JP2003505903A - マイクロ波増幅器のリニアライザ - Google Patents
マイクロ波増幅器のリニアライザInfo
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- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3276—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using the nonlinearity inherent to components, e.g. a diode
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Abstract
Description
ダに応用される。
減少し、一般には、増幅ステージが所定の効率で動作する飽和パワーより低い。
この結果、送信信号に歪が発生し、符号間干渉が発生する。これはパスバンドが
高密度で使用されているので問題となり、通信分野では重要な対象である。この
歪は温度に対し安定でないという欠点も有する。
の共通の目的は、増幅器の非直線性を修正することにより、増幅ステージのゲイ
ンを、装置の動作条件に対応する温度範囲で、パスバンド全体にわたって、飽和
パワーに近い一定にすることにある。
号の振幅/位相パラメータを測定して、その結果から、リニアな出力信号を得る
ために入力信号に印加するべき修正値を演算する(例えばUSP4291277
、USP5598127、USP5422598、USP5469114、US
P5524285、USP5722056)。フィードバックループでの遅れの
ため、これらの装置は100MHz以上のパスバンドでは使用できない。
デジタル処理技術が信号の振幅、位相又はパルス成分に適用される(例えば、U
SP5760646、USP5877653、USP5886573)。これら
の装置は複素デジタル処理技術と送信される波形に整合する特別な回路の使用を
前提とする。半導体技術が数GHz以上の周波数では限界があるので、これらの
技術は現在では実用的でない。
ージに入力する前に、入力パワーと共に増加して増幅ステージと対称な歪を補償
するゲイン歪を与えるものである。
6177、USP5291148、USP5523716、USP557666
0、USP5736898も同様である)。
10)は、2つのカップラ回路(21,24)の間にもうけられる2つの同じシ
ョットキーダイオード(22,23)からなるセパレータ(20)に印加される
。ダイオードのパラメータの選択により、低振幅信号は圧縮パス(30)に通過
し、高振幅信号は拡張パス(40)に反射する。後者は入力カップラのひとつの
ブランチに接続され増幅器(50)に与えられる。圧縮パスと拡張パスは再結合
して、結合カップラ(80)により増幅ステージ(90)の入力に与えられる。
パス30と40は位相制御装置(60,70)を有する。
。しかし、実際にはダイオードの製造誤差と動作パラメータの誤差のため理論的
長所は得られない。さらに、セパレータ装置が2つのダイオードの平衡動作条件
から偏移すると、反射信号の反射係数が入力パワーにより変動して入力信号に妨
害を与える。
レベルに従って選択的に反射動作をするセパレータ(20A)とを有し、該セパ
レータは入力信号の圧縮パス(30)への前方給電及び拡張パス(40)への反
射を行い、これら2つのパスの出力がコンバイナ カップラ(80)により結合
して増幅ステージに印加される、RF又はマイクロ波増幅ステージ用リニアライ
ザ装置において、前記セパレータが、入力ポート(21B)を装置の前記入力(
10)に結果するサーキュレータ(21A)を有し、該サーキュレータの入力/
出力ポートに結合して単一のレベル依存の選択的反射手段(22)がもうけられ
、該反射手段の出力に前記パスの一方が接続され、前記サーキュレータの出力ポ
ート(21D)が他方のパスに接続されるリニアライザ装置にある。
される位相制御回路及び振幅制御回路を有する。
徴を有する。
示す。先行の図と同様に、入力信号(10)はセパレータ(20A)に印加され
る。このセパレータ20Aは、従来のセパレータ(20)が4つの素子(21,
22,23,24)をもつのに対し、2つのみの素子、つまりサーキュレータ(
21A)とショットキーダイオード(22)を有する。
ードが整合する入力信号レベルはリニアライザ増幅ステージの動作パラメータの
関数として選択される。低パワー信号に対しては、ショットキーダイオードはキ
ャパシタとして動作する。整合技術は、当業者に周知のように、このキャパシタ
に2つのインダクタを付加することにより達成される。インダクタの値はこの回
路の等価インピーダンスを与える周知の公式を解くことにより選択される。イン
ダクタはワイヤのみで構成してもよい。
作し、信号はサーキュレータ(21A)に向かって反射される。サーキュレータ
は入力ポート(21B)と、入力/出力ポート(21C)と出力ポート(21D
)とを有する。マイクロ波技術で周知のごとく、サーキュレータは反射信号と入
力信号の優れた分離を補償する、従って、信号は、入力信号を妨害することなく
、拡張パス(40)に伝送される。
幅回路と置換してもよい(又は両方をもうけてもよい)。いずれの場合も2つの
パスの分離の効果が増大する。
、位相変動を増幅ステージの特性の関数として調節することが可能である。増幅
ステージが進行波管のときは、装置の出力に進み位相を提供するように調節され
る。増幅ステージが半導体装置のときは装置の出力に遅れ位相を提供するように
提供される。これら2つの回路の製造誤差が小さいときは、調節はひとつの同じ
タイプの増幅ステージ毎にシミュレートすることもでき、工場でのチューニング
は不要である。
出力信号(90)は増幅ステージに印加される。
縮パスと拡張パスに発生する信号のベクトルの再結合の様子を示す。この図は進
み位相に対応する。図3.1、3.2、3.3は、圧縮パス(100)と拡張パ
ス(200)の信号の信号(300)への再結合の3つの場合を示す。信号(2
00)のレベルは入力信号と共に増加する。出力信号(300)は比例以上に増
加する。
図4.3は増幅ステージの出力信号である。図4.2はリニアライザが無い場合
の増幅ステージの出力信号である。図4.1はゲイン(Ps/Pe)が入力パワ
ー(Pe)と共に増加することを示す。図4.2はゲインが減少することを示し
、図4.3は増幅ステージの動作条件に対応して入力パワーの広い範囲にわたっ
て一定のゲインを示す。
ョットキーダイオードは使用周波数によって薄膜上又は厚膜アルミニウム基板上
のマイクロ波回路のベアチップと置換可能で、又は、安価なプリント基板上のS
MC(Surface Mounted Component)のパッケージと
することができる。
果を有する他のリミッタ素子を使用することができる。
いるが、他の周波数帯での応用も可能である。
子を示す。
アライザ装置が無いときの増幅ステージの出力パワー、及び本発明によるリニア
ライザ装置を有する増幅ステージの出力パワーを示す。
Claims (8)
- 【請求項1】 入力(10)と、これに接続されレベルに従って選択的に反
射動作をするセパレータ(20A)とを有し、該セパレータは入力信号の圧縮パ
ス(30)への前方給電及び拡張パス(40)への反射を行い、これら2つのパ
スの出力がコンバイナ カップラ(80)により結合して増幅ステージに印加さ
れる、RF又はマイクロ波増幅ステージ用リニアライザ装置において、 前記セパレータが、 入力ポート(21B)を装置の前記入力(10)に結果するサーキュレータ(
21A)を有し、 該サーキュレータの入力/出力ポートに結合して単一のレベル依存の選択的反
射手段(22)がもうけられ、 該反射手段の出力に前記パスの一方が接続され、 前記サーキュレータの出力ポート(21D)が他方のパスに接続されることを
特徴とする、リニアライザ装置。 - 【請求項2】 前記の単一のレベル依存の選択的反射手段(22)がリミッ
タタイプである請求項1記載のリニアライザ装置。 - 【請求項3】 前記の単一のレベル依存の選択的反射手段(22)はシャン
ト接続のショットキーダイオードである請求項1又は2記載のリニアライザ装置
。 - 【請求項4】 前記2つのパスの一方に選択された位相補償法則の関数に従
って調節される位相制御回路(60)がもうけられる、請求項1−3のひとつに
記載のリニアライザ装置。 - 【請求項5】 前記圧縮パス(30)に可変アッテネータ回路(50A)が
もうけられる請求項1−4のひとつに記載のリニアライザ装置。 - 【請求項6】 前記拡張パス(40)に可変ゲイン増幅回路がもうけられる
請求項1−5のひとつに記載のリニアライザ装置。 - 【請求項7】 前記圧縮パス(30)と拡張パス(40)がほぼ同じRF線
長を有する請求項1−6のひとつに記載のリニアライザ装置。 - 【請求項8】 受動素子により構成されることを特徴とする請求項1−7の
ひとつに記載のリニアライザ装置。
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