、ゲートバルブ30が開いてロボット22がウエ
ハ24をピックアップし且つそれを冷却ステーション60内へ配置させることを
可能とする。冷却ステーション60は、新たに処理されたウエハがロードロック
18内のウエハカセット内へ戻される前にそれらを冷却する。
【0012】 本発明によれば、リアクタ26及び28は例えば熱アニールにおいて使用され
るもののようなRTPリアクタである。その他の実施例においては、リアクタ2
6及び28を、例えばドーパント拡散、熱酸化、窒化、CVD、及び同様の処理
に対して使用されるもののようなその他のタイプのリアクタとすることも可能で
ある。リアクタ26及び28は、通常、水平方向に配置されるが、好適実施例に
おいては、リアクタ26及び28は垂直方向に配置され(即ち、1つの上に別の
ものを積み重ねる形)、システム10によって占有される床面積を最小とさせる
。リアクタ26及び28は転送室20上にボルト止めされており、更に、支持フ
レーム32によって支持されている。処理ガス、冷却剤、電気的接続は、インタ
ーフェース34を使用してリアクタの背面端部を介して与えることが可能である
【0013】 本発明のRTPリアクタシステムの簡単化したブロック図を図2に示してある
。好適実施例においては、リアクタシステム200はリアクタチャンバ210、
制御器212、処理制御コンピュータ214、ガスネットワーク216、小型ゲ
ートバルブ組立体218、ポンプ組立体220を有することが可能である。本シ
ステムの各コンポーネントについて以下に詳細に説明する。
【0014】 図3を参照すると、本発明の1実施例に基づくリアクタチャンバ210の簡単
化した断面図が示されている。外形については、リアクタチャンバ210は金属
シェル205とすることが可能であり、それは、好適には、アルミニウム又は同
様の金属から構成され、処理用のウエハを受取る形態とされているシェル205
の1つの面上に設けられている開口を具備している。オプションとして、チャン
バ210近くのユーザ及び/又は機器を保護するために、該チャンバは熱絶縁層
356,357,358,359を有することが可能である。これらの層は例え
ばセラミックファイバ物質等の任意の適宜の絶縁材から形成することが可能であ
る。一方、着脱自在の水冷却型ジャケット360又は同様の装置を使用してチャ
ンバ210を取囲むことが可能である。水冷却型ジャケット360は、リアクタ
が、近傍の機器又は人員にとって危険であるような高温となることがないことを
確保する。
【0015】 理解を容易とするために、図3に示したリアクタチャンバ210の実施例を3
つのセクションとして説明する。各セクションは特定のセクションによって実施
される一般的な機能に従ってグループ化したコンポーネントを有している。これ
らのセクションは、処理室セクションと、加熱セクションと、ウエハロード/ア
ンロードセクションを包含している。
【0016】 図3に示したように、処理室セクションは、概略的に、内部キャビティ即ち空
洞232を画定する端部を閉じた処理室即ち管230を有することが可能である
。1実施例においては、管230はウエハ236を取囲む最小の内部体積を有し
ている実質的に矩形状の断面で構成することが可能である。この実施例において
は、管230の体積は、通常、5000mm3を超えるものではなく、好適には
、該体積は約3000mm3未満である。この小さな体積の1つの結果は、温度
における一様性がより容易に維持されるということである。更に、この小さな管
体積はリアクタチャンバ210をより小型のものとすることを可能とし、その結
果、システム100はより小型のものとすることが可能であり、クリーンルーム
のより少ない床面積を必要とする。このより小さなリアクタ寸法は、ロボットロ
ーダーの使用と関連して、図1Aに示したようにリアクタを垂直方向に積み重ね
ることによって複数個のリアクタをシステム100において使用することを可能
とする。管230は石英から構成されているが、炭化シリコン、Al23又はそ
の他の適宜の物質から構成することが可能である。
【0017】 処理を行うために、石英管230は加圧させることが可能なものとすべきであ
る。典型的に、管230は約0.001Torr乃至1000Torrの圧力、
好適には約0.1Torr及び約760Torrの間の圧力に耐えることが可能
なものとすべきである。
【0018】 別の実施例においては、管230内にウエハ支持スタンドオフ234が設けら
れており、それは単一のウエハ236を支持する。スタンドオフ234は例えば
石英等の任意の高耐熱性物質とすることが可能である。スタンドオフ234は約
50μm及び約20mmの間の高さを有することが可能である。処理期間中にウ
エハ236の温度をモニタするために、少なくとも1個の熱電対を少なくとも1
個のスタンドオフ234内に埋設することが可能である。
【0019】 管230の左側端部におけるアパーチャ即ち開口238が処理の前後において
ウエハ236をローディング及びアンローディングするためのアクセスを与える
。アパーチャ238は比較的小さな開口とすることが可能であるが、約0.5乃
至2mmの間の厚さであり且つ最大で約300mm(12インチ)の直径のウエ
ハを受付けるのに充分な大きさの高さ及び幅であり、且つロボットアーム22が
それを介して通過することが可能なものである。アパーチャ238の高さは約1
8mm及び50mmの間より大きいものではなく、且つ、好適には、20mmよ
りも大きいものではない。比較的小さなアパーチャ寸法は管230からの輻射熱
損失を減少させることに貢献する。又、この小さなアパーチャ寸法はキャビティ
即ち空洞230内に入る粒子の数を低く維持し且つ等温環境を維持することを容
