JP2003531499A - 冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 - Google Patents
冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置Info
- Publication number
- JP2003531499A JP2003531499A JP2001577668A JP2001577668A JP2003531499A JP 2003531499 A JP2003531499 A JP 2003531499A JP 2001577668 A JP2001577668 A JP 2001577668A JP 2001577668 A JP2001577668 A JP 2001577668A JP 2003531499 A JP2003531499 A JP 2003531499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- laser
- operation monitoring
- heat sink
- monitoring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/02365—Fixing laser chips on mounts by clamping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
めの電源と、レーザダイオードが配置されているヒートシンクと、冷却液がヒー
トシンクの中を通って流れることを可能にする冷却液サプライとを有する冷却装
置とを含むダイオードレーザ装置に関する。
点は、光出力を測定するために熱量測定機器または装置を用いて放出レーザ放射
を測定することだけによってしか、この装置が適正に動作しているかどうかを検
査することできず、および、その構成に応じて、光出力の測定が疑わしいことが
判明することがあるということである。 このことは、対応する測定ヘッドをレーザ放射の放射経路内に配置することを
必要とし、その結果として、そのダイオードレーザ装置は、例えば、測定中に固
体レーザをポンピングするという目的のような意図された目的のために使用され
ることが不可能である。
害することなしに、そのダイオードレーザ装置の動作の簡単な監視が可能である
ように、そのダイオードレーザ装置を改良することである。
ーザダイオードを通って流れる電流を表す量と、ヒートシンクから出ていく冷却
液の温度を表す量とを検出して、これらの量からダイオードレーザ装置の動作を
表す動作量を求めることによって、本発明による文頭で説明した種類のダイオー
ドレーザ装置によって達成される。
したがって、ダイオードレーザ装置が、その意図された目的のために、例えば固
体レーザをポンピングするために使用されている最中でも、その動作量が求めら
れることが可能であるということである。
ートシンクから出ていく冷却剤の温度を表す量とを測定することだけが必要とさ
れるにすぎず、および、これらの量が簡単な手段によって検出されることが可能
なので、動作量の測定が単純な手段によって行われることが可能であるという別
の大きな利点を有する。
的および間接的な方法が想定可能である。例えば、ヒートシンクから出ていく冷
却液が特定の温度に冷却される場合には、この冷却に必要とされるクーリングパ
ワー(cooling power)を検出することが想定可能である。 しかし、説明を簡潔にするために、ヒートシンクから出ていく冷却液の温度を
動作監視装置がセンサによって検出することが特に有利である。
ートシンクから出ていく冷却液との間の温度差を表す量を動作監視装置が求める
ことが有利であることが判明している。 この温度差を表す量の測定は、例えば、ヒートシンクに入る冷却液に関する特
定の温度に達するために必要とされるクーリングパワーを求めることによって間
接的に行われることが可能である。 しかし、動作監視装置が、ヒートシンクに入る冷却液の温度をセンサによって
測定することが特に簡単である。
可能であるが、この精度は、ヒートシンクを通過する冷却液の流量を動作監視装
置が検出することによってさらに高めることができる。 これは、ヒートシンクを通過する冷却液の流量を動作監視装置が流量計によっ
て検出することによって、特に有利に直接的に行うことができる。 高い精度で動作量が求められることを可能にする特に好適な解決策が、冷却装
置によってレーザダイオードから取り除かれる形で伝導される熱出力を表す熱量
を動作監視装置が測定することを実現し、および、レーザダイオードによって放
射の形では放出されない熱出力が少なくとも近似的に求められることを可能にす
る。
レーザダイオードを通って流れる電流に関する結論が少なくとも間接的に導き出
されることが可能な電源の設定パラメータを検出することが想定可能である。 しかし、可能な限り高精度で動作量を求める目的で、特に動作量の変化を可能
な限り正確に求めるために、動作監視装置が、レーザダイオードを通って流れる
電流を測定するための電流測定装置を検出することが特に得策である。
不変であると想定することが可能である。しかし、可能な限り高精度で動作量を
測定するためには、レーザダイオードの動作中のそのレーザダイオードにおける
電圧降下を測定するための電圧測定装置を動作監視装置が含むように準備するこ
とが好ましい。
、レーザダイオードに供給される電力を表す電気量を動作監視装置が測定するこ
とによって、特に高い精度が得られる。 動作監視装置が電気量と熱量とから動作量を求める場合に、特に高い精度が動
作量の測定において得られる。 電気量と熱量とに加えて、他のパラメータが動作量の測定に組み入れられても
よい。
出力の直接的な測度を表すように選択されることが好ましく、この結果として、
動作量はレーザダイオードの光出力の直接的な測度であり、したがって、レーザ
ダイオードの動作に関する最も重要な情報を直接的に提供する。 ダイオードレーザ装置の構成に関しては、このダイオードレーザ装置が1つの
レーザダイオードを含むことが単に想定されている。しかし、本発明による解決
策は、ダイオードレーザ装置が数個のレーザダイオードを含む場合に、特に有利
に使用されることが可能である。 この場合には、この数個のレーザダイオードは共通の電源によって給電される
ことが好ましい。
される場合に、十分な高精度で有利に測定されることが可能である。 したがって、レーザダイオード全体を通って流れる電流を表す量と、レーザダ
イオード全体における電圧降下を表す量とが、電気量に組み入れられることが好
ましく、この目的のためにレーザダイオードが電気的に互いに直列に接続される
。
、ヒートシンクから出ていく冷却液の温度を表す量の測定は、さらに、ヒートシ
