JP2003514061A - 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 - Google Patents
誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用Info
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Abstract
Description
さらに本発明は水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘
電体層を研摩する方法に関する。
イスから構成される。互いに初めに分離される能動デバイスは相互接続されて機
能的な回路およびコンポーネントを形成する。デバイスは多層配線(multilevel
interconnections)の使用により相互接続される。 相互接続構造はメタライ
ゼーション(metallization)の第1層、相互接続層、第2レベルのメタライゼ
ーション、および時には第3およびつづくレベルのメタライゼーションを有する
のが通常である。ドープされたもしくはドープされない二酸化ケイ素(SiO2 ),または低−κ誘電体窒化タンタルのような層間絶縁膜(interlevel dielect
rics)(ILD)がシリコン基板もしくはウェルにおける異なるレベルのメタラ
イゼーションを電気的に分離するのに用いられる。
、配線された層及び層間絶縁膜は集積回路を形成するために構成される。層が構
成されるとともに、余分な材料は除去され、そして基板表面は化学的機械研摩(
CMP)法を用いて平坦化される。典型的な化学的機械研摩法において、基板は
回転する研摩パッドと直接に接触して配置される。キャリアは基板の裏側に対し
て圧力を加える。研摩プロセスの間に、パッドおよびテーブルは回転されるが、
下方への力は基体裏面に対して維持される。砥粒および化学的に反応性の溶液が
研摩中にパッドに付着される。
。研摩プロセスは、スラリーが水/パッド界面に供給されるので、基板に対して
パッドを回転運動させることにより促進される。研摩は、絶縁体上の所望の膜が
除去されるまで、このように継続される。
深く選ぶことにより、研摩用組成物は所望の研摩速度で選択された層に有効な研
摩を付与するように適合されうるが、表面の不完全さ、欠陥および腐食、ならび
に隣の層の浸食を最小化する。
いったん付着されると、誘電体層は平坦でないのが通常であり、平坦な誘電体表
面を得るために研摩用組成物を用いて研摩されなければならない。選ばれる研摩
用組成物は欠陥がほとんどなく平坦化された誘電体表面を形成しうることが重要
である。さらに、選ばれる研摩用組成物は効率的にくりかえして誘電体層を研摩
しうることも重要である。現在のILDスラリーは約10〜30wt%の砥粒を含
有する安定化された研摩スラリーであるのが通常である。安定化イオンはカリウ
ムもしくはアンモニアであるのが通常であり、スラリーは通常8より大きいpH
を有する。カリウムスラリーの短所はカリウムからのイオン汚染物であり、そこ
では汚染イオンは可動イオンであり、そしてゲート領域を移行し、トランジスタ
のしきい値電圧を低下させることによりデバイス信頼性に有害に影響する。加え
て、カリウムを分散されたシリカの特徴である不完全さのレベルがある。
の問題を解決する。しかし、アンモニアは強い臭いを有する。加えて、アンモニ
アはあまり効率的ではなく平坦化し、高いレベルの不完全さで研摩し、そしてカ
リウムスラリーに比べて低速度で研摩する。
研摩された誘電体層を得ることのできる改良された研摩用組成物についての必要
性が残っている。
0wt%の少なくとも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物であ
る。
、および約0.1〜2.0wt%のCsOHを含有する化学的機械研摩用組成物で
ある。
ならびに約0.01〜約5.0wt%のCs+塩基性塩からなり、約0.25μm
より小さいゲート幅を有する集積回路を研摩することができる化学的機械研摩用
組成物である。
層を平坦化する方法である。研摩は水およびCsOHを含有する研摩用組成物を
調製することにより達成される。ついで、研摩用組成物は平坦化される基体表面
もしくは研摩パッドに付着される。研摩パッドは平坦化されるシリコン含有基体
層の表面と接触され、そしてパッドは平坦化されるシリコン含有基体表面に関し
