JP4643108B2 - 冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 - Google Patents
冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4643108B2 JP4643108B2 JP2001577668A JP2001577668A JP4643108B2 JP 4643108 B2 JP4643108 B2 JP 4643108B2 JP 2001577668 A JP2001577668 A JP 2001577668A JP 2001577668 A JP2001577668 A JP 2001577668A JP 4643108 B2 JP4643108 B2 JP 4643108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- diode
- heat sink
- operation monitoring
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/02365—Fixing laser chips on mounts by clamping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
Description
[技術分野]
本発明は、少なくとも1つのレーザダイオードと、このレーザダイオードのための電源と、レーザダイオードが配置されているヒートシンクと、冷却液がヒートシンクの中を通って流れることを可能にする冷却液サプライとを有する冷却装置とを含むダイオードレーザ装置に関する。
【0002】
[背景技術]
このダイオードレーザ装置は従来技術から公知である。この装置に関する問題点は、光出力を測定するために熱量測定機器または装置を用いて放出レーザ放射を測定することだけによってしか、この装置が適正に動作しているかどうかを検査することできず、および、その構成に応じて、光出力の測定が疑わしいことが判明することがあるということである。
このことは、対応する測定ヘッドをレーザ放射の放射経路内に配置することを必要とし、その結果として、そのダイオードレーザ装置は、例えば、測定中に固体レーザをポンピングするという目的のような意図された目的のために使用されることが不可能である。
【0003】
したがって、本発明の目的は、汎用タイプのダイオードレーザ装置の使用を妨害することなしに、そのダイオードレーザ装置の動作の簡単な監視が可能であるように、そのダイオードレーザ装置を改良することである。
【0004】
[発明の概要]
この目的は、動作監視装置が備えられていることと、この動作監視装置が、レーザダイオードを通って流れる電流を表す量と、ヒートシンクから出ていく冷却液の温度を表す量とを検出して、これらの量からダイオードレーザ装置の動作を表す動作量を求めることによって、本発明による文頭で説明した種類のダイオードレーザ装置によって達成される。
【0005】
本発明による解決策の利点は、レーザ放射の放射経路を中断することなしに、したがって、ダイオードレーザ装置が、その意図された目的のために、例えば固体レーザをポンピングするために使用されている最中でも、その動作量が求められることが可能であるということである。
【0006】
本発明による解決策は、レーザダイオードを通って流れる電流を表す量と、ヒートシンクから出ていく冷却剤の温度を表す量とを測定することだけが必要とされるにすぎず、および、これらの量が簡単な手段によって検出されることが可能なので、動作量の測定が単純な手段によって行われることが可能であるという別の大きな利点を有する。
【0007】
ヒートシンクから出ていく冷却液の温度を表す量を検出するための様々な直接的および間接的な方法が想定可能である。例えば、ヒートシンクから出ていく冷却液が特定の温度に冷却される場合には、この冷却に必要とされるクーリングパワー(cooling power)を検出することが想定可能である。
しかし、説明を簡潔にするために、ヒートシンクから出ていく冷却液の温度を動作監視装置がセンサによって検出することが特に有利である。
【0008】
動作量のさらにより高精度の測定のためには、ヒートシンクに入る冷却液とヒートシンクから出ていく冷却液との間の温度差を表す量を動作監視装置が求めることが有利であることが判明している。
この温度差を表す量の測定は、例えば、ヒートシンクに入る冷却液に関する特定の温度に達するために必要とされるクーリングパワーを求めることによって間接的に行われることが可能である。
しかし、動作監視装置が、ヒートシンクに入る冷却液の温度をセンサによって測定することが特に簡単である。
【0009】
原理的には、動作量は温度測定に基づいて十分に高い精度で求められることが可能であるが、この精度は、ヒートシンクを通過する冷却液の流量を動作監視装置が検出することによってさらに高めることができる。
これは、ヒートシンクを通過する冷却液の流量を動作監視装置が流量計によって検出することによって、特に有利に直接的に行うことができる。
高い精度で動作量が求められることを可能にする特に好適な解決策が、冷却装置によってレーザダイオードから取り除かれる形で伝導される熱出力を表す熱量を動作監視装置が測定することを実現し、および、レーザダイオードによって放射の形では放出されない熱出力が少なくとも近似的に求められることを可能にする。
【0010】
原理的には、レーザダイオードを通って流れる電流を表す量を求める場合に、レーザダイオードを通って流れる電流に関する結論が少なくとも間接的に導き出されることが可能な電源の設定パラメータを検出することが想定可能である。
しかし、可能な限り高精度で動作量を求める目的で、特に動作量の変化を可能な限り正確に求めるために、動作監視装置が、レーザダイオードを通って流れる電流を測定するための電流測定装置を含むことが特に得策である。
【0011】
レーザダイオードの場合には、レーザダイオードにおける電圧降下がほぼ一定不変であると想定することが可能である。しかし、可能な限り高精度で動作量を測定するためには、レーザダイオードの動作中のそのレーザダイオードにおける電圧降下を測定するための電圧測定装置を動作監視装置が含むように準備することが好ましい。
【0012】
動作量を測定する場合には、レーザダイオードに供給される総電力を構成する、レーザダイオードに供給される電力を表す電気量を動作監視装置が測定することによって、特に高い精度が得られる。
動作監視装置が電気量と熱量とから動作量を求める場合に、特に高い精度が動作量の測定において得られる。
電気量と熱量とに加えて、他のパラメータが動作量の測定に組み入れられてもよい。
【0013】
動作量の測定に組み入れられるパラメータは、動作量がレーザダイオードの光出力の直接的な測度を表すように選択されることが好ましく、この結果として、動作量はレーザダイオードの光出力の直接的な測度であり、したがって、レーザダイオードの動作に関する最も重要な情報を直接的に提供する。
ダイオードレーザ装置の構成に関しては、このダイオードレーザ装置が1つのレーザダイオードを含むことが単に想定されている。しかし、本発明による解決策は、ダイオードレーザ装置が数個のレーザダイオードを含む場合に、特に有利に使用されることが可能である。
この場合には、この数個のレーザダイオードは共通の電源によって給電されることが好ましい。
【0014】
さらに、動作量は、レーザダイオード全体を通って流れる電流を表す量が測定される場合に、十分な高精度で有利に測定されることが可能である。
したがって、レーザダイオード全体を通って流れる電流を表す量と、レーザダイオード全体における電圧降下を表す量とが、電気量に組み入れられることが好ましく、この目的のためにレーザダイオードが電気的に互いに直列に接続される。
【0015】
数個のレーザダイオードがダイオードレーザ装置内に備えられている場合には、ヒートシンクから出ていく冷却液の温度を表す量の測定は、さらに、ヒートシンク全体から出ていく冷却液の温度も対象とする。
冷却液は、レーザダイオードの各々が実質的に同一のクーリングパワーを受けるように、数個のレーザダイオードのヒートシンクを通って並行に流れる。
冷却装置の設計の詳細は、まだ示されていない。例えば、1つまたは複数のヒートシンクから冷却液が自由に出ていくように冷却液を導くことが想定可能である。しかし、冷却装置が、熱交換器を経由して熱が出ていくように導かれる冷却回路を含むことが特に有利である。
【0016】
本発明による動作監視装置が動作する仕方の詳細は、まだ示されていない。例えば、動作監視装置を連続的に動作させ、それによって動作量を連続的に測定することが想定可能である。
しかし、動作量が緩慢に変化するにすぎず、必ずしも急激には変化しないと一般に想定できるので、特定の時間間隔の後または特定の動作サイクルの後に動作量を測定することで十分である。
【0017】
[発明の実施の形態]
本発明による解決策の特徴と利点を図面を参照して説明する。
図1に示されているダイオードレーザユニットの実施形態は、個別レーザユニット12のスタックによって形成されている、全体として10で示されているレーザダイオードアレイを含む。
個別レーザユニット12の各々は、図2に示されているように、レーザダイオードを表すレーザバー(laser bar)14を含み、このレーザバーの前側16からレーザ放射が出ていく。
【0018】
レーザバー14は、そのレーザバー14がカバープレート22の前部区域24に熱接触している形で上に載るカバープレート22を含む、全体として20で示されているヒートシンクの上に載っている。ヒートシンク20は、さらにベースプレート26を含み、カバープレート22とベースプレート26との間には中間プレート28、30、32が位置している。これらは、流入流路36と戻り流流路38との間を延びる冷却流路システム34をヒートシンク20内に形成する役割を果たし、これらの流路はカバープレート22と中間プレート28−32とベースプレート26とをこれらの長さの区域に対して実質的に垂直方向に貫通する。
【0019】
例えば、流入流路36から開始して、中間プレート28は冷却流路システム34の第1の冷却流路セクション42を形成し、この冷却流路セクション42は流入流路36から前部区域24の方向にカバープレート22の下を延びて、カバープレート22の前部区域24の付近に達し、開口44を経て冷却流路システム34の第2の冷却流路セクション46に入り、この第2の冷却流路セクション46は、カバープレート22から離れている方の冷却流路セクション42の側面上の開口44から戻り流流路38に至る。
【0020】
したがって、カバープレート22は、流入流路36を経由して冷却流路システム34内に入る冷却液によって、さらに明確に述べると、レーザバー14が上に載っておりかつ熱がレーザバー14から中に放出されるカバープレート22の前部区域24の中にまで冷却流路システム34内に入る冷却液によって、直接的に冷却されることが可能である。
【0021】
ヒートシンク20全体は、レーザバー14のための第1の接続電極としての役割も果たす。第2の接続電極50として、接触プレート50が、ヒートシンク20とは反対側に位置しているレーザバー14の側面上に配置されている。この接触プレート50はレーザバー14を覆って延び、さらに明確に述べると、そのレーザバーの全幅Bにわたって延び、および、レーザバー14から開始して、さらにカバープレート22の区域の一部分を覆って延び、それによってカバープレート22によって支持され、および、絶縁体52が接触プレート50とヒートシンク20との間に備えられている。
したがって、レーザバー14は、一方ではヒートシンク20によって電気的に接触されており、および、他方では接触プレート50によって電気的に接触されている。
【0022】
その次のレーザユニット12はそのヒートシンク20と共に接触プレート50と直接的に電気接触状態にある形で接触プレート50上に載っており、したがって、電気的に見た場合に、レーザダイオードアレイ10の全レーザバー14は互いに直列に接続されており、および、例えば、第1の給電線56が電源54からレーザダイオードアレイ10の最も下のレーザユニット12のヒートシンク20に達し、一方、第2の給電線58は電源54からレーザダイオードアレイ10の最も上のレーザユニット12の接触プレート50に達する。
【0023】
ヒートシンク20各々を貫通する流入流路36と戻り流流路38は、全レーザユニット12において互いに整合状態に配置されており、したがって、レーザダイオードアレイ10のヒートシンク20全体の流入流路36と戻り流流路38は、個別ヒートシンク20の間に備えられている環状シール62、64によって相互連結可能である。環状シール62、64の各々は、1つのヒートシンクの中の流入流路36の出口開口と戻り流流路38の出口開口と、他方のヒートシンクの中の流入流路36の入口開口と戻り流流路38の入口開口とを取り囲み、それによってレーザダイオードアレイ10の全ヒートシンク20の流入流路36とレーザダイオードアレイ10の全ヒートシンク20の戻り流流路38との間の連結を生じさせる。
したがって、全ヒートシンク20の冷却流路システム34には並行して冷却液が供給され、および、したがって、レーザダイオードアレイ10の全ヒートシンク20は互いに同様に冷却される。
【0024】
流入管路66と戻り流管路68とが、冷却液をレーザダイオードアレイ10に供給するために設けられている。流入管路66と戻り流管路68はレーザダイオードアレイ10に到達し、および、例えば、最も下のレーザユニット12のヒートシンク20の流入流路36と戻り流流路38とに連結される。
【0025】
冷却液はポンプ70によってリザーバ72から流入管路66の中に送り込まれ、一方、戻り流管路68を経由して抜き出される加熱された冷却液は冷却器74の中に送り込まれ、その次に、この冷却器74は冷却された冷却液をリザーバ72の中に放出し、このリザーバ72からポンプ70が再び冷却液を吸い込む。
したがって、リザーバ72と、ポンプ70と、流入管路66と、レーザダイオードアレイ10の流入流路36の全体と、レーザダイオードアレイ10のヒートシンク20内の冷却流路システム34の全体と、レーザダイオードアレイ10の戻り流流路38の全体と、戻り流管路68と、リザーバ72に至る冷却器74は共に、冷却回路78を伴う全体として76で示されている冷却装置を形成する。
【0026】
本発明によるダイオードレーザ装置は、さらに、全体として80で示されている動作監視ユニットも備えている。動作監視ユニット80は、流入管路66内の温度センサ86と、戻り流管路68内の温度センサ88と、時間単位ごとに冷却回路78を通って流れる冷却液の量を検出するための流入管路66または戻り流管路68内の流量計90とに接続されている評価回路82を含む。
したがって、この評価回路82は、温度センサ86によって流入温度TZを検出し、温度センサ88によって戻り流温度TRを測定し、流量計90によって冷却回路78を通過する時間単位当たりの冷却液の流量Dを測定する。
【0027】
評価回路82は、さらに、互いに直列に接続されているレーザバー14の全体に印加される電圧Uを検出するための電圧検出ユニット92と、電源54からレーザダイオードアレイ10のレーザバー14全体を通って流れる電流Iを検出するための電流検出ユニット94とにも接続されている。
【0028】
図4に示されているように、評価回路82は、温度差ΔTが最初に流入温度TZと戻り流温度TRとから減算によって求められるという仕方で、例えばプロセッサによって、動作する。その次に、熱量GTを求めるために、この温度差ΔTに流量Dと別のパラメータKが乗算され、この熱量GTは冷却装置76によって散逸させられる熱出力を表す。最も単純な場合には、パラメータKは定数であるが、温度差ΔTおよび/または流量Dに依存しているパラメータ領域であってもよい。
図4に示されているように、評価回路82は、さらに、レーザバー14全体における電圧Uとレーザバー14全体を通過する電流Iとから、乗算によって、レーザダイオードアレイ10に供給される電力を表す電気量GEを求める。
【0029】
最後に、全レーザバー14によって放出される光出力を表す動作量Fが、電気量GEと熱量GTとの間の差を形成することによって求められる。
動作量Fは、例えば固体レーザのポンピングのような意図された目的でレーザダイオードアレイ10を使用する際のそのレーザダイオードアレイ10のレーザバー14全体の動作を監視することと、したがって、動作量Fの減少によって示される、例えばレーザバー14の経時変化によって光出力が減少しているかどうかを確認することとを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるレーザダイオード装置の略図である。
【図2】 2つの互いに積み重ねられているレーザユニットの拡大図である。
【図3】 図2における線3−3に沿った断面図である。
【図4】 本発明による動作監視装置の動作モードを概略的に表すブロック図である。
Claims (18)
- 少なくとも1つのレーザダイオード(14)と、前記レーザダイオード(14)のための電源(54)と、前記レーザダイオード(14)が配置されているヒートシンク(20)と、冷却液が前記ヒートシンク(20)の中を通って流れることを可能にする冷却液サプライ(66、68、70、72、74)とを有する冷却装置(76)とを含むダイオードレーザ装置において、動作監視装置(80)が備えられていることと、前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(14)を通って流れる電流を表す量(I)と、前記ヒートシンク(20)から出ていく前記冷却液の温度を表す量(TR)とを検出して、これらから前記レーザダイオード装置の動作を表す動作量(F)を求めることとを特徴とするダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)から出ていく前記冷却液の温度(TR)をセンサ(88)によって検出することを特徴とする、請求項1に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)に入る前記冷却液と前記ヒートシンク(20)から出ていく前記冷却液との間の温度差(ΔT)を表す量(ΔT)を求めることを特徴とする、請求項1または2に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)に入る前記冷却液の温度(TZ)をセンサ(86)によって検出することを特徴とする、請求項3に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)を通過する前記冷却液の流量を表す量(D)を求めることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記ヒートシンク(20)を通過する前記冷却液の流量を表す前記量(D)を流量計(90)によって求めることを特徴とする、請求項5に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記冷却装置(76)によって前記レーザダイオード(14)から取り除かれる熱出力を表す熱量(GT)を求めることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(20)の中に流れ込む電流を検出するための電流測定装置(94)を含むことを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置は、前記レーザダイオード(14)における電圧降下を表す量(U)を求めることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(14)において降下する電圧(U)を検出するための電圧測定装置(92)を含むことを特徴とする、請求項9に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記レーザダイオード(14)に供給される前記電力を表す電気量(GE)を求めることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、前記電気量(GE)と前記熱量(GT)とから動作量(F)を求めることを特徴とする、請求項10に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作量(F)は前記レーザダイオード(14)の光出力を表すことを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記ダイオードレーザ装置は数個のレーザダイオード(14)を含むことを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記数個のレーザダイオード(14)は電気的に互いに直列に接続されていることと、前記動作監視装置(80)は前記レーザダイオード(14)全体を通って流れる電流を検出することとを特徴とする、請求項14に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記動作監視装置(80)は、電気的に互いに直列に接続されている前記記レーザダイオード(14)全体において降下する電圧(U)を検出することを特徴とする、請求項14または15に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記冷却液は前記数個のレーザダイオード(14)の前記ヒートシンク(20)を通って並行に流れることを特徴とする、請求項14から16のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
- 前記冷却装置(76)は前記冷却液のための冷却回路(78)を含むことを特徴とする、請求項1から17のいずれか一項に記載のダイオードレーザ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10018421A DE10018421A1 (de) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | Diodenlasereinrichtung |
DE10018421.9 | 2000-04-13 | ||
PCT/EP2001/003165 WO2001080383A1 (de) | 2000-04-13 | 2001-03-20 | Diodenlasereinrichtung mit kühlung und funktionsüberwachung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003531499A JP2003531499A (ja) | 2003-10-21 |
JP4643108B2 true JP4643108B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=7638666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001577668A Expired - Fee Related JP4643108B2 (ja) | 2000-04-13 | 2001-03-20 | 冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6785310B2 (ja) |
EP (1) | EP1273078B1 (ja) |
JP (1) | JP4643108B2 (ja) |
AT (1) | ATE297063T1 (ja) |
DE (2) | DE10018421A1 (ja) |
WO (1) | WO2001080383A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4714967B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2011-07-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
US7346086B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-03-18 | Videojet Technologies, Inc. | Apparatus for monitoring the operating status of a laser |
EP1742049B1 (en) * | 2005-07-07 | 2009-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser-based maintenance apparatus |
WO2007134969A1 (de) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | ARGES Gesellschaft für Industrieplanung und Lasertechnik m.b.H. | Verfahren zur hochpräzisen regelung von lastvariablen wärmequellen oder -senken sowie einrichtung zur temperaturführung einer dynamischen wärmequelle, insbesondere von pumpdioden für festkörperlaser |
WO2008118769A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Particle Measuring Systems, Inc. | Optical particle sensor with exhaust-cooled optical source |
US20090185592A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Jan Vetrovec | Laser diode system with reduced coolant consumption |
DE102009005999A1 (de) | 2009-01-23 | 2010-09-16 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Bestimmung der Degradation und/oder Effizienz von Lasermodulen und Lasereinheit |
JP7022901B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2022-02-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2021082796A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 株式会社フジクラ | レーザ装置及びレーザシステム |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55156379A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Cooling device for laser light source device |
JP2670351B2 (ja) * | 1989-06-12 | 1997-10-29 | 株式会社東芝 | マイクロ波出力測定装置とその製造方法 |
IL96089A (en) * | 1989-10-27 | 1995-01-24 | Coherent Inc | Electronic laser system |
DE4010054A1 (de) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Bandemer Adalbert Dr Ing | Praezisionsregelung fuer laserdioden |
US5105429A (en) * | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
US5105430A (en) * | 1991-04-09 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes |
US5276697A (en) * | 1992-11-04 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Laser diode automatic power control circuit with means of protection of the laser diode |
JPH07283466A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 固体レ−ザ装置 |
US5495490A (en) * | 1995-02-28 | 1996-02-27 | Mcdonnell Douglas Corporation | Immersion method and apparatus for cooling a semiconductor laser device |
US5579328A (en) * | 1995-08-10 | 1996-11-26 | Northern Telecom Limited | Digital control of laser diode power levels |
US5734672A (en) * | 1996-08-06 | 1998-03-31 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Smart laser diode array assembly and operating method using same |
JPH1094887A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Amada Eng Center:Kk | レーザ加工システムの定温化方法 |
RU2117371C1 (ru) | 1996-09-30 | 1998-08-10 | Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" | Матрица лазерных диодов |
US6151341A (en) * | 1997-05-30 | 2000-11-21 | Excel/Quantronix, Inc. | Stackable integrated diode packaging |
JPH11103132A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 2次元ldアレイ素子及びld励起固体レーザ |
EP0973237A4 (en) * | 1998-01-30 | 2001-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE |
JPH11274611A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Komatsu Ltd | 放電励起型レーザの放電電極 |
US6330259B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-12-11 | Jonathan S. Dahm | Monolithic radial diode-pumped laser with integral micro channel cooling |
-
2000
- 2000-04-13 DE DE10018421A patent/DE10018421A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-03-20 AT AT01969064T patent/ATE297063T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-03-20 EP EP01969064A patent/EP1273078B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-20 JP JP2001577668A patent/JP4643108B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-20 DE DE50106394T patent/DE50106394D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-20 WO PCT/EP2001/003165 patent/WO2001080383A1/de active IP Right Grant
-
2002
- 2002-10-09 US US10/268,220 patent/US6785310B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030043867A1 (en) | 2003-03-06 |
DE50106394D1 (de) | 2005-07-07 |
DE10018421A1 (de) | 2001-10-25 |
EP1273078A1 (de) | 2003-01-08 |
ATE297063T1 (de) | 2005-06-15 |
US6785310B2 (en) | 2004-08-31 |
WO2001080383A1 (de) | 2001-10-25 |
JP2003531499A (ja) | 2003-10-21 |
EP1273078B1 (de) | 2005-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4643108B2 (ja) | 冷却および動作監視を伴うダイオードレーザ装置 | |
EP3222977B1 (en) | System and method for metering gas | |
CN104181195B (zh) | 一种基于稳态法的导热系数测量装置 | |
US8970829B2 (en) | Fouling detection setup and method to detect fouling | |
US20120119661A1 (en) | Light emitting diode operating device and method | |
US20220034958A1 (en) | Method and apparatus for detecting ageing of a power electronic apparatus comprising a semiconductor component, and power electronic system | |
KR101209082B1 (ko) | 엘이디 실시간 수명평가 장치 | |
CN102217414A (zh) | 加热器装置及测定装置以及热传导率推定方法 | |
JP6367900B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2017506344A (ja) | 赤外吸光分光法によって試料ガス流中の少なくとも1つのガスの濃度を求める装置及び方法 | |
KR20140127056A (ko) | 열전소자의 시험장치 및 그 시험방법 | |
NL7905356A (nl) | Richtingsgevoelige stroomsnelheidsmeter en opneemplaat ten gebruike daarin. | |
CN103823170A (zh) | 一种功率型led集成模块热阻测试新方法 | |
JP6564594B2 (ja) | 光源装置 | |
US10576572B2 (en) | Method and device for monitoring inert gas during a welding process | |
JP2016055372A (ja) | イオン交換装置の寿命判定機能を備えた放電加工機 | |
CN217717585U (zh) | 热界面材料热性能检测系统及检测设备 | |
KR20220083587A (ko) | 가열 장치 및 led의 제어 방법 | |
KR101473986B1 (ko) | 발전소자의 시험장치 및 그 시험방법 | |
JP5487324B2 (ja) | 自動分析装置 | |
JP2014211408A (ja) | コンデンサ劣化診断装置、インバータ装置、及び家電機器 | |
JP4358403B2 (ja) | 光検出装置 | |
EP3615176B1 (en) | Air filtration monitoring based on thermoelectric devices | |
US20070127549A1 (en) | Performance testing apparatus for heat pipes | |
JP6248460B2 (ja) | 励起光照射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |