JP2003521684A - 導波板及びセンサプラットフォーム、試料区画の配置構造ならびに前記導波板に基づく分析対象物測定方法 - Google Patents

導波板及びセンサプラットフォーム、試料区画の配置構造ならびに前記導波板に基づく分析対象物測定方法

Info

Publication number
JP2003521684A
JP2003521684A JP2001555783A JP2001555783A JP2003521684A JP 2003521684 A JP2003521684 A JP 2003521684A JP 2001555783 A JP2001555783 A JP 2001555783A JP 2001555783 A JP2001555783 A JP 2001555783A JP 2003521684 A JP2003521684 A JP 2003521684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide plate
waveguide
layer
coupling
sensor platform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001555783A
Other languages
English (en)
Inventor
ドゥフェネク，ゲルト
パウラク，ミヒャエル
マイゼンヘルダー，ベルント
エドリンガー，ヨハネス
ハイネ，クラウス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeptosens AG
Original Assignee
Zeptosens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeptosens AG filed Critical Zeptosens AG
Publication of JP2003521684A publication Critical patent/JP2003521684A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
    • G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
    • G01N21/7703—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G01N21/552—Attenuated total reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/648—Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
    • G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
    • G01N21/7703—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides
    • G01N21/774—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides the reagent being on a grating or periodic structure
    • G01N21/7743—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides the reagent being on a grating or periodic structure the reagent-coated grating coupling light in or out of the waveguide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
    • G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
    • G01N2021/7769—Measurement method of reaction-produced change in sensor
    • G01N2021/7776—Index
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12107—Grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02057—Optical fibres with cladding with or without a coating comprising gratings
    • G02B6/02076—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings
    • G02B6/02123—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by the method of manufacture of the grating
    • G02B6/02133—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by the method of manufacture of the grating using beam interference
    • G02B6/02138—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings characterised by the method of manufacture of the grating using beam interference based on illuminating a phase mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Optical Measuring Cells (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、導波層で覆われたガラス基板（１）を含む導波板に関するものである。その導波板は、連続し離間された結合（カップリング）格子ストリップを備えており、その結合角度は０．１°/cmを超えず、望ましくは０．１５°を超えず、リニアな平行態様で変化する。その導波板の全体に亘る平均値からの偏差は、０．３°を超えず、望ましくは０．１５°を超えない。その導波板は、センサプラットフォームの構成要素として、及び化学的分析又は生物学的分析により実行される試験のための試料（サンプル）容器の配置構造として、適している。本発明はその創意に富んだ導波板に基礎を置くセンサプラットフォームの他の実施例や、一以上の分析対象物を検出するために用意されたセンサプラットフォームに基礎を置く方法や、それらの用途にも関連している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、導波板及び本発明の導波板に基づくセンサプラットフォームの種々
の態様、ならびに本発明の導波板又はセンサプラットフォームを境界表面として
有する試料区画の配置構造に関する。本発明はまた、たとえば生化学的又は医学
的分野における分析目的のために、前記導波板又はセンサプラットフォームの適
用に基づいて一以上の分析対象物を測定するための光学系又は方法に関する。
【０００２】 米国特許第５，６７５，６９１号から、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3 、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ａｌ、Ｓｉ又はＨｆの窒化物又は酸窒化物の導波層をガ
ラス、特に石英ガラス、セラミックス又は主に有機物質の基板に被着させること
によって結合格子が製造されている、たとえばＳｉＯ2の厚さ２０nmの中間層を
設けることができ、エキシマレーザの二つの重畳したビームの照射又はマスクに
よって変性された光線の照射による融食又は屈折率の変化によって前記結合格子
を構造化することができる、本発明の種の導波板が公知である。また、その代わ
りに、より低い融食しきい値を有する中間層、たとえばＴｉＯ2の中間層を構造
化することができ、この中間層が導波層又はその基板に被着され、後者の場合、
構造化工程の後で導波層を重畳される。格子定数はたとえば３７５nm又は４４０
nmである。格子面積は自由に選択することができ、たとえば１mm×１mm又は８mm
×８mmであることができる。
【０００３】 米国特許第５，８２２，４７２号から、プラスチック、ガラス又は石英の支持
体に被着させた厚さ４０nm〜１６０nmのＴｉＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5
、ＨｆＯ2又はＺｒＯ2の導波層を有する化学分析のための導波板が公知である。
支持体と導波層との間に、石英のような非発光材料の、たとえば厚さ１００nmの
中間層を設けることができ、この中間層が同時に付着促進材として働く。内結合
（インカップリング）格子及び外結合（アウトカップリング）格子が設けられ、
これらは、公知の光リトグラフィー又はホログラフィー法及びエッチング法によ
って支持体中又は導波層中に形成することができ、２００nm〜１０００nmの格子
定数を有することができる。格子は２mm（互いに平行な線で）×４mmの寸法を有
することができ、導波板の総面積は１２mm×２０mmになる。
【０００４】 J. Dubendorfer, R. E. Kunz: “Compact integrated optical immun
osensor using replicated chirped grating coupler sensor chips”,
Applied Optics 37/10 (April 1st, 1998)から、４２０nm〜４２２．８n
mの範囲で異なる格子周期を有する変調内結合格子及び５９５．１nm〜６００．
８nmの範囲で異なる格子周期を有する外結合格子が構造化されているポリカーボ
ネートの支持板を有する導波板が公知である。そして、厚さ１３７nm及び屈折率
２．３４６のＴｉＯ2の導波層が低温ＤＣマグネトロンスパッタリングによって
被着され、最後にこの導波板がシラン化されている。内結合角は−９．５゜であ
り、外結合角は２２．５゜である。
【０００５】 米国特許第５，７３８，８２５号には、マイクロタイタプレートが記載されて
いる。このマイクロタイタプレートの下面には、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、
ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ａｌ、Ｓｉ又はＨｆの窒化
物又は酸窒化物の厚さ２０nm〜１０００nm、好ましくは３０nm〜５００nmの導波
層が被着され、プラスチックの層で覆われている。各空洞の下に内結合格子及び
外結合格子が設けられている。格子は、３３０nm〜１０００nm、特に約４００nm
〜８００nmの格子周期を有し、リトグラフィー又は機械的方法によって製造され
たものである。
【０００６】 ＣＨ−Ａ−６８８１６５から、プラスチック基板を有する導波板が公知である
。この表面は、機械的に、すなわち圧延成形、型押又は射出成形によって特に結
合格子を具備して構造化され、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ 2 −ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、窒化ケイ素、酸窒化物、ＳｉＯxＮy
、ＨＦＯxＮy、ＡｌＯxＮy、ＴｉＯxＮy、ＭｇＦ2又はＣａＦ2の導波層を支持す
る。導波層の被着の前に、減衰損失を減らすため、同時に付着促進材としても働
く無機物質、たとえばＳｉＯ2の厚さ約２０nmの中間層が被着される。
【０００７】 上述したすべての導波板は、結合格子の満足な一定の再現精度を達成すること
ができず、比較的大きな結合角の偏差を招く方法によって製造したものである。
その結果、照明装置と導波板との互いに対する相対的角位置をステップごとにか
なり努めて最適化しなければならない。前記製造方法のいくつかはまた、多大な
努力を要し、非常に大きな製造ロットを一定の品質で可能にすることはできない
。
【０００８】 ＥＰ−Ａ−０６０２８２９から、たとえばＤＢＲ半導体レーザの基板上に格子
構造を製造するための、まず、位相マスクを製造し、次に、Lithrow角の下で、
その位相マスクを介して基板、たとえばＩｎＰに照射を加える方法が公知である
。照射は、波長約３６５nmの３本の線が選択される光源直径０．２５mmのＨｇ−
Ｘｅアーク灯によって実施することができる。基板は、位相マスクの近場、すな
わち１０μm以下の距離に配置される。
【０００９】 位相マスクを製造するためには、石英基板を、フォトレジスト層、薄いゲルマ
ニウム層及び最後に電子ビームに感応性のレジストからなる三層で被覆する。次
に、電子ビーム書き込み、上層の現像及び未露光部分の除去によって上層を構造
化する。その構造を、まずＣＦ3Ｂｒを使用し、次にＯ2を使用する反応性イオン
エッチングにより、下に位置する層に移し、もう一つの反応性イオンエッチング
工程によって石英基板そのものに移したのち、これらの層の残り部分を除去する
。格子周期（定数）は、たとえば１９０nm〜２５０nmであることができる。位相
マスクは長さ数センチメートルであることができ、格子は位相マスクの全長にわ
たることができる。しかし、通常、線の長さはわずか５〜２０μmである。より
大きな線長が可能であるが、非常に長い製造時間を要する。妥当な努力及び良好
な実践精度で１mm2を超える格子を製造することは困難である。特に、電子ビー
ム書き込みの間、オフセット誤差を避けることはできない。
【００１０】 本発明は、少ない努力で迅速な分析の実施を可能にする導波板を提供する課題
に基づく。この課題は、導波層（２）を担持するプレート状ガラス基板（１）を
有し、前記導波層（２）を担持する面に少なくとも一つの結合格子を有し、この
結合格子が、１５０nm〜１０００nmの周期の線の格子として形成されており、前
記格子の長さが、線が互いに平行な状態で少なくとも５cmであり、結合角（θ）
が前記格子の線に沿って０．１゜/cm以下しか変動せず、前記導波板上の結合角
（θ）の、所定の所望値からの偏差の絶対値が０．５゜を超えない本発明の導波
板によって解決される。
【００１１】 さらには、そのような導波板に基づくセンサプラットフォーム及び試料区画の
配置構造が提供される。これらの課題は、以下に記すセンサプラットフォーム及
び試料区画の配置構造によって解決される。
【００１２】 長い格子長の場合でさえ、結合角の偏差の低い限界（許容差）により、導波板
又はセンサプラットフォーム又は試料区画の配置構造のより大きな部分を同時に
照射し、読み出し、励起光をそこに送り、そこから出る光を一以上の検出器で検
出することが可能になる。また、導波板又はセンサプラットフォーム又は試料区
画の配置構造の異なる部分の連続露光は、それらの相対的角位置及び照射装置の
新たな最適化が求められないか、少なくとも有意に簡略化されるため、簡素化さ
れる。
【００１３】 加えて、本発明は、多数の試料の分析を、短時間内に、すなわち経済的に、ま
た、連続する個々の計測の間のさらなる面倒なシステム調節の必要なく可能にす
る、一以上の試料中の一以上の分析対象物を測定する方法を提供する課題に基づ
く。本発明にしたがって、これは、高精度の大きな格子、特に互いに対して平行
な長い線を有する格子の配置構造によって可能になって、簡単であると同時に経
済的である格子の幾何学的配置構造の設計の自由をさらに提供する。
【００１４】 本発明の第一の主題は、導波層（２）を担持するプレート状ガラス基板（１）
を有し、前記導波層（２）を担持する面に少なくとも一つの結合格子を有し、こ
の結合格子が、１５０nm〜１０００nmの周期の線の格子として形成されており、
前記格子の伸長が、線が互いに平行な状態で少なくとも５cmであり、結合角（θ
）が前記格子の線に沿って０．１゜/cm以下しか変動せず、前記導波板上の結合
角（θ）の、所定の所望値からの偏差の絶対値が０．５゜を超えない導波板であ
る。
【００１５】 それに関して、前記線沿いの前記結合格子の長さは少なくとも１cmであること
が好ましい。
【００１６】 さらに、結合角（θ）が前記線に沿って０．０５゜/cm以下しか変動しないこ
とが好ましい。
【００１７】 さらに、導波板上の結合角（θ）の、その平均値からの偏差の絶対値が０．３
゜を超えない、好ましくは０．１５゜を超えないことが好ましい。
【００１８】 好ましくは、導波層（２）の屈折率は１．６５〜２．８である。導波層（２）
は、たとえば、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2−
ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ＨｆＯxＮy、ＡｌＯxＮy、
ＴｉＯxＮy、ＭｇＦ2又はＣａＦ2を含むことができる。導波層の厚さは、好まし
くは５０nm〜２００nmである。少なくとも一つの結合格子の溝／平坦部の比が０
．３：１〜３：１、好ましくは０．７：１〜１．５：１であるならば、それは有
利である。さらに、少なくとも一つの結合格子の格子深さが５nm〜７５nmの間で
あることが好ましい。
【００１９】 多くの用途の場合、少なくとも一つの結合格子が導波板の表面の一部しか覆わ
ず、前記導波板の表面の残り部分が覆われていないならば、それは有利である。
これに関して、前記導波板が、前記導波板の本質的に全幅又は全長にわたって延
びる互いに対して平行な線を有する結合格子ストリップ（３）として形成されて
いる少なくとも一つの結合格子を設けられていることが特に好ましい。これに関
して、好ましくはいくつかの結合格子が互いに対して別個かつ平行に配置されて
いる。
【００２０】 本発明の導波板は、本発明の基本概念を逸することなく、多数の方法で変形す
ることができる。たとえば、たとえば可変性の格子線間距離を有する可変格子を
製造し、結合格子として導波板上に設けることもできる。
【００２１】 また、結合格子の幾何学的配置に関して、特定の用途で有利になることができ
る、本発明の導波板の更なる実施態様がある。
【００２２】 たとえば、本発明の導波板のいくつかの結合格子は、互いに対して平行に配置
してはならないが、たとえば、互いに対して直交方向（垂直）に配置することは
できる。また、二以上の結合格子を重畳することができる。特定の用途では、結
合格子は単回折性であることが好ましい。しかし、特定の用途、たとえば多数の
光源からの異なる波長の励起光を導波層（２）に内結合する場合、一以上の結合
格子が多回折性であるならば、それは有利であることができる。
【００２３】 本発明の導波板の好ましい実施態様では、結合格子は、前記導波板の本質的に
全面を覆う。この好ましい実施態様では、たとえば導波板の境界区域及び／又は
結合格子を設けられるより大きな部分の間の区域（平方センチメートルオーダの
面積）は、結合格子を有しなくてもよいことが理解されなければならない。
【００２４】 前記導波板に配置された結合格子が、一以上の光源からの励起光を導波層（２
）に内結合する及び／又は導波層（２）中を誘導される光を外結合するように作
動することができることが本発明の導波板に特徴的である。
【００２５】 本発明のもう一つの主題は、一以上の分析対象物の特異的認識及び／又は結合
及び／又は前記分析対象物との特異的相互作用のための生物学的又は生化学的又
は合成認識要素が導波層（２）上に直接又は前記導波層（２）にさらに被着され
た付着促進層によって固定化されている、上記に開示した実施態様のいずれかの
導波板を有する特定のセンサプラットフォームである。
【００２６】 これに関して、多数の同種又は異なる生物学的又は生化学的又は合成認識要素
が別個の計測区域の少なくとも一つの配列として導波層（２）上に直接又は前記
導波層（２）にさらに被着された付着促進層によって固定化されていることが好
ましい。
【００２７】 本発明の本質において、横方向に分けられた（「別個の」）計測区域は、そこ
に固定化された生物学的又は生化学的又は合成認識要素によって占められる閉鎖
区域によって画定されなければならない。これらの区域は、いかなる形状、たと
えば点、円、矩形、三角形、楕円又はストリップの形を有することもできる。
【００２８】 導波層（２）及びガラス基板（１）と同様に、場合によっては導波層（２）に
被着される付着促進層は、少なくとも、投射される励起光及び場合によっては測
定されるルミネセンス光のスペクトル範囲で透明であるべきである。これに関し
て、前記透明なスペクトル範囲は、紫外線ないし赤外線であることができる。
【００２９】 本発明によると、「ルミネセンス」とは、光学的又は非光学的励起、たとえば
電気的又は化学的又は生化学的又は熱的な励起ののちの、紫外線ないし赤外線の
スペクトル範囲の光子の自発的放出をいう。ケミルミネセンス、バイオルミネセ
ンス、エレクトロルミネセンス、特に蛍光及びりん光が「ルミネセンス」に含ま
れる。
【００３０】 付着促進層は、導波層（２）からその上に位置する媒体に入る減衰フィールド
の浸透深さを超えるべきではない。たとえば、付着促進層は、厚さが２００nm未
満、好ましくは２０nm未満であることができる。
【００３１】 導波層（２）に被着された付着促進層は、好ましくは、シラン、官能化シラン
、エポキシド、官能化、帯電又は極性ポリマー及び「自己組織化パッシブ又は官
能化単分子又は多分子層」を含む群からの化合物を含む。
【００３２】 好ましいものは、前記生物学的又は生化学的又は合成認識要素として、核酸（
たとえばＤＮＡ、ＲＮＡ、オリゴヌクレオチド）及び核酸類似体（たとえばＰＮ
Ａ「ペプチド核酸」）、タンパク質、特にモノクロナール及びポリクロナール抗
体、ペプチド、酵素、アプタマー、合成ペプチド構造、膜結合した、また膜から
単離した可溶性のタンパク質、膜受容体、それらのリガンド、抗体に対する抗原
、「ヒスチジンタグ成分」及びそれらの錯形成相手、分子インプリントをホスト
するための、化学合成によって生成された空洞によって形成される群からの成分
が導波層（２）上に直接又は前記導波層（２）にさらに被着された付着促進層に
よって固定化されている、本発明のセンサプラットフォームの実施態様である。
【００３３】 後に挙げたタイプの認識要素として、「分子インプリンティング」として文献
に記載されている方法によって形成される空洞が理解されなければならない。こ
の方法にしたがって、通常は有機溶液中の分析対象物又は分析対象物類似体をポ
リマー構造中に封入する。すると、これが「インプリント」と呼ばれる。そして
、適切な試薬の適用により、分析対象物又はその類似体をポリマー構造から再び
溶解させ、空洞を残す。その後の分析方法で、この空洞を、高い立体選択性をも
つ結合サイトとして使用することができる。
【００３４】 また、全細胞、細胞成分、細胞膜又はそれらの断片を生化学的又は生物学的認
識要素として固定化することができる。
【００３５】 多くの場合、分析方法の検出限界は、いわゆる非特異的結合から生じる信号か
ら制限され、これらの信号は、分析対象物又は分析対象物測定のために、固定化
された生物学的又は生化学的又は合成認識要素の領域だけでなく、これらの認識
要素を有しない他の領域にも加えられる他の成分の、たとえば疎水性吸着又は静
電気的相互作用によって生じる結合によって生じる。
【００３６】 したがって、分析対象物又は前記分析対象物のトレーサ化合物の非特異的結合
の最小化のために、導波層（２）上又は導波層（２）にさらに被着された付着促
進層上に固定化された生物学的又は生化学的又は合成認識要素の間及び／又は横
方向に分けられた計測区域の間の区域が「パシベート」され、好ましくは、アル
ブミン、特にウシ血清アルブミンもしくはヒト血清アルブミン、カゼイン、非特
異的ポリクロナールもしくはモノクロナール、測定される分析対象物に対して異
質もしくは経験的に非特異的な抗体（特にイムノアッセイの場合）、洗浄剤、た
とえばTween 20、合成もしくは天然脂質、分析されるポリヌクレオチドとでハ
イブリッド形成しない断片化された天然もしくは合成ＤＮＡ、たとえばニシンも
しくはサケ精子の抽出物（特にポリヌクレオチドハイブリッド形成の場合）又は
親水性ポリマー、たとえばポリエチレングリコールもしくはデキストランを含む
群からの化合物を含む、分析対象物に対して「化学的に中性」である化合物が前
記間欠区域に被着されていると、それは有利である。
【００３７】 本発明の導波板及びセンサプラットフォームは、分析される一以上の液体試料
を受けるための、好ましくは本質的に閉止された試料区画の配置構造を設けられ
ることが好ましい。そのため、本発明の主題は、本発明の導波板又はセンサプラ
ットフォームをベースプレートとして含み、前記ベースプレートと組み合わされ
るボディを、互いに対して流体的にシールされる、それぞれ少なくとも一つの入
口及び少なくとも一つの出口を有する一以上のフローセルを形成するための一以
上の空間凹みが前記ベースプレートと前記ボディとの間に形成されるような方法
で含む、一以上の試料区画の配置構造である。
【００３８】 好ましいものは、本発明の導波板又はセンサプラットフォームをベースプレー
トとして含み、前記ベースプレートと組み合わされるボディを、互いに対して流
体的にシールされる、それぞれ少なくとも一つの入口及び少なくとも一つの出口
を有するフローセルの配列を形成するための空間凹みの配列が前記ベースプレー
トと前記ボディとの間に形成されるような方法で含む、試料区画の一次元又は二
次元配列の配置構造である。
【００３９】 本発明の試料区画の配置構造の特定の実施態様では、形成されるフローセルの
配列のフットプリントの形状を有する空間構造がベースプレートとしての導波板
又はセンサプラットフォーム上に形成されている。
【００４０】 ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォームと、前記ベースプ
レートと組み合わされる前記ボディとの間に空間凹みを形成するため、前記ボデ
ィ中に凹みが形成されていることが好ましい。
【００４１】 製造を容易にするためには、ベースプレートとしての導波板又はセンサプラッ
トフォームと組み合わされるボディがいくつかの部品から形成され、前記ボディ
の組み合わせ部品が好ましくは不可逆的に組み合わされるユニットを形成するな
らば、それは有利であることができる。
【００４２】 これに関して、ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォームと
組み合わされるボディは、前記ボディとベースプレートとの組み合わせを容易に
する手段を備えることが好ましい。
【００４３】 本発明の試料区画の配置構造は、たとえば２〜２０００個、好ましくは２〜４
００個、さらに好ましくは２〜１００個のフローセルを含むことができる。