て移動される。砥粒は研摩を容易にするために研摩用組成物と一緒に使用される
。砥粒は研摩パッドに組合わされてもよいし、または砥粒はスラリーが基材もし
くは研摩パッドに付着される前に化学的機械研摩を与えるために研摩用組成物に
添加されてもよい。
塩を含有する化学的機械研摩用組成物に関する。さらに本発明は、Cs+塩基性
塩を含有する研摩用組成物を用いて集積回路を関連する誘電体層を研摩する方法
に関する。
定化スラリーに比べて予想外の性能向上を示す。セシウムイオンはカリウムおよ
びナトリウムイオンより低い移動性を有する。しかも、セシウムイオン含有研摩
用組成物はアンモニアスラリーよりも高速度で研摩し、アンモニア安定化スラリ
ーのような悪臭を有さない。しかも、セシウムイオン含有研摩用組成物はカリウ
ム、ナトリウムおよびアンモニア安定化スラリーに比べて、欠陥の点では低い欠
陥で、そして最も驚くべきことに改良された平坦化効率で研摩する。半導体ウェ
ハが十分に平坦化されたかどうかを測定する重要な要因は、平坦化につづく処理
ウェハ表面に残る欠陥の数である。1つの種類の欠陥は「ピット」(”pit”)(
くぼみ)、すなわちウェハ表面の望ましくない沈下として産業において知られて
いる。もう1つの欠陥は「ディッグ」(”dig”)(掘り)もしくは「スキッド
」(”skid”)(すべり)として産業において知られ、互いに近接する一連の望
ましくない粗いひっかき傷を示す。もう1つの種類の欠陥は基板を清浄にし得な
い残留スラリー粒子である。欠陥の数および種類はレーザー光散乱を含む、この
分野で認められた方法を用いて測定され得る。一般に、欠陥の数を最小にするの
が望ましい。
塩の例は、ギ酸セシウム、酢酸セシウム、水酸化セシウム、炭酸セシウム、炭酸
水素セシウム、フッ化セシウム、塩化セシウム、ヨウ化セシウム、およびそれら
の混合物を含むが、それらに限定されない。好適なCs+塩基性塩は水酸化セシ
ウム(CsOH)である。
作用するので、本発明の研摩用組成物の重要な成分である。さらに、セシウムイ
オンは、アンモニウムもしくはカリウムイオンと同じ深さには誘電体層に浸透せ
ず、ほとんど汚染物を有しないでそして、均一な誘電特性を有する誘電体層を生
じさせる。結果全体はILD研摩効率、欠陥性における予想外の改良および誘電
体層純度における改良である。
組成物である。好適には、塩基性セシウム塩は約0.1〜約2.0wt%の範囲の
量で本発明の水性研摩用組成物中に存在する。
して好ましくは約9.0より大きくあるべきである。
いる前に少なくとも1つの砥粒を配合されうる。砥粒は水性化学的機械研摩スラ
リーを形成するために水性研摩用組成物に添加されうる。あるいは、砥粒は研摩
パッドの製造の間に、または、製造に続いて研摩パッドに配合されうる。砥粒が
研摩パッドに一緒にされるとき、水性研摩用組成物は研摩される基材に付着され
得、または研摩パッドに直接に付着され得、研摩パッドにおける砥粒および水性
研摩用組成物は基材を研摩するために一致して作用する。
あるのが通常である。有用な金属酸化物砥粒は、アルミナ、チタニア、ジルコニ
ア、ゲルマニア、シリカ、セリアおよびそれらの混合物を含む群から選ばれうる
。本発明組成物はヒュームド砥粒と一緒に用いられるのが好適である。
フュ−ムド金属酸化物はたとえば、フュ−ムドアルミナ、フュ−ムドシリカ、フ
ュ−ムドチタニア、フュ−ムドセリア、フュ−ムドジルコニアおよびフュ−ムド
マグネシアを含む。好適には本発明組成物のフュ−ムド金属酸化物はフュ−ムド
シリカである。
、セリア、ジルコニアおよびマグネシアを含む金属酸化物から選ばれる第2の砥
粒と一緒にされうる。さらに、組成物での使用に適するのは米国特許第5,23
0,833号(Rombergerら)により調製されるコロイダル砥粒(縮重
合された砥粒)、ならびにAkzo−Nobel Brindzil 50/8
0製品およびNalco 1050、2327、および2329製品、そして他
の類似製品のような、種々の商業的に入手しうる製品である。好適には、本発明
の組成物および方法において有用な第2の砥粒はSi(OH)4を縮合してコロ
イダルシリカ粒子を形成することにより通常、調製されるコロイダルシリカ(縮
重合されたシリカ)である。
とも1つの金属酸化物砥粒を含むのが通常である。しかし、本発明の化学的機械
研摩スラリーは約1.0〜約30wt%の金属酸化物砥粒を含むのが好適であり、
そして最も好ましくは約5.0〜約25.0wt%の金属酸化物砥粒を含む。砥粒
の混合物が使用されるとき、本発明の組成物に使用される砥粒は約25〜約65
%のフュ−ムド砥粒、そして好ましくは約40〜約75%のフュ−ムドシリカお
よびコロイダルシリカを有するコロイダル砥粒であるのが好ましい。
されうる。一切を含めたものではない任意の添加剤のリストは、無機酸、有機酸
、界面活性剤、アルキルアンモニウム塩もしくは水酸化物、および分散剤、追加
の砥粒、酸化剤、錯化剤、膜形成剤等を含む。
的ラビング(研摩)に供することにより上述の組成物で研摩される。ラビングは
組成物もしくは研摩パッドにおいて砥石により助けられる表面の機械的平滑化も
しくは摩耗をもたらし、そして存在するとき砥石に添加される成分により促進さ
れ誘電体層を含む成分を化学的に攻撃し溶解する化学的機械的研摩スラリーを得
る。このように研摩は専ら機械的メカニズムにより、または化学的および機械的
メカニズムの組合わせにより達成されうる。
定められた圧縮力下で誘電体層を研摩パッドと接触させることにより都合よく作
用される。パッドと表面の間で得られる動的摩擦はディスク表面の所望の摩耗お
よび平滑化を生じさせる。相対的運動はディスク表面およびパッドのいずれかも
しくは両方の回転により達成されるのが好ましい。エレクトロニクス産業におい
てガラスもしくはウェハを研摩するのに用いられる商業的に入手しうる研摩パッ
ドが使用されうる。これらのパッドはポリウレタンフォーム、またはフェルト、
ラテックス充填フェルト、緻密ポリウレタン、もしくはラテックスのような基板
で任意に支持された焼結ウレタン樹脂のようなミクロポアポリマーにより構成さ
れるのが通常である。
摩用組成物に配合され得、または研摩パッドに配合されうる。それぞれの場合、
化学的機械組成物もしくはスラリーは研摩される基板表面に、研摩パッドに、も
しくは研摩プロセスの間の両方に付着されうる。
に二酸化ケイ素誘電体層を高い効率で研摩することができることを驚くべきこと
に見出した。特に、本発明の研摩用組成物はシリコン含有基板層、および特に二
酸化ケイ素誘電体層を少なくとも50%のオープンフィールド効率で研摩するこ
とができる。加えて、本発明の研摩用組成物はシリコン含有基板層、そして特に
二酸化ケイ素誘電体層を少なくとも85%のアレイフィールド効率で研摩するこ
とができる。
小さいデバイス形状を有する集積回路層を研摩することができるのが知られてい
る第1の研摩用組成物であることも本発明者は見出した。デバイス形状(”devi
ce geometries”)という用語は平均ゲート幅をいう。
ハの略図である。明快さのために、ドープされた領域、能動デバイス、エピタキ
シャル層、キャリアおよびフィールド酸化物層のような周知の特徴である。予め
堆積された相互接続および予め堆積された誘電体膜は省略されている。基礎10
は単結晶シリコン、カリウムヒ素、およびこの分野で公知である他の半導体材料
のような半導体材料を示すが、それらに限定されない。
、金属導体ブロック)である。金属相互接続ブロック20は、たとえば、アルミ
ニウム、銅、アルミ二ウム銅合金、タングステン、ポリシリコン等で製造されう
る。金属相互接続ブロック20はこの分野で知られている典型的な方法で製造さ
れうる。絶縁層30は金属相互接続ブロック20の頂部およびさらされた基礎部
分10’にわたって付着される。絶縁層30は二酸化ケイ素、BPSG(ホウリ
ン酸シリケートガラス)、PSG(リンケイ酸塩ガラス)、またはそれらの組合
わせのような金属酸化物であるのが通常である。得られる絶縁層30は形状を有
するが所望のような「平面」および/または「均一」頂部表面32を有すること
が多い。
でありうる前に、所望の程度の平坦化および/または均一性を得るために絶縁層
30の頂部表面32を研摩する必要があるのが通常である。要求される平坦度の
特定の程度は多くの要因に依存し、個々のウェハおよび意図される用途、ならび
にウェハが供される次の処理段階の性質を含む。簡単のために、この出願の残り
の部分にわたって、このプロセスが「平坦化」もしくは「研摩」として言及され
る。
結果、絶縁層30の研摩された表面34は、十分に平坦であるべきであり、その
結果、つづくフォトリソグラフィーが新しい回路デザインを創り出すのに用いら
れるとき、重要な寸法の特徴が解明されうる。ダイ金属ブロックもしくはデバイ
ス(アレイ)内で密度が変わることが注目されるべきである。通常、絶縁層の希
薄な領域36は密な領域38よりも高速で研摩する。図1および2において、希
薄な領域36は分離された金属ブロック40の上方に位置され、そして比較的密
な領域は密に詰め込まれた金属相互接続ブロック20、20’および20”にわ
たって位置される。ダイを有する平坦な不均一性はWIDNU(ダイ内の不均一
性)(within die non-uniformity)といわれる。
わち、ゲート幅)が約0.25μmより小さくなるにつれて、劇的に減少した。
不均一性を最小にする1つの方法は形状を取除くスラリーおよびプロセスを開発
することであり、非常に効率的に絶縁層を含むが、最小限のフィールド損失、す
なわち希薄領域での絶縁層の損失、しか有さない。このように希薄な領域をゆっ
くりと研摩するスラリーおよび研摩プロセスはもっと厳重なWIDNU許容を達
成するのを可能にする。2つの要因はこれらをもっと厳重なWIDNU許容にさ
せる。両方の要因はもっと小さくて、もっと高速のコンピューターチップに関す
る。第1の要因はフォトリソグラフィー段階の間に焦点深さの考慮である。デバ
イスは0.25μm以下に減少するので、ステッパーの開口はもっと小さく、焦
点の深さ許容をもっと浅くし、そして絶縁層厚さを全体的な平坦等により均一に
もっと重要にする。加えて、いくつかの最先端のチップにおける実施速度を制限
するのは後端の相互接続におけるRC時間遅れである。RC時間遅れを制御し、
ダイを横切って得られる時計速度を一定に維持するために、誘電体絶縁層の改良
された均一性が必要とされる。
う1つの方法である浅いトレンチ分離(STI)は集積回路においてトランジス
タと他のデバイスを分離するためのIC製造における処理段階である。STIは
改良された最小の分離空間、ラッチアップ(latchup)および接合(junction)
キャパシタンスにより他の分離構成に優越する。図3は直接STI研摩のための
本発明による組成物および方法での使用に適した代表的な半導体ウェハの略図で
ある。直接STI研摩において密度の効果も重要である。トレンチ(溝)は通常
単結晶シリコンである半導体基礎80でエッチングされる。硬いマスク窒化ケイ
素60はトレンチのエッチングの前にシリコン上に堆積される。ついでトレンチ
は二酸化ケイ素絶縁層70で充填される。再び、構成は緻密および希薄領域を含
む。中間誘電体研摩と異なり、STIの目標は、窒化ケイ素が十分にさらされ、
そして二酸化ケイ素のみがトレンチに残ることである。図4において、WIDN
Uの潜在的に有害な効果は、窒化ケイ素60の上の「ストッピング」(”stoppi
ng”)の代わりに、窒化ケイ素が露出したシリコン62をさらすために除去され
る場合を示される。この破滅的な破損は分離した形態64の隅の摩耗により生じ
るのが通常である。STI研摩における密度効果を低滅する1つの方法はフィー
ルド領域への高選択性を有するスラリーを用いることである。形状は高速で除去
され、高程度のWIDNUを有する「平坦な」(”planar”)表面を残す。次の
研摩は窒化ケイ素90を突破し、窒化ケイ素を薄くするのを最小にする。
厳重な平坦化仕様を達成するのに有用である。 例1 この例は高い効率および低い欠陥度でシリコン含有基板を研摩するために種々
の水酸化物組成を含む研摩用組成物の能力を評価した。
Corporationにより製造されたCAB−O−SPERCE(登録商標
)SC−Eフュ−ムドシリカを含んでいた。スラリーはスラリーpHを10.8
に増加させるために各スラリーに十分な量の各塩基(CsOHもしくはKOH)
を添加することによりCsOHもしくはKOHで安定化された。研摩用組成物は
試験ウェハを平坦化するために用いられた。試験ウェハは、アルミニウムのライ
ンがシリコン基板上に創り出されるMITデザインマスクの試験パターンであっ
た。ウェハは約9000オングストロームの段差高さで(step hight)を有して
いた。パターンは100〜8%の範囲の系統的に変動する密度を有する250μ
mラインピッチであり、そこで100%は100%積層(stack)領域を意味し
、そして25%は、ラインが十分に厚くて、25%が積層領域、そして75%が
フィールド領域であることを意味する。
およびアレイフィールド(array field)−から行なわれ、そして測定は効率計
算に用いられた。アレイフィールド測定は積層領域にきわめて接近して行なわれ
た。幅広いオープン(もしくは希薄な)領域は実際の研摩でもっと問題であるの
が通常であるので、本発明者は最大オープンフィールド領域もしくは8%領域に
おけるフィールドを測定し、その測定値からオープンフィールドを計算すること
