JP2003528212A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項1】 少なくともある程度の結晶性を有し又は結晶可能である第一のイオン伝導性ポリマー材料を含有し、膜の形態にある前駆体材料を調整する工程と、
前記第一のイオン伝導性ポリマー材料を、結晶性を高めるための結晶性向上手段をもって処理する工程を有するイオン伝導性材料の製造方法において、前記処理する工程を受けた第一のイオン伝導性ポリマー材料である処理済みイオン伝導性材料が、前記イオン伝導性材料の成分であることを特徴とする方法。
【請求項2】 前記処理済みイオン伝導性材料における結晶性のレベルが、前記第一のポリマー材料における結晶性のレベルより少なくとも1%高い請求項1に記載の方法。
【請求項3】 前記結晶性レベルが少なくとも5%高い請求項2に記載の方法。
【請求項4】 前記結晶性向上手段は、前記第一のイオン伝導性ポリマー材料を結晶性向上溶媒によって処理することを含む請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
【請求項5】 前記溶媒が極性非プロトン性溶媒である請求項4に記載の方法。
【請求項6】 処理前後での水に対する前記材料の感受性における差が少なくとも5%である請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
【請求項7】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が、−CO−および/または−Q−基によって結合された部分を有した芳香族基を有する反復単位を有し、Qが−O−または−S−を表す請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
【請求項8】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が、下記式の部分
【化1】
Figure 2003528212
と、下記式の部分
【化2】
Figure 2003528212
と、下記式の部分
【化3】
Figure 2003528212
とのうちの少なくとも1つを有し、上記式中、単位I、II及びIIIのうちの少なくとも1つにおける少なくとも一部は官能化されてイオン交換部位を提供し、単位I、IIおよびIIIにおけるフェニル部分は独立に置換され、或いは架橋されていてもよく、前記材料は結晶可能であるか結晶性を有し、m、r、s、t、v、wおよびzは独立にゼロまたは正の整数を表し、E,E’は独立に、酸素もしくは硫黄原子または直接結合を表し、Gは酸素もしくは硫黄原子、直接結合または−O−Ph−O−部分を表し、Phはフェニル基を表し、Arは、1以上のフェニル部分を介して隣接部分に結合した下記の部分(xi) 、(xi)〜(xx)
【化4】
Figure 2003528212
のいずれかから選択される請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
【請求項9】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料がスルホン化されている請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
【請求項10】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が、
下記一般式の反復単位を有し、少なくともA又はBのうちの少なくとも一方が1である、ホモポリマー
【化5】
Figure 2003528212
または下記一般式の反復単位を有し、少なくともC又はDのうちの少なくとも一方が1である、ホモポリマー
【化6】
Figure 2003528212
または下記一般式の反復単位を有し、少なくともB又はAのうちの少なくとも一方が1である、ホモポリマー
【化7】
Figure 2003528212
または下記一般式の反復単位を有し、少なくともD又はCのうちの少なくとも一方が1である、ホモポリマー
【化8】
Figure 2003528212
または少なくとも2種類の異なる単位であるIV及びV、又は異なる単位IV 及びV のランダムポリマー若しくはブロックコポリマーであり、上記式中、A、B、CおよびDは独立に0または1を表し、E,E’は独立に酸素もしくは硫黄原子または直接結合を表し、Gは酸素もしくは硫黄原子、直接結合または−O−Ph−O−部分を表し、m、r、s、t、v、wおよびzは独立にゼロまたは正の整数を表す、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
【請求項11】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が、官能化されてイオン交換部位を与える2つ以上のフェニル基からなるフェニレン部分と縮合環芳香族部分との少なくとも一方を有する請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
【請求項12】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が−O−ビフェニレン−O−部分又は−O−ナフタレン−O−部分を有する請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
【請求項13】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が、そのポリマー鎖に1つ以上のケトン部分を有する請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
【請求項14】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料が、
(a)EおよびE’が酸素原子を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(iv)の部分を表し、mおよびsがゼロを表し、wが1を表し、AおよびBが1を表す式IVの単位と、
(b)Eが酸素原子を表し、E’が直接結合を表し、Arが構造(i)の部分を表し、mがゼロを表し、Aが1を表し、Bがゼロを表す式IVの単位と、
(c)EおよびE’が酸素原子を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(iv)の部分を表し、mおよびvがゼロを表し、zが1を表し、CおよびDが1を表す式Vの単位と、
(d)Eが酸素原子を表し、E’が直接結合を表し、Arが構造(ii)の部分を表し、mが0を表し、Cが1を表し、Dが0を表す式Vの単位と、
(e)EおよびE’が酸素原子を表し、Arが構造(i)を表し、mが0を表し、Cが1を表し、Zが1を表し、Gが直接結合を表し、vが0を表し、Dが1を表す式Vの単位
と、
(aa)Eが酸素原子を表し、E’が直接結合を表し、Arが構造(i) を表し、mが0を表し、Aが1を表し、Bが0を表す式IVの単位と、
(bb)EおよびE’が酸素原子を表し、Arが構造(iv)を表し、mおよびwが0を表し、Gが直接結合を表し、sおよびrが1を表し、AおよびBが1を表す式IVの単位と、
(cc)EおよびE’が酸素原子を表し、Arが構造(i)を表し、mおよびwが0を表し、Gが直接結合を表し、sおよびrが1を表し、AおよびBが1を表す式IVの単位とから選択された第一の反復単位と、
(f)EおよびE’が酸素原子を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(iv)を表し、mが1を表し、wが1を表し、sがゼロを表し、AおよびBが1を表す式IVの単位と、
(g)Eが酸素原子を表し、E’が直接結合を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(iv)を表し、mおよびsがゼロを表し、wが1を表し、AおよびBが1を表す式IVの単位と、
(h)EおよびE’が酸素原子を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(iv)を表し、mが1を表し、zが1を表し、vが0を表し、CおよびDが1を表す式Vの単位と、
(i)Eが酸素原子を表し、E’が直接結合を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(iv)を表し、mおよびvがゼロを表し、zが1を表し、CおよびDが1を表す式Vの単位と、
(j)EおよびE’が酸素原子を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(v)を表し、mが0を表し、wが1を表し、sが0を表し、AおよびBが1を表す式IVの単位;
(k)EおよびE’が酸素原子を表し、Gが直接結合を表し、Arが構造(v)を表し、mが0を表し、zが1を表し、vが0を表し、CおよびDが1を表す式Vの単位とから選択された第二の反復単位とからなるコポリマーである請求項10に記載の方法。
【請求項15】 前記第一のイオン伝導性ポリマー材料を含む前駆体膜を製造する工程と、次に前記前駆体膜を前記結晶性向上手段で処理する工程とを有する請求項1〜14のいずれかに記載の方法。
【請求項16】 触媒材料と前記イオン伝導性材料とを組み合わせる工程からなる請求項1〜15のいずれかに記載の方法。
【請求項17】 請求項1〜16のいずれかに記載の方法で製造されるイオン伝導性材料。
【請求項18】 触媒材料及び電極の少なくとも一方を、請求項1〜16のいずれかに記載の方法で製造されるイオン伝導性膜と組み合わせる工程を有する膜電極アセンブリ(MEA)の製造方法。
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