【００４４】 フローセルの入口のピッチ（行及び／又は列としての幾何学的配置）は工業規
格プレートのウェルのピッチ（幾何学的配置）に合致することが好ましい。
【００４５】 本発明の試料区画の配置構造の特定の実施態様は、たとえば、１列に２〜８個
の試料区画又はたとえば１行に２〜１２個の試料区画があり、試料区画そのもの
が、工業規格プレートの寸法を有するキャリヤ（「メタキャリヤ」）と、フロー
セルの入口のピッチ（行及び／又は列としての幾何学的配置）が工業規格プレー
トのウェルのピッチ（幾何学的配置）に合致するような方法で組み合わされてい
るものに関する。
【００４６】 多くの用途に関して、たとえば高温（たとえば８０℃まで）での変性工程を含
む核酸ハイブリッド形成の過程で、本発明の試料区画の配置構造がさらなるカバ
ートップ、たとえばフィルム、膜又はカバープレートで閉止されるならば、それ
は有利であることができる。これにより、たとえば、試料区画の入口及び出口か
らの液体の蒸発を避けることができる。
【００４７】 本発明の試料区画の配置構造では、各フローセルの容積は、通常０．１μl〜
１０００μl、好ましくは１μl〜２０μlであることができる。
【００４８】 ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォームと、前記ベースプ
レートと組み合わされるボディとの間の凹みの深さは１〜１０００μm、好まし
くは２０〜２００μmであることが好ましい。
【００４９】 ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォームと、前記ベースプ
レートと組み合わされるボディとの間の凹みのベース面積は、通常０．１mm2〜
２００mm2、好ましくは１mm2〜１００mm2であり、配列の凹みの大きさは、均等
であることもできるし異なることもでき、ベース区域は、いかなる形状、好まし
くは矩形もしくは多角形又は他の幾何学形状であることができる。
【００５０】 ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォームと組み合わされる
ボディ及び場合によるさらなるカバートップの材料が、成形性、金型成形性又は
ロール練り性プラスチック、金属、ケイ酸塩、たとえばガラス、石英又はセラミ
ックスの群から選択されることが本発明の試料区画の配置構造に特徴的である。
【００５１】 試料区画の適切な配置構造のさらなる実施態様がＰＣＴ／ＥＰ００／１２６６
８に記載されている。本発明の導波板との組み合わせにおける、同明細書に記載
されている試料区画の配置構造が本発明のもう一つの主題である。
【００５２】 本発明のさらなる主題は、 少なくとも一つの励起光源と、 本発明の導波板もしくはセンサプラットフォーム又は試料区画の配置構造と、 導波板又はセンサプラットフォーム及びその上に設けられるかもしれない計測
区域から出る光を測定するための少なくとも一つの検出器と を含む、一以上のルミネセンスを測定するための光学系である。
【００５３】 本発明の光学系の可能な実施態様では、励起光が直接照射又は透過照射光配置
で計測区域に投射される。
【００５４】 ルミネセンス光の検出は、結合格子によって外結合された励起光又はルミネセ
ンス光もまた検出されるような方法で実施されることが好ましい。
【００５５】 光学系の好ましい実施態様では、少なくとも一つの光源によって発された励起
光は、本質的に平行であり、結合格子によって導波層（２）に内結合させて、導
波板もしくはセンサプラットフォーム又は試料区画の配置構造の結合格子に送る
ための共振角で投射される。
【００５６】 「本質的に平行な」光束とは、その収束又は散開が１゜未満であると理解され
なければならない。相応に、「本質的に直交」又は「本質的に垂直」とは、対応
する直交又は垂直方向を１゜未満しか逸しないことをいう。
【００５７】 また、大部分の実施態様（多色光源の使用に基づく実施態様を除く）の場合、
励起光が本質的に単色であることが好ましい。「本質的に単色」の光とは、その
帯域幅が１nm未満であると理解されなければならない。
【００５８】 さらには、導波層（２）中を誘導されるＴＥ0モード又はＴＭ0モードの励起の
ため、励起光が直線偏光状態で投射されることが好ましい。
【００５９】 特定の用途では、同様な又は異なる発光波長の二以上の光源が励起光源として
使用されることが好ましい。好ましくは、これらはコヒーレント光源である。
【００６０】 少なくとも一つの光源の励起光が拡大光学部品によって本質的に平行な光線に
拡大され、結合格子上の一以上の計測区域に投射され、それが、好ましくは、導
波層（ａ）への内結合のための共振角で実施されることが本発明の光学系の特定
の実施態様に特徴的である。
【００６１】 少なくとも一つの光源からの励起光が、一つ又は光源がいくつかある場合には
多数の回折光学要素、好ましくはDammann格子又は屈折光学要素、好ましくはマ
イクロレンズアレイにより、共通の光源から発される個々のビームの可能な限り
同じ強さの多数の個々のビームに分割され、個々のビームが、互いに対して本質
的に平行に、前記結合格子の上又は脇に設けられることができる一以上の結合格
子及び横方向に分けられた計測区域に送られることが、もう一つの特定の実施態
様に特徴的である。
【００６２】 用途によっては、たとえば核酸の分析で発現プロフィールを生成するためには
、同様な又は異なる発光波長の二以上の光源を励起光源として使用することが好
ましい。
【００６３】 これに関して、二以上の光源からの励起光を、異なる方向から同時又は順次に
、異なる周期数を有することが好ましい二以上の重畳した結合格子（本発明の導
波板もしくはセンサプラットフォーム又は試料区画の配置構造の特定の実施態様
の一部としての）に投射することができる。
【００６４】 好ましくは、たとえば、ＣＣＤカメラ、ＣＣＤチップ、フォトダイオードアレ
イ、アバランシェダイオードアレイ、マルチチャネルプレート及びマルチチャネ
ル光電子増倍管によって形成される群のからの少なくとも一つの横方向に解像す
る検出器が検出に使用される。
【００６５】 上記実施態様のいずれかの光学系では、伝送された光束を成形するためのレン
ズもしくはレンズ系、光束を偏向させ、場合によってはさらに成形するための平
面もしくは湾曲したミラー、光束を偏向させ、場合によってはスペクトル分離す
るためのプリズム、光束の部分をスペクトル選択的に偏向させるためのダイクロ
イックミラー、伝送される光の強さを調整するためのニュートラルフィルタ、光
束の部分をスペクトル選択的に透過させるための光学フィルタもしくはモノクロ
メータ又は励起もしくはルミネセンス光の離散的な偏光方向を選択するための偏
光選択要素を含む群の光学部品を、一以上の励起光源と、前記実施態様のいずれ
かの導波板、センサプラットフォーム及び試料区画の配置構造によって形成され
る部品の群の部品との間の光路及び／又は前記部品群と一以上の検出器との間の
光路に配置することができる。
【００６６】 励起光が１fsec〜１０分の間隔のパルスで投射されること及び計測区域からの
発光が時間分解的に計測されることが本発明の特定の実施態様に特徴的である。
【００６７】 好ましくは、参照のため、光源の位置での励起光又は拡大後の励起光又は個々
のビームに多重化された後の励起光、励起波長の散乱光又は一以上の横方向に分
けられた計測区域の位置からの分析対象物検出に使用される波長とは異なる波長
の発光及び計測区域の脇の格子構造によって外結合された励起波長の光を含む群
の光信号が計測される。
【００６８】 それに関して、発光の測定のための計測区域と参照信号の測定のための計測区
域とが同一であるならば、それは特に有利である。
【００６９】 励起光の投射及び一以上の計測区域からの発光の検出は、一以上の計測区域で
同時に実施することもできるし、順次に実施することもできる。
【００７０】 好ましくは、順次の励起及び検出は、ミラー、偏向プリズム及びダイクロイッ
クミラーを含む群の可動光学部品を使用して実施される。
【００７１】 それに関して、順次の励起及び検出が、本質的に焦点及び角度保存的なスキャ
ナを使用して実施されるということが本発明の光学系の特定の実施態様に特徴的
である。
【００７２】 一以上の計測区域からの発光を順次に励起し、検出するもう一つの方法では、
導波板もしくはセンサプラットフォーム又は試料区画の配置構造を、順次の励起
及び検出の過程の間で動かす。
【００７３】 本発明のもう一つの主題は、上記実施態様のいずれか記載の、本発明の導波板
及び本発明のセンサプラットフォーム及び本発明の試料区画の配置構造によって
形成される部品の群の部品によって及び／又は本発明の光学系の使用によって多
数の分析対象物を同時に定性及び／又は定量する方法であって、前記一以上の分
析対象物に関して分析される一以上の液体試料を前記部品の一つの上の計測区域
と接触させ、計測区域に向けて励起光を投射し、一以上の分析対象物と、前記計
測区域に固定化された生物学的又は生化学的又は合成認識要素との結合又は前記
分析対象物と前記固定化された認識要素との相互作用から生じる、（Ａ）計測区
域から出る光及び（Ｂ）場合によっては、前記試料と接触させられた計測区域か
らの一以上のルミネセンスの少なくとも一つを計測し、前記ルミネセンスを導波
層（２）の近場で発生させる方法である。
【００７４】 ここでもまた、励起光が本質的に単色であり、本質的に平行に投射されること
が好ましい。導波層（２）中を誘導されるＴＥ0モード又はＴＭ0モードの励起の
ため、励起光を直線偏光状態で投射するならば、それは特に有利である。
【００７５】 本発明の方法の多くの実施態様に関して、少なくとも一つの光源からの励起光
をビーム拡大光学部品によって本質的に平行な光束に可能な限り均一に拡大し、
一以上の計測区域に送るならば、それは特に好ましい。それに関して、投射され
る励起光束の直径が少なくとも一つの方向で少なくとも２mm、好ましくは少なく
とも１０mmであることが好ましい。
【００７６】 少なくとも一つの光源からの励起光を、一つ又は光源がいくつかある場合には
多数の回折光学要素、好ましくはDammann格子又は屈折光学要素、好ましくはマ
イクロレンズアレイにより、共通の光源から発される個々のビームの可能な限り
同じ強さの多数の個々のビームに分割し、個々のビームを、互いに対して本質的
に平行に、横方向に分けられた計測区域に送ることが、本発明の方法のもう一つ
の実施態様に特徴的である。
【００７７】 本発明の方法のもう一つの実施態様では、等しい又は異なる発光波長の二以上
のコヒーレント光源を励起光源として使用することが好ましい。
【００７８】 それに関して、計測区域の励起光を一以上の結合格子によって導波層（２）に
結合することが好ましい。
【００７９】 本発明の分析方法は、（ａ）等方向に発されたルミネセンス又は（ｂ）導波層
（２）に内結合され、結合格子によって外結合されるルミネセンス又は両部分（
ａ）及び（ｂ）を含むルミネセンスを同時に計測することを可能にする。
【００８０】 また、前記ルミネセンスの生成のため、励起されることができ、３００nm〜１
１００nmの波長で発光する発光染料又は発光ナノ粒子をルミネセンス標識として
使用することが本発明の方法に特徴的である。
【００８１】 ルミネセンス標識を、分析対象物に結合させるか、競合検定では、分析対象物
類似体に結合させるか、多工程検定では、固定化された生物学的又は生化学的又
は合成認識要素の結合相手の一つ又は生物学的又は生化学的又は合成認識要素に
結合させることが本発明の好ましい方法に特徴的である。
【００８２】 第一のルミネセンス標識と同様な又は異なる励起波長及び同様な又は異なる発
光波長の第二又はより多くのルミネセンス標識を使用することが特定の実施態様
に特徴的である。
【００８３】 これに関して、第二又はより多くのルミネセンス標識を第一のルミネセンス標
識と同じ波長で励起させ、第一のルミネセンス標識と異なる波長で発光させるこ
とができることが好ましい。
【００８４】 他方、適用されるルミネセンス標識の励起スペクトルと発光スペクトルとが重
複しないか、ほとんど重複しないならば、それは特定の用途にとって有利である
。
【００８５】 供与体として働く第一のルミネセンス標識から受容体として働く第二のルミネ
センス標識への電荷移動又は光エネルギー移動を分析対象物測定に使用すること
が本発明の分析方法のもう一つの特定の実施態様に特徴的である。
【００８６】 たとえば、励起波長におけるバックグラウンド信号の、検出される計測信号に
対する影響を減らすため、励起波長における一以上のルミネセンス及び／又は光
信号の測定を偏光の選択性をもって決定し、好ましくは、一以上のルミネセンス
を、励起光の偏光とは異なる偏光で計測するならば、それは有利であることがで
きる。
【００８７】 一以上のルミネセンスの測定に加えて、計測区域における有効屈折率の変化を
測定することが本発明の分析方法のもう一つの特定の実施態様に特徴的である。
【００８８】 この変形が、有効屈折率の測定と横方向に分解されるルミネセンス計測との組
み合わせ方法として、たとえば、分析対象物としてリガンドの、一以上の計測区
域に固定化された受容体としての生物学的又は生化学的又は合成認識要素への結
合を有効屈折率の変化によって検出することを可能にし、前記リガンド−受容体
系の機能応答を前記計測区域からのルミネセンスの変化によって測定することを
可能にする。
【００８９】 前記受容体−リガンド系は、たとえば膜貫通受容体タンパク質であることがで
き、供給された試料中のリガンドが前記膜貫通受容体タンパク質に結合する。こ
の受容体−リガンド系の機能応答は、たとえば、ｐＨ又は／及びイオン濃度の局
所変化に通じるイオンチャネルの開放であることができる。このような局所変化
は、たとえば、ｐＨ依存性又は／及びイオン依存性のルミネセンス強さ及び／又
はスペクトル発光を示す発光染料によって検出することができる。
【００９０】 上記に開示した実施態様のいずれか記載の発明の分析方法は、抗体もしくは抗
原、受容体もしくはリガンド、キレート化剤もしくは「ヒスチジンタグ成分」、
オリゴヌクレオチド、ＤＮＡもしくはＲＮＡストランド、ＤＮＡもしくはＲＮＡ
類似体、酵素、酵素補因子もしくは阻害剤、レクチン及び炭水化物を含む群から
の一以上の分析対象物を同時又は順次に定量及び／又は定性するのに適している
。
【００９１】 試験する試料が、たとえば、水性溶液、たとえば特に緩衝剤溶液、天然の体液
、たとえば血液、血清、血漿、リンパ液もしくは尿又は卵黄又は光学的に濁った
液体又は組織流体又は表面水又は土壌又は植物抽出物又はバイオもしくは合成ブ
ロスであるか、生物学的組織断片又は細胞培養物もしくは細胞抽出物から採取さ
れるということが、本発明の方法に特徴的である。
【００９２】 本発明のもう一つの主題は、薬学的研究、コンビナトリアルケミストリー、臨
床及び臨床前開発におけるスクリーニング法での化学的、生化学的又は生物学的
分析対象物の測定のための定量的及び／又は定性的分析、アフィニティースクリ
ーニング及び研究における運動パラメータのリアルタイム結合研究及び測定、特
にＤＮＡ及びＲＮＡ分析のための分析対象物定性及び定量、毒性発生研究及び遺
伝子又はタンパク質発現プロフィールの決定ならびに医薬品研究開発、ヒト及び
動物の診断、農薬製品研究開発における抗体、抗原、病原体又はバクテリアの決
定、医薬品開発及び治療薬選択における患者層別化、食品及び環境分析における
病原体、有害薬剤及び細菌、特にサルモネラ、プリオン、ウイルス及びバクテリ
アの決定のための、本発明の導波板、本発明のセンサプラットフォーム及び本発
明の試料区画の配置構造によって形成される部品の群からの部品及び／又は本発
明の光学系及び／又は本発明の方法の使用である。
【００９３】例 以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
【００９４】例１：本発明の導波板の設計及び前記導波板との組み合わせによって形成される 試料区画の配置構造 本発明の導波板（図１、２は概略的であり、縮尺どおりではない）は、たとえ
ばSchott DESAG社のガラスＡＦ４５のガラス基板を含み、１０２mm×７２mmの
寸法及び厚さ０．７mmであり、厚さ１５０nmのＴａ2Ｏ5の導波層２を一面に担持
する。屈折率は製造方法に依存し、たとえば６３３nmでは２．１１である。Ｔａ 2 Ｏ5の他に、他の材料、特にＮｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2
−ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ＨｆＯxＮy、ＡｌＯxＮy 、ＴｉＯxＮy、ＭｇＦ2又はＣａＦ2が導波層に適している。
【００９５】 導波層２を担持する表面には、いくつかの結合格子ストリップ３が互いに対し
て平行かつ別個に配置され、導波板の全幅にわたって平行な線で延びている。各
結合格子ストリップ３の幅は０．５mmである。格子周期は∧＝３６０nmであり、
溝／平坦部の比は約１：１であり、格子深さは約２０nmである。格子を画定する
パラメータは、常に、結合格子ストリップの全長に沿って非常に正確に満たされ
る。それにより、下からガラス基板１を介して結合格子ストリップ３に向けられ
る光線が最大結合効率で導波層２に結合される結合角θの変化が非常に狭い限界
に維持される。結合格子ストリップ３の線に沿って、結合角は、０．０５゜/cm
（最大）以下しか変化しない。導波板全体で、記載した例で２．３１゜である結
合角の平均値からの偏差は０．１５゜未満である。
【００９６】 図３に見られ、図１で示したように、導波板は、たとえばプラスチックのハニ
カム形ヘッドピース４によって達成されて、たとえば工業規格プレートのフット
プリントを有する試料区画の配置構造を形成する。
【００９７】 特定の分子の濃度に関して空洞８の内容物を試験しなければならないならば、
導波板２の隣接する結合格子ストリップ３を、適切な光源からの光で、結合角θ
の下、主に公知の物質で、この例ではＨｅ−Ｎｅレーザから波長６３３nmの光で
照射する。空洞８のベース（底）を形成する導波層２の中を、この例では、本発
明の一般的態様を限定しないが、隣接する結合格子ストリップ３′に向けて誘導
され、そこで再び外結合される光が空洞８中の分子を励起して蛍光させ、それを
光学系９によって検出したのち、分析することができる。結合格子ストリップ３
の長手に沿って結合角θを保証することができる高い精度が、前記結合格子スト
リップに沿って配置された空洞の同時分析を効率よく可能にする。また、結合角
θは導波板２全体にわたって平均値をほとんど逸脱しないため、次の行の空洞８
を分析するために前記結合角の面倒な最適化は不要である。
【００９８】例２：本発明の導波管の特性決定 例１の導波板（Ｔａ2Ｏ5の導波層、６３３nmでの屈折率ｎ＝２．１１）を特性
決定する。導波板は、９６個の試料区画を図１の幾何学的配置（８行×１２列の
試料区画）で配置するためのベースプレートとして使用するために設計されてい
る。導波板の物理的性質を特性決定するためには、以下のパラメータを測定しな
ければならない。（ａ）結合角及び（ｂ）最大内結合の場合の共振角の半幅、（
ｃ）結合格子ストリップにおける最適な内結合のための横方向位置（ｘ位置）及
び（ｄ）その半幅、（ｅ）内結合効率、（ｆ）試料区画の領域の単位面積あたり
の散乱中心の数及び大きさ、（ｇ）試料区画の領域の励起光プロフィールの分析
、（ｈ）後で実施する分析対象物測定のためのルミネセンス計測の波長における
バックグラウンドルミネセンス。
【００９９】 この例では、励起光の投射ならびに隣接する行及び列の試料区画の計測位置か
ら出る計測光の測定の間隔は９mmである。
【０１００】 特性決定のための光学系 導波板の特性決定のためのパラメータを測定するための光学系は、６３５nm、
５３２nm及び４９２nmで発光する３個のレーザ又は代替励起光源としてレーザダ
イオードを含む。異なるレーザからの励起光を、レンズ、アパーチュア（ビーム
成形用）及びミラーの系によって導波板の結合格子に向ける。導波板に投射され
る全励起光強さ（Ｉ0）及び反射励起光の強さとすぐに外結合される励起光の強
さ（Ｉr、反射光に対して平行）との合計の測定のために結合角の正確な調節又
は励起光の偏向を可能にするため、光が導波板に当たる前の励起光路中の最後の
ミラーはゴニオメータ（この例では分解能０．０１゜）に取り付けられている。
導波板に対する励起光の投射の横方向位置の調節（ｘ：結合格子ストリップに対
して直角、ｙ：結合格子ストリップに対して平行）は、並進位置決め要素（この
例では分解能２０μm）によって導波板を動かすことによって実施される。
【０１０１】 最大内結合の調節は、導波層に内結合される光の伝播方向に関して次の結合格
子で外結合された光を計測するフォトダイオード（増幅器に接続）の信号を最大
限にすることによって達成される。その最適化の間、外結合される光の強さ（Ｉ out ）を、いずれもユーザが定めることができる調節範囲内及び可変分解能で、
フォトダイオードによって内結合角（導波板の法線に対する角度と定義される）
の関数として計測する。そして、これらの強さプロフィールから最大内結合の最
適値及び結合曲線（共振曲線）の半幅を決定する。
【０１０２】 相対的内結合効率（ｅ）の測定のためには、導波板の中を伝送される非回折光
の強さ（Ｉtr）、投射された励起の強さ（Ｉ0）及び反射光と内結合格子で外結
合された光（反射光に対して平行に外結合されるため反射光と区別できない）と
の和の強さ（Ｉr）を、較正したフォトダイオード（増幅器に接続）によって計
測する。内結合効率は、比（Ｉ0−Ｉtr−Ｉr）／Ｉ0として決定する。
【０１０３】 他の特性パラメータ（ｆ）〜（ｈ）の測定のためには、導波板の対象範囲から
出る光を、イメージングシステム（対物レンズの組み合わせ）によって横方向分
解検出器、たとえばカメラまたはＣＣＤチップに結像させる。パラメータ（ｆ）
及び（ｇ）の測定のための計測を実際の励起波長で再び実施し（必要ならば、光
の強さを減衰させるためにニュートラルフィルタを使用するが、スペクトル選択
性のフィルタは使用しない）、この計測光の収集のための光路中で回転可能なフ
ィルタホイールに取り付けられる適切な干渉フィルタを使用してバックグラウン
ドルミネセンス（ｈ）を測定する。
【０１０４】 （ｆ）散乱中心の数及び大きさの測定のためには、まず、全対象区域の信号強
さ（全画素からの）の平均値をイメージ（励起波長で記録）から決定する。それ
に関して、結合格子の領域又は結合格子に隣接する区域をこの平均化過程に考慮
しないよう注意しなければならず、当然、検出器に到達する反射を避けなければ
ならない。そして、平均値を中心とする統計的変動の上限（ユーザが決定可能、
たとえば平均値＋その標準偏差の１０倍）よりも有意に高いしきい強さを決定す
る。このしきい値を超えるすべての画素信号を散乱中心に起因するものとみなし
、（二次元）連続区域中のこれらの画素のどれくらいの数がこのしきい値（散乱
中心のサイズ）を超える信号を有するかの表を生成する。そして、散乱中心の完
全な分析を、散乱中心の数をそれらの大きさの関数として示すヒストグラムの形
で提供する。（ｇ）導波板の対象区域の励起光プロフィールの測定のためには、
導波板上の対応区域のストリップ状のイメージ部分に記録された画素値のライン
プロフィール（ｙ方向で、格子線に対して平行）を生成する。これらのラインプ
ロフィールに基づき、たとえば、異なる場所での結合格子の欠陥のせいで光内結
合が起こらないか減少するかどうか、又は、内結合され、誘導される光の伝播が
中断又は損なわれるか（ｘ方向のさらに先の場所で局所化した欠陥のせいで）を
決定することができる。計測される強さの均一性のしきい値（ｙ方向、たとえば
、計測した平均値からの変動又は相対偏差の量）を決定することができ、それを
超えた場合にはその導波板を廃棄する。
【０１０５】 上述したように、バックグラウンドルミネセンスは、対象の実際のルミネセン
ス波長に適切なスペクトルフィルタを使用して測定される。局所化された発光汚
染は、たとえば、散乱中心の分析と同様な方法で測定することができ、また、全
対象区域の分析に関連する全画素値の積分ルミネセンス強さを測定することもで
きる。好ましくは、計測した値を利用可能な励起光強さで修正し、参照して、匹
敵しうる導波板の間で経験的比較を可能にする。上述したすべてのパラメータの
場合と同様に、ここでもまた、しきい値を定義し、このしきい値を超える又は下
回るならば導波板を廃棄する。
【０１０６】 好ましくは、導波板の特性決定の全工程を完全に自動的に実施する、すなわち
コンピュータ制御する。たとえば、決定したパラメータの表及び場合によっては
グラフ表現を含むプロトコルを生成することが特に好ましい。好ましくは、特性
決定した導波板の等級付け及び分類をも自動化方法で実施する。
【０１０７】 結果 本発明の導波板の特性決定の部分的結果の一例として、６３５nm及び５３２nm
での励起に関して、結合格子ストリップ（カラム、８計測位置の平均）に沿って
測定した結合角の平均値及び結合格子ストリップ（カラム、カラムの最初の計測
位置と最後の計測位置との距離：６３mm）に沿って測定した最大偏差（△max-、
△max+）を以下の表にまとめる。
【０１０８】 すべての結合格子ストリップ（カラム）に沿って、両波長の結合角の変動は０
．１゜/cm未満であり、導波板全体で、平均値からの偏差は０．５゜未満である
。
【０１０９】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】 点線で示すヘッドピースと組み合わされて、この例では工業規格プレートのフ
ットプリントに合致する形状を有する試料区画の配置構造を形成する本発明の導
波板の平面図である。
【図２】 図１のII−II線から見た断面である。
【図３】 本発明の導波板又は前記導波板に基づくセンサプラットフォームを境界面とし
て有する試料区画の配置構造の一部の、前記導波板又は前記センサプラットフォ
ームに隣接する挿入を略示する。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 導波層 ３ 結合格子ストリップ ４ ヘッドピース ５ カバープレート ６ 開口 ７ 管部 ８ 空洞 ９ 光学部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/18 Ｇ０２Ｂ 5/18 6/122 6/12 Ａ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 マイゼンヘルダー，ベルント スイス国、ツェーハー−8006 チューリッ ヒ、シンドラースタイク １ (72)発明者 エドリンガー，ヨハネス オーストリア国、アー−6820 フラスタン ツ、レッツェシュトラーセ １ (72)発明者 ハイネ，クラウス スイス国、ツェーハー−7000 クール、ラ ーベンガッセ 10 Ｆターム(参考） 2G043 BA16 CA03 EA01 EA02 FA06 GA07 GB01 GB02 GB03 GB16 HA01 HA05 JA04 KA01 KA02 KA03 KA05 KA07 LA03 2H047 KA02 KA03 LA01 QA03 TA01 TA11 TA41 2H049 AA44 AA59 AA62 AA66