によりスラリー研摩効率も評価した。
.5psi、背圧3psi、プラテン速度37rpm、キャリア速度24rpm
、およびスラリー流速220ml/分を用いて研摩された。ウェハ60、90、
120および150秒間、研摩された。研摩データ(段差高さ、積層厚さ、フィ
ールド厚さ)は固定された研摩間隔(60、90、120および150秒)で各
ウェハのために集められた。
プロフィロメータにより直接測定され得、または段差高さはTencor Su
rfscan UV 1050により測定され、そして次の式により計算される
。
%平坦化が達成される(すなわち、段差高さが450Åに減少される)時間を測
定するために適した研摩曲線に沿ってデータを挿入することによりデータに適合
する。平坦化効率(εp)は次の式: εp=1−Δフィールド厚さ/Δ積層厚さ を用いて研摩間隔のそれぞれで計算される。
に適合する。効率曲線を得て、95%平坦化が達成される時間を確認することに
より、95%平坦化に達するのに要する時間での効率が算出される。オープンフ
ィールド効率およびアレイフィールド効率を計算する手順は同一である。オープ
ンフィールド効率について、フィールド厚さ測定は8%密度領域である。アレイ
フィールド効率について、フィールド厚さ測定は52%密度領域である。
に示される。
る研摩用組成物よりもはるかに高いオープンフィールドおよびアレイフィールド
効率でシリコン含有基板を研摩することを示す。特に、水酸化セリウムを含有す
る研摩用組成物はもっと低いフィールド損失、改良されたオープンフィールド効
率および改良されたアレイフィールド効率でシリコン含有基板を研摩する。
よび他の消耗品およびスラリーに依存する。この出願のために、「オープンフィ
ールド効率」および「アレイフィールド効率」という用語は、上述のような研摩
パラメータで、IPEC472研摩機作動を用いて測定され、上述のように計算
された研摩効率をいう。 例2 この例において、CsOH、KOHおよびNH4OHを含む研摩スラリーの平
坦化速度が評価された。各スラリーはCabot Corp.により製造された
CAB−O−SPERSE(登録商標)SC−Eフュ−ムドシリカを含んで、試
験された。スラリーはスラリーpHを10.8に増加させるために各スラリーに
十分な量の各塩基を添加することによりCsOH,KOHもしくはNH4OHで
安定された。各スラリーは例1に示される方法により例1に示されるウェハを研
摩するのに用いられた。
およびKOHスラリーの平坦化速度はNH4OHを含有するスラリーより優れて
いる。図6によればCsOHを含有するスラリーはKOHもしくはNH4OHを
含有するスラリーよりももっと効率的にシリコン基板を平坦化する。もっと大き
い効率が、KOHおよびNH4OHスラリーに比較してCsOHスラリーについ
ての同一の段差高さに対するデルタフィールドの改良にみられる。 例3 この例は商業的に利用しうる研摩スラリーの平坦化速度を評価した。2つのス
ラリーが試験された。第1のスラリーはD7000であり、KOHで安定化され
た10.5wt%フュ−ムドシリカ分散体であった。第2のスラリーはKleb
sol 30N50であり、Clariantにより製造された30wt%アン
モニア安定化コロイダルシリカであった。各スラリーは例に示される研摩方法に
より例1に示されウェハを研摩するのに用いられた。
の側面切り取り略図。
面を切り取った略図。
およびNH4OH(D)スラリーについての時間対段差高さのプロット。プロッ
トにおける「研摩時間」の用語は、基板が研摩される時間/秒をいう。プロット
における「段差高さ」の用語は集積回路の作製時の形状の高い点から低い点まで
の距離をいう。デバイスが組立てられるにつれて、表面形状は形成され、つづく
薄膜堆積により固定化される。段差高さはオングストロームで測定されるのが通
常である。
段差高さのプロット。
Claims (26)
- 【請求項1】 フュ−ムド砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%の少なく
とも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項2】 フュ−ムド砥粒がフュ−ムドアルミナである請求項1記載の
化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項3】 フュ−ムド砥粒が約1〜約50wt%のフュ−ムドシリカであ