易なものとさせる。1実施例においては、処理手順期間中に、ウエハ236の一
端部が、該ウエハがスタンドオフ234上に配置された場合に、アパーチャ23
8から50mmより小さくないようにすることが可能である。
【0020】 図4はスタンドオフ234上にウエハ236をローディングするロボットアー
ム22の簡単化した概略図である。図4に示したように、ロボットアーム22の
端部には端部エフェクタ62が設けられている。1実施例においては、ロボット
アーム22は端部エフェクタ62をアパーチャ238を介して通過させ、次いで
、ウエハ236をスタンドオフ234上に下降させる。ウエハ36を保持し且つ
搬送するために、端部エフェクタ62は、通常1個以上であり、好適には2個で
ある任意の数の突起64を有することが可能である。突起64は、端部エフェク
タ62が管230に入る場合に、突起64がスタンドオフ234と接触すること
を回避するように寸法設定されており且つ互いに離隔されている。端部エフェク
タ62の各突起64は少なくとも1個のウエハ接触点66を有している。好適に
は、端部エフェクタ62は全部で少なくとも3個の接触点を有している。接触点
66はウエハ236と接触点66との間に最小の接触面積を与えるように最小の
表面積で構成されている。好適実施例においては、接触点66とウエハ236と
の間の全接触面積は約350mm2未満であり、好適には300mm2未満とする
ことが可能である。
【0021】 図5はリアクタチャンバ210の別の実施例を示しており、それは高温処理期
間中に石英管230の構造的一体性を維持することに貢献することが可能である
。この実施例においては、管230の周りに外部キャビティ即ち空洞240を形
成し且つ空気、又は好適には窒素、酸素又はその他の処理ガスで充填することが
可能である。外部キャビティ即ち空洞を充填するために純粋なガスを使用するこ
とはキャビティ即ち空洞240内に収納する場合がある加熱要素等のその他のコ
ンポーネントの有用な寿命を延ばすことに貢献する場合がある。好適実施例にお
いては、外部キャビティ即ち空洞240は内部キャビティ即ち空洞232と少な
くとも等しいか又はそれより低い圧力を有するように維持することが可能である
(P1≦P2)。1実施例においては、管230は、典型的に、ゲートバルブ21
8を介してロードロック18と連通させることが可能であり、従って管230内
の圧力はロードロック18内の圧力と等しくさせることが可能である(P2=P3 )。この実施例においては、外部キャビティ即ち空洞240と管230との間の
圧力差が管230の内壁上に力を発生する。この圧力差を発生するために、外部
キャビティ(空洞)240はポンプパイプ237を介し且つオリフィス234に
おいて直接的に排気される。管230はロードロックパイプ236を介してオリ
フィス235においてロードロック18を介して排気される。ポンプパイプ23
7及びロードロックパイプ236は管交差部238において合流し且つ一本のパ
イプ239としてポンプ組立体220へ通じている。ロードロック18と管23
0の結合体積は外部キャビティ即ち空洞240の体積よりも大きいので、外部キ
ャビティ即ち空洞240内の圧力は結合したロードロック18及び管230の形
態におけるものよりも小さいものとすることが可能である。このように、管23
0内の内部圧力は管230を障害に対して補強するために使用することが可能で
あり、且つ管230の構造的一体性を維持することを確保している。
【0022】 ポンプ組立体220は、チャンバ210内に所要の処理圧力を発生するために
任意の適宜のポンプを包含することが可能である。ポンプ組立体220は、又、
処理用システムにおけるポンプとして通常必要とされるようなその他の目的を達
成することも可能である。例えば、ポンプ組立体220は処理室230内をポン
プダウン即ち真空を発生させるために使用することが可能であり、従って該室内
の冷却速度を制御することが可能である。例示的なポンプ組立体はカシヤマイン
ダストリーズリミテッドから入手可能なメカニカルポンプモデルHC−60B等
がある。
【0023】 再度図3を参照すると、本発明の加熱セクションは処理室セクションを取囲む
形態とされている。加熱セクションは好適には抵抗加熱要素246である加熱要
素を有している。好適実施例においては、管230の上部及び底部部分を取囲む
ために複数個の加熱要素246が使用されている。図6に示した1実施例におい
ては、抵抗加熱要素246をチャンバ210を横断して平行に配設することが可
能である。各要素246は他の要素と相対的に近接している。例えば、各抵抗加
熱要素246は次に最も近い加熱要素から距離β離隔させることが可能であり、
それは約5mm及び50mmの間とすることが可能であり、好適には約10mm
及び20mmの間とすることが可能である。従って、加熱要素246の近接した
間隔がキャビティ即ち空洞232内に位置されているウエハにわたって均一な加
熱温度分布を与える。
【0024】 図6Aは本発明の原理に基づいた例示的な加熱要素246を示している。抵抗
加熱要素246は、抵抗加熱要素コア250及びフィラメントワイヤ252を有
している。コア250は、通常、セラミック物質から構成されているが、任意の
高温用の非導電性物質から構成することが可能である。フィラメントワイヤ25
2はコア250の周りに巻着されて該フィラメントから最適な量の輻射熱エネル
ギが発生されることを可能としている。フィラメントワイヤ252は任意の適宜
の抵抗加熱可能なワイヤとすることが可能であり、それは例えばSiC、SiC
をコーティングしたグラファイト、グラファイト、NiCr、AlNi及びその