ンク全体から出ていく冷却液の温度も対象とする。 冷却液は、レーザダイオードの各々が実質的に同一のクーリングパワーを受け
るように、数個のレーザダイオードのヒートシンクを通って並行に流れる。 冷却装置の設計の詳細は、まだ示されていない。例えば、1つまたは複数のヒ
ートシンクから冷却液が自由に出ていくように冷却液を導くことが想定可能であ
る。しかし、冷却装置が、熱交換器を経由して熱が出ていくように導かれる冷却
回路を含むことが特に有利である。
えば、動作監視装置を連続的に動作させ、それによって動作量を連続的に測定す
ることが想定可能である。 しかし、動作量が緩慢に変化するにすぎず、必ずしも急激には変化しないと一
般に想定できるので、特定の時間間隔の後または特定の動作サイクルの後に動作
量を測定することで十分である。
ット12のスタックによって形成されている、全体として10で示されているレ
ーザダイオードアレイを含む。 個別レーザユニット12の各々は、図2に示されているように、レーザダイオ
ードを表すレーザバー(laser bar)14を含み、このレーザバーの前側16から
レーザ放射が出ていく。
に熱接触している形で上に載るカバープレート22を含む、全体として20で示
されているヒートシンクの上に載っている。ヒートシンク20は、さらにベース
プレート26を含み、カバープレート22とベースプレート26との間には中間
プレート28、30、32が位置している。これらは、流入流路36と戻り流流
路38との間を延びる冷却流路システム34をヒートシンク20内に形成する役
割を果たし、これらの流路はカバープレート22と中間プレート28−32とベ
ースプレート26とをこれらの長さの区域に対して実質的に垂直方向に貫通する
。
4の第1の冷却流路セクション42を形成し、この冷却流路セクション42は流
入流路36から前部区域24の方向にカバープレート22の下を延びて、カバー
プレート22の前部区域24の付近に達し、開口44を経て冷却流路システム3
4の第2の冷却流路セクション46に入り、この第2の冷却流路セクション46
は、カバープレート22から離れている方の冷却流路セクション42の側面上の
開口34から戻り流流路38に至る。
ム34内に入る冷却液によって、さらに明確に述べると、レーザバー14が上に
載っておりかつ熱がレーザバー14から中に放出されるカバープレート22の前
部区域24の中にまで冷却流路システム34内に入る冷却液によって、直接的に
冷却されることが可能である。
割も果たす。第2の接続電極50として、接触プレート50が、ヒートシンク2
0とは反対側に位置しているレーザバー14の側面上に配置されている。この接
触プレート50はレーザバー14を覆って延び、さらに明確に述べると、そのレ
ーザバーの全幅Bにわたって延び、および、レーザバー14から開始して、さら
にカバープレート22の区域の一部分を覆って延び、それによってカバープレー
ト22によって支持され、および、絶縁体52が接触プレート50とヒートシン
ク20との間に備えられている。 したがって、レーザバー14は、一方ではヒートシンク20によって電気的に
接触されており、および、他方では接触プレート50によって電気的に接触され
ている。
と直接的に電気接触状態にある形で接触プレート50上に載っており、したがっ
て、電気的に見た場合に、レーザダイオードアレイ10の全レーザバー14は互
いに直列に接続されており、および、例えば、第1の給電線56が電源54から
レーザダイオードアレイ10の最も下のレーザユニット12のヒートシンク20
に達し、一方、第2の給電線58は電源54からレーザダイオードアレイ10の
最も上のレーザユニット12の接触プレート50に達する。
ユニット12において互いに整合状態に配置されており、したがって、レーザダ
イオードアレイ10のヒートシンク20全体の流入流路36と戻り流流路38は
、個別ヒートシンク20の間に備えられている環状シール62、64によって相
互連結可能である。環状シール62、64の各々は、1つのヒートシンクの中の
流入流路36の出口開口と戻り流流路38の出口開口と、他方のヒートシンクの
中の流入流路36の入口開口と戻り流流路38の入口開口とを取り囲み、それに
よってレーザダイオードアレイ10の全ヒートシンク20の流入流路36とレー
ザダイオードアレイ10の全ヒートシンク20の戻り流流路38との間の連結を
生じさせる。 したがって、全ヒートシンク20の冷却流路システム34には並行して冷却液
が供給され、および、したがって、レーザダイオードアレイ10の全ヒートシン
ク20は互いに同様に冷却される。
供給するために設けられている。流入管路66と戻り流管路68はレーザダイオ
ードアレイ10に到達し、および、例えば、最も下のレーザユニット12のヒー
トシンク20の流入流路36と戻り流流路38とに連結される。
、一方、戻り流管路68を経由して抜き出される加熱された冷却液は冷却器74
の中に送り込まれ、その次に、この冷却器74は冷却された冷却液をリザーバ7
2の中に放出し、このリザーバ72からポンプ70が再び冷却液を吸い込む。 したがって、リザーバ72と、ポンプ70と、流入管路66と、レーザダイオ
ードアレイ10の流入流路36の全体と、レーザダイオードアレイ10のヒート
シンク20内の冷却流路システム34の全体と、レーザダイオードアレイ10の
戻り流流路38の全体と、戻り流管路68と、リザーバ72に至る冷却器74は
共に、冷却回路78を伴う全体として76で示されている冷却装置を形成する。
る動作監視ユニットも備えている。動作監視ユニット80は、流入管路66内の
温度センサ86と、戻り流管路68内の温度センサ88と、時間単位ごとに冷却
回路78を通って流れる冷却液の量を検出するための流入管路66または戻り流
管路68内の流量計90とに接続されている評価回路82を含む。 したがって、この評価回路82は、温度センサ86によって流入温度TZを検
出し、温度センサ88によって戻り流温度TRを測定し、流量計90によって冷
却回路78を通過する時間単位当たりの冷却液の流量Dを測定する。
に印加される電圧Uを検出するための電圧検出ユニット92と、電源54からレ
ーザダイオードアレイ10のレーザバー14全体を通って流れる電流Iを検出す
るための電流検出ユニット94とにも接続されている。
サによって、動作する。その次に、熱量GTを求めるために、この温度差ΔTに
流量Dと別のパラメータKが乗算され、この熱量GTは冷却装置76によって散
逸させられる熱出力を表す。最も単純な場合には、パラメータKは定数であるが
、温度ΔTおよび/または流量Dに依存しているパラメータ領域であってもよい
。 図4に示されているように、評価回路82は、さらに、レーザバー14全体に
おける電圧Uとレーザバー14全体を通過する電流Iとから、乗算によって、レ
ーザダイオードアレイ10に供給される電力を表す電気量GEを求める。