る請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項4】 第2の砥粒を含む請求項1記載の化学的機械研研摩用組成物
。 - 【請求項5】 第2の砥粒がコロイダルシリカである請求項4記載の化学的
機械研摩用組成物。 - 【請求項6】 研摩用組成物が少なくとも50%のオープンフィールド効率
でシリコン含有基板を平坦化する請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項7】 研磨用組成物が少なくとも85%のアレイフィールド効率で
シリコン含有基板を平坦化する請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項8】 約1〜約20wt%のフュ−ムドシリカを含む請求項1記載の
化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項9】 Cs+塩基性塩がCsOHである請求項1記載の化学的機械
研摩用組成物。 - 【請求項10】 Cs+塩基性塩がCsOHである請求項9記載の化学的機
械研摩用組成物。 - 【請求項11】 約1〜約25wt%のフュ−ムドシリカおよび約0.1〜約
2.0wt%のCsOHを含む化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項12】 約1〜約50%の金属酸化物砥粒ならびに約0.01〜約
5.0wt%のCs+塩基性塩からなり、約0.25μmより小さいゲート幅を有
する集積回路を研摩することができる化学的機械研摩用組成物。 - 【請求項13】 Cs+塩基性塩がCsOHである請求項12記載の化学的
機械研摩用組成物。 - 【請求項14】 (a)水および少なくとも1つのCs+塩基性塩を含む研
摩用組成物を調製すること; (b)研摩用組成物を平坦化される基板表面に付着させること; (c)研摩パッドを、平坦化されるシリコン含有基板表面と接触させること;
ならびに (d)平坦化されるシリコン含有基板表面に関してパッドを移動させ、砥粒は
研摩用組成物とともに使用されること、の段階を含む、研摩パッドでシリコン含
有基板を平坦化する方法。 - 【請求項15】 砥粒が化学的機械研摩用組成物に添加され、その後に化学
的機械研摩用組成物が平坦化される基板の表面に付着される請求項14記載の方
法。 - 【請求項16】 砥粒が研摩パッドに配合される請求項14記載の方法。
- 【請求項17】 研摩組成物が少なくとも50%のオープンフィールド効率
でシリコン含有誘電体層を研摩する請求項14記載の方法。 - 【請求項18】 研摩用組成物が少なくとも85%のアレイフィールド効率
でシリコン含有誘電体層を研摩する請求項14記載の方法。 - 【請求項19】 基板が約0.25μmよりも小さいゲート幅を有する集積
回路を含むウェハである請求項14記載の方法。 - 【請求項20】 シリコン含有基板層が二酸化ケイ素である請求項14記載
の方法。 - 【請求項21】 研摩用組成物のCs+塩基性塩がCsOHである請求項1
4記載の方法。 - 【請求項22】 研摩用組成物が約0.01〜約5.0wt%のCsOHを含
有する請求項21記載の方法。 - 【請求項23】 砥粒がフュ−ムドシリカである請求項14記載の方法。
- 【請求項24】 (a)水ならびに約0.1〜約2.0wt%のCsOHを含
む研摩用組成物を調製すること; (b)その研摩用組成物を平坦化される基板表面に付着させること; (c)研摩パッドを二酸化ケイ素誘電層表面と接触させること;ならびに (d)二酸化ケイ素誘電体層に関してパッドを移動させ、そこではフュ−ムド
シリカ砥粒が、研摩用組成物とともに用いられ、そして研摩用組成物が、少なく
とも50%のオープンフィールド効率および少なくとも85%のアレイフィール
ド効率でシリコン含有誘電体層を研摩すること、 の段階を含む、0.25μmより小さい幅を有する少なくとも1つのゲートを持
つ集積回路を含むウェハの二酸化ケイ素誘電体層を、研摩パッドを用いて平坦化
する方法。 - 【請求項25】 フュ−ムドシリカが化学的機械研摩用組成物に添加され、
その後に化学的機械研摩用組成物が平坦化される基板表面に付着される請求項2
4記載の方法。 - 【請求項26】 フュ−ムドシリカが研摩パッドに配合される請求項24記
載の方法。
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