JP2015147938A - 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 - Google Patents
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- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 51
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title description 55
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 148
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 101
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 9
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical class [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 Cesium ions Chemical class 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 2
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M caesium acetate Chemical compound [Cs+].CC([O-])=O ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZMCUDHNSHCRDBT-UHFFFAOYSA-M caesium bicarbonate Chemical compound [Cs+].OC([O-])=O ZMCUDHNSHCRDBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATZQZZAXOPPAAQ-UHFFFAOYSA-M caesium formate Chemical compound [Cs+].[O-]C=O ATZQZZAXOPPAAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 159000000006 cesium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%の少なくとも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約1〜約50wt%のフュ−ムドシリカ、および約0.1〜2.0wt%のCsOHを含有する化学的機械研摩用組成物である。
【選択図】なし
Description
発明の分野
本発明は砥粒および水酸化セシウムを含む化学的機械研摩用組成物に関する。さらに本発明は水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法に関する。
集積回路はシリコン基板内もしくは上に形成される多数の能動(active)デバイスから構成される。互いに初めに分離されている能動デバイスは相互接続されて機能的な回路およびコンポーネントを形成する。デバイスは多層配線(multilevel interconnections)の使用により相互接続される。相互接続構造はメタライゼーション(metallization)の第1層、相互接続層、第2レベルのメタライゼーション、および時には第3およびつづくレベルのメタライゼーションを有するのが通常である。ドープされたもしくはドープされない二酸化ケイ素(SiO2)、または低−κ誘電体窒化タンタルのような層間絶縁膜(interlevel dielectrics)(ILD)がシリコン基板もしくはウェルにおける異なるレベルのメタライゼーションを電気的に分離するのに用いられる。
1つの態様において、本発明は、フュ−ムド砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%の少なくとも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物である。
本発明は砥粒、および水酸化セシウムのような少なくとも1つのCs+塩基性塩を含有する化学的機械研摩用組成物に関する。さらに本発明は、Cs+塩基性塩を含有する研摩用組成物を用いて集積回路が結合された誘電体層を研摩する方法に関する。
例1
この例は高い効率および低い欠陥度でシリコン含有基板を研摩するために種々の水酸化物組成を含む研摩用組成物の能力を評価した。
プロットは各スラリーについてなされ、段差高さ対時間を示す。曲線は、95%平坦化が達成される(すなわち、段差高さが450Åに減少される)時間を測定するために適した研摩曲線に沿ってデータを挿入することによりデータに適合する。平坦化効率(εp)は次の式:
εp=1−Δフィールド厚さ/Δ積層厚さ
を用いて研摩間隔のそれぞれで計算される。
例2
この例において、CsOH、KOHおよびNH4OHを含む研摩スラリーの平坦化速度が評価された。各スラリーはCabot Corp.により製造された12質量%のCAB−O−SPERSE(登録商標)SC−Eフュ−ムドシリカを含んで、試験された。スラリーはスラリーpHを10.8に増加させるために各スラリーに十分な量の各塩基を添加することによりCsOH,KOHもしくはNH4OHで安定された。各スラリーは例1に示される方法により例1に示されるウェハを研摩するのに用いられた。
例3
この例は商業的に利用しうる研摩スラリーの平坦化速度を評価した。2つのスラリーが試験された。第1のスラリーはD7000であり、KOHで安定化された10.5wt%フュ−ムドシリカ分散体であった。第2のスラリーはKlebsol 30N50であり、Clariantにより製造された30wt%アンモニア安定化コロイダルシリカであった。各スラリーは例に示される研摩方法により例1に示されウェハを研摩するのに用いられた。
図1は、本発明の組成物および方法を用いて平坦化するのに適した半導体ウェハの部分の側面切り取り略図。
図2は、研摩後の表1に示されるウェハを示す図。
図3は、本発明の組成物および方法を用いて浅いトレンチ分離に適した半導体部分の側面を切り取った略図。
図4は、不十分な平坦化により生じる欠陥を含む図3のウェハ。
図5は、例2に示される方法により試験されたCsOH(AおよびB)、KOH(C)およびNH4OH(D)スラリーについての時間対段差高さのプロット。プロットにおける「研摩時間」の用語は、基板が研摩される時間/秒をいう。プロットにおける「段差高さ」の用語は集積回路の作製時の形状の高い点から低い点までの距離をいう。デバイスが組立てられるにつれて、表面形状は形成され、つづく薄膜堆積により固定化される。段差高さはオングストロームで測定されるのが通常である。
図6は、例2に示される方法により試験されるスラリーについてのデルタフィールド対段差高さのプロット。
Claims (26)
- フュ−ムド砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%の少なくとも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。
- フュ−ムド砥粒がフュ−ムドアルミナである請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。
- フュ−ムド砥粒が約1〜約50wt%のフュ−ムドシリカである請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。
- 第2の砥粒を含む請求項1記載の化学的機械研研摩用組成物。
- 第2の砥粒がコロイダルシリカである請求項4記載の化学的機械研摩用組成物。
- 研摩用組成物が少なくとも50%のオープンフィールド効率でシリコン含有基板を平坦化する請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。
- 研磨用組成物が少なくとも85%のアレイフィールド効率でシリコン含有基板を平坦化する請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。
- 約1〜約20wt%のフュ−ムドシリカを含む請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。
- Cs+塩基性塩がCsOHである請求項1記載の化学的機械研摩用組成物。
- Cs+塩基性塩がCsOHである請求項9記載の化学的機械研摩用組成物。
- 約1〜約25wt%のフュ−ムドシリカおよび約0.1〜約2.0wt%のCsOHを含む化学的機械研摩用組成物。
- 約1〜約50%の金属酸化物砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%のCs+塩基性塩からなり、約0.25μmより小さいゲート幅を有する集積回路を研摩することができる化学的機械研摩用組成物。
- Cs+塩基性塩がCsOHである請求項12記載の化学的機械研摩用組成物。
- (a)水および少なくとも1つのCs+塩基性塩を含む研摩用組成物を調製すること;
(b)研摩用組成物を平坦化される基板表面に付着させること;
(c)研摩パッドを、平坦化されるシリコン含有基板表面と接触させること;
ならびに
(d)平坦化されるシリコン含有基板表面に関してパッドを移動させ、砥粒は研摩用組成物とともに使用されること、の段階を含む、研摩パッドでシリコン含有基板を平坦化する方法。 - 砥粒が化学的機械研摩用組成物に添加され、その後に化学的機械研摩用組成物が平坦化される基板の表面に付着される請求項14記載の方法。
- 砥粒が研摩パッドに配合される請求項14記載の方法。
- 研摩組成物が少なくとも50%のオープンフィールド効率でシリコン含有誘電体層を研摩する請求項14記載の方法。
- 研摩用組成物が少なくとも85%のアレイフィールド効率でシリコン含有誘電体層を研摩する請求項14記載の方法。
- 基板が約0.25μmよりも小さいゲート幅を有する集積回路を含むウェハである請求項14記載の方法。
- シリコン含有基板層が二酸化ケイ素である請求項14記載の方法。
- 研摩用組成物のCs+塩基性塩がCsOHである請求項14記載の方法。
- 研摩用組成物が約0.01〜約5.0wt%のCsOHを含有する請求項21記載の方法。
- 砥粒がフュ−ムドシリカである請求項14記載の方法。
- (a)水ならびに約0.1〜約2.0wt%のCsOHを含む研摩用組成物を調製すること;
(b)その研摩用組成物を平坦化される基板表面に付着させること;
(c)研摩パッドを二酸化ケイ素誘電層表面と接触させること;ならびに
(d)二酸化ケイ素誘電体層に関してパッドを移動させ、そこではフュ−ムドシリカ砥粒が、研摩用組成物とともに用いられ、そして研摩用組成物が、少なくとも50%のオープンフィールド効率および少なくとも85%のアレイフィールド効率でシリコン含有誘電体層を研摩すること、
の段階を含む、0.25μmより小さい幅を有する少なくとも1つのゲートを持つ集積回路を含むウェハの二酸化ケイ素誘電体層を、研摩パッドを用いて平坦化する方法。 - フュ−ムドシリカが化学的機械研摩用組成物に添加され、その後に化学的機械研摩用組成物が平坦化される基板表面に付着される請求項24記載の方法。
- フュ−ムドシリカが研摩パッドに配合される請求項24記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/428,965 | 1999-11-04 | ||
US09/428,965 US6350393B2 (en) | 1999-11-04 | 1999-11-04 | Use of CsOH in a dielectric CMP slurry |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012096848A Division JP2012156550A (ja) | 1999-11-04 | 2012-04-20 | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015147938A true JP2015147938A (ja) | 2015-08-20 |
JP6030703B2 JP6030703B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=23701170
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001535478A Withdrawn JP2003514061A (ja) | 1999-11-04 | 2000-10-31 | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 |
JP2012096848A Withdrawn JP2012156550A (ja) | 1999-11-04 | 2012-04-20 | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 |
JP2015094245A Expired - Fee Related JP6030703B2 (ja) | 1999-11-04 | 2015-05-01 | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001535478A Withdrawn JP2003514061A (ja) | 1999-11-04 | 2000-10-31 | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 |
JP2012096848A Withdrawn JP2012156550A (ja) | 1999-11-04 | 2012-04-20 | 誘電性CMPスラリーにおけるCsOHの使用 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6350393B2 (ja) |
EP (1) | EP1234010B1 (ja) |
JP (3) | JP2003514061A (ja) |
KR (1) | KR20020077343A (ja) |
CN (1) | CN1220742C (ja) |
AT (1) | ATE263224T1 (ja) |
AU (1) | AU3639001A (ja) |
DE (1) | DE60009546T2 (ja) |
HK (1) | HK1048826A1 (ja) |
TW (1) | TW554022B (ja) |
WO (1) | WO2001032793A2 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10063491A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-06-27 | Bayer Ag | Saure Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von SiO¶2¶-Isolationsschichten |
US7638346B2 (en) | 2001-12-24 | 2009-12-29 | Crystal Is, Inc. | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
US20060005763A1 (en) | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US8545629B2 (en) | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US7677956B2 (en) | 2002-05-10 | 2010-03-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for dielectric CMP |
KR100526092B1 (ko) * | 2002-10-15 | 2005-11-08 | 주식회사 네패스 | 실리콘 웨이퍼용 에지연마 조성물 |
US7071105B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
US7964005B2 (en) * | 2003-04-10 | 2011-06-21 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Copper CMP slurry composition |
US7186653B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
US20050279733A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-22 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition for improved oxide removal rate |
US7524347B2 (en) * | 2004-10-28 | 2009-04-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition comprising surfactant |
WO2006073156A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Nitta Haas Incorporated | 研磨用スラリー |
US7351662B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-04-01 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Composition and associated method for catalyzing removal rates of dielectric films during chemical mechanical planarization |
US20060288929A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-28 | Crystal Is, Inc. | Polar surface preparation of nitride substrates |
WO2007038399A2 (en) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Metal cations for initiating chemical mechanical polishing |
EP1960570A2 (en) * | 2005-11-28 | 2008-08-27 | Crystal Is, Inc. | Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them |
CN101331249B (zh) * | 2005-12-02 | 2012-12-19 | 晶体公司 | 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法 |
EP2918708B1 (en) | 2006-03-30 | 2019-10-30 | Crystal Is, Inc. | Method for annealing of aluminium nitride wafer |
US9034103B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-05-19 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them |
US20080020680A1 (en) * | 2006-07-24 | 2008-01-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Rate-enhanced CMP compositions for dielectric films |
US7678700B2 (en) * | 2006-09-05 | 2010-03-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers |
US20100022171A1 (en) * | 2006-10-16 | 2010-01-28 | Nevin Naguib | Glass polishing compositions and methods |
WO2008088838A1 (en) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
US9771666B2 (en) | 2007-01-17 | 2017-09-26 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
JP5730484B2 (ja) | 2007-01-26 | 2015-06-10 | クリスタル アイエス インコーポレイテッド | 厚みのある擬似格子整合型の窒化物エピタキシャル層 |
US8080833B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-12-20 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
US8088220B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-01-03 | Crystal Is, Inc. | Deep-eutectic melt growth of nitride crystals |
US7922926B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-04-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing nickel-phosphorous-coated aluminum hard disks |
US8754021B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-amine post-CMP composition and method of use |
CN105951177B (zh) | 2010-06-30 | 2018-11-02 | 晶体公司 | 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长 |
US8962359B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-02-24 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices |
EP2768920A4 (en) * | 2011-10-21 | 2015-06-03 | Advanced Tech Materials | AMIN FREE POST-KMP COMPOSITION AND METHOD OF USE THEREOF |
US9039914B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-05-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks |
CN108511567A (zh) | 2013-03-15 | 2018-09-07 | 晶体公司 | 与赝配电子和光电器件的平面接触 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09316431A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Showa Kiyabotsuto Super Metal Kk | 研磨用スラリー |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4150171A (en) | 1976-03-30 | 1979-04-17 | Surface Technology, Inc. | Electroless plating |
US4440670A (en) | 1982-09-30 | 1984-04-03 | Exxon Research And Engineering Co. | Method of synthesizing high surface area unagglomerated noble metal pyrochlore compounds |
JP2625002B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1997-06-25 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | ウェハーのファイン研磨用組成物 |
EP0322721B1 (en) * | 1987-12-29 | 1993-10-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fine polishing composition for wafers |
US5352277A (en) | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
JP2714411B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1998-02-16 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
US5129982A (en) | 1991-03-15 | 1992-07-14 | General Motors Corporation | Selective electrochemical etching |
US5525191A (en) * | 1994-07-25 | 1996-06-11 | Motorola, Inc. | Process for polishing a semiconductor substrate |
US5714418A (en) * | 1995-11-08 | 1998-02-03 | Intel Corporation | Diffusion barrier for electrical interconnects in an integrated circuit |
EP0779655A3 (en) * | 1995-12-14 | 1997-07-16 | International Business Machines Corporation | A method of chemically-mechanically polishing an electronic component |
EP0786504A3 (en) * | 1996-01-29 | 1998-05-20 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
US5769689A (en) * | 1996-02-28 | 1998-06-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing silica, silicates, and silicon nitride |
-
1999
- 1999-11-04 US US09/428,965 patent/US6350393B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-31 WO PCT/US2000/041707 patent/WO2001032793A2/en active IP Right Grant
- 2000-10-31 EP EP00991904A patent/EP1234010B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-31 AT AT00991904T patent/ATE263224T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-10-31 CN CNB008151466A patent/CN1220742C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-31 AU AU36390/01A patent/AU3639001A/en not_active Abandoned
- 2000-10-31 JP JP2001535478A patent/JP2003514061A/ja not_active Withdrawn
- 2000-10-31 KR KR1020027005704A patent/KR20020077343A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-31 DE DE60009546T patent/DE60009546T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-05 TW TW089123290A patent/TW554022B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-06 HK HK03100847.2A patent/HK1048826A1/zh unknown
-
2012
- 2012-04-20 JP JP2012096848A patent/JP2012156550A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-05-01 JP JP2015094245A patent/JP6030703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09316431A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Showa Kiyabotsuto Super Metal Kk | 研磨用スラリー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1220742C (zh) | 2005-09-28 |
EP1234010A2 (en) | 2002-08-28 |
US6350393B2 (en) | 2002-02-26 |
JP2012156550A (ja) | 2012-08-16 |
DE60009546D1 (de) | 2004-05-06 |
TW554022B (en) | 2003-09-21 |
WO2001032793A2 (en) | 2001-05-10 |
HK1048826A1 (zh) | 2003-04-17 |
WO2001032793A8 (en) | 2001-10-04 |
JP2003514061A (ja) | 2003-04-15 |
US20010051433A1 (en) | 2001-12-13 |
EP1234010B1 (en) | 2004-03-31 |
AU3639001A (en) | 2001-05-14 |
DE60009546T2 (de) | 2005-02-03 |
WO2001032793A3 (en) | 2001-08-02 |
KR20020077343A (ko) | 2002-10-11 |
JP6030703B2 (ja) | 2016-11-24 |
CN1387556A (zh) | 2002-12-25 |
ATE263224T1 (de) | 2004-04-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150515 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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