JP2003530703A - GaInNからなる薄い半導体層およびその製造方法ならびにその半導体層を備えたLEDさらにはこのLEDを備えた照明デバイス - Google Patents
GaInNからなる薄い半導体層およびその製造方法ならびにその半導体層を備えたLEDさらにはこのLEDを備えた照明デバイスInfo
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Abstract
Description
ものである。
LED)に関するものであり、とりわけ、白色光を放出する発光ダイオードに関
するものである。本発明は、さらには、そのようなダイオードを備えた照明デバ
イスに関するものである。
白色光は、1964年にIECによって定められた基準を満たすものである。
うなデバイスの開発を目的として、白色光の生成に関する多数の研究が、現在行
われている。
けれども、効率が5%程度であり寿命が約1000時間といったように、効率が
非常に悪くまた寿命も短いものである。蛍光灯は、蛍光ランプの場合には効率が
約25%であり寿命が約1000時間といったように、より良好な効率を有して
いるとともに、より長い寿命を有している。しかしながら、蛍光灯は、多数の欠
点を有している。蛍光灯は、真空チューブであって、製造が困難であるとともに
高価となる。また、蛍光灯は、毒性の大きな水銀を数ミリグラム含有しており、
そのため、寿命満了時における蛍光灯の破棄処分によって、深刻な環境問題が引
き起こされる。
されてしまう。
ンプであって、この場合の効率は、35%程度である。蛍光灯の場合と同じく、
低圧ナトリウムランプは、心地よいものではない。すなわち、低圧ナトリウムラ
ンプは、その色のために、標準的な照明としては適切ではない。したがって、安
全でありかつ信頼性が高くかつ丈夫であり長寿命を有しているとともに上記デバ
イスのエネルギー効率以上のエネルギー効率でもって低コストで白色光を生成し
得るような他のデバイスに関しての研究がなされてきた。
は他の白色光源が、模索されてきた。
電極間にポリマーを単に挿入するといったように、使用技術が非常に単純である
。複数の個別色の組合せによってあるいはかなり広いスペクトルを有した単一化
合物の使用によって、可視光範囲の全体を得ることができ、白色が放出される。
しかしながら、現時点では、このような化合物は、オレンジ光でもって液晶スク
リーンを照明すること以外には、使用されていない。このタイプの緑色および青
色の発光体の寿命が短いことが、白色光を生成するに際しての発光性ポリマーの
使用を不可能としている。
に高効率でもってかつ長寿命で緑色または青色を単独で放出するような、III 族
元素の窒化物に基づいている。最も多用される窒化物タイプの化合物は、青色光
または赤色光を放出するGaInNである。
(Al)Nといったような材料内に介装されることによって例えばGa(Al)
Nといったような材料の禁止帯幅により発光波長が固定されすなわち発光色が固
定され、特別に輝度の大きな発光ダイオード(LEDs)の活性領域の基本的構
成ブロックを形成する。
には、しばしば、GaInN/Ga(Al)N量子井戸LEDsと称する。この
ようなLEDsは、例えば青色や緑色といったような特定の色を中心とした発光
を有している。
よって、量子井戸の遷移エネルギーを固定することすなわちLEDの発光波長を
固定することが、行われる。しかしながら、インジウム含有量が10%を超える
と、GaInN/Ga(Al)N量子井戸の光学的性質が、励起子(エキシトン
)の異常に長い放射寿命や圧力の関数としての禁止帯幅のエネルギーの非常に小
さな変動といったようなものも含めて、非常に特有のものとなる。
大きな効率(10%超)を有している高輝度青色LEDsが使用される。この場
合、青色LEDを使用することによって、蛍光物質やポリマーをポンピングする
。このような化合物からの黄色発光と青色LEDとが組み合わされることによっ
て、色どうしの混合により、白色光が形成される。この技術は、NICHIA(登録商
標)や、あるいは、HEWLETT-PACKARD(登録商標)や GELCORE(登録商標)や SIEMENS-OSRAM(登録商標) によって、現在では幅広く使用されている。この技
術の家庭用照明への応用は、極めて将来有望である。
、LEDと、例えば蛍光物質やポリマーといったような他の構成物質と、を結合
することは、例えば封入前に青色LED上に蛍光物質またはポリマータイプの化
合物を成膜するステップといったようなステップも含めたいくつかの技術ステッ
プを備えた高価で複雑なプロセスである。
うしのバランスをとることは、容易ではなく、そのため、家庭用照明として『快
適』なものとして品質評価される白色を得ることは、容易ではない。さらに、デ
バイスは、作製方法と同様に複雑なデバイスであり、多数の部材を備えるもので
あり、そのため、約100000時間といったような本来的寿命を有している基
本的窒化物LEDよりも信頼性が低い。
、ハイブリッド化システムの真性(本来的)効率は、ポンピング用窒化物LED
の効率よりも小さい。
ハイブリッド化デバイスの欠点を克服するため、直接的に白色光を放出する発光
ダイオード(LEDs)を使用可能とすることに興味がある。
Appl. Phys. Lett. 75, 962 (1999) という文献において、周期表における III
族元素の窒化物からなる半導体に基づくモノリシック構造内で、レーザーによる
光学的励起を行うことによって、白色光を生成し得ることが示された。この場合
、AlN層によって互いに隔離された4つの面をなすGaN量子ボックスからな
る積層が使用される。量子ボックスのサイズは、発光波長の長さを固定する。し
たがって、4つの面から得られる発光が、色どうしの単純な混合原理によって白
色であるように、各面における発光波長を調節するだけで十分である。うまくな
いことに、この構造は、発光ダイオード(LED)タイプの光電子工学的デバイ
スにおける活性領域として使用することができない。それは、AlN材料に対し
てpタイプドーピングを施すことができないという単純な理由によるものである
。
、このタイプの構造は、色どうしのバランス化という問題点を引き起こしかねず
、偶発的に白色を生成することが困難となることが起こり得る。
意の色、特に、原色)を放出するとともに、市販の青色LEDや緑色LEDに関
して現在使用されているGaInN/Ga(Al)N量子井戸と同様に、LED
内における活性領域として直接的に挿入し得るような、半導体層が要望されてい
る。しかも、この単一の半導体層は、安全でありかつ信頼性が高くかつ検証され
ているとともにさらに限定されたステップ数しか有していないような方法を使用
して、低コストで容易に製造し得ることが要望されている。
ことができるような複数の所定の色を有した少なくとも2つの可視光を放出する
ような、GaInNからなる単一の半導性の薄層によって得られる。
、例えば、少量のヒ素またはリンまたはアンチモンを含有することができる。
出する少なくとも2つのGaInN製成膜体(互いに同じ組成のものであっても
良く、また、互いに異なる組成のものであっても良い)を並置することによって
あるいは互いに積層することによって形成される。
って白色光が生成されるようになっている。
れぞれ所定の色を有している複数の光が放出されることである。従来技術におい
ては、GaInNからなる単一薄層からは、LEDsにおいて現在使用されてい
る青色または緑色量子井戸の場合と同様に、例えば青色または緑色または黄色と
いったような明瞭に規定された色は、ただ1つしか得ることができなかった。
Ga(Al)Nといったようなバリアによって互いに明確に区画されたGaIn
(Al)Nからなる複数の層から得るのではなく、GaInNからなる単一薄層
から得る。
献に開示された複雑な構造とは、基本的に相違している。上記文献においては、
混合によって白色光を形成するような互いに異なる複数の波長で発光する互いに
個別でありかつ互いに独立でありかつ互いに隔離されている4つの層を使用して
いる。これに対し、本発明においては、上記文献とは対照的に、例えば4つとい
ったような複数の互いに異なる波長で発光するただ1つの層を使用している。
互いに隔離された少なくとも2つのGaInN層を配置することによって、Ga
Nシステムのために形成されたこのタイプの構造がGaInN/Ga(Al)N
システムに対して導入されたと仮定すれば、それらGaInN層からの発光は、
例えば1つの発光が黄色を中心としさらに他の発光が青色を中心としたものとな
り、結果的に得られる全体的な発光は、1964年にIECによって設定された
基準に従った白色となることであろう。しかしながら、このタイプの構造におい
ては、複数のGaInN層内への電子注入をチェックすることが容易ではなく、
このため、色どうしのバランス化という問題点が引き起こされ、白色光を生成す
ることが困難である。
が単一色を放出するのではなく複数の色を放出する好ましくは混合によって白色
光を生成するような複数の色を放出する点において、基本的に相違するものであ
る。本発明においては、可視スペクトル内のどの波長でも単一薄層から連続的に
放出させ得ることに言及しておくことは重要である。互いに異なる複数の所定色
を有したこの可視光は、好ましくは混合によって白色光を生成するものではある
けれども、2つ以上の所定色の混合によって決定される色を有した任意の光を、
本発明による薄層によって得ることができる。このような互いに異なる複数の所
定色は、好ましくは、いわゆる原色(青色、緑色、あるいは、赤色)とされるこ
とが好ましい。
、白色を得ることができる。白色は、また、青色と黄色とを放出する2つだけの
成膜体によって得ることもできる。
シー(Molecular Jet Epitaxy,EJM)によって実験室内で形成した試料に関し
て光ルミネッセンスの実験を行い、GaInN/GaN製ヘテロ構造が、量子井
戸から推測される振舞いを有していないことを示した。より詳細には、本発明者
らは、驚くべきことに、GaInN合金におけるフォトン放出が、関連する波動
関数の広がりが原子メッシュで数個分の程度といったように極度に局在化したキ
ャリアに起因するものであることを示した。本発明は、GaInN合金内におけ
るキャリア濃度が非常に大きいことを実験的に検証することに、大いに基づいて
いる。それは、キャリア濃度が非常に大きいことによって、波動関数どうしの結
合を引き起こすことなく単一のエネルギーレベルをもたらすような数ナノメート
ルという厚さのGaInN成膜体を、複数並置することを可能とするからである
。
有した材料(B)内に挿入される場合について考察すると、量子井戸B/A/B
のエネルギーE(Lw)は、Lwによって固定(あるいは、規定、決定)される