Claims (47)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導波層（２）を担持するプレート状ガラス基板（１）を有し
    、前記導波層（２）を担持する面に少なくとも一つの結合格子を有する導波板で
    あって、この結合格子が、１５０nm〜１０００nmの周期の線の格子として形成さ
    れており、前記格子の長さが、線が互いに平行な状態で少なくとも５cmであり、
    結合角（θ）が前記格子の線に沿って０．１゜/cm以下しか変動せず、前記導波
    板上の結合角（θ）の、所定の所望値からの偏差の絶対値が０．５゜を超えない
    導波板。
  2. 【請求項２】 前記線沿いの前記結合格子の長さが少なくとも１cmである、
    請求項１記載の導波板。
  3. 【請求項３】 結合角（θ）が前記線に沿って０．０５゜/cm以下しか変動
    しない、請求項１〜２のいずれか記載の導波板。
  4. 【請求項４】 導波板上の結合角（θ）の、その平均値からの偏差の絶対値
    が０．３゜を超えず、好ましくは０．１５゜を超えない、請求項１〜３のいずれ
    か記載の導波板。
  5. 【請求項５】 導波層（２）の屈折率が１．６５〜２．８である、請求項１
    〜４のいずれか記載の導波板。
  6. 【請求項６】 導波層（２）が、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、
    Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、Ｈｆ
    ＯxＮy、ＡｌＯxＮy、ＴｉＯxＮy、ＭｇＦ2又はＣａＦ2を含む、請求項１〜５の
    いずれか記載の導波板。
  7. 【請求項７】 導波層の厚さが５０nm〜２００nmである、請求項１〜６のい
    ずれか記載の導波板。
  8. 【請求項８】 溝／平坦部の比が０．３：１〜３：１、好ましくは０．７：
    １〜１．５：１である、請求項１〜７のいずれか記載の導波板。
  9. 【請求項９】 少なくとも一つの結合格子の格子深さが５nm〜７５nmである
    、請求項１〜８のいずれか記載の導波板。
  10. 【請求項１０】 少なくとも一つの結合格子が導波板の表面の一部しか覆わ
    ず、前記導波板の表面の残り部分が覆われていない、請求項１〜９のいずれか記
    載の導波板。
  11. 【請求項１１】 前記導波板が、前記導波板の本質的に全幅又は全長にわた
    って延びる互いに対して平行な線を有する結合格子ストリップ（３）として形成
    されている少なくとも一つの結合格子を有する、請求項１０記載の導波板。
  12. 【請求項１２】 いくつかの結合格子ストリップ（３）が互いに対して別個
    かつ平行に配置されている、請求項１１記載の導波板。
  13. 【請求項１３】 いくつかの結合格子が、互いに対して平行ではなく、たと
    えば垂直に配置されている、請求項１〜１１のいずれか記載の導波板。
  14. 【請求項１４】 二以上の結合格子が重畳している、請求項１〜１３のいず
    れか記載の導波板。
  15. 【請求項１５】 一以上の結合格子が多回折性である、請求項１〜１４のい
    ずれか記載の導波板。
  16. 【請求項１６】 結合格子が前記導波板の本質的に全面を覆う、請求項１〜
    １５のいずれか記載の導波板。
  17. 【請求項１７】 前記導波板に配置された結合格子が、一以上の光源からの
    励起光を導波層（２）に内結合する及び／又は導波層（２）中を誘導された光を
    外結合するように作動することができる、請求項１〜１６のいずれか記載の導波
    板。
  18. 【請求項１８】 一以上の分析対象物の特異的認識及び／又は結合及び／又
    は前記分析対象物との特異的相互作用のための生物学的又は生化学的又は合成認
    識要素が導波層（２）上に直接又は前記導波層（２）にさらに被着された付着促
    進層によって固定化されている、請求項１〜１７のいずれか記載の導波板を有す
    るセンサプラットフォーム。
  19. 【請求項１９】 多数の同種又は異なる生物学的又は生化学的又は合成認識
    要素が別個の計測区域の少なくとも一つの配列として導波層（２）上に直接又は
    前記導波層（２）にさらに被着された付着促進層によって固定化されている、請
    求項１８記載のセンサプラットフォーム。
  20. 【請求項２０】 前記導波層（２）にさらに被着された付着促進層が、厚さ
    ２００nm未満、好ましくは２０nm未満である、請求項１８〜１９のいずれか記載
    のセンサプラットフォーム。
  21. 【請求項２１】 導波層（２）にさらに被着された付着促進層が、好ましく
    は、シラン、官能化シラン、エポキシド、官能化、帯電又は極性ポリマー及び「
    自己組織化パッシブ又は官能化単分子層又は多分子層」を含む群からの化合物を
    含む、請求項１８〜２０のいずれか記載のセンサプラットフォーム。
  22. 【請求項２２】 前記生物学的又は生化学的又は合成認識要素として、核酸
    （たとえばＤＮＡ、ＲＮＡ、オリゴヌクレオチド）及び核酸類似体（たとえばＰ
    ＮＡ）、タンパク質、特にモノクロナール及びポリクロナール抗体、ペプチド、
    酵素、アプタマー、合成ペプチド構造、膜結合した、また膜から単離した可溶性
    のタンパク質、たとえば膜受容体、それらのリガンド、抗体に対する抗原、「ヒ
    スチジンタグ成分」及びそれらの錯形成相手、分子インプリントをホストするた
    めの、化学合成によって生成された空洞又は全細胞、細胞成分、細胞膜もしくは
    それらの断片によって形成される群からの成分が導波層（２）上に直接又は前記
    導波層（２）にさらに被着された付着促進層によって固定化されている、請求項
    １８〜２１のいずれか記載のセンサプラットフォーム。
  23. 【請求項２３】 分析対象物又は前記分析対象物のトレーサ化合物の非特異
    的結合の最小化のために、導波層（２）上又は導波層（２）にさらに被着された
    付着促進層に固定化された生物学的又は生化学的又は合成認識要素の間及び／又
    は横方向に分けられた計測区域の間の区域が「パシベート」され、好ましくは、
    アルブミン、特にウシ血清アルブミンもしくはヒト血清アルブミン、カゼイン、
    非特異的ポリクロナールもしくはモノクロナール、測定される分析対象物に対し
    て異質もしくは経験的に非特異的な抗体（特にイムノアッセイの場合）、洗浄剤
    、たとえばTween 20、合成もしくは天然脂質、分析されるポリヌクレオチドと
    ハイブリッド形成しない断片化された天然もしくは合成ＤＮＡ、たとえばニシン
    もしくはサケ精子の抽出物（特にポリヌクレオチドハイブリッド形成の場合）又
    は親水性ポリマー、たとえばポリエチレングリコールもしくはデキストランを含
    む群からの化合物を含む、分析対象物に対して「化学的に中性」である化合物が
    前記間欠区域に被着されている、請求項１８〜２２のいずれか記載のセンサプラ
    ットフォーム。
  24. 【請求項２４】 請求項１〜１２のいずれか記載の導波板又は請求項１３〜
    ２３のいずれか記載のセンサプラットフォームをベースプレートとして含み、前
    記ベースプレートと組み合わされるボディを、互いに対して流体的にシールされ
    る、それぞれ少なくとも一つの入口及び少なくとも一つの出口を有する一以上の
    フローセルを形成するための一以上の空間凹みがベースプレートと前記ボディと
    の間に形成されるような方法で含む、一以上の試料区画の配置構造。
  25. 【請求項２５】 請求項１〜１２のいずれか記載の導波板又は請求項１３〜
    ２２のいずれか記載のセンサプラットフォームをベースプレートとして含み、前
    記ベースプレートと組み合わされるボディを、互いに対して流体的にシールされ
    る、それぞれ少なくとも一つの入口及び少なくとも一つの出口を有するフローセ
    ルの配列を形成するための空間凹みの配列がベースプレートと前記ボディとの間
    に形成されるような方法で含む、請求項２４記載の試料区画の一次元又は二次元
    配列の配置構造。
  26. 【請求項２６】 形成されるフローセルの配列のフットプリントの形状を有
    する空間構造がベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォーム上に
    形成されている、請求項２４〜２５のいずれか記載の試料区画の配置構造。
  27. 【請求項２７】 ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォー
    ムと、前記ベースプレートと組み合わされる前記ボディとの間に空間凹みを形成
    するため、前記ボディ中に凹みが形成されている、請求項２４〜２６のいずれか
    記載の試料区画の配置構造。
  28. 【請求項２８】 フローセルの入口のピッチ（行及び／又は列としての幾何
    学的配置）が工業規格プレートのウェルのピッチ（幾何学的配置）に合致する、
    請求項２４〜２７のいずれか記載の試料区画の配置構造。
  29. 【請求項２９】 ベースプレートとしての導波板又はセンサプラットフォー
    ムと組み合わされるボディ及び場合によるさらなるカバートップの材料が、成形
    性、金型成形性又はロール練り性プラスチック、金属、ケイ酸塩、たとえばガラ
    ス、石英又はセラミックスの群から選択される、請求項２４〜２８のいずれか記
    載の試料区画の配置構造。
  30. 【請求項３０】 請求項１〜１７のいずれか記載の導波板又は請求項１８〜
    ２３のいずれか記載のセンサプラットフォーム又は請求項２４〜２９のいずれか
    記載の試料区画の配置構造によって形成される部品の群の部品によって多数の分
    析対象物を同時に定性化及び／又は定量化する方法であって、前記一以上の分析
    対象物に関して分析される一以上の液体試料を前記部品の一つの上の計測区域と
    接触させ、計測区域に向けて励起光を投射し、一以上の分析対象物と、前記計測
    区域に固定化された生物学的又は生化学的又は合成認識要素との結合又は前記分
    析対象物と前記固定化された認識要素との相互作用から生じる、（Ａ）計測区域
    から出る光及び（Ｂ）場合によっては、前記試料と接触させられた計測区域から
    の一以上のルミネセンスの少なくとも一つを計測し、前記ルミネセンスを導波層
    （２）の近場で発生させる方法。
  31. 【請求項３１】 励起光が本質的に単色であり、本質的に平行に投射される
    、請求項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】 導波層（２）中を誘導されるＴＥ0モード又はＴＭ0モード
    の励起のため、励起光を直線偏光状態で投射する、請求項３１記載の方法。
  33. 【請求項３３】 少なくとも一つの光源からの励起光をビーム拡大光学部品
    によって本質的に平行な光束に可能な限り均一に拡大し、一以上の計測区域に送
    る、請求項３０〜３２のいずれか記載の方法。
  34. 【請求項３４】 投射される励起光束の直径が少なくとも一つの方向で少な
    くとも２mm、好ましくは少なくとも１０mmである、請求項３３記載の方法。
  35. 【請求項３５】 少なくとも一つの光源からの励起光を、一つ又は光源がい
    くつかある場合には多数の回折光学要素、好ましくはDammann格子又は屈折光学
    要素、好ましくはマイクロレンズアレイにより、共通の光源から発される個々の
    ビームの可能な限り同じ強さの多数の個々のビームに分割し、その個々のビーム
    を、互いに対して本質的に平行に、横方向に分けられた計測区域に送る、請求項
    ３０〜３２のいずれか記載の方法。
  36. 【請求項３６】 等しい又は異なる発光波長の二以上のコヒーレント光源を
    励起光源として使用する、請求項３０〜３５のいずれか記載の方法。
  37. 【請求項３７】 計測区域の励起光を一以上の結合格子によって導波層（２
    ）に結合する、請求項３０〜３６のいずれか記載の方法。
  38. 【請求項３８】 （ａ）等方向に発されたルミネセンス又は（ｂ）導波層（
    ２）に内結合され、結合格子によって外結合されるルミネセンス又は両部分（ａ
    ）及び（ｂ）を含むルミネセンスを同時に計測する、請求項３０〜３７のいずれ
    か記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記ルミネセンスの生成のため、励起されることができ、
    ３００nm〜１１００nmの波長で発光する発光染料又は発光ナノ粒子をルミネセン
    ス標識として使用する、請求項３０〜３８のいずれか記載の方法。
  40. 【請求項４０】 ルミネセンス標識を、分析対象物に結合させるか、競合検
    定では、分析対象物類似体に結合させるか、多工程検定では、固定化された生物
    学的又は生化学的又は合成認識要素の結合相手の一つ又は生物学的又は生化学的
    又は合成認識要素に結合させる、請求項３９記載の方法。
  41. 【請求項４１】 第一のルミネセンス標識と同様な又は異なる励起波長及び
    同様な又は異なる発光波長の第二又はより多くのルミネセンス標識を使用する、
    請求項３９〜４０のいずれか記載の方法。
  42. 【請求項４２】 供与体として働く第一のルミネセンス標識から受容体とし
    て働く第二のルミネセンス標識への電荷移動又は光エネルギー移動を分析対象物
    測定に使用する、請求項４１記載の方法。
  43. 【請求項４３】 励起波長における一以上のルミネセンス及び／又は光信号
    の測定を偏光の選択性をもって決定し、好ましくは、一以上のルミネセンスを、
    励起光の偏光とは異なる偏光で計測する、請求項３０〜４２のいずれか記載の方
    法。
  44. 【請求項４４】 一以上のルミネセンスの測定に加えて、有効屈折率の変化
    を測定する、請求項３０〜４３のいずれか記載の方法。
  45. 【請求項４５】 抗体もしくは抗原、受容体もしくはリガンド、キレート化
    剤もしくは「ヒスチジンタグ成分」、オリゴヌクレオチド、ＤＮＡもしくはＲＮ
    Ａストランド、ＤＮＡもしくはＲＮＡ類似体、酵素、酵素補因子もしくは阻害剤
    、レクチン及び炭水化物を含む群からの一以上の分析対象物を同時又は順次に定
    量又は定性するための、請求項３０〜４４のいずれか１項記載の方法。
  46. 【請求項４６】 試験する試料が、たとえば、水性溶液、たとえば特に緩衝
    剤溶液、天然の体液、たとえば血液、血清、血漿、リンパ液もしくは尿又は卵黄
    又は光学的に濁った液体又は組織流体又は表面水又は土壌又は植物抽出物又はバ
    イオブロスもしくはプロセスブロスであるか、生物学的組織断片又は細胞培養物
    もしくは細胞抽出物から採取される、請求項３０〜４５のいずれか記載の方法。
  47. 【請求項４７】 薬学的研究、コンビナトリアルケミストリー、臨床及び臨
    床前開発におけるスクリーニング法での化学的、生化学的又は生物学的分析対象
    物の測定のための定量的及び／又は定性的分析、アフィニティースクリーニング
    及び研究における動的パラメータのリアルタイム結合研究及び測定、特にＤＮＡ
    及びＲＮＡ分析のための分析対象物定性及び定量、毒性発生研究及び遺伝子又は
    タンパク質発現プロフィールの決定ならびに医薬品研究開発、ヒト及び動物の診
    断、農薬製品研究開発における抗体、抗原、病原体又はバクテリアの決定、医薬
    品開発及び治療薬選択における患者層別化、食品及び環境分析における病原体、
    有害薬剤及び細菌、特にサルモネラ、プリオン、ウイルス及びバクテリアの決定
    のための、請求項１〜１７のいずれか記載の導波板、請求項１８〜２３のいずれ
    か記載のセンサプラットフォーム及び請求項２４〜２９のいずれか記載の試料区
    画の配置構造によって形成される部品の群からの部品及び／又は請求項３０〜４
    ６のいずれか記載の方法の使用。
JP2001555783A 2000-01-27 2001-01-25 導波板及びセンサプラットフォーム、試料区画の配置構造ならびに前記導波板に基づく分析対象物測定方法 Pending JP2003521684A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH20000160/00 2000-01-27
CH1602000 2000-01-27
PCT/EP2001/000782 WO2001055691A2 (de) 2000-01-27 2001-01-25 Wellenleiterplatte sowie darauf basierende sensorplattformen, anordnungen von probenbehältnissen und nachweisverfahren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003521684A true JP2003521684A (ja) 2003-07-15