量GEと熱量GTとの間の差を形成することによって求められる。 動作量Fは、例えば固体レーザのポンピングのような意図された目的でレーザ
ダイオードアレイ10を使用する際のそのレーザダイオードアレイ10のレーザ
バー14全体の動作を監視することと、したがって、動作量Fの減少によって示
される、例えばレーザバー14の経時変化によって光出力が減少しているかどう
かを確認することとを可能にする。
レーザダイオードを通って流れる電流に関する結論が少なくとも間接的に導き出
されることが可能な電源の設定パラメータを検出することが想定可能である。 しかし、可能な限り高精度で動作量を求める目的で、特に動作量の変化を可能
な限り正確に求めるために、動作監視装置が、レーザダイオードを通って流れる
電流を測定するための電流測定装置を含むことが特に得策である。
4の第1の冷却流路セクション42を形成し、この冷却流路セクション42は流
入流路36から前部区域24の方向にカバープレート22の下を延びて、カバー
プレート22の前部区域24の付近に達し、開口44を経て冷却流路システム3
4の第2の冷却流路セクション46に入り、この第2の冷却流路セクション46
は、カバープレート22から離れている方の冷却流路セクション42の側面上の
開口44から戻り流流路38に至る。
サによって、動作する。その次に、熱量GTを求めるために、この温度差ΔTに
流量Dと別のパラメータKが乗算され、この熱量GTは冷却装置76によって散
逸させられる熱出力を表す。最も単純な場合には、パラメータKは定数であるが
、温度差ΔTおよび/または流量Dに依存しているパラメータ領域であってもよ
い。 図4に示されているように、評価回路82は、さらに、レーザバー14全体に
おける電圧Uとレーザバー14全体を通過する電流Iとから、乗算によって、レ
ーザダイオードアレイ10に供給される電力を表す電気量GEを求める。
Claims (18)
- 【請求項1】 少なくとも1つのレーザダイオード(14)と、前記レーザ
ダイオード(14)のための電源(54)と、前記レーザダイオード(14)が
配置されているヒートシンク(20)と、冷却液が前記ヒートシンク(20)の
中を通って流れることを可能にする冷却液サプライ(66、68、70、72、
74)とを有する冷却装置(76)とを含むダイオードレーザ装置において、動
作監視装置(80)が備えられていることと、前記動作監視装置(80)は、前
記レーザダイオード(14)を通って流れる電流を表す量(I)と、前記ヒート
シンク(20)から出ていく前記冷却液の温度を表す量(TR)とを検出して、
これらから前記レーザダイオード装置の動作を表す動作量(F)を求めることと
を特徴とするダイオードレーザ装置。 - 【請求項2】 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)か
ら出ていく前記冷却液の温度(TR)をセンサ(88)によって検出することを
特徴とする、請求項1に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項3】 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)に
入る前記冷却液と前記ヒートシンク(20)から出ていく前記冷却液との間の温
度差(ΔT)を表す量(ΔT)を求めることを特徴とする、請求項1または2に
記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項4】 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)に
入る前記冷却液の温度(TZ)をセンサ(86)によって検出することを特徴と
する、請求項3に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項5】 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)を
通過する前記冷却液の流量を表す量(D)を求めることを特徴とする、請求項1
から4のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項6】 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)を
通過する前記冷却液の流量を表す前記量(D)を流量計(90)によって含める
ことを特徴とする、請求項5に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項7】 前記動作監視装置(80)は、前記冷却装置(76)によっ
て前記レーザダイオード(14)から取り除かれる熱出力を表す熱量(GT)を
求めることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載のダイオードレ
ーザ装置。 - 【請求項8】 前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(20
)の中に流れ込む電流を検出するための電流測定装置(94)を含むことを特徴
とする、請求項1から7のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項9】 前記動作監視装置は、前記レーザダイオード(14)におけ
る電圧降下を表す量(U)を求めることを特徴とする、請求項1から8のいずれ
か一項に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項10】 前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(1
4)において降下する電圧(U)を検出するための電圧測定装置(92)を含む
ことを特徴とする、請求項9に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項11】 前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(1
4)に供給される前記電力を表す電気量(GE)を求めることを特徴とする、請
求項1から10のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項12】 前記動作監視装置(80)は、前記電気量(GE)と前記
熱量(GT)とから動作量(F)を求めることを特徴とする、請求項10に記載
のダイオードレーザ装置。 - 【請求項13】 前記動作量(F)は前記レーザダイオード(14)の光出
力を表すことを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載のダイオー