他の合金等の増加した熱応答性及び高温安定性のために高質量物質から構成され
ている。好適には、抵抗加熱フィラメントワイヤ252はコネクチカット州スタ
ンフォードのオメガコーポレイションから入手可能な通常カンタール(Kant
al)A−1又はAFとして知られているAl−Ni−Fe組合わせ物質から構
成されている。
【0025】 オプションとして、図6B−6Dに示したように、抵抗加熱要素246は、例
えば、円形状、ジグザグ、クロスハッチパターン等を包含することが可能な種々
の形態で位置させることが可能である。可変パターンはより最適な温度分布を与
え且つウエハの表面にわたっての温度変動の可能性を更に減少させることを可能
とする場合がある。好適なことであるが、約100Vと約500Vの間の直接的
な商用電圧を使用して該抵抗要素に電力を供給することが可能である。従って、
抵抗加熱要素246の出力を制御するために本発明においては複雑なパワー変圧
器が必要とされることはない。
【0026】 図7A−7D及び再度図3を参照すると、チャンバ210のローディング/ア
ンローディングセクションは、ゲートバルブ組立体218を有しており、それは
、通常、アパーチャ238において外部シェル205へ結合されている。ゲート
バルブ本体300内に収納されており且つバルブ中心軸301に沿って整合され
てゲート304、ベロー306、配管インターフェース308、直線的駆動シャ
フト310、アクチュエータ326が設けられており、それらは全て組立てられ
てゲートバルブ組立体218を与えている。好適実施例においては、バルブ本体
300はポート317を画定している。ポート317は、ゲートバルブ218を
介してリアクタへの最初のアクセスを与える第一端部321と、石英管230の
アパーチャ238とを合致する形態とされているアパーチャ即ち開口302を有
している第二端部323を有している。バルブアパーチャ302の形状及び寸法
は、通常、リアクタアパーチャ238のものに対応しており、従ってアパーチャ
バルブ302及びリアクタアパーチャ238は、管230内に選択した真空又は
加圧環境を維持するか又はウエハ処理動作期間中にキャビティ即ち空洞232を
分離させるシールを提供するために共に使用することが可能である。
【0027】 ゲート304は駆動シャフト310の上端に装着した長尺状プレートである。
該長尺状プレートはバルブアパーチャ302のようなスロット型開口をシール即
ち封止するのに適している。理解すべきことであるが、ゲート304の形状は異
なる形状の開口を受付けるために変化させることが可能である。好適には、図7
A及び7Bに示したように、ゲート304は傾斜表面313を形成するために中
心軸301と相対的に勾配を有することが可能である。傾斜表面313は例えば
約5゜及び約85゜の間の任意の角度の勾配とすることが可能であり、それは本
発明の適切な性能を可能とするために適宜設定される。好適実施例においては、
傾斜表面313は約30゜及び約60゜の間、より好適には軸301に対して約
45゜の角度に設定される。傾斜表面313の上部及び底部部分の上に接触部分
312及び314が設けられており、それらはゲート304の長尺方向の長さに
沿って延在している。好適実施例においては、傾斜表面313は高度に研磨した
表面を有することが可能であり、又は例えば金、銀、Ni、モリブデン、又は処
理温度と相対的に高い溶融点を有するその他の金属等の熱/輻射反射性コーティ
ングでコーティングすることが可能である。該反射表面はバルブアパーチャ30
2を介して漏れて管230内へ戻るような輻射エネルギを反射することが可能で
ある。
【0028】 1例として、駆動シャフト310が本体300内へ上方へ移動される場合に、
ゲート304はポート317内へ上方へ移動される(図7B)。駆動シャフト3
10はアクチュエータ326を使用して発生される直線運動によって直線ガイド
319を介して上下に移動される。好適実施例においては、駆動シャフト310
を移動させるために、アクチュエータ326は配管インターフェース308にお
いて水又はアルコール等の従来の非圧縮性流体が供給される。流体の供給は駆動
シャフト310をして直線ガイド319を介して本体300内へ直線的に移動さ
せる。
【0029】 直線状のシャフト310を図7Aに示したように垂直上方へ移動させることに
よって、直線状シャフト310はベロー306を膨張させる。ベロー306は軸
301に沿ってシャフト310を取囲んでいる。この実施例においては、ベロー
306はアクチュエータ326と本体300との間の真空シールを確立しており
、管230がバルブの開閉動作期間中に外部環境から汚染されることがないこと
を確保している。
【0030】 図7Dに示したように、直線状シャフト310がその実効移動長さの端部に到
達すると(図7B参照)、ゲート304の部分312及び314が力Fでシール
用表面316及び318と夫々接触し、積極的なシールを形成して管230を分
離させる。傾斜表面313は力Fをして接触表面316及び318において反作
用力Rx及びRyを発生する。反作用力Rxは、図7Dに示したように、傾斜表
面313に対して垂直な接触表面316及び318上に等しく作用する。理解す
べきことであるが、開口302においてゲート304をして接触表面316及び
318と積極的なシールを形成させるシール用力を与えるものは水平方向の力成
分Rxである。有益的なことであるが、シャフト310又はゲート304の水平
方向の動作又は水平方向の移動に対する必要性なしに与えることが可能であるの
で、ゲートバルブ218は減少させた形状及び寸法で構成することが可能である
。本発明の別の利点であるが、管230において真空が引かれる場合に、外部圧
力が傾斜表面313を接触表面316及び318及びOリング320に対して押
付けシールを形成する。このOリングのために、傾斜表面313と接触表面31
6及び318との間の摺動接触が実質的に回避されている。ゲート本体と接触す
る可能性のある傾斜表面313の部分は、金属対金属摺動接触を回避するために
柔らかいバッファ物質でコーティングすることが可能であり、そのことは汚染粒
子を発生することを回避することに貢献する。
【0031】 閉じた状態からバルブを再度開くために、アクチュエータ326によって駆動
シャフト310が直線状ガイド319(図7A)を介して本体300から下方へ
移動される場合に、ゲート304がボア317から除去され、従ってシール用の
力がゲート304から除去されてウエハのローディング/アンローディングのた
めにボア317を開放する。
【0032】 更に、ゲートバルブ218は排気ポート322を有しており、それは処理室圧
力を制御することを可能とする。又、冷却流体ポート324が設けられており、
それはRTP期間中にゲートバルブ本体の外部温度を減少させるために冷却剤を
流すことを可能とする。
【0033】 図2に関連して図8を参照してより良く理解されるように、好適実施例におい
ては、リアクタチャンバ210は最大で任意の数の加熱ゾーン400を有するこ
とが可能である。図8に示した実施例においては、リアクタチャンバ210は3
個の並列加熱ゾーンを有しており、それらは中央ゾーン402と2つの隣接した
外側ゾーン404及び406を有している。図6Bに示した別の実施例において
は、該加熱要素は円形状の形態とすることが可能であり、従って、少なくとも2
つの加熱ゾーン、即ち中央内側ゾーンと外側ゾーンとを有することが可能である
。再度図8を参照すると、各加熱要素246は特定の加熱ゾーン402,404
,406へ割り当てることが可能である。以下により詳細に説明するように、各
加熱ゾーン402,404,406は少なくとも1個の温度センサ354を有し
ており、それは制御器212へのフィードバックを与える。従って、加熱ゾーン
402,404及び/又は406内の温度変動が温度センサ354によって検知
されると、実時間制御器212(図2)は電源221(図2)からのパワー即ち
電力を必要に応じて増加又は減少させて抵抗要素246の各々からのエネルギ出
力(熱)を増加又は減少させることが可能である。例えば、ゾーン404におい
て温度降下が検知される場合には、ゾーン404における温度が所望のレベルに
復帰するまで、ゾーン404に対して割り当てられている抵抗加熱要素246か
らの熱エネルギ出力が増加する。このように、ウエハ236の表面にわたってゾ
ーン毎の温度を実質的に等温に維持することが可能である。
【0034】 各ゾーンに対して割り当てられている抵抗要素246の数はゾーン当たりに所
望されるエネルギ出力に基づいて変化することが可能である。各ゾーンの寸法(
即ち、加熱体積)も可変である。好適実施例においては、中央ゾーン402は最
大で約300mmの直径の少なくとも1個のウエハにわたることが可能である。
例えば、図8に示したように、スタンドオフ234上に配置された場合に、ウエ
ハ236は点線で示したように完全にゾーン402の境界内にある。各ゾーンの
寸法は所望により効果的にスケールアップ又はスケールダウンすることが可能で
ある。例えば、加熱要素246をゾーン404から402へ再割当することによ
ってゾーン402をより大型のウエハを処理するためにスケールアップさせるこ
とが可能である。このことは、ゾーン402に対して割り当てられている加熱要
素246の数を増加させ、一方ゾーン404に対して割り当てられている加熱要
素の数を減少させることを意味している。ゾーン402に対して付加された加熱
要素は制御器212(図2)によって制御され、既にゾーン402に対して割り
当てられている加熱要素と同一の態様で応答する。
【0035】 図3及び8に示した更に別の実施例においては、チャンバ210が熱拡散部材
350を有しており、該部材は加熱要素246に近接して位置され且つ典型的に
オーバーレイして配置される。熱拡散部材350は加熱要素246からの熱エネ
ルギ出力を吸収し且つ熱を管230内に均一に散逸させる。理解すべきことであ
るが、ウエハ246を上側及び下側から加熱することによって、且つ更に熱拡散
部材350の間の距離Δを小さく維持することによって、管230内の温度勾配
はより容易に等温状態に維持される。例えば、上部熱拡散部材351が1000
℃に維持され且つ底部熱拡散部材352も1000℃に維持される場合には、そ
れらの間の小さな空間内の温度勾配も殆ど変動なしで実質的に1000℃に維持
される。熱拡散部材350は充分に高い熱伝導性を有している任意の適宜の熱拡
散性物質とすることが可能であり、好適には炭化珪素、Al23又はグラファイ
トとすることが可能である。好適実施例においては、好適には熱電対である温度
センサ354が熱拡散部材350内に埋設されている。熱電対354は、それら
が熱拡散部材の温度条件に関してフィードバックを与えることが可能であるよう
に配置されている。例えば、熱拡散部材351及び352の各端部及び中心にお
いて少なくとも1個の熱電対354が配置されている。この形態においては、各
ゾーン402,404,406の温度をモニタし、フィードバックを制御器21
2(図2)ヘ供給することが可能である。熱電対354を熱拡散部材350上の
既知の位置に位置させることによって、管230内の位置を参照して温度勾配を
決定することが可能である。このデータは制御器212によって使用されて各ゾ
ーン402,404,406内の温度をより精密に制御する。熱電対354はコ
ネクチカット州スタンフォードのオメガコーポレイションから入手可能な従来の
Rタイプ又はKタイプの熱電対である。
【0036】 マイクロプロセッサ又は処理制御コンピュータ214が、一般的にRTPリア
クタ内に配置した半導体ウエハの処理を制御し、且つ診断目的のためにシステム
のステータスをモニタするために使用することが可能である。1実施例において
は、処理コンピュータ214がチャンバ210内の温度センサ354から受取っ
た温度データに応答して制御器212へ制御信号を供給する。処理コンピュータ
214は、又、ガスネットワーク216における質量流量制御器へのガス及びプ
ラズマインレット流れ信号及びポンプ組立体220に対する圧力設定点を支持す
ることが可能である。1実施例においては、制御器212は、オメガコーポレイ
ションから入手可能な実時間比例積分派生型(PID)マルチゾーン制御器であ
る。制御器212は制御信号をSCRをベースとした位相制御型電源221へ供
給し、該電源はチャンバ210内に設けられている抵抗加熱要素へパワーを供給
する。動作について説明すると、該マルチゾーン制御器がチャンバ210から検
知ライン222を介して温度センサ出力を受取ると共にライン224を介してコ
ンピュータ214からの所望のウエハ温度設定点を受取り且つ制御したパワー設
定点を加熱要素電源221へ供給する。以下により詳細に説明するように、加熱
要素は電源221から供給されるパワーの増加又は減少に応答してそれらのエネ
ルギ出力を増加又は減少させる。
【0037】 本発明の主要な利点はシリコンウエハの実質的に滑りのないRTPを実施する
能力である。本発明の実施例の利点については本発明を制限するものではなく例
示するために以下に与える以下のパラメータを参照することによって更に理解さ
れる。
【0038】 1つの例示的な実施例においては、本発明に基づいてチャンバ210において
実質的に滑りのないRTPを実施するために、以下のパラメータを使用すべきで
ある。150mm又はそれより大きな直径を有するウエハを本発明の処理室内へ
ロードさせる。ウエハは、累積的な接触点面積が300mm2を超えるものでな
い1個又は又はそれ以上のウエハ接触点を具備している端部エフェクタを使用し
てロードされる。ウエハのローディング/アンローディング速度は水平面内にお
いて約50mm/s及び約600mm/sの間及び垂直面内において約5mm/
s及び約100mm/sの間において行われる。ウエハをチャンバ内に位置され
ている1個またはそれ以上のスタンドオフ上に配置させる。該スタンドオフは、
通常、約50μmと約20mmとの間の高さを有している。スタンドオフとウエ
ハとの間の全接触面積は約350mm2未満であり、好適には焼く300mm2
満である。処理は、0.1Torr及び約1000Torrの間の、好適には大
気圧でのチャンバ圧力において、約900℃と1200℃との間で、好適には1
000℃と1200℃との間の温度において行うことが可能である。
【0039】 理解すべきことであるが、上述したウエハは例えばシリコン、ガリウム砒素、
又はその他の同様の化合物等の業界において一般的に使用されている従来の物質
から構成することが可能であり、又は該ウエハは石英又はガラスから構成されて
いる半導体ウエハとすることが可能である。
【0040】 好適実施例について説明したが、当業者が理解するように、本発明の精神及び
範囲を逸脱することなしに形態及び詳細において変更を行うことが可能である。
従って、本発明は添付の請求範囲によってのみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図1A】 本発明に使用する半導体ウエハ処理システムの1実施例の側面
図を示した概略図。
【図1B】 図1Aのシステムの平面図を示した概略図。
【図2】 本発明に基づくRTPリアクタシステムの1実施例のブロック図
【図3】 本発明の原理に基づく図2におけるようなリアクタチャンバの簡
単化した断面図。
【図4】 本発明に基づくウエハ(想像線で示してある)及び端部エフェク
タを示した簡単化した平面図。
【図5】 本発明の1実施例の簡単化した概略図。
【図6】 本発明に基づく抵抗加熱要素の1実施例の簡単化した概略図。
【図6A】 本発明の抵抗加熱要素の1実施例の一部の簡単化した概略図。
【図6B】 本発明に基づく抵抗加熱要素の1実施例の簡単化した概略図。
【図6C】 本発明に基づく抵抗加熱要素の1実施例の簡単化した概略図。
【図6D】 本発明に基づく抵抗加熱要素の1実施例の簡単化した概略図。
【図7A】 本発明の小型ゲートバルブ組立体の1実施例の1つの状態を示
した概略図。
【図7B】 本発明の小型ゲートバルブ組立体の1実施例の1つの状態を示
した概略図。
【図7C】 本発明の小型ゲートバルブ組立体の1実施例の1つの状態を示
した概略図。
【図7D】 本発明の1実施例に基づいて図7A−7Cのゲートバルブ組立
体上に作用する力ベクトルの簡単化した概略図。
【図8】 本発明に基づく温度ゾーンを示した図3の実施例の簡単化した概
略図。
【符号の説明】
10 半導体ウエハ処理システム 12 ローディングステーション 14 プラットフォーム 16 ウエハカセット 18 ロードロック 20 転送室 22 ロボット 24 ウエハ 26 熱処理室 28 リアクタ 30 ゲートバルブ 50 ポンプ 60 冷却ステーション
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユー, ウー シク アメリカ合衆国, カリフォルニア 94303, パロ アルト, ステリング ドライブ 3090 (72)発明者 栗林 宏光 神奈川県相模原市当麻1107−9 Fターム(参考) 3H053 AA02 BA01 BA11 BA35 BA38 BB35 BB38 BD01 BD02 BD03 DA09 3H066 AA03 BA19 5F031 CA02 DA08 EA14 FA01 FA11 FA12 NA09

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 迅速熱処理用リアクタに使用するバルブ組立体において、 中心軸を画定する本体、 前記中心軸と相対的に傾斜表面を具備しており前記本体内に配設されているゲ
    ート、 前記バルブが開いている第一位置と前記バルブが閉じている第二位置との間で
    前記中心軸に沿って前記ゲートを直線的に移動させる動作組立体、 を有しているバルブ組立体。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記傾斜表面が輻射反射性物質でコーテ
    ィングされているバルブ。
  3. 【請求項3】 請求項2において、前記コーティングが金、銀、Ni、モリ
    ブデンからなるグループから選択した物質を有しているバルブ。
  4. 【請求項4】 請求項1において、前記傾斜表面が前記中心軸と相対的に約
    30゜と約60゜との間の勾配を有しているバルブ。
  5. 【請求項5】 請求項1において、前記動作組立体が前記中心軸に沿って膨
    張可能な膨張可能部材を有しているバルブ。
  6. 【請求項6】 請求項5において、前記膨張可能な部材がベローを有してい
    るバルブ。
  7. 【請求項7】 請求項5において、前記動作組立体が前記膨張可能な部材の
    膨張に応答して前記本体と相対的に軸方向に移動する並進運動可能な直線状シャ
    フトを有しているバルブ。
  8. 【請求項8】 請求項5において、前記動作組立体が前記膨張可能な部材を
    膨張させる手段を供給する流体インレットを有しているバルブ。
  9. 【請求項9】 請求項1において、前記傾斜表面が第一接触部分と第二接触
    部分とを有しており、前記ゲートが前記第一位置にある場合に前記接触部分が前
    記本体内に配設されている着座用表面と接触するようにされているバルブ。
  10. 【請求項10】 請求項9において、前記着座用表面がガスケット手段を有
    しているバルブ。
  11. 【請求項11】 請求項10において、前記ガスケット手段がOリングを有
    しているバルブ。
  12. 【請求項12】 リアクタに使用するバルブにおいて、 それを貫通しているポートを具備している本体、 前記ポートをシールするために前記本体内に配設されているシール手段、 前記リアクタがシールされる第一位置と前記リアクタがシール解除される第二
    位置との間で前記本体と相対的に軸方向に前記シール用手段を移動させる動作手
    段、 を有しているバルブ。
  13. 【請求項13】 請求項12において、前記シール手段が傾斜表面を具備し
    ているゲートを有しているバルブ。
  14. 【請求項14】 請求項13において、前記傾斜表面が約30゜と約60゜
    との間の勾配を有しているバルブ。
  15. 【請求項15】 請求項13において、前記傾斜表面が第一接触部分と第二
    接触部分とを有しており、前記接触部分は前記本体内に配設されている着座用表
    面と接触されて前記シールを与えるバルブ。
  16. 【請求項16】 請求項12において、前記動作手段が膨張可能な部材の膨
    張に応答して前記本体と相対的に軸方向に移動する並進運動可能な直線状シャフ
    トを有しているバルブ。
  17. 【請求項17】 請求項16において、前記膨張可能な部材がベローを有し
    ているバルブ。
JP2001542123A 1999-11-30 2000-11-29 小型ゲートバルブ Pending JP2003532842A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/451,664 US20010040230A1 (en) 1999-11-30 1999-11-30 Compact gate valve
US09/451,664 1999-11-30
PCT/US2000/032563 WO2001040692A1 (en) 1999-11-30 2000-11-29 Compact gate valve

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003532842A true JP2003532842A (ja) 2003-11-05

Family

ID=23793191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001542123A Pending JP2003532842A (ja) 1999-11-30 2000-11-29 小型ゲートバルブ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20010040230A1 (ja)
EP (1) EP1234133B1 (ja)
JP (1) JP2003532842A (ja)
KR (1) KR20010079718A (ja)
DE (1) DE60015788T2 (ja)
TW (1) TW455661B (ja)
WO (1) WO2001040692A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310335A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空ゲート弁及び真空装置
JP2010199211A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 真空ゲートバルブ保護装置
KR20170129714A (ko) * 2015-03-27 2017-11-27 배트 홀딩 아게 특히 진공밸브인 밸브
KR20210069969A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 주식회사 케이씨텍 경사면을 갖는 도어부를 포함하는 기판 처리 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050052405A1 (en) * 2000-04-25 2005-03-10 Sunil Maulik Computer-based educational system
US6703623B1 (en) * 2000-09-27 2004-03-09 Leepl Corporation Electron beam proximity exposure apparatus
US7841582B2 (en) * 2004-06-02 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Variable seal pressure slit valve doors for semiconductor manufacturing equipment
US20050268857A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Uniformly compressed process chamber gate seal for semiconductor processing chamber
WO2007001162A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Innovation For Creative Devices Co., Ltd. Door assembly adapted to the reversed atmospheric pressure
JP5415781B2 (ja) * 2008-03-14 2014-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置および真空処理装置の制御方法
US20090236554A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Knife gate valve with skewed gate seat interface
CN103206552A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 中国科学院微电子研究所 真空隔离阀装置
KR20140048752A (ko) * 2012-10-16 2014-04-24 삼성전자주식회사 슬릿 밸브 유닛 및 이를 구비하는 성막 장치
WO2014143168A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Koenig Mark E Outlet tube for a material transfer system
CN106704600B (zh) * 2015-11-13 2019-03-12 北京北方华创微电子装备有限公司 阀门机构及半导体加工设备
JP6719960B2 (ja) * 2016-04-27 2020-07-08 サーパス工業株式会社 流量調整装置
CN112268141A (zh) * 2020-10-23 2021-01-26 中国科学院上海高等研究院 用于真空封合之密封碟盘

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164220A (ja) * 1985-01-16 1986-07-24 Fujitsu Ltd 熱処理炉
JPH01167587A (ja) * 1987-12-21 1989-07-03 Toyoji Okabe 輻射加熱炉等の炉壁構造
JPH07167342A (ja) * 1993-12-17 1995-07-04 Nec Yamagata Ltd 真空バルブ
JPH08264473A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Tokyo Electron Ltd 枚葉式熱処理装置
JP2631356B2 (ja) * 1995-01-27 1997-07-16 セイコー精機株式会社 ゲートバルブ装置
JPH10252943A (ja) * 1997-03-14 1998-09-22 Anelva Corp 真空バルブ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2634885C2 (de) * 1976-08-03 1985-10-31 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Pendelschieber
CH643469A5 (fr) * 1981-12-22 1984-06-15 Siv Soc Italiana Vetro Installation pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide.
FR2557253B1 (fr) * 1983-12-22 1986-04-11 Cit Alcatel Vanne dont l'ouverture fonctionne a la depression
DE3831249A1 (de) * 1988-09-14 1990-03-22 Schertler Siegfried Ventilschieber
US5013009A (en) * 1989-08-04 1991-05-07 Goddard Valve Corporation Top entry valve
US5363872A (en) * 1993-03-16 1994-11-15 Applied Materials, Inc. Low particulate slit valve system and method for controlling same
KR100327716B1 (ko) * 1994-01-11 2002-06-27 노만 에이취. 폰드 진공처리시스템및진공처리시스템내에서의기판조작방법
DE19601541A1 (de) * 1995-01-27 1996-08-01 Seiko Seiki Kk In einer Vakuumumgebung einsetzbares Vertikaltransfersystem sowie dazugehöriges Absperrventilsystem

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164220A (ja) * 1985-01-16 1986-07-24 Fujitsu Ltd 熱処理炉
JPH01167587A (ja) * 1987-12-21 1989-07-03 Toyoji Okabe 輻射加熱炉等の炉壁構造
JPH07167342A (ja) * 1993-12-17 1995-07-04 Nec Yamagata Ltd 真空バルブ
JP2631356B2 (ja) * 1995-01-27 1997-07-16 セイコー精機株式会社 ゲートバルブ装置
JPH08264473A (ja) * 1995-03-17 1996-10-11 Tokyo Electron Ltd 枚葉式熱処理装置
JPH10252943A (ja) * 1997-03-14 1998-09-22 Anelva Corp 真空バルブ

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310335A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空ゲート弁及び真空装置
JP2010199211A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 真空ゲートバルブ保護装置
KR20170129714A (ko) * 2015-03-27 2017-11-27 배트 홀딩 아게 특히 진공밸브인 밸브
JP2018515720A (ja) * 2015-03-27 2018-06-14 バット ホールディング アーゲー バルブ
KR102504116B1 (ko) 2015-03-27 2023-02-24 배트 홀딩 아게 밸브
KR20210069969A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 주식회사 케이씨텍 경사면을 갖는 도어부를 포함하는 기판 처리 장치
KR102278461B1 (ko) * 2019-12-04 2021-07-16 주식회사 케이씨텍 경사면을 갖는 도어부를 포함하는 기판 처리 장치
US11701693B2 (en) 2019-12-04 2023-07-18 Kctech Co., Ltd. Substrate processing device comprising door unit having inclined surface

Also Published As

Publication number Publication date
EP1234133B1 (en) 2004-11-10
EP1234133A1 (en) 2002-08-28
TW455661B (en) 2001-09-21
WO2001040692A1 (en) 2001-06-07
KR20010079718A (ko) 2001-08-22
DE60015788T2 (de) 2005-11-10
US20010040230A1 (en) 2001-11-15
DE60015788D1 (de) 2004-12-16
WO2001040692A9 (en) 2002-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003532842A (ja) 小型ゲートバルブ
US6303906B1 (en) Resistively heated single wafer furnace
US4512391A (en) Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US6602348B1 (en) Substrate cooldown chamber
US8183502B2 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
US5961323A (en) Dual vertical thermal processing furnace
US8110045B2 (en) Processing equipment for object to be processed
US6727194B2 (en) Wafer batch processing system and method
JP2001274231A (ja) 半導体処理システム内の温度を制御する装置
KR102076643B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US20180122660A1 (en) Substrate support apparatus, substrate treating system including the same, and substrate treating method
KR20160022885A (ko) 열 챔버 어플리케이션들 및 프로세스들을 위한 광 파이프 윈도우 구조
US6698718B2 (en) Rotary valve
JP4158386B2 (ja) 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置
US6246031B1 (en) Mini batch furnace
US10115611B2 (en) Substrate cooling method, substrate transfer method, and load-lock mechanism
JP2009064864A (ja) 半導体処理装置
US20230073660A1 (en) Substrate processing apparatus
US20230070804A1 (en) Substrate processing apparatus
KR100350612B1 (ko) 이중수직형열처리로(爐)
JPH088202A (ja) 熱処理装置
CN114334730A (zh) 晶圆预热装载腔及其预热方法
WO2020112764A1 (en) Pedestal including vapor chamber for substrate processing systems
JPH05299370A (ja) 熱処理装置
JPH07130715A (ja) 半導体ウエハのプラズマ処理方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100818

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100825

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101130