Family

ID=4413835

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001555783A Pending JP2003521684A (ja) 2000-01-27 2001-01-25 導波板及びセンサプラットフォーム、試料区画の配置構造ならびに前記導波板に基づく分析対象物測定方法
JP2001555841A Pending JP2003521728A (ja) 2000-01-27 2001-01-26 格子構造を生成するためのプロセス、光学素子、エバネッセント場センサプレート、マイクロタイタプレート、通信技術用光結合器、および波長監視用装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001555841A Pending JP2003521728A (ja) 2000-01-27 2001-01-26 格子構造を生成するためのプロセス、光学素子、エバネッセント場センサプレート、マイクロタイタプレート、通信技術用光結合器、および波長監視用装置

Country Status (12)

Country Link
US (2) US6510263B1 (ja)
EP (3) EP1250582A2 (ja)
JP (2) JP2003521684A (ja)
KR (2) KR100966984B1 (ja)
CN (1) CN1295530C (ja)
AT (1) ATE307348T1 (ja)
AU (2) AU2001237339A1 (ja)
CA (1) CA2399651A1 (ja)
DK (1) DK1250618T3 (ja)
HK (1) HK1048663A1 (ja)
TW (1) TWI292856B (ja)
WO (2) WO2001055691A2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013524174A (ja) * 2010-06-11 2013-06-17 インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュート 単一分子検出装置
WO2016170890A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 グレーティングカプラ
US9482615B2 (en) 2010-03-15 2016-11-01 Industrial Technology Research Institute Single-molecule detection system and methods
US9778188B2 (en) 2009-03-11 2017-10-03 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method for detection and discrimination molecular object
JP7333828B2 (ja) 2019-04-28 2023-08-25 レイア、インコーポレイテッド 回折バックライトを製造する方法
US11982813B2 (en) 2020-03-11 2024-05-14 Magic Leap, Inc. Waveguides with high index materials and methods of fabrication thereof

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6510263B1 (en) * 2000-01-27 2003-01-21 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Waveguide plate and process for its production and microtitre plate
US6961490B2 (en) * 2000-01-27 2005-11-01 Unaxis-Balzers Aktiengesellschaft Waveguide plate and process for its production and microtitre plate
WO2001088511A1 (de) * 2000-05-06 2001-11-22 Zeptosens Ag Gitter-wellenleiter-struktur für multianalytbestimmungen und deren verwendung
US6917726B2 (en) * 2001-09-27 2005-07-12 Cornell Research Foundation, Inc. Zero-mode clad waveguides for performing spectroscopy with confined effective observation volumes
EP2275802A1 (de) 2000-08-09 2011-01-19 Artificial Sensing Instruments ASI AG Wellenleitergitterstruktur und optische Messanordnung
FR2818287B1 (fr) * 2000-12-14 2003-01-17 Commissariat Energie Atomique Support solide pour l'immobilisation d'oligonucleotides
US6903815B2 (en) * 2001-11-22 2005-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical waveguide sensor, device, system and method for glucose measurement
US7545494B2 (en) * 2003-07-23 2009-06-09 Bayer Technology Services Gmbh Analytical system and method for analyzing nonlinear optical signals
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US20050233092A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Method of controlling the uniformity of PECVD-deposited thin films
US7785672B2 (en) * 2004-04-20 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films
US20060005771A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
US8328939B2 (en) * 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US7102824B2 (en) 2004-05-13 2006-09-05 The Boeing Company Optical element for efficient sensing at large angles of incidence
AU2005296200B2 (en) * 2004-09-17 2011-07-14 Pacific Biosciences Of California, Inc. Apparatus and method for analysis of molecules
US7170050B2 (en) * 2004-09-17 2007-01-30 Pacific Biosciences Of California, Inc. Apparatus and methods for optical analysis of molecules
US7429410B2 (en) * 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
CA2605750A1 (en) 2005-04-26 2006-11-02 Bayer Technology Services Gmbh Novel apparatus and method for coating substrates for analyte detection by means of an affinity assay method
US20070056845A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Multiple zone sputtering target created through conductive and insulation bonding
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US7218802B1 (en) 2005-11-30 2007-05-15 Corning Incorporated Low drift planar waveguide grating sensor and method for manufacturing same
US20070172745A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Smith Bruce W Evanescent wave assist features for microlithography
US20070196863A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Hanson Technologies, Inc. Prion protein detection
US9528939B2 (en) 2006-03-10 2016-12-27 Indx Lifecare, Inc. Waveguide-based optical scanning systems
US8288157B2 (en) 2007-09-12 2012-10-16 Plc Diagnostics, Inc. Waveguide-based optical scanning systems
US9976192B2 (en) 2006-03-10 2018-05-22 Ldip, Llc Waveguide-based detection system with scanning light source
US9423397B2 (en) 2006-03-10 2016-08-23 Indx Lifecare, Inc. Waveguide-based detection system with scanning light source
FR2902226B1 (fr) * 2006-06-12 2010-01-29 Commissariat Energie Atomique Composant optique fonctionnant en transmission en champ proche
WO2008022097A2 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Api Nanofabrication And Research Corp. Methods for forming patterned structures
JP5933910B2 (ja) * 2006-08-15 2016-06-15 ポラリゼーション ソリューションズ エルエルシー 偏光子薄膜及びこの製作方法
US20080266549A1 (en) * 2007-04-26 2008-10-30 Ese Inc. Chemical Constituent Analyzer
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
JP2009157353A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Nitto Denko Corp 感知用導波路センサー
KR100919366B1 (ko) * 2007-12-28 2009-09-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US8371705B2 (en) * 2008-03-11 2013-02-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Mirrors and methods of making same
US20090231702A1 (en) 2008-03-17 2009-09-17 Qihong Wu Optical films and methods of making the same
CN104862383B (zh) 2008-03-28 2019-05-28 加利福尼亚太平洋生物科学股份有限公司 用于核酸测序的组合物和方法
DE102008016652B3 (de) * 2008-04-01 2009-10-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Erzeugung eines Laserstrahles
EP2110694B1 (en) 2008-04-18 2013-08-14 Sony DADC Austria AG Method for manufacturing an optical waveguide, optical waveguide, and sensor arrangement
US8097082B2 (en) * 2008-04-28 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber
GB2461026B (en) 2008-06-16 2011-03-09 Plc Diagnostics Inc System and method for nucleic acids sequencing by phased synthesis
KR100989130B1 (ko) 2008-08-19 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법
US11726332B2 (en) 2009-04-27 2023-08-15 Digilens Inc. Diffractive projection apparatus
JP5757535B2 (ja) 2009-04-29 2015-07-29 ピーエルシー ダイアグノスティクス， インコーポレイテッド 走査光源による導波管に基づく検出システム
CN101846621B (zh) * 2010-05-17 2011-09-28 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 无标泄漏模光纤消逝场生物传感器系统及光纤制作方法
WO2016020630A2 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Milan Momcilo Popovich Waveguide laser illuminator incorporating a despeckler
EP2618130A1 (en) 2012-01-17 2013-07-24 F. Hoffmann-La Roche AG Device for use in the detection of binding affinities
US9933684B2 (en) * 2012-11-16 2018-04-03 Rockwell Collins, Inc. Transparent waveguide display providing upper and lower fields of view having a specific light output aperture configuration
US9360618B2 (en) * 2013-02-21 2016-06-07 Ofs Fitel, Llc Index matched grating inscription
US10018566B2 (en) 2014-02-28 2018-07-10 Ldip, Llc Partially encapsulated waveguide based sensing chips, systems and methods of use
JP6411080B2 (ja) * 2014-06-06 2018-10-24 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 光学測定システム
US9618693B2 (en) * 2014-06-13 2017-04-11 Infineon Technologies Ag Liquid sensing systems and methods using a ring resonator sensor
US10241330B2 (en) 2014-09-19 2019-03-26 Digilens, Inc. Method and apparatus for generating input images for holographic waveguide displays
CN107873086B (zh) 2015-01-12 2020-03-20 迪吉伦斯公司 环境隔离的波导显示器
US9632226B2 (en) 2015-02-12 2017-04-25 Digilens Inc. Waveguide grating device
US11181479B2 (en) 2015-02-27 2021-11-23 Ldip, Llc Waveguide-based detection system with scanning light source
DE102015214414B4 (de) * 2015-07-29 2020-10-22 Berthold Technologies Gmbh & Co. Kg Verfahren und System zur Ermittlung biologischer Eigenschaften von Proben
TWI541493B (zh) * 2015-09-01 2016-07-11 國立交通大學 一種分光器及其光譜儀
US10690916B2 (en) 2015-10-05 2020-06-23 Digilens Inc. Apparatus for providing waveguide displays with two-dimensional pupil expansion
WO2018129398A1 (en) 2017-01-05 2018-07-12 Digilens, Inc. Wearable heads up displays
CN110885195A (zh) * 2018-09-10 2020-03-17 广州市辉乐医药科技有限公司 一种防激光眼镜的制造方法
US11131929B2 (en) 2018-11-07 2021-09-28 Waymo Llc Systems and methods that utilize angled photolithography for manufacturing light guide elements
WO2020168348A1 (en) 2019-02-15 2020-08-20 Digilens Inc. Methods and apparatuses for providing a holographic waveguide display using integrated gratings
JP2022524333A (ja) 2019-03-12 2022-05-02 マジック リープ， インコーポレイテッド パターン化されたリチウム系遷移金属酸化物を有するディスプレイデバイスを加工する方法
US20200386947A1 (en) 2019-06-07 2020-12-10 Digilens Inc. Waveguides Incorporating Transmissive and Reflective Gratings and Related Methods of Manufacturing
WO2021041949A1 (en) 2019-08-29 2021-03-04 Digilens Inc. Evacuating bragg gratings and methods of manufacturing
US11131934B2 (en) 2019-10-29 2021-09-28 Waymo Llc Non-telecentric light guide elements
KR102389546B1 (ko) * 2020-04-22 2022-04-22 삼성전자주식회사 노광 각도가 조절된 근접장 패터닝을 이용한 나노구조의 조절 및 제작
WO2021233877A1 (en) * 2020-05-18 2021-11-25 Interdigital Ce Patent Holdings, Sas High-uniformity high refractive index material transmissive and reflective diffraction gratings
US11828210B2 (en) 2020-08-20 2023-11-28 Denso International America, Inc. Diagnostic systems and methods of vehicles using olfaction
US11760170B2 (en) 2020-08-20 2023-09-19 Denso International America, Inc. Olfaction sensor preservation systems and methods
US11636870B2 (en) 2020-08-20 2023-04-25 Denso International America, Inc. Smoking cessation systems and methods
US11881093B2 (en) 2020-08-20 2024-01-23 Denso International America, Inc. Systems and methods for identifying smoking in vehicles
US11760169B2 (en) 2020-08-20 2023-09-19 Denso International America, Inc. Particulate control systems and methods for olfaction sensors
US11932080B2 (en) 2020-08-20 2024-03-19 Denso International America, Inc. Diagnostic and recirculation control systems and methods
US11813926B2 (en) 2020-08-20 2023-11-14 Denso International America, Inc. Binding agent and olfaction sensor
US20220197035A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Google Llc Spatial variance along waveguide incoupler
CN117222923A (zh) * 2021-04-30 2023-12-12 奇跃公司 薄照射层波导及其制造方法
CN113671692A (zh) * 2021-08-27 2021-11-19 北京润和微光科技有限公司 一种平顶光斑整形元件制备方法、元件和激光加工设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05346398A (ja) * 1990-05-03 1993-12-27 F Hoffmann La Roche Ag 化学物質のマイクロオプティカル検出方法
JPH06502012A (ja) * 1989-12-29 1994-03-03 バッテル・メモリアル・インスティチュート 薄膜分光センサー
JPH0627703B2 (ja) * 1985-05-29 1994-04-13 アーティフィシャル センシング インスツルメンツ エイエスアイ アクチェンゲゼルシャフト 物質の選択的検出および測定物質内の屈折率変化検知を行なう光学センサ
JPH08504955A (ja) * 1993-07-20 1996-05-28 バルツェルス アクチェンゲゼルシャフト 光バイオセンサーマトリックス
JPH0961346A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Nec Corp 平面光導波路型バイオケミカルセンサ
JPH10501616A (ja) * 1994-05-27 1998-02-10 ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト 漸減励起された発光を検出するための方法
JPH11500826A (ja) * 1995-02-23 1999-01-19 ユニバーシティー オブ ユタ リサーチ ファンデーション 固相結合アッセイのためのコンポジット・ウェーブガイド
JP2000504829A (ja) * 1996-02-08 2000-04-18 サーモ ファスト ユーケイ リミテッド 分析方法および分析装置
JP2003521728A (ja) * 2000-01-27 2003-07-15 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 格子構造を生成するためのプロセス、光学素子、エバネッセント場センサプレート、マイクロタイタプレート、通信技術用光結合器、および波長監視用装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60241287A (ja) * 1984-05-16 1985-11-30 Nec Corp 高密度格子パタ−ンの製作方法
JPS61156003A (ja) 1984-12-27 1986-07-15 Sharp Corp 回折格子の製造方法
US5004673A (en) 1987-04-20 1991-04-02 Environmental Research Institute Of Michigan Method of manufacturing surface relief patterns of variable cross-sectional geometry
JPH0196605A (ja) * 1987-10-08 1989-04-14 Nec Corp 波長多重分波素子
JPH02262366A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Canon Inc 光検出装置および光検出器を備えた半導体レーザ
DE59207306D1 (de) 1991-04-12 1996-11-14 Balzers Hochvakuum Verfahren und Anlage zur Beschichtung mindestens eines Gegenstandes
EP0513755A3 (en) * 1991-05-14 1994-05-18 Canon Kk A method for producing a diffraction grating
DE4228853C2 (de) 1991-09-18 1993-10-21 Schott Glaswerke Optischer Wellenleiter mit einem planaren oder nur geringfügig gewölbten Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung eines solchen
JP2738623B2 (ja) 1992-04-23 1998-04-08 三菱電機株式会社 回折格子の形成方法
US5413884A (en) * 1992-12-14 1995-05-09 American Telephone And Telegraph Company Grating fabrication using electron beam lithography
CH686747A5 (de) 1993-04-01 1996-06-14 Balzers Hochvakuum Optisches Schichtmaterial.
CH688165A5 (de) * 1993-07-26 1997-05-30 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleiters und darnach hergestellter optischer Wellenleiter
JPH0743511A (ja) * 1993-08-02 1995-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回折格子の製造方法および光波長変換素子の製造方法
US5501925A (en) * 1994-05-27 1996-03-26 Litel Instruments High power masks and methods for manufacturing same
JPH0844042A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Olympus Optical Co Ltd 透過率変調型フォトマスク及びその製造方法及びそれを用いた光学素子の製造方法
CH693368A5 (de) * 1994-12-09 2003-06-30 Unaxis Balzers Ag Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters, Lichtleiterbauteil sowie deren Verwendungen.
US5759744A (en) 1995-02-24 1998-06-02 University Of New Mexico Methods and apparatus for lithography of sparse arrays of sub-micrometer features
JP2924707B2 (ja) * 1995-04-13 1999-07-26 日本電気株式会社 光導波路型蛍光免疫センサとその製造方法
WO1996036892A1 (en) * 1995-05-19 1996-11-21 Cornell Research Foundation, Inc. Cascaded self-induced holography
GB2302599B (en) * 1995-06-20 1998-08-26 Northern Telecom Ltd Forming Bragg gratings in photosensitive optical waveguides
JP3022300B2 (ja) * 1996-02-19 2000-03-15 日立電線株式会社 グレーティングが形成された光デバイス及びそれを用いたＡｄｄ／Ｄｒｏｐフィルタ
US5786116A (en) * 1997-02-14 1998-07-28 Micron Technology, Inc. Atom lithographic mask having diffraction grating aligned with primary mask pattern
US20020028390A1 (en) * 1997-09-22 2002-03-07 Mohammad A. Mazed Techniques for fabricating and packaging multi-wavelength semiconductor laser array devices (chips) and their applications in system architectures
US5982963A (en) 1997-12-15 1999-11-09 University Of Southern California Tunable nonlinearly chirped grating
US6013396A (en) * 1998-10-30 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Fabrication of chrome/phase grating phase shift mask by interferometric lithography

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627703B2 (ja) * 1985-05-29 1994-04-13 アーティフィシャル センシング インスツルメンツ エイエスアイ アクチェンゲゼルシャフト 物質の選択的検出および測定物質内の屈折率変化検知を行なう光学センサ
JPH06502012A (ja) * 1989-12-29 1994-03-03 バッテル・メモリアル・インスティチュート 薄膜分光センサー
JPH05346398A (ja) * 1990-05-03 1993-12-27 F Hoffmann La Roche Ag 化学物質のマイクロオプティカル検出方法
JPH08504955A (ja) * 1993-07-20 1996-05-28 バルツェルス アクチェンゲゼルシャフト 光バイオセンサーマトリックス
JPH10501616A (ja) * 1994-05-27 1998-02-10 ノバルティス アクチエンゲゼルシャフト 漸減励起された発光を検出するための方法
JPH11500826A (ja) * 1995-02-23 1999-01-19 ユニバーシティー オブ ユタ リサーチ ファンデーション 固相結合アッセイのためのコンポジット・ウェーブガイド
JPH0961346A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Nec Corp 平面光導波路型バイオケミカルセンサ
JP2000504829A (ja) * 1996-02-08 2000-04-18 サーモ ファスト ユーケイ リミテッド 分析方法および分析装置
JP2003521728A (ja) * 2000-01-27 2003-07-15 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 格子構造を生成するためのプロセス、光学素子、エバネッセント場センサプレート、マイクロタイタプレート、通信技術用光結合器、および波長監視用装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9778188B2 (en) 2009-03-11 2017-10-03 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method for detection and discrimination molecular object
US10996166B2 (en) 2009-03-11 2021-05-04 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method for detection and discrimination molecular object
US9482615B2 (en) 2010-03-15 2016-11-01 Industrial Technology Research Institute Single-molecule detection system and methods
US9777321B2 (en) 2010-03-15 2017-10-03 Industrial Technology Research Institute Single molecule detection system and methods
JP2013524174A (ja) * 2010-06-11 2013-06-17 インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュート 単一分子検出装置
JP2016065878A (ja) * 2010-06-11 2016-04-28 インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュートＩｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ 単一分子検出装置
US9995683B2 (en) 2010-06-11 2018-06-12 Industrial Technology Research Institute Apparatus for single-molecule detection
WO2016170890A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 グレーティングカプラ
JPWO2016170890A1 (ja) * 2015-04-24 2018-02-15 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 グレーティングカプラ
JP7333828B2 (ja) 2019-04-28 2023-08-25 レイア、インコーポレイテッド 回折バックライトを製造する方法
US11982813B2 (en) 2020-03-11 2024-05-14 Magic Leap, Inc. Waveguides with high index materials and methods of fabrication thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001055691A2 (de) 2001-08-02
EP1605288A1 (de) 2005-12-14
CA2399651A1 (en) 2001-08-02
EP1250618A1 (de) 2002-10-23
AU2001237339A1 (en) 2001-08-07
KR20020073511A (ko) 2002-09-26
KR100966984B1 (ko) 2010-06-30
WO2001055691A3 (de) 2002-03-14
JP2003521728A (ja) 2003-07-15
EP1250618B1 (de) 2005-10-19
CN1295530C (zh) 2007-01-17
KR100809802B1 (ko) 2008-03-04
DK1250618T3 (da) 2006-03-06
US6873764B2 (en) 2005-03-29
KR20070118191A (ko) 2007-12-13
US6510263B1 (en) 2003-01-21
AU782096B2 (en) 2005-06-30
HK1048663A1 (zh) 2003-04-11
AU2660801A (en) 2001-08-07
WO2001055760A1 (de) 2001-08-02
ATE307348T1 (de) 2005-11-15
CN1419658A (zh) 2003-05-21
EP1250582A2 (de) 2002-10-23
US20030091284A1 (en) 2003-05-15
TWI292856B (en) 2008-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003521684A (ja) 導波板及びセンサプラットフォーム、試料区画の配置構造ならびに前記導波板に基づく分析対象物測定方法
US7645612B2 (en) Kit and method for multi-analyte determination
US7215850B2 (en) Waveguide plate and process for its production and microtitre plate
US7927868B2 (en) Device and method for determining multiple analytes
JP2003533692A (ja) 多重分析対象物測定及びその使用のための格子導波路構造
US7879598B2 (en) Multianalyte determination system and methods
CN100397068C (zh) 传感器平台、装有该平台的装置以及使用该平台的方法
US20040046128A1 (en) Sensor platform and method for the determination of multiple analytes
US7955837B2 (en) Process for determining one or more analytes in samples of biological origin having complex composition, and use thereof
JP2004530125A5 (ja)
US20040166508A1 (en) Analytical platform and detection method with the analytes to be determined in a sample as immobilized specific binding partners, optionally after fractionation of said sample
US20040052489A1 (en) Optical structure for multi-photon excitation and the use thereof
JP2004510130A5 (ja)
JP2003527580A (ja) フローセル配列及び多重分析対象物測定のためのその利用
JP2003531372A (ja) 励起フィールドを強化するための格子導波路構造及びその使用
JP2007526460A5 (ja)
US20050163659A1 (en) Kit for assay development and serial analysis
JP2005537486A (ja) 分析対象物が試料中で固定化された特異的結合パートナーとして測定される分析プラットフォーム及び検出法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080122

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110105

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110323

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110330

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110712