ドレーザ装置。 - 【請求項14】 前記ダイオードレーザ装置は数個のレーザダイオード(1
4)を含むことを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載のダイオ
ードレーザ装置。 - 【請求項15】 前記数個のレーザダイオード(14)は電気的に互いに直
列に接続されていることと、前記動作監視装置(80)は前記レーザダイオード
(14)全体を通って流れる電流を検出することとを特徴とする、請求項14に
記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項16】 前記動作監視装置(80)は、電気的に互いに直列に接続
されている前記記レーザダイオード(14)全体において降下する電圧(U)を
検出することを特徴とする、請求項14または15に記載のダイオードレーザ装
置。 - 【請求項17】 前記冷却液は前記数個のレーザダイオード(14)の前記
ヒートシンク(20)を通って並行に流れることを特徴とする、請求項14から
16のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。 - 【請求項18】 前記冷却装置(76)は前記冷却液のための冷却回路(7
8)を含むことを特徴とする、請求項1から17のいずれか一項に記載のダイオ
ードレーザ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10018421A DE10018421A1 (de) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | Diodenlasereinrichtung |
DE10018421.9 | 2000-04-13 | ||
PCT/EP2001/003165 WO2001080383A1 (de) | 2000-04-13 | 2001-03-20 | Diodenlasereinrichtung mit kühlung und funktionsüberwachung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003531499A true JP2003531499A (ja) | 2003-10-21 |
JP4643108B2 JP4643108B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=7638666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001577668A Expired - Fee Related JP4643108B2 (ja) | 2000-04-13 | 2001-03-20 | 冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6785310B2 (ja) |
EP (1) | EP1273078B1 (ja) |
JP (1) | JP4643108B2 (ja) |
AT (1) | ATE297063T1 (ja) |
DE (2) | DE10018421A1 (ja) |
WO (1) | WO2001080383A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026434A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JP2009537998A (ja) * | 2006-05-19 | 2009-10-29 | アーゲス ゲセルシャフト フュール インダストリープラヌング ウンド ラセルテクニック エム.ベー.ハー. | 可変負荷熱源またはヒートシンクの高精度制御方法、および動的熱源、特に固体レーザ用ポンプダイオードの温度制御装置 |
JP2021082796A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 株式会社フジクラ | レーザ装置及びレーザシステム |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7346086B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-03-18 | Videojet Technologies, Inc. | Apparatus for monitoring the operating status of a laser |
EP2148196A1 (en) * | 2005-07-07 | 2010-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-based apparatus for ultrasonic flaw detection |
WO2008118769A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Particle Measuring Systems, Inc. | Optical particle sensor with exhaust-cooled optical source |
US20090185592A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Jan Vetrovec | Laser diode system with reduced coolant consumption |
DE102009005999A1 (de) | 2009-01-23 | 2010-09-16 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Bestimmung der Degradation und/oder Effizienz von Lasermodulen und Lasereinheit |
EP3651292B1 (en) * | 2017-07-07 | 2021-06-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55156379A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Cooling device for laser light source device |
JPH0313869A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Toshiba Corp | マイクロ波出力測定装置とその製造方法 |
JPH03171786A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-07-25 | Coherent Inc | パルス・レーザ装置 |