。材料(A)からなる厚さ(Lw1,Lw2)を有した2つの成膜体が形成される
場合には、量子井戸B/A/A/Bのエネルギーは、一義的なものであって、L
w1+Lw2にのみ依存する。材料(A)からなる厚さ(Lb)を有した非常に薄
いバリアが、材料(A)からなる2つの成膜体の間に挿入された場合には、結合
した量子井戸B/A/B/A/Bを有したシステムを得ることとなり、このシス
テムの基本レベルは、Lw1,Lw2,Lbに依存する。ヒ化物タイプの従来の半
導体(例えば、GaAs)においては、キャリア(電子およびホール)に関連す
る波動関数は、数十オングストロームという横方向広がりを有している。よって
、2つの井戸どうしの結合を切り離してそれぞれの井戸からの発光を観測するた
めには、バリア厚さ(Lb)は、100オングストロームよりも厚くなければな
らない。本発明においては、GaInNに基づく複数の量子井戸内におけるキャ
リアの波動関数が、例えば1ナノメートル未満といったような非常に薄いバリア
さえも要することなくそれら井戸どうしの結合がもはや存在しない程度にまで局
在化していることが、観測されている。これは、画期的なことである。互いに相
違する遷移エネルギーに対応した互いに異なる厚さを有したGaInN製の2つ
の成膜体を並置することにより、言い換えれば、Ga(Al)N製バリアの中間
成長を一切必要とすることなくそのような2つの成膜体を並置することにより、
2つの個別的な遷移が得られる。したがって、本発明においては、厚さが100
オングストローム以下であるとともに、互いに結合を引き起こすことなく互いに
異なる複数の波長において最大発光を有しているような、GaInN製薄層を形
成することができる。
での可視範囲全体にわたって発光するGaInN/GaNヘテロ構造が、EJM
によって、また、EPVOM(有機金属気相エピタキシー、Organo-Metallic Vapour Phase Epitaxy)によって、形成された。
しているような、GaInNからなる単一の半導性の薄層であるとともに、それ
ぞれ所定の色を有した少なくとも2つの可視光を放出する薄層の製造方法に関す
るものであって、各成膜どうしの間において成長を中断することによって複数の
個別の時間ステップにおいて、それぞれが所定色の可視光を放出する複数のGa
InN製成膜体(互いに同じ組成を有していても良く、また、互いに異なる組成
を有していても良い)を順次的に成膜することにより、薄層が形成される。
成される。
/または成長持続時間および/または成膜体の成長を支配する他のパラメータを
変更することによって、および/または、成長中断時の温度および/または中断
時間を変更することによって、固定される。
的に成膜される。つまり、各成膜どうしの間には、成長が中断される。言い換え
れば、GaInNの成膜は、分割され、成長は、GaInNの所定量を成膜した
後に各成膜体が所定色で発光するように、中断されなければならない。
エネルギーを決定する直接的要因ではないことすなわちGaInN/GaNヘテ
ロ構造からの発光色を決定する直接的要因ではないことが、示された。これは、
例えばGaAs/AlGaAsやGaInAs/GaAsといったような従来の
III−V半導体において知られていることとは、相違している。それでも驚くべき
ことに、各成膜体の成長温度および/または成長持続時間および/または成膜時
温度が、中断持続時間の分だけ中断される。
スに関する対象物のサイズが数ナノメートルであることあるいは1ナノメートル
未満でさえあることを証明するために、実験室内において一連の実験を行った。
それらのエネルギーは、成膜時間および/または成長条件に依存する。
は成長温度を変更することによって、固定される。
とができる。さらに、成長時に形成され非常に高濃度のキャリア濃度をもたらし
結合形成を完全に防止する例えばInNやIn−In対からなるクラスターとい
ったような上記対象物は、真性のもの(本来的なもの)であり、使用されている
成膜技術や成長技術に依存するものではない。言い換えれば、ここで説明した各
層の予想外の性質は、GaInN合金に関連した真性のものであり、使用されて
いる成膜技術に依存するものではない。したがって、当業者に公知のすべての技
術を使用することができる。このことは、本発明の極めて重要な利点である。
することができ、また、有機金属気相エピタキシー(EPVOM)によって形成
することもできる。
。それは、この技術が、青色や緑色や白色の窒化物LEDの製造のために現在で
は最も頻繁に使用されている技術であるからである。
は、上述したような本発明による少なくとも1つの薄層を、活性領域内に備えて
いる。
成する照明デバイスに関するものであって、この照明デバイスは、上記発光ダイ
オードを備えている。
べての欠点を克服することができ、低コストでかつ低エネルギー消費でかつ非常
に長寿命で(例えば、100000時間)かつ非常に低電圧でかつ毒物を一切使
用することなく、白色光を生成することができる。
よってしたがってモノリシックに(『コンバータ』を必要とすることなく)、青
色LEDと蛍光物質またはポリマーといったような他の構成部材との結合に基づ
いているような複雑で高価なハイブリッド化技術を使用することなく、白色光が
生成される。本発明によるモノリシックシステムの効率は、損失が不可避である
ようなハイブリッドシステムの効率よりも良好であることは、明らかである。
(Al)N量子井戸の場合と同じく、本発明による薄層は、活性領域として、L
ED内に容易に直接的に挿入することができる。
、窒化物製青色LEDに加えて、蛍光物質やポリマーを使用する必要がないから
である。これにより、封入前にLEDs上に蛍光物質/ポリマーを成膜するため
に必要な多数の技術ステップを省略することができて、製造方法を単純化するこ
とができる。プロセス内における他のステップは、同じままで残っている。した
がって、本発明がLEDsの活性領域だけに関するものであることから、変形が
不要である。
であり、丈夫であり、長寿命であり、安価であり、環境に対する保護をもたらし
、製造が容易であり、さらに、快適な光を生成する。製造プロセスにおいて、家
庭用照明のための『快適な』白色を得るためにあるいは要望に応じた色の照明デ
バイスを得るために、色どうしのバランス化をとることが容易である。さらに、
本発明による薄層は、単純であり、信頼性を改良することができる。窒化物製L
EDは、約100000時間という評価寿命を有している。
の一実施形態について、以下、添付図面を参照して詳細に説明する。図において
、図1は、2つのGa(Al)N製バリア層とこれらの間に介装された本発明に
よる薄層とを備えてなるヘテロ構造の、本発明による方法を使用した製造方法を
示す図であって、成長軸(A)を有した左側部分においては、時間(t)の関数
としての複数の層および成膜体の成長を示しており、右側部分においては、様々
な層および成膜体の成長時に使用されたまた成長中断時(破線で示す部分)に使
用された成長温度(T)を示しており、図2および図3は、成膜持続時間を変更
しつつ(8分間、2分間、6分間、3分間)、数回にわたって成膜を行うことに
よってあるいは単一ステップでもって成膜を行うことによって形成された様々な
GaInN層に関しての、雰囲気温度における光ルミネッセンスエネルギー(E
、単位はeV)の関数として光ルミネッセンス強度(I、任意単位)を示すグラ
フである。
a(Al)N層とされる複数のバリア層とを備えてなるヘテロ構造の波長を、G
aInN合金に関する成長条件の関数として初期校正する必要がある。例えば青
色光と黄色光とを混合することによって白色光を得るといったように複数の色を
混合することによって白色光を得ることを可能とするためには、青色から黄色に
少なくともわたって可視光スペクトルの広範な部分をカバーする必要がある。
方法を使用して、形成され、これにより、同一組成を有したまたは異なる組成を
有した様々なGaInN製成膜体が、積層配置することによってあるいは互いに
並置することによって、得られる。これにより、各成膜体によって放出される様
々な色の混合の結果として得られる色を放出する単一薄層を得ることができる。
バリア層上に成膜される。バリア層は、例えばGa(Al)Nからなる層とする
ことができ、通常はnタイプとされる。ヘテロ構造は、バリア層によって終端さ
れる。この終端層は、例えばGa(Al)Nからなる層とすることができ、通常
はpタイプとされる。
発光を得るために、この層は、連続的にではなく、時間をおいて順次的に、成膜
される。つまり、各GaInNの成膜後には、中断時間を挟んだ上で、次の成長
が行われる。
T3 )を示している。ここで、温度(T1 )は、GaInNからなるn個の成膜
体(GaInN/1,GaInN/2, … ,GaInN/n)に関して使用さ
れる温度であり、温度(T2 )は、より高温の温度であって、成長中断時におけ
る温度あるいは(必要であれば)アニールのための温度であり、温度(T3 )は
、好ましくはGa(Al)Nから形成される基板バリア層および終端バリア層の
成膜温度である。
や、例えば温度維持定数といったような他の成長パラメータによって、固定され
る。よって、GaInNの順次的な成膜時間は、例えば、Δtd1,Δtd2,…,
Δtdnに対応し、各成膜持続時間は、2〜8分間とされる。各成膜持続時間に対
応して得られる光は、所定の色を有している。各成膜後には、Δti1,Δti2,
…という時間にわたって、成長が中断される。成長の中断時には、成長条件に応
じて温度(T1 )よりも例えば100℃または200℃だけ高温とされた温度へ
とすなわちアニール温度(T2 )へと、温度を上昇させる。ただし、この温度上
昇操作は、必ずしも必要というわけではない。
白色光が生成されるようになっているような本発明による薄層を形成するすべて
の成膜体が形成された後には、終端層が成膜される。この終端層は、通常、pタ
イプのGa(Al)Nとされる。
参照して、本発明について説明する。
ドとすることができる所定基板上に既に成膜されたGaN基板層上に、分子ジェ
ットエピタキシー(EJM)によって、以下の成長条件で成膜された。すなわち
、薄層は、複数の時間ステップにおいて成膜を行うのではなく、2分間という成
膜持続時間でもって単一ステップによって(Δtd1=2’、n=1)連続的に成
膜された。終端層は、また、GaNとされた。これにより、紫色で発光するヘテ
ロ構造が得られた(図2における右側上段の曲線)。
し、実験例1と相違する点は、薄層が、8分間という成膜持続時間でもって単一
ステップによって(Δtd1=8’、n=1)連続的に成膜された点である。これ
により、赤色で発光するヘテロ構造が得られた(図2における左側中段の曲線)
。
し、合計の成膜時間は8分間ではあるけれども、GaInNの成膜時間は、4つ
の順次的な成膜時間へと分割され、各成膜体に関しての成膜持続時間が、2分間
とされた(Δtd1=Δtd2=Δtd3=Δtd4=2’、n=4)。しかも、各成膜
どうしの間においては、成長が中断され(1分間という中断時間)、温度を、成
長温度よりも100〜200℃高温へと上昇させた。これにより、紫色で発光す
るヘテロ構造が得られた(図2における右側下段の曲線)。しかも、発光のエネ
ルギー位置は、2分間という単一ステップだけによって形成されたものと同じで
あった。
し、実験例1と相違する点は、薄層が、3分間という成膜持続時間でもって単一
ステップによって(Δtd1=3’、n=1)連続的に成膜された点である。
)。
し、実験例1と相違する点は、薄層が、6分間という成膜持続時間でもって単一
ステップによって(Δtd1=6’、n=1)連続的に成膜された点である。これ
により、黄緑色で発光するヘテロ構造が得られた(図3における上段の曲線)。
ただし、成膜時間は、複数のステップへと分割された。成膜は、異なる時刻にお
ける複数のステップへと分割された。GaInNの第1成膜体は、実験例4の場
合と同じ成長条件でもって3分間という成膜持続時間でもって(Δtd1=3’)
成膜され、その後、第1成膜体と同じ公称組成を有したGaInNの第2成膜体
が、実験例5の場合と同じ成長条件でもって6分間という成膜持続時間でもって
(Δtd1=6’)成膜された(n=2)。第1成膜体および第2成膜体に関し、
他の成長条件は、同じままである。2回の成膜どうしの間においては、成長が短
い時間にわたって中断され(約1分間という中断時間)、温度を、成長温度より
も100〜200℃高温へと上昇させた。図3(における中段の曲線)は、この
実験例に対応する光ルミネッセンススペクトルが、単一層であっても、個別的に
形成されたGaInN製の各成膜体の発光を実際に有していることを示している
。
い発光を生成した。この実験例6および図3は、GaInN合金の成膜時間を複
数の時間ステップへと分割することによって、本発明によるGaInN製単一薄
層から白色発光を得ることができることを示している。GaInNの各成長時間
は、特定の色に対応し、これら色どうしの混合によって白色光が生成される。2
つの色の混合に代えて、例えば青色と緑色と赤色とといったような3つの色の混
合によって、同じ結果を得ることができる。同様に、EPVOMによっても同様
の結果が得られることが既に確認されている。
明による薄層とを備えてなるヘテロ構造の、本発明による方法を使用した製造方
法を示す図である。
センスエネルギー(E、単位はeV)の関数として光ルミネッセンス強度(I、
任意単位)を示すグラフである。
センスエネルギー(E、単位はeV)の関数として光ルミネッセンス強度(I、
任意単位)を示すグラフである。
Claims (17)
- 【請求項1】 可能であれば少量のヒ素またはリンまたはアンチモンを含有
しているような、GaInNからなる単一の半導性の薄層であって、 それぞれ所定の色を有した少なくとも2つの可視光を放出することを特徴とす
る薄層。 - 【請求項2】 請求項1記載の薄層において、 それぞれの成膜体が所定色の可視光を放出する少なくとも2つのGaInN製
成膜体を並置することによってあるいは積層することによって形成されているこ
とを特徴とする薄層。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の薄層において、 互いに異なる少なくとも2つの所定の色を有した前記可視光の混合によって白
色光が生成されるようになっていることを特徴とする薄層。 - 【請求項4】 請求項2記載の薄層において、 3つの成膜体が設けられ、これら成膜体は、青色、緑色、および、赤色のそれ
ぞれを放出することを特徴とする薄層。 - 【請求項5】 請求項2記載の薄層において、 2つの成膜体が設けられ、これら成膜体は、青色、および、黄色のそれぞれを
放出することを特徴とする薄層。 - 【請求項6】 請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄層において、 厚さが100オングストローム以下であることを特徴とする薄層。
- 【請求項7】 可能であれば少量のヒ素またはリンまたはアンチモンを含有
しているような、GaInNからなる単一の半導性の薄層であるとともに、それ
ぞれ所定の色を有した少なくとも2つの可視光を放出する薄層の製造方法であっ
て、 各成膜どうしの間において成長を中断することを許容することによって複数の
時間ステップにおいて、互いに同じ組成を有しかつそれぞれが所定色の可視光を
放出する複数のGaInN製成膜体を成膜することにより、前記薄層を形成する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の方法において、 所定色を有した前記少なくとも2つの可視光の混合によって白色光を生成する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項9】 請求項7記載の方法において、 各成膜体によって放出される光の色を、各成膜体の成長温度および/または成
長持続時間および/または成膜体の成長を支配する他のパラメータを変更するこ
とによって、および/または必要であれば、成長中断時の温度および/または中
断時間を変更することによって、固定することを特徴とする方法。 - 【請求項10】 請求項9記載の方法において、 各成膜体によって放出される光の色を、各成膜体の成長持続時間および/また
は成長温度を変更することによって、固定することを特徴とする方法。 - 【請求項11】 請求項7記載の方法において、 成長中断時には、温度を上昇させることを特徴とする方法。
- 【請求項12】 請求項7〜11のいずれか1項に記載の方法において、 各成膜体を、分子ジェットエピタキシーによって形成することを特徴とする方
法。 - 【請求項13】 請求項7〜11のいずれか1項に記載の方法において、 各成膜体を、有機金属気相エピタキシーによって形成することを特徴とする方
法。 - 【請求項14】 発光ダイオードであって、 請求項1〜6のいずれか1項に記載されたような薄層を、活性領域内に少なく
とも1つは備えていることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項15】 請求項14記載の発光ダイオードにおいて、 白色光を放出することを特徴とする発光ダイオード。
- 【請求項16】 照明デバイスであって、 請求項14に記載されたような発光ダイオードを、少なくとも1つは備えてい
ることを特徴とする照明デバイス。 - 【請求項17】 白色光を放出する照明デバイスであって、 請求項15に記載されたような発光ダイオードを、少なくとも1つは備えてい
ることを特徴とする照明デバイス。
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---|---|---|---|
FR00/04683 | 2000-04-12 | ||
FR0004683A FR2807909B1 (fr) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE DE GaInN, SON PROCEDE DE PREPARATION; DEL COMPRENANT CETTE COUCHE ET DISPOSITIF D'ECLAIRAGE COMPRENANT CETTE DEL |
PCT/FR2001/001115 WO2001078157A1 (fr) | 2000-04-12 | 2001-04-11 | Couche mince semi-conductrice de gainn, son procede de preparation, diode electroluminescente comprenant cette couche et dispositif d'eclairage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
JP2001574912A Expired - Fee Related JP5296280B2 (ja) | 2000-04-12 | 2001-04-11 | GaInNからなる薄い半導体層およびその製造方法ならびにその半導体層を備えたLEDさらにはこのLEDを備えた照明デバイス |
Country Status (10)
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180507A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光装置 |
JP2010171267A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体光素子を作製する方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2810159B1 (fr) * | 2000-06-09 | 2005-04-08 | Centre Nat Rech Scient | Couche epaisse de nitrure de gallium ou de nitrure mixte de gallium et d'un autre metal, procede de preparation, et dispositif electronique ou optoelectronique comprenant une telle couche |
DE20307958U1 (de) * | 2003-05-21 | 2003-09-04 | Salice Arturo Spa | Korpuselement mit Klappe |
JP2004356522A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体、その製造方法及びその用途 |
NL1023679C2 (nl) * | 2003-06-17 | 2004-12-20 | Tno | Lichtemitterende diode. |
TWI247439B (en) * | 2004-12-17 | 2006-01-11 | Genesis Photonics Inc | Light-emitting diode device |
FR2888664B1 (fr) * | 2005-07-18 | 2008-05-02 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction |
FR2898434B1 (fr) * | 2006-03-13 | 2008-05-23 | Centre Nat Rech Scient | Diode electroluminescente blanche monolithique |
FR2912552B1 (fr) * | 2007-02-14 | 2009-05-22 | Soitec Silicon On Insulator | Structure multicouche et son procede de fabrication. |
FR2932608B1 (fr) * | 2008-06-13 | 2011-04-22 | Centre Nat Rech Scient | Procede de croissance de nitrure d'elements du groupe iii. |
US8912554B2 (en) | 2011-06-08 | 2014-12-16 | Micron Technology, Inc. | Long wavelength light emitting device with photoluminescence emission and high quantum efficiency |
DE102014107472A1 (de) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Beleuchtungsvorrichtung |
US10752043B2 (en) | 2015-11-23 | 2020-08-25 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Method for labeling products with a transparent photoluminescent label, and transparent photoluminescent label |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05315647A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-11-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JPH09331116A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-12-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JPH1022527A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
JPH10229217A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JPH10270756A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
JPH10303459A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH10335700A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH11121806A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JPH11135838A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-05-21 | Ind Technol Res Inst | 白色発光ダイオード及びその製造方法 |
JPH11233827A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体発光素子 |
JPH11289108A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JPH11354846A (ja) * | 1996-01-19 | 1999-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
JP2000058980A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子 |
JP2000196142A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3543498B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2004-07-14 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体発光素子 |
US5684309A (en) * | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
JPH1187773A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 発光素子 |
US6303404B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-10-16 | Yong Tae Moon | Method for fabricating white light emitting diode using InGaN phase separation |
-
2000
- 2000-04-12 FR FR0004683A patent/FR2807909B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-11 US US10/257,515 patent/US6730943B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-11 CN CN01807936.9A patent/CN1422444A/zh active Pending
- 2001-04-11 AU AU2001250486A patent/AU2001250486A1/en not_active Abandoned
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- 2001-04-11 WO PCT/FR2001/001115 patent/WO2001078157A1/fr active Application Filing
- 2001-04-11 AT AT01923799T patent/ATE524836T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-04-11 EP EP01923799A patent/EP1273049B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-11 KR KR1020027013484A patent/KR100900933B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-04-11 JP JP2001574912A patent/JP5296280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05315647A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-11-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
JPH11354846A (ja) * | 1996-01-19 | 1999-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
JPH09331116A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-12-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JPH1022527A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
JPH10229217A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JPH10270756A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
JPH10303459A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH10335700A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH11135838A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-05-21 | Ind Technol Res Inst | 白色発光ダイオード及びその製造方法 |
JPH11121806A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-04-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JPH11233827A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体発光素子 |
JPH11289108A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2000058980A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子 |
JP2000196142A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180507A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光装置 |
US8593063B2 (en) | 2005-12-27 | 2013-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
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