JP2003532300A - 膨張特性が制御される回路カード組立体 - Google Patents
膨張特性が制御される回路カード組立体Info
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Abstract
Description
が制御されるプリント回路カード組立体に関する。
には、回路カードの密度の増大及びますます大型の回路デバイスの組込みが急務
となっている。典型的な現代の回路カードには、マイクロプロセッサーやそれを
サポートするチップセットのような大型で複雑な集積回路が高密度で組み込まれ
ている。
かるデバイスとカードとの間の熱膨張係数のミスマッチによるはんだ接続の故障
可能性が増大する。例えば、大型のマイクロプロセッサーが表面実装された回路
カードには、マイクロプロセッサーの幅と長さ方向にわたってはんだ接続部が存
在する。マイクロプロセッサーの熱膨張係数がそれが実装される回路カードの熱
膨張係数と異なる場合、マイクロプロセッサーパッケージと回路カードとが温度
変化に応じて異なる態様で膨張し収縮する。その結果、はんだ接続部に接続不良
の故障が生じる可能性がある。
り、回路カード組立体の熱膨張特性を制御する方法及び装置が求められている。
する添付図面を参照する。図面において、同一の参照番号は幾つかの図を通して
実質的に同じコンポーネントを指すものである。これらの実施例は、当業者が本
発明を実施できるように十分に詳しく記載されており、他の実施例も可能であっ
て、本発明の範囲から逸脱することなく構造的、論理的及び電気的な変形又は設
計変更を行うことができることを理解されたい。さらに、本発明の種々の実施例
はそれぞれ異なるが、相互に排他的ではないことを理解されたい。例えば、1つ
の実施例に記載された特定の特徴、構造または特性は他の実施例にも含めること
ができる。従って、以下の詳細の説明は限定的な意味でとらえるべきではなく、
本発明の範囲は、頭書の特許請求の範囲と均等物の全範囲とによってのみ制限さ
れるものである。
更する機構を提供する。一部の実施例には、圧電ブロックが、温度変化に応じて
膨張及び収縮を制御するために回路カードに埋め込まれている。圧電ブロックに
は、膨張を制御するために電圧を印加できる。一部の実施例では、電圧の制御は
、温度センサーとサーモスタットとにより行われる。回路カードの熱膨張を制御
することにより、回路カードの実効熱膨張係数を、その回路カードにはんだ付け
されたデバイスの熱膨張係数に非常によくマッチするように調整することが可能
である。その結果、はんだ接続部の信頼性が高くなる。
カード102と基板104とを有する。図示のように、集積回路106が固着さ
れた基板104は、はんだ接続部108で回路カード102に固着されている。
基板104は、はんだ接続部108により回路カード102に固着可能な任意タ
イプのデバイスでよい。例えば、基板104は、ドーターカード、ランドグリッ
ドアレイパッケージ、大型のフリップチップ実装半導体デバイスなどでよい。
板104の熱膨張作用を記述するものである。回路カード102もまた、熱膨張
作用を記述する熱膨張係数を有する。基板104の熱膨張係数と回路カード10
2の熱膨張係数とが実質的に同じである場合、基板104と回路カード102と
は、温度変化に対してほぼ同量膨張し収縮する。しかしながら、熱膨張係数が異
なる場合、基板104と回路カード102とは、温度変化に対して実質的に同量
膨張及び収縮しない。基板104と回路カード102とが実質的に同量膨張し収
縮しないと、はんだ接続部108に応力が発生する。基板104のサイズが増加
するにつれて、または熱膨張係数の差が増加するにつれて、はんだ接続部108
にかかる応力が増加し、はんだ接続部に故障が発生することがある。
、ある種類の結晶材料が持つ特性である。分極圧電材料に電界が印加されると、
結晶構造の形状が変化して、その材料の特定の平面に、その分極により支配され
る寸法変化が生じる。逆に、これらの材料のうちの1つに機械的な圧力を加える
と、結晶構造がその圧力に比例する電圧を発生する。本発明の方法及び装置は、
圧電材料を回路カード102に埋め込むことにより、電気エネルギーから機械エ
ネルギーへの変換を可能にする。回路カード102に埋め込まれた圧電ブロック
上の2つの電極間に電位を印加すると、回路カード102の実効熱膨張係数が変
化する。図2は、ある特定の回路カード102の一部の断面200を詳示する。
材料202と、コア材料202の両側に積層されたエポキシ層220とを有する
回路カード102(図1)の一部を示す。エポキシ層220内には、圧電ブロッ
ク120が埋め込まれている。圧電ブロック120は、回路カードの製造時に回
路カード102内に埋め込まれる。圧電ブロック120は、圧電特性を有する任
意タイプの材料でよい。かかる材料の一例は、Morgan Mitroc, Inc.により市販
されているPZT-5H Bimorphである。PZT-5Hは、高い誘電率と結合度、また高い圧
電定数を有する。圧電ブロック102は、制御された態様で変形する変形可能な
ブロックの例であり、回路カードを制御された態様で変形させる。任意タイプの
変形可能なブロックは、本発明の範囲から逸脱することなく使用可能である。
を示す。2つのエポキシ層の間には、金属トレース208、210が位置し、圧
電ブロック120のうちの1つのブロックに結合されている。金属トレース20
8、210は、圧電ブロック120上の電極に電圧を供給する。圧電ブロックに
電圧を供給する金属トレースは、金属トレース208、210のように層間に介
在させるか、または金属トレース224のように最も外側の層の上に配置するこ
とができる。さらに、圧電ブロックは任意の数のエポキシ層内に配置することが
できる。例えば、圧電ブロック120をエポキシ層220だけでなくエポキシ層
222内に、またはエポキシ層222内だけに配置することができる。
スタット214により制御される。サーモスタット214は、温度センサー21
2及び電圧源218に結合された状態で示す。温度センサー212は、熱電対の
ような任意タイプの温度センサーでよい。温度センサー212は、回路カードの
温度を検知して、サーモスタット214へ信号を送る。サーモスタット214は
、回路カード102のノード216に電圧を供給する。この電圧がトレース20
8、210に結合され、これらのトレースがその電圧を圧電ブロックに供給する
ため、ブロックに制御された態様の引張り及び圧縮変形が生じる。
の振幅を自動的に制御することにより、「スマート」回路カード組立体を構築す
る。温度が上昇し始め、回路カードが膨張(正又は負)を開始して所望の限界点
を超えると、予め較正されたサーモスタットがオンになって、制御された電圧を
圧電ブロック120に印加し、回路カード102の変形を制御する。サーモスタ
ット214は、圧電ブロック120に供給される電圧を制御する電圧制御装置の
一例である。任意タイプの電圧制御装置を、本発明の範囲から逸脱することなし
に用いることができる。
1つの圧電ブロック120を示す。一部の実施例において、各圧電ブロック12
0は、金属トレース208、210と同様な金属トレースに結合されているため
、各圧電ブロック120には同じ電圧が印加される。他の実施例では、一部の圧
電ブロック120が任意所与の金属トレースに結合されている。例えば、多量の
熱を放散する大型デバイスを備えた回路カード上に、その大型デバイス専用の別
個の温度センサー212とサーモスタット214とを設けて、大型デバイスに近
接する圧電ブロックを専用の温度センサーとサーモスタットとにより制御するこ
とができる。任意の数の局部的な領域を回路カードに画定し、任意の数の専用温
度センサー及びサーモスタットを本発明の範囲から逸脱することなしに設けても
よい。
部の実施例において、温度センサー212は、基板104または集積回路106
(図1を参照)のような回路カード以外の物体に結合される。
ク120を含むようにすることができる。図示の断面は、コア202の両側のエ
ポキシ層220の内部に圧電ブロック120が埋め込まれ、このエポキシ層22
0の外側上にエポキシ層222がある様子を示す。一部の実施例では、コア20
2の両側の多数のエポキシ層に圧電ブロックが埋め込まれている。例えば、一部
の実施例の圧電ブロック120は、コアの中心部から等距離離れた対を成す層に
埋め込まれている。他の実施例では、圧電ブロック120が回路カードの一方の
表面に近い単一の層だけに埋め込まれている。これらの実施例は、回路カードの
一方の側の単一領域が熱膨張係数の変化による利益を得る場合に有用である。
シ層に圧電ブロックを埋め込んで作製する。例えば、図2に示す構造の回路カー
ドの作製は、エポキシへの金属層の適用前にエポキシ層220へ圧電ブロック1
20を埋め込むことにより行うことができる。別の実施例において、圧電ブロッ
ク120は、金属層上でエッチングを行った後にエポキシ層に埋め込まれる。こ
れらの実施例では、圧電ブロック120と金属トレース208、210とは同じ
層を共用可能である。
上面図である。上面図300は、x方向とy方向とを有する回路カード302を
示す。圧電ブロック310は、正方形の形で規則的なパターンに配置されている
ため、ブロック間のx方向の距離がy方向の距離と実質的に同じである。圧電ブ
ロック310に電圧を印加すると、x及びyの両方向において実質的に同じ大き
さの膨張が発生する。一部の実施例において、膨張の大きさは、圧電ブロック3
10間の距離により制御される。他の実施例において、膨張の大きさは圧電ブロ
ックのサイズにより制御される。
の全体にわたって、または一部の領域だけに形成することができる。例えば、熱
膨張係数のミスマッチが大きい回路カード302の局部的領域は、図3に示すよ
うなパターンの方が大きい利点を得られる。
面図である。この上面図400は、x及びyの両方向における膨張が実質的に等
しくなるようなランダムなまたは擬似的ランダムなパターンで配置した圧電ブロ
ック410を示す。
他の実施例は、上述の説明を読めば当業者にとって明らかになるであろう。従っ
て、本発明の範囲は、頭書の特許請求の範囲を、請求の範囲が享受する均等物の
全範囲と共に検討して決定しなければならない。
上面図である。
示す上面図である。
Claims (18)
- 【請求項1】 複数の層と、 複数の層のうち少なくとも1つの層に埋め込まれた少なくとも1つの変形可能
なブロックとより成り、 少なくとも1つの変形可能なブロックが、印加される電圧に応じて制御された
態様で変形するように構成されている回路カード。 - 【請求項2】 少なくとも1つの変形可能なブロックは、圧電特性を有する
結晶材料より成る請求項1の回路カード。 - 【請求項3】 上面、底面、及び上面及び底面から等距離の中心部を有し、 少なくとも1つの変形可能なブロックが、複数の層のうち2つの層の上に配置
された複数の変形可能なブロックを含み、その2つの層が中心部より実質的に等
距離にある請求項2の回路カード。 - 【請求項4】 少なくとも1つの変形可能なブロックは、複数の層のうちの
1つの層に規則的なパターンで配置された複数の変形可能なブロックより成る請
求項1の回路カード。 - 【請求項5】 少なくとも1つの変形可能なブロックは、複数の層のうちの
1つの層に規則的でないパターンで配置された複数の変形可能なブロックより成
る請求項1の回路カード。 - 【請求項6】 複数の層は、複数のエポキシ層と、複数の金属層とを含み、
少なくとも1つの変形可能なブロックが、複数のエポキシ層のうち少なくとも1
つの層に埋め込まれている請求項1の回路カード。 - 【請求項7】 複数の金属層のうち少なくとも1つの金属層の上の金属トレ
ースをさらに備え、金属トレースは電圧の印加が可能なように少なくとも1つの
変形可能なブロックに結合されている請求項6の回路カード。 - 【請求項8】 回路カードに結合された温度センサーをさらに備えた請求項
1の回路カード。 - 【請求項9】 温度センサーに応答するサーモスタットをさらに備え、サー
モスタットが、少なくとも1つの変形可能なブロックに印加される電圧を制御す
るように構成されている請求項8の回路カード。 - 【請求項10】 複数の圧電ブロックが埋め込まれた回路カードと、回路カ
ードに複数の接続部で結合された少なくとも1つの集積回路とより成る回路カー
ド組立体。 - 【請求項11】 少なくとも1つの集積回路が温度に応じて変形し、 圧電ブロックが電圧に応答するため、回路カードが集積回路の変形に実質的に
マッチするように変形される請求項10の回路カード組立体。 - 【請求項12】 温度センサーと、 温度センサーに結合された電圧制御手段とをさらに備え、 電圧制御手段は、圧電ブロックが応答する電圧を制御するように構成されている
請求項11の回路カード組立体。 - 【請求項13】 温度センサーが、回路カードの温度を感知するように回路
カードに結合されている請求項12の回路カード組立体。 - 【請求項14】 温度センサーが、少なくとも1つの集積回路の温度を感知
するように該集積回路に結合されている請求項12の回路カード組立体。 - 【請求項15】 回路カードの作製方法であって、 複数の圧電ブロックを回路カードの層に固着し、 回路カードの層を基板に固着し、 複数の圧電ブロックに、電圧を供給するように構成された金属トレースを形成
するステップより成る回路カードの作製方法。 - 【請求項16】 温度センサーを回路カードに結合するステップをさらに含
む請求項15の方法。 - 【請求項17】 複数の圧電ブロックを固着するステップは、矩形の圧電ブ
ロックを規則的なパターンに配置するステップを含む請求項15の方法。 - 【請求項18】 複数の圧電ブロックを固着するステップは、圧電ブロック
を規則的でないパターンに配置するステップを含む請求項16の方法。
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