JPH06227036A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-08-16 | Eastman Kodak Co | レーザダイオード電力制御回路 |
JPH07283466A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 固体レ−ザ装置 |
JPH1094887A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Amada Eng Center:Kk | レーザ加工システムの定温化方法 |
JPH10190134A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-07-21 | Cutting Edge Optronics Inc | レーザダイオードアレイアセンブリおよびその動作方法 |
JPH11103132A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 2次元ldアレイ素子及びld励起固体レーザ |
WO1999039412A1 (fr) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a laser a semi-conducteur |
JPH11274611A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Komatsu Ltd | 放電励起型レーザの放電電極 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4010054A1 (de) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Bandemer Adalbert Dr Ing | Praezisionsregelung fuer laserdioden |
US5105429A (en) * | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
US5105430A (en) * | 1991-04-09 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes |
US5495490A (en) * | 1995-02-28 | 1996-02-27 | Mcdonnell Douglas Corporation | Immersion method and apparatus for cooling a semiconductor laser device |
US5579328A (en) * | 1995-08-10 | 1996-11-26 | Northern Telecom Limited | Digital control of laser diode power levels |
RU2117371C1 (ru) | 1996-09-30 | 1998-08-10 | Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" | Матрица лазерных диодов |
US6151341A (en) * | 1997-05-30 | 2000-11-21 | Excel/Quantronix, Inc. | Stackable integrated diode packaging |
US6330259B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-12-11 | Jonathan S. Dahm | Monolithic radial diode-pumped laser with integral micro channel cooling |
-
2000
- 2000-04-13 DE DE10018421A patent/DE10018421A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-03-20 DE DE50106394T patent/DE50106394D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-20 JP JP2001577668A patent/JP4643108B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-20 WO PCT/EP2001/003165 patent/WO2001080383A1/de active IP Right Grant
- 2001-03-20 AT AT01969064T patent/ATE297063T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-03-20 EP EP01969064A patent/EP1273078B1/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-09 US US10/268,220 patent/US6785310B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55156379A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Cooling device for laser light source device |
JPH0313869A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Toshiba Corp | マイクロ波出力測定装置とその製造方法 |
JPH03171786A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-07-25 | Coherent Inc | パルス・レーザ装置 |
JPH06227036A (ja) * | 1992-11-04 | 1994-08-16 | Eastman Kodak Co | レーザダイオード電力制御回路 |
JPH07283466A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 固体レ−ザ装置 |
JPH10190134A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-07-21 | Cutting Edge Optronics Inc | レーザダイオードアレイアセンブリおよびその動作方法 |
JPH1094887A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Amada Eng Center:Kk | レーザ加工システムの定温化方法 |
JPH11103132A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 2次元ldアレイ素子及びld励起固体レーザ |
WO1999039412A1 (fr) * | 1998-01-30 | 1999-08-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a laser a semi-conducteur |
JPH11274611A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Komatsu Ltd | 放電励起型レーザの放電電極 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026434A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JP4714967B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2011-07-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JP2009537998A (ja) * | 2006-05-19 | 2009-10-29 | アーゲス ゲセルシャフト フュール インダストリープラヌング ウンド ラセルテクニック エム.ベー.ハー. | 可変負荷熱源またはヒートシンクの高精度制御方法、および動的熱源、特に固体レーザ用ポンプダイオードの温度制御装置 |
JP2021082796A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 株式会社フジクラ | レーザ装置及びレーザシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE50106394D1 (de) | 2005-07-07 |
DE10018421A1 (de) | 2001-10-25 |
US6785310B2 (en) | 2004-08-31 |
US20030043867A1 (en) | 2003-03-06 |
EP1273078B1 (de) | 2005-06-01 |
WO2001080383A1 (de) | 2001-10-25 |
EP1273078A1 (de) | 2003-01-08 |
ATE297063T1 (de) | 2005-06-15 |
JP4643108B2 (ja) | 2011-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7926323B2 (en) | Thermal conductivity measuring method and apparatus, and gas component ratio measuring apparatus | |
JP2003531499A (ja) | 冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 | |
CN102359829B (zh) | 发光二极管组件的温度测量系统 | |
US20050279949A1 (en) | Temperature control for light-emitting diode stabilization | |
US8251091B2 (en) | Temperature insensitive mass flow controller | |
US20120119661A1 (en) | Light emitting diode operating device and method | |
CN104204739B (zh) | 分光测定装置 | |
NO149679B (no) | Anordning ved infraroed straalingskilde. | |
US7740402B2 (en) | Fluid detector | |
CN106415240B (zh) | 借助红外吸收光谱法确定样品气流中至少一种气体的浓度的装置和方法 | |
WO2009019467A1 (en) | Temperature compensation for gas detection | |
NL7905356A (nl) | Richtingsgevoelige stroomsnelheidsmeter en opneemplaat ten gebruike daarin. | |
WO2009044340A2 (en) | Method and circuit arrangement for determining the light output level of a led | |
US20050057184A1 (en) | Method and apparatus for managing temperature of light emitting element, and lighting apparatus | |
CN103823170B (zh) | 一种功率型led集成模块热阻测试新方法 | |
JPH10300811A (ja) | Led直流熱抵抗測定方法および測定装置 | |
Chan et al. | Thermal relaxation time and heat distribution in pulsed InGaAs quantum dot lasers | |
US20210037624A1 (en) | Maintaining stable optical output of solid state illumination system | |
US8308349B1 (en) | Asymmetric heat flux sensor with in-situ drift compensation | |
JP6564594B2 (ja) | 光源装置 | |
CN110426380B (zh) | 一种透射式可控温的激光激发远程荧光材料的测试装置 | |
CN103196522A (zh) | 流量计现场校准检验系统 | |
CN217717585U (zh) | 热界面材料热性能检测系统及检测设备 | |
JP4358403B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP6248460B2 (ja) | 励起光照射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |